JP2018107418A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. ３８０ｎｍ以上４３０ｎｍ以下に発光ピーク波長を持つ第１の光を発光する、発光面を持つ発光素子と、
   前記発光素子の発光面上に配置され、前記第１の光によって励起されて前記第１の光より長波長の第２の光を発光する蛍光体を含有する蛍光体層と、
   前記蛍光体層上に設けられ、前記第１の光を反射し、かつ前記第２の光を透過する反射膜と、を有し、
   前記反射膜の反射スペクトルにおいて、前記反射膜は、前記反射膜に対する前記第１の光の入射角が０°から８５°における３８０ｎｍ以上４３０ｎｍ以下の光の反射率が４０％以上である発光装置。
2. 前記反射膜に対する第１の光の入射角が０°から４５°における３８０ｎｍ以上４３０ｎｍ以下の光の反射率が９０％以上である請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第１の光と前記反射膜との入射角が０°において、前記反射膜は、３８０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下の反射率が９０％以上である請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記発光素子は、発光ピーク波長の最大強度を１とした場合に、４５０ｎｍの相対強度が０．３以下である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記蛍光体は、５５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光ピーク波長を持つ請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 前記発光装置は、さらに前記反射膜上に設けられた透光性部材を備えている請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
7. 前記発光装置は、さらに基台を備えており、前記発光素子は、前記基台に配置されている請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。
8. 前記発光装置は、さらに基台を備えており、
   前記基台は内底面と内側面を持つ凹部を形成しており、
   前記発光素子は、前記基台の凹部の内底面に配置されており、
   前記基台の母材は、セラミックであり、前記発光素子及び前記透光性部材と接するように前記基台の凹部内に樹脂が配置されている請求項６に記載の発光装置。
9. 前記基台の凹部の内底面に対して、前記基台の凹部の最上面は、前記透光性部材の表面よりも高い位置にある請求項８に記載の発光装置。
10. 前記樹脂は、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、炭酸バリウム、硫酸バリウム、酸化マグネシウム及び炭酸マグネシウムからなる群から選択される光拡散材を少なくとも一種含む請求項８又は９に記載の発光装置。
11. 前記発光装置の発する光の色度は、ＣＩＥ１９３１色度図のｘｙ色度座標系において、
    （ｘ＝０．６４５、ｙ＝０．３３５）、（ｘ＝０．６６５、ｙ＝０．３３５）、（ｘ＝０．７３５、ｙ＝０．２６５）、（ｘ＝０．７２１、ｙ＝０．２５９）の４点を結んでできる四角形で囲まれる範囲内にある請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発光装置。
12. 前記蛍光体は、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ蛍光体、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ蛍光体、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ蛍光体、から選択される少なくとも１種、またはその組み合わせである請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の発光装置。
13. 前記蛍光体層は複数積層されており、前記発光素子に近い側にＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ蛍光体層、遠い側に（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ蛍光体層を配置している請求項１乃至１１のいずれ一項に記載の発光装置。
14. 前記反射膜は、誘電体多層膜である請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光装置。
15. ３８０ｎｍ以上４３０ｎｍ以下に発光ピーク波長を持つ第１の光を発光する、第１半導体層、活性層、第２半導体層の順に積層された発光素子と、
    前記発光素子上に配置され、前記第１の光によって励起されて前記第１の光より長波長の第２の光を発光する蛍光体を含有する蛍光体層と、
    前記蛍光体層上に設けられ、前記第１の光を反射し、かつ前記第２の光を透過する反射膜と、を有し、
    前記発光素子の平面視において前記活性層の中心を基準として、前記反射膜方向に−８５°から＋８５°の範囲における３８０ｎｍ以上４３０ｎｍ以下の光の反射率が４０％以上である発光装置。