JP2018104649A - Resin sheet - Google Patents

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JP2018104649A JP2016255894A JP2016255894A JP2018104649A JP 2018104649 A JP2018104649 A JP 2018104649A JP 2016255894 A JP2016255894 A JP 2016255894A JP 2016255894 A JP2016255894 A JP 2016255894A JP 2018104649 A JP2018104649 A JP 2018104649A
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智絵 飯野
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剛志 土生
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yusaku Shimizu
祐作 清水
肇 砂原
Hajime Sunahara
肇 砂原
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin sheet capable of putting a resin to reach an end of a hollow type electronic device when embedding the hollow type electronic device, and preventing the resin from making a large movement at a thermal cure.SOLUTION: A resin sheet includes an inorganic filler. The inorganic filler has a grain diameter of 0.5-45 μm. In the inorganic filler, a specific surface area is within a range of 2.0-4.5 m/g with regard to 50 wt.% or more inorganic filler in the whole inorganic filler.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、樹脂シートに関する。   The present invention relates to a resin sheet.

従来、電子デバイスと基板との間が中空構造となっている中空型電子デバイスを樹脂封止して中空型電子デバイスパッケージを作製する際に、封止樹脂としてシート状のものが用いられることがある(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。   Conventionally, when a hollow electronic device package having a hollow structure between an electronic device and a substrate is resin-sealed to produce a hollow electronic device package, a sheet-shaped sealing resin is often used. Yes (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

上記パッケージの製造方法としては、被着体上に配置された1又は複数の電子デバイス上にシート状の封止樹脂を配置し、次に、電子デバイスとシート状の封止樹脂とを近づける方向に加圧して電子デバイスをシート状の封止樹脂に埋め込み、その後、シート状の封止樹脂を熱硬化させる方法が挙げられる。   As a manufacturing method of the package, a sheet-shaped sealing resin is disposed on one or a plurality of electronic devices disposed on an adherend, and then the direction in which the electronic device and the sheet-shaped sealing resin are brought close to each other There is a method in which the electronic device is embedded in a sheet-shaped sealing resin by applying pressure to the sheet, and then the sheet-shaped sealing resin is thermally cured.

特開2006−19714号公報JP 2006-19714 A 特開2014−189790号公報JP 2014-189790 A

上述の方法で中空型電子デバイスを封止する場合、封止樹脂の硬化後の時点で、樹脂が中空型電子デバイスの中空部に大きく進入せずに、中空状態を保持している必要がある。   When sealing a hollow electronic device by the above-described method, it is necessary that the resin does not enter the hollow portion of the hollow electronic device so that the hollow state is maintained after the sealing resin is cured. .

中空状態を保持する方法としては、中空型電子デバイスの埋め込み時には、中空型電子デバイスの端まで樹脂を到達させ、且つ、熱硬化時には、中空部内を樹脂が大きく移動しない必要がある。   As a method for maintaining the hollow state, it is necessary that the resin reaches the end of the hollow electronic device when the hollow electronic device is embedded, and that the resin does not move greatly in the hollow portion during thermosetting.

中空型電子デバイスの埋め込み時に、中空型電子デバイスの端まで樹脂を到達させるためには、埋め込み時の温度において封止樹脂が高い流動性を有する必要がある。一方、熱硬化時に、中空部内を、樹脂を大きく移動させないためには、熱硬化中の封止樹脂の流動性を下げる必要がある。   In order to allow the resin to reach the end of the hollow electronic device when the hollow electronic device is embedded, the sealing resin needs to have high fluidity at the temperature at the time of embedding. On the other hand, it is necessary to lower the fluidity of the sealing resin during thermosetting so that the resin does not move greatly in the hollow portion during thermosetting.

従来、封止樹脂の流動性を高くするために、無機充填剤を密に充填する方法が採用される場合が多い。例えば、主となる無機充填剤に、粒径の小さい微粉無機充填剤を最適な比率で含有させることにより、無機充填剤を密に充填する方法が採用される場合がある。
また、製造される中空型電子デバイスパッケージの信頼性を確保する観点からも、熱膨張係数(CTE)の低い無機充填剤を密に充填する方法が採用される場合がある。
Conventionally, in order to increase the fluidity of a sealing resin, a method of closely filling an inorganic filler is often employed. For example, a method of densely filling an inorganic filler by incorporating a fine inorganic filler with a small particle diameter in an optimum ratio into the main inorganic filler may be employed.
Also, from the viewpoint of ensuring the reliability of the manufactured hollow electronic device package, a method of densely filling an inorganic filler having a low coefficient of thermal expansion (CTE) may be employed.

しかしながら、無機充填剤を密に充填する設計にすると、最低溶融粘度が過剰に低下することがある。そのため、熱硬化中の樹脂の流動量が大きくなり、中空部内に大きく入り込むおそれがある。   However, if the design is such that the inorganic filler is closely packed, the minimum melt viscosity may be excessively reduced. For this reason, the flow amount of the resin during thermosetting becomes large, and there is a possibility that the resin will greatly enter the hollow portion.

本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、中空型電子デバイスの埋め込み時には、中空型電子デバイスの端まで樹脂を到達させることができ、且つ、熱硬化時には、中空部内を樹脂が大きく移動させないことが可能な樹脂シートを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems. The purpose of the present invention is to allow the resin to reach the end of the hollow electronic device when the hollow electronic device is embedded, and within the hollow portion during thermosetting. It is an object of the present invention to provide a resin sheet that can prevent the resin from moving greatly.

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、樹脂シートについて検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、中空型電子デバイスの埋め込み時には、中空型電子デバイスの端まで樹脂を到達させることができ、且つ、熱硬化時には、中空部内を樹脂が大きく移動させないことが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。   The inventors of the present application have studied a resin sheet in order to solve the conventional problems. As a result, by adopting the following configuration, when the hollow electronic device is embedded, the resin can reach the end of the hollow electronic device, and during thermosetting, the resin does not move greatly in the hollow portion. As a result, the present invention has been completed.

すなわち、本発明に係る樹脂シートは、
無機充填剤を含み、
前記無機充填剤は、粒径0.5μm以上45μm以下の範囲内であり、
前記無機充填剤は、全無機充填剤のうちの50重量%以上の無機充填剤の比表面積が2.0m/g〜4.5m/gの範囲内である。
That is, the resin sheet according to the present invention is
Containing inorganic fillers,
The inorganic filler has a particle size of 0.5 μm or more and 45 μm or less,
The inorganic filler is 50 specific surface area of the weight percent of the inorganic filler of the total inorganic filler is in the range of 2.0m 2 /g~4.5m 2 / g.

前記構成によれば、無機充填剤を含み、前記無機充填剤は、粒径0.5μm以上45μm以下の範囲内である。つまり、無機充填剤として粒径0.5μm以上45μm以下の範囲内のもののみを含み、粒径0.5μm未満の無機充填剤や、粒径45μmより大きい無機充填剤を含まない。
従って、無機充填剤が密に充填されない。
その結果、中空型電子デバイスの埋め込み時には、中空型電子デバイスの端まで樹脂を到達させることができ、且つ、熱硬化時には、例えば、最低溶融粘度のコントロール等によって、中空部内を、樹脂を大きく移動させないことが可能である。
また、粒径0.5μm未満の無機充填剤を含まないため、過剰に低粘度化することを抑制することができる。また、粒径45μmより大きい無機充填剤を含まないため、中空用電子デバイスの端で、バンプ高さ以上の粒径の無機充填剤がせき止められる可能性が低い。従って、樹脂成分のみが中空部へ流入することを防止できる。その結果、樹脂が中空部に過剰に進入することを抑制することができる。
また、全無機充填剤のうちの50重量%以上の無機充填剤の比表面積が2.0m/g以上であるため、樹脂を中空用電子デバイスの端まで充填させることができる粘度を得ることができる。また、樹脂粘度のばらつきが抑制され、安定した樹脂を得ることができる。一方、全無機充填剤のうちの50重量%以上の無機充填剤の比表面積が4.5m/g以下であるため、硬化後に樹脂を少なくとも中空用電子デバイスの端まで充填させることができる粘度の樹脂を得ることができる。
According to the said structure, it contains an inorganic filler and the said inorganic filler exists in the range of a particle size of 0.5 micrometer or more and 45 micrometers or less. That is, the inorganic filler includes only those having a particle diameter of 0.5 μm or more and 45 μm or less, and does not include an inorganic filler having a particle diameter of less than 0.5 μm or an inorganic filler having a particle diameter of more than 45 μm.
Therefore, the inorganic filler is not densely filled.
As a result, when the hollow electronic device is embedded, the resin can reach the end of the hollow electronic device, and at the time of thermosetting, for example, the resin moves greatly in the hollow portion by controlling the minimum melt viscosity. It is possible not to let it.
Moreover, since the inorganic filler with a particle size of less than 0.5 μm is not included, excessive reduction in viscosity can be suppressed. In addition, since the inorganic filler larger than the particle size of 45 μm is not included, it is unlikely that the inorganic filler having a particle size equal to or larger than the bump height is blocked at the end of the hollow electronic device. Therefore, it is possible to prevent only the resin component from flowing into the hollow portion. As a result, the resin can be prevented from excessively entering the hollow portion.
In addition, since the specific surface area of 50% by weight or more of the total inorganic filler is 2.0 m 2 / g or more, a viscosity capable of filling the resin to the end of the hollow electronic device is obtained. Can do. Moreover, the dispersion | variation in resin viscosity is suppressed and stable resin can be obtained. On the other hand, since the specific surface area of 50% by weight or more of all inorganic fillers is 4.5 m 2 / g or less, the viscosity at which the resin can be filled at least to the end of the hollow electronic device after curing. This resin can be obtained.

前記構成において、前記無機充填剤の含有量は、樹脂シート全体に対して75重量%以上であることが好ましい。   The said structure WHEREIN: It is preferable that content of the said inorganic filler is 75 weight% or more with respect to the whole resin sheet.

前記無機充填剤の含有量が、樹脂シート全体に対して75重量%以上であると、無機充填剤の粒径を0.5μm以上45μm以下の範囲内としたことによる影響を大きくすることができる。従って、中空型電子デバイスの埋め込み時には、より好適に、中空型電子デバイスの端まで樹脂を到達させることができ、且つ、熱硬化時には、より好適に、中空部内を、樹脂を大きく移動させないことが可能である。   When the content of the inorganic filler is 75% by weight or more with respect to the entire resin sheet, the influence due to the particle size of the inorganic filler being in the range of 0.5 μm or more and 45 μm or less can be increased. . Therefore, the resin can reach the end of the hollow electronic device more preferably at the time of embedding the hollow electronic device, and more preferably, the resin cannot be moved greatly through the hollow portion at the time of thermosetting. Is possible.

前記構成において、90℃での溶融粘度ηが100000Pa・s以上350000Pa・s以下であることが好ましい。   In the above structure, the melt viscosity η at 90 ° C. is preferably 100,000 Pa · s or more and 350,000 Pa · s or less.

90℃での溶融粘度ηが100000Pa・s以上であると、進入量が過剰となることを抑制できる。一方、90℃での溶融粘度ηが350000Pa・s以下であると、熱硬化後に少なくとも樹脂を中空用電子デバイスの端まで充填させることができる。   When the melt viscosity η at 90 ° C. is 100000 Pa · s or more, it is possible to prevent the approach amount from becoming excessive. On the other hand, when the melt viscosity η at 90 ° C. is 350,000 Pa · s or less, at least the resin can be filled to the end of the hollow electronic device after thermosetting.

本実施形態に係る電子デバイス封止用樹脂シートの断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the resin sheet for electronic device sealing which concerns on this embodiment. 進入量X1、及び、進入量Y1を測定する手順を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the procedure which measures the approach amount X1 and the approach amount Y1. 進入量X1、及び、進入量Y1を測定する手順を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the procedure which measures the approach amount X1 and the approach amount Y1. 進入量X1、及び、進入量Y1を測定する手順を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the procedure which measures the approach amount X1 and the approach amount Y1. 進入量X1、及び、進入量Y1を測定する手順を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the procedure which measures the approach amount X1 and the approach amount Y1. 図5の部分拡大図である。It is the elements on larger scale of FIG. 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the hollow type electronic device package which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the hollow type electronic device package which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the hollow type electronic device package which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the hollow type electronic device package which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the hollow type electronic device package which concerns on this embodiment.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited only to these embodiments.

(電子デバイス封止用樹脂シート)
図1は、本実施形態に係る電子デバイス封止用樹脂シート(樹脂シート)の断面模式図である。図1に示すように、電子デバイス封止用樹脂シート11(以下、「樹脂シート11」ともいう)は、代表的に、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムなどのセパレータ11a上に積層された状態で提供される。なお、セパレータ11aには樹脂シート11の剥離を容易に行うために離型処理が施されていてもよい。
(Resin sheet for sealing electronic devices)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an electronic device sealing resin sheet (resin sheet) according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, an electronic device sealing resin sheet 11 (hereinafter also referred to as “resin sheet 11”) is typically provided in a state of being laminated on a separator 11a such as a polyethylene terephthalate (PET) film. Is done. The separator 11a may be subjected to a mold release process in order to easily peel the resin sheet 11.

なお、本実施形態では、樹脂シートの一方の面にのみセパレータが積層された場合について説明するが、本発明はこの例に限定されず、樹脂シートの両面にセパレータが積層されていてもよい。この場合、使用する直前に一方のセパレータを剥離して、使用することができる。また、本発明において樹脂シートは、セパレータに積層されず、樹脂シートの単体で提供されてもよい。また、本発明の趣旨に反しない範囲において、樹脂シート上に他の層が積層されていてもよい。   In addition, although this embodiment demonstrates the case where a separator is laminated | stacked only on one side of the resin sheet, this invention is not limited to this example, The separator may be laminated | stacked on both surfaces of the resin sheet. In this case, one separator can be peeled off immediately before use. In the present invention, the resin sheet may be provided as a single resin sheet without being laminated on the separator. Further, other layers may be laminated on the resin sheet as long as they do not contradict the spirit of the present invention.

本発明の樹脂シートは、中空封止用の電子デバイス封止用樹脂シートとして好適に使用できる。樹脂シート11は、下記ステップA〜ステップGの手順により測定される進入量Y1が0μm以上80μm以下であることが好ましい。前記進入量Y1は、0μm以上70μm以下であることがより好ましく、0μm以上50μm以下であることがさらに好ましい。   The resin sheet of the present invention can be suitably used as an electronic device sealing resin sheet for hollow sealing. The resin sheet 11 preferably has an entry amount Y1 measured by the procedure of the following Step A to Step G of 0 μm or more and 80 μm or less. The entry Y1 is more preferably 0 μm or more and 70 μm or less, and further preferably 0 μm or more and 50 μm or less.

下記仕様の1つのダミーチップが樹脂バンプを介してガラス基板に実装されたダミーチップ実装基板を準備するステップA、
縦1cm、横1cm、厚さ220μmのサイズの樹脂シートのサンプルを準備するステップB、
前記サンプルを、前記ダミーチップ実装基板の前記ダミーチップ上に配置するステップC、
下記埋め込み条件下で、前記ダミーチップを前記サンプルに埋め込むステップD、
前記ステップDの後、前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量X1を測定するステップE、
前記ステップEの後、150℃の熱風乾燥機中に1時間放置し、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得るステップF、及び、
前記封止体サンプルにおける前記中空部への前記樹脂の進入量Y1を測定するステップG。
<ダミーチップの仕様>
チップサイズが縦3mm、横3mm、厚さ200μmであり、高さ20μmの樹脂バンプが形成されている。
<埋め込み条件>
プレス方法:平板プレス
温度:65℃
加圧力:0.1MPa
真空度:1.6kPa
プレス時間:1分
なお、埋め込み条件の温度は、低すぎると、ガラス基板への接着が低下し、侵入量X1がはっきりと観測できなくなり(チップ周囲でのボイドが大きい)、一方、高すぎると、熱プレス中に反応が開始し、侵入量がばらつく可能性があり(再現性が低下する)、作業性も低下するため、65℃とした。また、圧力は、チップへの破損や、ガラス基板への接着性の観点より、0.1MPaとした。
Step A for preparing a dummy chip mounting substrate in which one dummy chip having the following specifications is mounted on a glass substrate through a resin bump,
Step B for preparing a sample of a resin sheet having a size of 1 cm in length, 1 cm in width, and thickness of 220 μm,
Placing the sample on the dummy chip of the dummy chip mounting substrate;
Embedding the dummy chip in the sample under the following embedding conditions:
Step E after the step D, measuring the amount X1 of resin that constitutes the sample into the hollow portion between the dummy chip and the glass substrate,
After the step E, it is left in a hot air dryer at 150 ° C. for 1 hour, and the sample is thermally cured to obtain a sealed sample, and F
Step G of measuring an amount Y1 of the resin entering the hollow portion in the sealing body sample.
<Dummy chip specifications>
A resin bump having a chip size of 3 mm in length, 3 mm in width, 200 μm in thickness, and 20 μm in height is formed.
<Embedding conditions>
Press method: Flat plate press Temperature: 65 ° C
Applied pressure: 0.1 MPa
Degree of vacuum: 1.6 kPa
Press time: 1 minute Note that if the temperature of the embedding condition is too low, the adhesion to the glass substrate is reduced, and the penetration amount X1 cannot be clearly observed (the void around the chip is large). The reaction started during hot pressing, and the amount of intrusion may vary (reproducibility decreases), and workability also decreases. The pressure was set to 0.1 MPa from the viewpoint of damage to the chip and adhesion to the glass substrate.

以下、進入量X1、及び、進入量Y1から進入量X1を引いた値を求める方法について説明する。   Hereinafter, an approach amount X1 and a method for obtaining a value obtained by subtracting the approach amount X1 from the approach amount Y1 will be described.

図2〜図5は、進入量X1、及び、進入量Y1を測定する手順を説明するための断面模式図である。図6は、図5の部分拡大図である。   2-5 is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the procedure which measures the approach amount X1 and the approach amount Y1. FIG. 6 is a partially enlarged view of FIG.

(ステップA)
ステップAでは、図2に示すように、1つのダミーチップ113が樹脂バンプ113aを介してガラス基板112に実装されたダミーチップ実装基板115を準備する。ダミーチップ113の仕様は下記の通りである。ダミーチップ実装基板115は、より具体的には、実施例記載の方法により準備する。
<ダミーチップ113の仕様>
チップサイズが縦3mm、横3mm、厚さ200μmであり、高さ20μmの樹脂バンプ113aが形成されている。
(Step A)
In step A, as shown in FIG. 2, a dummy chip mounting substrate 115 is prepared in which one dummy chip 113 is mounted on the glass substrate 112 via resin bumps 113a. The specifications of the dummy chip 113 are as follows. More specifically, the dummy chip mounting substrate 115 is prepared by the method described in the embodiments.
<Specifications of dummy chip 113>
A resin bump 113a having a chip size of 3 mm in length, 3 mm in width and 200 μm in thickness and 20 μm in height is formed.

(ステップB)
ステップBでは、図3に示すように、縦1cm、横1cm、厚さ220μmのサイズのサンプル111を準備する。サンプル111は、樹脂シート11と同一の材料を用いて、縦1cm、横1cm、厚さ220μmのサイズにしたものである。本実施形態では、サンプル111を、セパレータ111a上に積層した場合について説明する。サンプル111は、例えば、まず、縦10cm以上、横10cm以上、厚さ220μmの封止用シート11を作成し、その後、縦1cm、横1cm、厚さ220μmのサイズに切り出すことにより作成することができる。なお、樹脂シート11自体が縦1cm、横1cm、厚さ220μmのサイズである必要はない。
(Step B)
In Step B, as shown in FIG. 3, a sample 111 having a size of 1 cm in length, 1 cm in width, and 220 μm in thickness is prepared. Sample 111 is made of the same material as resin sheet 11 and has a size of 1 cm in length, 1 cm in width, and 220 μm in thickness. In the present embodiment, a case where the sample 111 is stacked on the separator 111a will be described. The sample 111 can be prepared by, for example, first creating the sealing sheet 11 having a length of 10 cm or more, a width of 10 cm or more, and a thickness of 220 μm, and then cutting it into a size of 1 cm in length, 1 cm in width, and 220 μm in thickness. it can. The resin sheet 11 itself does not have to be 1 cm in length, 1 cm in width, and 220 μm in thickness.

(ステップC)
ステップCでは、図4に示すように、サンプル111を、ダミーチップ実装基板115のダミーチップ113上に配置する。例えば、下側加熱板122上に、ダミーチップ実装基板115を、ダミーチップ113が固定された面を上にして配置するとともに、ダミーチップ113面上にサンプル111を配置する。このステップにおいては、下側加熱板122上にまずダミーチップ実装基板115を配置し、その後、ダミーチップ実装基板115上にサンプル111を配置してもよく、ダミーチップ実装基板115上にサンプル111を先に積層し、その後、ダミーチップ実装基板115とサンプル111とが積層された積層物を下側加熱板122上に配置してもよい。
(Step C)
In step C, as shown in FIG. 4, the sample 111 is placed on the dummy chip 113 of the dummy chip mounting substrate 115. For example, the dummy chip mounting substrate 115 is disposed on the lower heating plate 122 with the surface to which the dummy chip 113 is fixed facing upward, and the sample 111 is disposed on the surface of the dummy chip 113. In this step, the dummy chip mounting substrate 115 may be first disposed on the lower heating plate 122, and then the sample 111 may be disposed on the dummy chip mounting substrate 115, or the sample 111 may be disposed on the dummy chip mounting substrate 115. A laminate in which the dummy chip mounting substrate 115 and the sample 111 are laminated may be disposed on the lower heating plate 122 after being laminated first.

(ステップD)
ステップCの後、ステップDでは、図5に示すように、下記埋め込み条件下で、ダミーチップ113をサンプル111に埋め込む。具体的には、下記埋め込み条件下で、平板プレスが備える下側加熱板122と上側加熱板124とにより熱プレスして、ダミーチップ113をサンプル111に埋め込む。その後、大気圧、常温(25℃)に放置する。放置時間は、24時間以内とする。
<埋め込み条件>
プレス方法:平板プレス
温度:65℃
加圧力:0.1MPa
真空度:1.6kPa
プレス時間:1分
(Step D)
After step C, in step D, as shown in FIG. 5, the dummy chip 113 is embedded in the sample 111 under the following embedding conditions. Specifically, the dummy chip 113 is embedded in the sample 111 by hot pressing with the lower heating plate 122 and the upper heating plate 124 included in the flat plate press under the following embedding conditions. Then, it is left at atmospheric pressure and room temperature (25 ° C.). The leaving time is within 24 hours.
<Embedding conditions>
Press method: Flat plate press Temperature: 65 ° C
Applied pressure: 0.1 MPa
Degree of vacuum: 1.6 kPa
Press time: 1 minute

(ステップE)
ステップDの後、ステップEでは、ダミーチップ113とガラス基板112との間の中空部114への、サンプル111を構成する樹脂の進入量X1を測定する(図6参照)。進入量X1は、ダミーチップ113の端部から中空部114へ進入した樹脂の最大到達距離とする。
(Step E)
After step D, in step E, the amount X1 of resin that forms the sample 111 into the hollow portion 114 between the dummy chip 113 and the glass substrate 112 is measured (see FIG. 6). The approach amount X1 is the maximum reach distance of the resin that has entered the hollow portion 114 from the end portion of the dummy chip 113.

(ステップF)
前記ステップEの後、ダミーチップ113がサンプル111に埋め込まれた構造物を、150℃の熱風乾燥機中に1時間放置し、サンプル111を熱硬化させて封止体サンプルを得る。
(Step F)
After Step E, the structure in which the dummy chip 113 is embedded in the sample 111 is left in a hot air dryer at 150 ° C. for 1 hour, and the sample 111 is thermally cured to obtain a sealed sample.

(ステップG)
前記ステップFの後、前記封止体サンプルにおける中空部114への前記樹脂の進入量Y1を測定する。進入量Y1は、ダミーチップ113の端部から中空部114へ進入した樹脂の最大到達距離とする。
(Step G)
After the step F, the amount Y1 of the resin entering the hollow portion 114 in the sealing body sample is measured. The amount of entry Y1 is the maximum reachable distance of the resin that has entered the hollow portion 114 from the end of the dummy chip 113.

その後、進入量Y1から進入量X1を引いた値を求める。   Thereafter, a value obtained by subtracting the approach amount X1 from the approach amount Y1 is obtained.

以上により、進入量X1、及び、進入量Y1から進入量X1を引いた値を求める方法について説明した。   As described above, the approach amount X1 and the method for obtaining the value obtained by subtracting the approach amount X1 from the approach amount Y1 have been described.

樹脂シート11は、上述の通り、前記進入量Y1が0μm以上80μm以下である。中空型電子デバイスパッケージにおいて、バンプや電子デバイスに形成される能動面は、電子デバイスの端部から中空部方向に100μm以上内側に設けられることが多い。従って、前記進入量Y1を80μm以下とした場合、中空型電子デバイスパッケージとして確実に機能させることが可能となる。   As described above, the resin sheet 11 has the entry amount Y1 of not less than 0 μm and not more than 80 μm. In a hollow electronic device package, an active surface formed on a bump or an electronic device is often provided at an inner side of 100 μm or more from the end of the electronic device toward the hollow portion. Therefore, when the amount of entry Y1 is 80 μm or less, it is possible to reliably function as a hollow electronic device package.

前記進入量Y1から前記進入量X1を引いた値、すなわち、(Y1−X1)は、80μm以下であることが好ましく、50μm以下であることがより好ましい。   A value obtained by subtracting the entry amount X1 from the entry amount Y1, that is, (Y1-X1) is preferably 80 μm or less, and more preferably 50 μm or less.

前記進入量Y1から前記進入量X1を引いた値が80μm以下であると、実際の中空型電子デバイスパッケージの製造において、樹脂シートを熱硬化させる際の、中空部における樹脂の流動を抑制できる。   When the value obtained by subtracting the entry amount X1 from the entry amount Y1 is 80 μm or less, the flow of the resin in the hollow portion when the resin sheet is thermally cured can be suppressed in the manufacture of an actual hollow electronic device package.

前記進入量X1は、10μm以上70μm以下が好ましく、0μm以上50μm以下がより好ましい。   The entry amount X1 is preferably 10 μm or more and 70 μm or less, and more preferably 0 μm or more and 50 μm or less.

前記進入量X1が0μm以上70μm以下であると、実際の中空型電子デバイスパッケージの製造において、電子デバイスを樹脂シート11に埋め込んだ際に、電子デバイスと被着体との間の中空部へ適度に樹脂を進入させることができる。
なお、進入量Y1、進入量X1、及び、進入量Y1から前記進入量X1を引いた値を用いて樹脂シート11の物性を評価しているのは、実際の中空型電子デバイスパッケージの製造を想定した条件で評価するためである。ただし、これらの評価における条件は、当然、実際の中空型電子デバイスパッケージの製造における条件と異なることがある。
When the penetration amount X1 is not less than 0 μm and not more than 70 μm, when the electronic device is embedded in the resin sheet 11 in the actual manufacturing of the hollow electronic device package, the hollow portion between the electronic device and the adherend is appropriately The resin can be made to enter.
Note that the physical properties of the resin sheet 11 are evaluated using the entry amount Y1, the entry amount X1, and the value obtained by subtracting the entry amount X1 from the entry amount Y1 in the manufacture of an actual hollow electronic device package. This is for evaluation under the assumed conditions. However, the conditions in these evaluations may naturally differ from the conditions in the actual manufacturing of the hollow electronic device package.

樹脂シート11は、90℃での溶融粘度ηが100000Pa・s以上350000Pa・s以下であることが好ましく、より好ましくは、125000Pa・s以上325000Pa・s以下であり、さらに好ましくは、150000Pa・s以上300000Pa・s以下である。   The resin sheet 11 preferably has a melt viscosity η at 90 ° C. of 100000 Pa · s or more and 350,000 Pa · s or less, more preferably 125000 Pa · s or more and 325000 Pa · s or less, and further preferably 150,000 Pa · s or more. 300,000 Pa · s or less.

90℃での溶融粘度ηが100000Pa・s以上であると、進入量が過剰となることを抑制できる。一方、90℃での溶融粘度ηが350000Pa・s以下であると、熱硬化後に少なくとも樹脂を中空用電子デバイスの端まで充填させることができる。
樹脂シート11の90℃での溶融粘度ηのコントロールする方法としては、下記の無機充填剤の粒径や含有量によりコントロールする方法、熱可塑性樹脂の種類や含有量によりコントロールする方法、樹脂シート11を形成するためのワニス又は混練物作成時の攪拌条件によりコントロールする方法等が挙げられる。
When the melt viscosity η at 90 ° C. is 100000 Pa · s or more, it is possible to prevent the approach amount from becoming excessive. On the other hand, when the melt viscosity η at 90 ° C. is 350,000 Pa · s or less, at least the resin can be filled to the end of the hollow electronic device after thermosetting.
As a method of controlling the melt viscosity η at 90 ° C. of the resin sheet 11, a method of controlling by the particle size and content of the following inorganic filler, a method of controlling by the type and content of the thermoplastic resin, the resin sheet 11 The method of controlling by the stirring conditions at the time of preparation of the varnish for kneading or kneaded material, etc. are mentioned.

樹脂シート11は、無機充填剤を含み、前記無機充填剤は、粒径0.5μm以上45μm以下の範囲内である。前記粒径は、好ましくは、粒径0.6μm以上40μm以下の範囲内であり、より好ましくは、粒径0.7μm以上38μm以下の範囲内である。
つまり、無機充填剤として粒径が所定範囲内のもののみを含み、所定の粒径未満の無機充填剤や、所定の粒径より大きい無機充填剤を含まない。
従って、無機充填剤が密に充填されない。
その結果、中空型電子デバイスの埋め込み時には、中空型電子デバイスの端まで樹脂を到達させることができ、且つ、熱硬化時には、例えば、最低溶融粘度のコントロール等によって、中空部内を、樹脂を大きく移動させないことが可能である。
また、所定の粒径未満の無機充填剤を含まないため、過剰に低粘度化することを抑制することができる。また、所定の粒径より大きい無機充填剤を含まないため、中空用電子デバイスの端で、バンプ高さ以上の粒径の無機充填剤がせき止められる可能性が低い。従って、樹脂成分のみが中空部へ流入することを防止できる。その結果、樹脂が中空部に過剰に進入することを抑制することができる。
粒径0.5μm以上45μm以下の範囲内にある無機充填剤を得る方法としては、例えば、市販品の無機充填剤を分級して、所定範囲外の粒径の無機充填剤を取り除き、所定範囲内のもののみとする方法が挙げられる。
The resin sheet 11 includes an inorganic filler, and the inorganic filler has a particle size in the range of 0.5 μm to 45 μm. The particle diameter is preferably in the range of 0.6 μm to 40 μm, and more preferably in the range of 0.7 μm to 38 μm.
That is, the inorganic filler includes only those having a particle size within a predetermined range, and does not include an inorganic filler having a particle size smaller than the predetermined particle size or an inorganic filler having a particle size larger than the predetermined particle size.
Therefore, the inorganic filler is not densely filled.
As a result, when the hollow electronic device is embedded, the resin can reach the end of the hollow electronic device, and at the time of thermosetting, for example, the resin moves greatly in the hollow portion by controlling the minimum melt viscosity. It is possible not to let it.
Moreover, since it does not contain an inorganic filler having a particle size less than a predetermined particle size, excessive reduction in viscosity can be suppressed. Further, since the inorganic filler larger than the predetermined particle size is not included, the possibility that the inorganic filler having a particle size equal to or larger than the bump height is blocked at the end of the hollow electronic device is low. Therefore, it is possible to prevent only the resin component from flowing into the hollow portion. As a result, the resin can be prevented from excessively entering the hollow portion.
As a method for obtaining an inorganic filler having a particle size in the range of 0.5 μm or more and 45 μm or less, for example, a commercially available inorganic filler is classified, and the inorganic filler having a particle size outside the predetermined range is removed. The method which makes only the inside is mentioned.

前記無機充填剤は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ(溶融シリカや結晶性シリカなど)、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。   The inorganic filler is not particularly limited, and various conventionally known fillers can be used. For example, quartz glass, talc, silica (such as fused silica and crystalline silica), alumina, aluminum nitride, nitriding Examples thereof include silicon and boron nitride powders. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, silica and alumina are preferable, and silica is more preferable because the linear expansion coefficient can be satisfactorily reduced.

シリカとしては、シリカ粉末が好ましく、溶融シリカ粉末がより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末が好ましい。   As silica, silica powder is preferable, and fused silica powder is more preferable. Examples of the fused silica powder include spherical fused silica powder and crushed fused silica powder. From the viewpoint of fluidity, spherical fused silica powder is preferable.

前記無機充填剤の含有量は、樹脂シート11全体に対して75重量%以上であることが好ましく、80重量%以上であることがより好ましい。   The content of the inorganic filler is preferably 75% by weight or more and more preferably 80% by weight or more with respect to the entire resin sheet 11.

前記無機充填剤の含有量が、樹脂シート11全体に対して75重量%以上であると、無機充填剤の粒径を所定範囲内としたことによる影響を大きくすることができる。従って、中空型電子デバイスの埋め込み時には、より好適に、中空型電子デバイスの端まで樹脂を到達させることができ、且つ、熱硬化時には、より好適に、中空部内を、樹脂を大きく移動させないことが可能である。   When the content of the inorganic filler is 75% by weight or more with respect to the entire resin sheet 11, it is possible to increase the influence of setting the particle size of the inorganic filler within a predetermined range. Therefore, the resin can reach the end of the hollow electronic device more preferably at the time of embedding the hollow electronic device, and more preferably, the resin cannot be moved greatly through the hollow portion at the time of thermosetting. Is possible.

前記無機充填剤の形状は特に限定されず、球状(楕円体状を含む。)、多面体状、多角柱状、扁平形状、不定形状等の任意の形状であってもよいが、中空構造付近での高充填状態の達成や適度な流動性の観点から、球状が好ましい。   The shape of the inorganic filler is not particularly limited, and may be any shape such as a spherical shape (including an ellipsoidal shape), a polyhedron shape, a polygonal column shape, a flat shape, and an indeterminate shape. From the viewpoint of achieving a high filling state and appropriate fluidity, a spherical shape is preferred.

樹脂シート11に含有される前記無機充填剤の粒径や粒度分布は、具体的には、以下の方法により得られる。
(a)樹脂シート11をるつぼに入れ、大気雰囲気下、700℃で2時間強熱して灰化させる。
(b)得られた灰分を純水中に分散させて10分間超音波処理し、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置(ベックマンコールター社製、「LS 13 320」;湿式法)を用いて粒度分布(体積基準)を求める。
なお、樹脂シート11の組成として無機充填剤以外は有機成分であり、上記の強熱処理により実質的に全ての有機成分が焼失することから、得られる灰分を無機充填剤とみなして測定を行う。なお、平均粒径の算出も粒度分布と同時に行うことができる。
Specifically, the particle size and particle size distribution of the inorganic filler contained in the resin sheet 11 are obtained by the following method.
(A) The resin sheet 11 is put in a crucible and ignited by igniting at 700 ° C. for 2 hours in an air atmosphere.
(B) The obtained ash content is dispersed in pure water and subjected to ultrasonic treatment for 10 minutes, and the particle size distribution using a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device (“LS 13 320”; wet method) manufactured by Beckman Coulter, Inc. (Volume basis) is obtained.
In addition, since it is an organic component other than an inorganic filler as a composition of the resin sheet 11 and substantially all the organic components are burned away by the above-mentioned strong heat treatment, the ash content obtained is regarded as an inorganic filler and measured. The average particle size can be calculated simultaneously with the particle size distribution.

樹脂シート11は、無機充填剤がシランカップリング剤で予め表面処理されていることが好ましい。   The resin sheet 11 is preferably surface-treated in advance with an inorganic filler with a silane coupling agent.

前記シランカップリング剤としては、メタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有しており、無機充填剤の表面処理をすることが可能なものであれば特に限定されない。前記シランカップリング剤の具体例としては、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシオクチルトリメトキシシラン、メタクリロキシオクチルトリエトキシシランを挙げることができる。なかでも、反応性とコストの観点から、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。   The silane coupling agent is not particularly limited as long as it has a methacryloxy group or an acryloxy group and can perform a surface treatment of the inorganic filler. Specific examples of the silane coupling agent include 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, methacryloxy. Examples include octyltrimethoxysilane and methacryloxyoctyltriethoxysilane. Of these, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane is preferable from the viewpoint of reactivity and cost.

樹脂シート11が、シランカップリング剤としてのメタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物で予め表面処理された無機充填剤を含有する場合、前記無機充填剤は、無機充填剤100重量部に対して0.5〜2重量部のシランカップリング剤により予め表面処理されていることが好ましい。
シランカップリング剤により無機充填剤の表面処理をすれば、樹脂シート11の粘度が大きくなりすぎるのを抑制することができる。
When the resin sheet 11 contains an inorganic filler that has been surface-treated in advance with a compound having a methacryloxy group or an acryloxy group as a silane coupling agent, the inorganic filler is based on 100 parts by weight of the inorganic filler. It is preferable that the surface treatment is performed in advance with 0.5 to 2 parts by weight of a silane coupling agent.
If the surface treatment of the inorganic filler is performed with a silane coupling agent, the viscosity of the resin sheet 11 can be suppressed from becoming too large.

前記無機充填剤は、全無機充填剤のうちの50重量%以上の無機充填剤の比表面積が2.0m/g〜4.5m/gの範囲内であり、好ましくは、2.1m/g〜4.3m/gの範囲内である。全無機充填剤のうちの50重量%以上の無機充填剤の比表面積が2.0m/g以上であるため、樹脂を中空用電子デバイスの端まで充填させることができる粘度を得ることができる。また、樹脂粘度のばらつきが抑制され、安定した樹脂を得ることができる。一方、全無機充填剤のうちの50重量%以上の無機充填剤の比表面積が4.5m/g以下であるため、硬化後に樹脂を少なくとも中空用電子デバイスの端まで充填させることができる粘度の樹脂を得ることができる。前記無機充填剤の比表面積の測定方法は、実施例に記載の方法による。 The inorganic filler is 50 specific surface area of the weight percent of the inorganic filler of the total mineral filler is in the range of 2.0m 2 /g~4.5m 2 / g, preferably, 2.1 m It exists in the range of 2 / g-4.3m < 2 > / g. Since the specific surface area of 50% by weight or more of all inorganic fillers is 2.0 m 2 / g or more, it is possible to obtain a viscosity capable of filling the resin to the end of the hollow electronic device. . Moreover, the dispersion | variation in resin viscosity is suppressed and stable resin can be obtained. On the other hand, since the specific surface area of 50% by weight or more of all inorganic fillers is 4.5 m 2 / g or less, the viscosity at which the resin can be filled at least to the end of the hollow electronic device after curing. This resin can be obtained. The method for measuring the specific surface area of the inorganic filler is based on the method described in Examples.

樹脂シート11は、エポキシ樹脂、及びフェノール樹脂を含むことが好ましい。これにより、良好な熱硬化性が得られる。   The resin sheet 11 preferably contains an epoxy resin and a phenol resin. Thereby, favorable thermosetting is obtained.

エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし2種以上併用してもよい。   The epoxy resin is not particularly limited. For example, triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, modified bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, modified bisphenol F type epoxy resin, dicyclopentadiene type Various epoxy resins such as an epoxy resin, a phenol novolac type epoxy resin, and a phenoxy resin can be used. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量150〜250、軟化点もしくは融点が50〜130℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、成型性および信頼性の観点から、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などがより好ましい。   From the viewpoint of ensuring the toughness of the epoxy resin after curing and the reactivity of the epoxy resin, it is preferably a solid at an ordinary temperature with an epoxy equivalent of 150 to 250, a softening point or a melting point of 50 to 130 ° C. From the viewpoint of reliability, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin and the like are more preferable.

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。   The phenol resin is not particularly limited as long as it causes a curing reaction with the epoxy resin. For example, a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a biphenyl aralkyl resin, a dicyclopentadiene type phenol resin, a cresol novolak resin, a resole resin, or the like is used. These phenolic resins may be used alone or in combination of two or more.

フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が70〜250、軟化点が50〜110℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高く安価であるという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。   From the viewpoint of reactivity with the epoxy resin, it is preferable to use a phenol resin having a hydroxyl group equivalent of 70 to 250 and a softening point of 50 to 110 ° C., and in particular, from the viewpoint of high curing reactivity and low cost. A phenol novolac resin can be preferably used. From the viewpoint of reliability, low hygroscopic materials such as phenol aralkyl resins and biphenyl aralkyl resins can also be suitably used.

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が0.7〜1.5当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは0.9〜1.2当量である。   From the viewpoint of curing reactivity, the blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is blended so that the total number of hydroxyl groups in the phenol resin is 0.7 to 1.5 equivalents with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. Preferably, it is 0.9 to 1.2 equivalents.

樹脂シート11中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量の下限は、5.0重量%以上が好ましく、7.0重量%以上がより好ましい。5.0重量%以上であると、電子デバイス、基板などに対する接着力が良好に得られる。一方、上記合計含有量の上限は、25重量%以下が好ましく、20重量%以下がより好ましい。25重量%以下であると、樹脂シートの吸湿性を低減させることができる。   The lower limit of the total content of the epoxy resin and the phenol resin in the resin sheet 11 is preferably 5.0% by weight or more, and more preferably 7.0% by weight or more. Adhesive force with respect to an electronic device, a board | substrate, etc. is acquired favorably as it is 5.0 weight% or more. On the other hand, the upper limit of the total content is preferably 25% by weight or less, and more preferably 20% by weight or less. The hygroscopicity of a resin sheet can be reduced as it is 25 weight% or less.

樹脂シート11は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。これにより、得られる樹脂シートの耐熱性、可撓性、強度を向上させることができる。   The resin sheet 11 preferably contains a thermoplastic resin. Thereby, the heat resistance of the resin sheet obtained, flexibility, and intensity | strength can be improved.

熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6−ナイロンや6,6−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBTなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。なかでも、可とう性が得やすく、エポキシ樹脂との分散性が良好であるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。   As thermoplastic resins, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplasticity Polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET and PBT, polyamideimide resin, fluorine resin, styrene-isobutylene-styrene block copolymer, etc. Can be mentioned. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Especially, an acrylic resin is preferable from a viewpoint that a flexibility is easy to obtain and a dispersibility with an epoxy resin is favorable.

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下、特に炭素数4〜18の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体(アクリル共重合体)等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。   The acrylic resin is not particularly limited, and includes one or two or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms. Examples thereof include a polymer (acrylic copolymer) as a component. Examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2- Examples include an ethylhexyl group, an octyl group, an isooctyl group, a nonyl group, an isononyl group, a decyl group, an isodecyl group, an undecyl group, a lauryl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a stearyl group, an octadecyl group, and a dodecyl group.

前記アクリル樹脂のガラス転移温度(Tg)は、50℃以下が好ましく、−70〜20℃がより好ましく、−50〜0℃がさらに好ましい。50℃以下とすることにより、シートに可とう性を持たせることができる。   The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably 50 ° C. or lower, more preferably −70 to 20 ° C., and further preferably −50 to 0 ° C. By setting the temperature to 50 ° C. or less, the sheet can have flexibility.

前記アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が5万以上のものが好ましく、10万〜200万のものがより好ましく、30万〜160万のものがさらに好ましい。上記数値範囲内であると、樹脂シート11の粘度と可とう性をより高くすることができる。なお、重量平均分子量は、GPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー)により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。   Among the acrylic resins, those having a weight average molecular weight of 50,000 or more are preferable, those having 100,000 to 2,000,000 are more preferable, and those having 300,000 to 1,600,000 are more preferable. Within the above numerical range, the viscosity and flexibility of the resin sheet 11 can be further increased. The weight average molecular weight is a value measured by GPC (gel permeation chromatography) and calculated in terms of polystyrene.

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル若しくは(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート若しくは(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂と反応して、樹脂シート11の粘度を高くできる観点から、カルボキシル基含有モノマー、グリシジル基(エポキシ基)含有モノマー、ヒドロキシル基含有モノマーうちの少なくとも1つを含むことが好ましい。   In addition, the other monomer forming the polymer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Carboxyl group-containing monomers such as acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4- (meth) acrylic acid 4- Hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -Methyla Hydroxyl group-containing monomers such as relate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) Examples thereof include sulfonic acid group-containing monomers such as acryloyloxynaphthalene sulfonic acid, and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate. Especially, it is preferable to include at least one of a carboxyl group-containing monomer, a glycidyl group (epoxy group) -containing monomer, and a hydroxyl group-containing monomer from the viewpoint of increasing the viscosity of the resin sheet 11 by reacting with the epoxy resin.

樹脂シート11中の熱可塑性樹脂の含有量は、0.5重量%以上が好ましく、1.0重量%以上がより好ましい。上記含有量が0.5重量%以上であると、樹脂シートの柔軟性、可撓性が得られる。樹脂シート11中の熱可塑性樹脂の含有量は、10重量%以下が好ましく、5重量%以下がより好ましい。10重量%以下であると、電子デバイスや基板に対する樹脂シートの接着性が良好である。   0.5 weight% or more is preferable and, as for content of the thermoplastic resin in the resin sheet 11, 1.0 weight% or more is more preferable. When the content is 0.5% by weight or more, the flexibility and flexibility of the resin sheet can be obtained. The content of the thermoplastic resin in the resin sheet 11 is preferably 10% by weight or less, and more preferably 5% by weight or less. When it is 10% by weight or less, the adhesiveness of the resin sheet to the electronic device or the substrate is good.

樹脂シート11は、硬化促進剤を含むことが好ましい。   It is preferable that the resin sheet 11 contains a hardening accelerator.

硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物;2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物;などが挙げられる。なかでも、反応性が良好で硬化物のTgが高め易いという理由から、イミダゾール系化合物が好ましい。イミダゾール系化合物のなかでも、熱硬化時の粘度上昇を早めることができる点で、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。   The curing accelerator is not particularly limited as long as it cures the epoxy resin and the phenol resin, and examples thereof include organic phosphorus compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate; 2-phenyl-4, And imidazole compounds such as 5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole. Of these, imidazole compounds are preferred because they have good reactivity and are easy to increase the Tg of the cured product. Among the imidazole compounds, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole is preferable in that the viscosity increase at the time of thermosetting can be accelerated.

硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計100重量部に対して0.1〜5重量部が好ましい。   As for content of a hardening accelerator, 0.1-5 weight part is preferable with respect to a total of 100 weight part of an epoxy resin and a phenol resin.

樹脂シート11は、必要に応じ、難燃剤成分を含んでもよい。これにより、部品ショートや発熱などにより発火した際の、燃焼拡大を低減できる。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物;ホスファゼン系難燃剤などを用いることができる。   The resin sheet 11 may include a flame retardant component as necessary. This can reduce the expansion of combustion when ignition occurs due to component short-circuiting or heat generation. As the flame retardant composition, for example, various metal hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, iron hydroxide, calcium hydroxide, tin hydroxide, complex metal hydroxides; phosphazene flame retardants, etc. should be used. Can do.

樹脂シート11は、顔料を含むことが好ましい。顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。   The resin sheet 11 preferably contains a pigment. The pigment is not particularly limited, and examples thereof include carbon black.

樹脂シート11中の顔料の含有量は、0.1〜2重量%が好ましい。0.1重量%以上であると、良好なマーキング性が得られる。2重量%以下であると、硬化後の樹脂シートの強度を確保することができる。   The content of the pigment in the resin sheet 11 is preferably 0.1 to 2% by weight. When the content is 0.1% by weight or more, good marking properties can be obtained. The intensity | strength of the resin sheet after hardening can be ensured as it is 2 weight% or less.

なお、樹脂組成物には、上記の各成分以外に必要に応じて、他の添加剤を適宜配合できる。   In addition to the above components, other additives can be appropriately blended in the resin composition as necessary.

樹脂シート11の厚さは特に限定されないが、例えば、100〜2000μmである。上記範囲内であると、良好に電子デバイスを封止することができる。   Although the thickness of the resin sheet 11 is not specifically limited, For example, it is 100-2000 micrometers. An electronic device can be favorably sealed as it is in the said range.

樹脂シート11は、単層構造であってもよいし、2以上の樹脂シートを積層した多層構造であってもよい。   The resin sheet 11 may have a single layer structure or a multilayer structure in which two or more resin sheets are laminated.

[樹脂シートの製造方法]
樹脂シート11は、適当な溶剤に樹脂シート11を形成するための樹脂等を溶解、分散させてワニスを調整し、このワニスをセパレータ11a上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させて形成することができる。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度70〜160℃、乾燥時間1〜30分間の範囲内で行われる。
また、他の方法として、支持体上に前記ワニスを塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて樹脂シート11を形成してもよい。その後、セパレータ11a上に樹脂シート11を支持体と共に貼り合わせる樹脂シート11が、特に、熱可塑性樹脂(アクリル樹脂)、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を含む場合、これらすべてを溶剤に溶解させた上で、塗布、乾燥させる。溶剤としては、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン等を挙げることができる。
また、樹脂シート11は、混練押出により製造してもよい。混練押出により製造する方法としては、例えば、樹脂シート11を形成するための各成分をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物を可塑加工してシート状に形成する方法などが挙げられる。
具体的には、溶融混練後の混練物を冷却することなく高温状態のままで、押出成形することで、樹脂シートを形成することができる。このような押出方法としては、特に制限されず、Tダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。押出温度としては、上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば40〜150℃、好ましくは50〜140℃、さらに好ましくは70〜120℃である。以上により、樹脂シート11を形成することができる。
[Production method of resin sheet]
The resin sheet 11 is prepared by dissolving and dispersing a resin or the like for forming the resin sheet 11 in an appropriate solvent to adjust the varnish, and coating the varnish on the separator 11a to a predetermined thickness to form a coating film. Then, the coating film can be formed by drying under predetermined conditions. It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned. As drying conditions, for example, the drying temperature is 70 to 160 ° C. and the drying time is 1 to 30 minutes.
As another method, the resin sheet 11 may be formed by applying the varnish on a support to form a coating film and then drying the coating film under the drying conditions. Then, when the resin sheet 11 that bonds the resin sheet 11 together with the support on the separator 11a includes a thermoplastic resin (acrylic resin), an epoxy resin, and a phenol resin, all of these are dissolved in a solvent, Apply and dry. Examples of the solvent include methyl ethyl ketone, ethyl acetate, toluene and the like.
The resin sheet 11 may be manufactured by kneading extrusion. As a method for producing by kneading extrusion, for example, a kneaded product is prepared by melt kneading each component for forming the resin sheet 11 with a known kneader such as a mixing roll, a pressure kneader, an extruder, etc. Examples thereof include a method of forming the kneaded material into a sheet by plastic processing.
Specifically, the resin sheet can be formed by extrusion molding without cooling the kneaded material after melt-kneading while maintaining a high temperature state. Such an extrusion method is not particularly limited, and examples thereof include a T-die extrusion method, a roll rolling method, a roll kneading method, a co-extrusion method, and a calendar molding method. The extrusion temperature is preferably at least the softening point of each component described above, and is 40 to 150 ° C., preferably 50 to 140 ° C., more preferably 70 to 120 ° C., considering the thermosetting property and moldability of the epoxy resin. is there. Thus, the resin sheet 11 can be formed.

[中空型電子デバイスパッケージの製造方法]
本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法は、
電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
樹脂シートを準備する工程と、
前記樹脂シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程と、
熱プレスにより、前記電子デバイスを前記樹脂シートに埋め込む工程と、
前記埋め込む工程の後、前記樹脂シートを熱硬化させて封止体を得る工程と
を少なくとも含む。
[Method of manufacturing hollow electronic device package]
The manufacturing method of the hollow electronic device package according to the present embodiment is as follows:
A step of preparing a laminate in which an electronic device is fixed on an adherend via bumps;
A step of preparing a resin sheet;
Arranging the resin sheet on the electronic device of the laminate;
A step of embedding the electronic device in the resin sheet by hot pressing;
After the step of embedding, at least a step of thermally curing the resin sheet to obtain a sealing body.

前記被着体としては特に限定されず、例えば、LTCC(Low Temperature Co−fired Ceramics)基板、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板等が挙げられる。本実施形態では、LTCC基板12上に搭載されたSAWチップ13を樹脂シート11により中空封止して中空型電子デバイスパッケージを作製する。なお、SAWチップ13とは、SAW(Surface Acoustic Wave)フィルタを有するチップである。すなわち、本実施形態では、本発明の電子デバイスが、SAW(Surface Acoustic Wave)フィルタを有するチップである場合について説明する。   The adherend is not particularly limited, and examples thereof include an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) substrate, a printed wiring board, a ceramic substrate, a silicon substrate, and a metal substrate. In this embodiment, the SAW chip 13 mounted on the LTCC substrate 12 is hollow-sealed with the resin sheet 11 to produce a hollow electronic device package. The SAW chip 13 is a chip having a SAW (Surface Acoustic Wave) filter. That is, in this embodiment, a case where the electronic device of the present invention is a chip having a SAW (Surface Acoustic Wave) filter will be described.

図7〜図11は、本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。   7 to 11 are schematic cross-sectional views for explaining the method for manufacturing the hollow electronic device package according to this embodiment.

(積層体を準備する工程)
本実施形態に係る中空パッケージの製造方法では、まず、複数のSAWチップ13(SAWフィルタ13)がプリント配線基板12上に搭載された積層体15を準備する(図7参照)。SAWチップ13は、所定の櫛形電極が形成された圧電結晶を公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。SAWチップ13のプリント配線基板12への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。SAWチップ13とプリント配線基板12とはバンプ13aを介して電気的に接続されている。また、SAWチップ13とプリント配線基板12との間は、SAWフィルタ表面での表面弾性波の伝播を阻害しないように中空部14を維持するようになっている。SAWチップ13とプリント配線基板12との間の距離(中空部の幅)は適宜設定でき、一般的には10〜100μm程度である。
(Process of preparing a laminate)
In the method for manufacturing a hollow package according to this embodiment, first, a laminate 15 in which a plurality of SAW chips 13 (SAW filters 13) are mounted on a printed wiring board 12 is prepared (see FIG. 7). The SAW chip 13 can be formed by dicing a piezoelectric crystal on which predetermined comb-shaped electrodes are formed by a known method. For mounting the SAW chip 13 on the printed wiring board 12, a known device such as a flip chip bonder or a die bonder can be used. The SAW chip 13 and the printed wiring board 12 are electrically connected via bumps 13a. In addition, a hollow portion 14 is maintained between the SAW chip 13 and the printed wiring board 12 so as not to inhibit the propagation of surface acoustic waves on the surface of the SAW filter. The distance (width of the hollow portion) between the SAW chip 13 and the printed wiring board 12 can be set as appropriate, and is generally about 10 to 100 μm.

(樹脂シートを準備する工程)
また、本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法では、樹脂シート11(図1参照)を準備する。
(Process for preparing resin sheet)
Moreover, in the manufacturing method of the hollow type electronic device package which concerns on this embodiment, the resin sheet 11 (refer FIG. 1) is prepared.

(樹脂シートを配置する工程)
次に、図8に示すように、下側加熱板22上に、積層体15を、SAWチップ13が固定された面を上にして配置するとともに、SAWチップ13面上に樹脂シート11を配置する。この工程においては、下側加熱板22上にまず積層体15を配置し、その後、積層体15上に樹脂シート11を配置してもよく、積層体15上に樹脂シート11を先に積層し、その後、積層体15と樹脂シート11とが積層された積層物を下側加熱板22上に配置してもよい。
(Process of placing resin sheet)
Next, as shown in FIG. 8, the laminate 15 is disposed on the lower heating plate 22 with the surface on which the SAW chip 13 is fixed facing up, and the resin sheet 11 is disposed on the surface of the SAW chip 13. To do. In this step, the laminated body 15 may be first arranged on the lower heating plate 22, and then the resin sheet 11 may be arranged on the laminated body 15, and the resin sheet 11 is laminated on the laminated body 15 first. Thereafter, a laminate in which the laminate 15 and the resin sheet 11 are laminated may be disposed on the lower heating plate 22.

(電子デバイスを電子デバイス用樹脂シートに埋め込む工程)
次に、図9に示すように、下側加熱板22と上側加熱板24とにより熱プレスして、SAWチップ13を樹脂シート11に埋め込む。下側加熱板22、及び、上側加熱板24は、平板プレスが備えるものであってよい。樹脂シート11は、SAWチップ13及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能することとなる。
(Process of embedding electronic devices in resin sheets for electronic devices)
Next, as shown in FIG. 9, the SAW chip 13 is embedded in the resin sheet 11 by hot pressing with the lower heating plate 22 and the upper heating plate 24. The lower heating plate 22 and the upper heating plate 24 may be provided in a flat plate press. The resin sheet 11 functions as a sealing resin for protecting the SAW chip 13 and its accompanying elements from the external environment.

この埋め込む工程は、樹脂シート11を構成する樹脂の、SAWフィルタ13とプリント配線基板12との間の中空部14への進入量X2が0μm以上50μm以下となるように行うことが好ましい。前記進入量X2は、より好ましくは0μm以上30μm以下であり、さらに好ましくは0μm以上20μm以下である。前記進入量X2を0μm以上50μm以下とする方法としては、樹脂シート11の粘度を調整したり、熱プレス条件を調整することにより達成することができる。より具体的には、例えば、圧力、及び、温度を高めに設定する方法が挙げられる。   This embedding step is preferably performed so that the amount X2 of the resin constituting the resin sheet 11 enters the hollow portion 14 between the SAW filter 13 and the printed wiring board 12 is 0 μm or more and 50 μm or less. The entry amount X2 is more preferably 0 μm or more and 30 μm or less, and further preferably 0 μm or more and 20 μm or less. The method of setting the ingress amount X2 to 0 μm or more and 50 μm or less can be achieved by adjusting the viscosity of the resin sheet 11 or adjusting hot press conditions. More specifically, for example, there is a method of setting the pressure and the temperature higher.

具体的に、SAWチップ13を樹脂シート11に埋め込む際の熱プレス条件としては、樹脂シート11の粘度等に応じて異なるが、温度が、好ましくは20〜150℃、より好ましくは40〜100℃であり、圧力が、例えば、0.01〜20MPa、好ましくは0.05〜5MPaであり、時間が、例えば0.3〜10分間、好ましくは0.5〜5分間である。熱プレス方法としては、平行平板プレスやロールプレスが挙げられる。なかでも、平行平板プレスが好ましい。熱プレス条件を上記数値範囲内とすることにより、進入量X2を上記数値範囲内とし易くなる。
熱プレス時の温度が高すぎると、熱プレス中に反応が開始し、侵入量がばらつく可能性があり、作業性の観点からも、低温(例えば、100℃以下)等が求められている。また、圧力も、チップへの破損を防止する観点より、低圧が好ましい。
Specifically, the hot press conditions for embedding the SAW chip 13 in the resin sheet 11 vary depending on the viscosity of the resin sheet 11 and the like, but the temperature is preferably 20 to 150 ° C., more preferably 40 to 100 ° C. The pressure is, for example, 0.01 to 20 MPa, preferably 0.05 to 5 MPa, and the time is, for example, 0.3 to 10 minutes, preferably 0.5 to 5 minutes. Examples of the hot press method include a parallel plate press and a roll press. Of these, a parallel plate press is preferable. By setting the hot press condition within the above numerical range, the approach amount X2 can be easily within the numerical range.
If the temperature during hot pressing is too high, the reaction starts during hot pressing and the amount of penetration may vary. From the viewpoint of workability, a low temperature (for example, 100 ° C. or lower) is required. The pressure is also preferably low from the viewpoint of preventing damage to the chip.

また、樹脂シート11のSAWチップ13及びプリント配線基板12への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下においてプレスすることが好ましい。
前記減圧条件としては、圧力が、例えば、0.1〜5kPa、好ましくは、0.1〜100Paであり、減圧保持時間(減圧開始からプレス開始までの時間)が、例えば、5〜600秒であり、好ましくは、10〜300秒である。
In addition, in consideration of improvement in adhesion and followability of the resin sheet 11 to the SAW chip 13 and the printed wiring board 12, it is preferable to press under reduced pressure conditions.
As the pressure reduction conditions, the pressure is, for example, 0.1 to 5 kPa, preferably 0.1 to 100 Pa, and the pressure reduction holding time (time from the pressure reduction start to the press start) is, for example, 5 to 600 seconds. Yes, preferably 10 to 300 seconds.

(セパレータ剥離工程)
次に、本実施形態のように、片面にセパレータが付いた状態のままで樹脂シート11を使用している場合には、セパレータ11aを剥離する(図10参照)。
(Separator peeling process)
Next, when the resin sheet 11 is used with the separator attached to one side as in this embodiment, the separator 11a is peeled off (see FIG. 10).

(熱硬化させて封止体を得る工程)
次に、樹脂シート11を熱硬化させて封止体25を得る。
この封止体を得る工程は、封止体25を得る工程の後の状態における、中空部14への前記樹脂の進入量をY2としたとき、前記進入量Y2から前記進入量X2を引いた値が60μm以下となるように行うことが好ましい。前記進入量Y2から前記進入量X2を引いた値は、より好ましくは30μm以下であり、さらに好ましくは10μm以下である。前記進入量Y2から前記進入量X2を引いた値が60μm以下とする方法としては、樹脂シート11の硬化前の粘度を調整したり、加熱時の硬化速度が早くなるように樹脂シート11の構成材料を調整することにより達成することができる。
(Process to obtain a sealed body by thermosetting)
Next, the sealing body 25 is obtained by thermosetting the resin sheet 11.
In the step of obtaining the sealing body, when the amount of the resin entering the hollow portion 14 in the state after the step of obtaining the sealing body 25 is Y2, the entry amount X2 is subtracted from the entry amount Y2. It is preferable to carry out such that the value is 60 μm or less. The value obtained by subtracting the entry amount X2 from the entry amount Y2 is more preferably 30 μm or less, and even more preferably 10 μm or less. As a method of setting the value obtained by subtracting the entry amount X2 from the entry amount Y2 to 60 μm or less, the resin sheet 11 is configured so that the viscosity before curing of the resin sheet 11 is adjusted or the curing rate during heating is increased. This can be achieved by adjusting the material.

具体的に、熱硬化処理の条件として、樹脂シート11の粘度や構成材料等に応じて異なるが、加熱温度が好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは200℃以下、より好ましくは180℃以下である。加熱時間が、好ましくは10分以上、より好ましくは30分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは180分以下、より好ましくは120分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは0.1MPa以上、より好ましくは0.5MPa以上である。一方、上限は好ましくは10MPa以下、より好ましくは5MPa以下である。
熱硬化処理の条件を上記数値範囲内とすることにより、埋め込む工程後から熱硬化工程後までの間の樹脂の流動距離、すなわち、進入量Y2から前記進入量X2を引いた値を所定の範囲内とし易い。
Specifically, although the heat curing conditions vary depending on the viscosity, the constituent materials, and the like of the resin sheet 11, the heating temperature is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher. On the other hand, the upper limit of the heating temperature is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower. The heating time is preferably 10 minutes or more, more preferably 30 minutes or more. On the other hand, the upper limit of the heating time is preferably 180 minutes or less, more preferably 120 minutes or less. Moreover, you may pressurize as needed, Preferably it is 0.1 Mpa or more, More preferably, it is 0.5 Mpa or more. On the other hand, the upper limit is preferably 10 MPa or less, more preferably 5 MPa or less.
By setting the conditions of the thermosetting treatment within the above numerical range, the flow distance of the resin from the embedding step to after the thermosetting step, that is, the value obtained by subtracting the entry amount X2 from the entry amount Y2 is within a predetermined range. Easy to be inside.

電子デバイスとしてのSAWフィルタ13を1つのみ封止した場合は、封止体25を1つの中空型電子デバイスパッケージとすることができる。また、複数のSAWフィルタ13を一括して封止した場合は、SAWフィルタごとに分割することにより、それぞれ1つの中空型電子デバイスパッケージとすることができる。すなわち、本実施形態のように、複数のSAWフィルタ13を一括して封止した場合、さらに、下記の構成を行ってもよい。   When only one SAW filter 13 as an electronic device is sealed, the sealing body 25 can be made into one hollow electronic device package. Further, when the plurality of SAW filters 13 are sealed together, each of the SAW filters can be divided into one hollow electronic device package. That is, when the plurality of SAW filters 13 are collectively sealed as in this embodiment, the following configuration may be further performed.

(ダイシング工程)
熱硬化工程の後、封止体25のダイシングを行ってもよい(図6参照)。これにより、SAWチップ13単位での中空パッケージ18(中空型電子デバイスパッケージ)を得ることができる。
(Dicing process)
You may dice the sealing body 25 after a thermosetting process (refer FIG. 6). Thereby, the hollow package 18 (hollow type electronic device package) in units of the SAW chip 13 can be obtained.

(基板実装工程)
必要に応じて、中空パッケージ18に対してバンプを形成し、これを別途の基板(図示せず)に実装する基板実装工程を行うことができる。中空パッケージ18の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
(Board mounting process)
If necessary, a substrate mounting step can be performed in which bumps are formed on the hollow package 18 and mounted on a separate substrate (not shown). For mounting the hollow package 18 on the substrate, a known device such as a flip chip bonder or a die bonder can be used.

上述した実施形態では、本発明の中空型電子デバイスが、可動部を有する半導体チップであるSAWチップ13である場合について説明した。しかしながら、本発明の中空型電子デバイスは、被着体と電子デバイスとの間に中空部を有するものであれば、この例に限定されない。例えば、可動部として圧力センサ、振動センサなどのMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を有する半導体チップであってもよい。
また、上述の本実施形態では、樹脂シートを用いて、電子デバイスを平行平板プレスで埋め込む場合について説明したが、本発明は、この例に限定されず、真空状態の真空チェンバー内において、離型フィルムで、電子デバイスと樹脂シートとの積層物を密閉した後、チャンバー内に大気圧以上のガスを導入して、電子デバイスを樹脂シートの熱硬化性樹脂シートに埋め込むこととしてもよい。具体的には、特開2013−52424号公報に記載されている方法により、電子デバイスを樹脂シートの熱硬化性樹脂シートに埋め込むこととしてもよい。
上述した実施形態では、本発明の樹脂シートが、中空封止用である場合について説明した。しかしながら、本発明の樹脂シートは、中空封止用以外の封止用シート(例えば、中空部をも封止する態様で使用する樹脂シート)であってもよい。
In the above-described embodiment, the case where the hollow electronic device of the present invention is the SAW chip 13 which is a semiconductor chip having a movable part has been described. However, the hollow electronic device of the present invention is not limited to this example as long as it has a hollow portion between the adherend and the electronic device. For example, it may be a semiconductor chip having MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) such as a pressure sensor and a vibration sensor as the movable part.
Further, in the above-described embodiment, the case where the electronic device is embedded with a parallel plate press using a resin sheet has been described. However, the present invention is not limited to this example, and the mold release is performed in a vacuum chamber in a vacuum state. After sealing the laminate of the electronic device and the resin sheet with a film, the electronic device may be embedded in the thermosetting resin sheet of the resin sheet by introducing a gas at atmospheric pressure or higher into the chamber. Specifically, the electronic device may be embedded in a thermosetting resin sheet of a resin sheet by a method described in JP2013-52424A.
In embodiment mentioned above, the case where the resin sheet of this invention was an object for hollow sealing was demonstrated. However, the resin sheet of the present invention may be a sheet for sealing other than for hollow sealing (for example, a resin sheet used in a mode for sealing a hollow part).

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention only to those unless otherwise specified.

実施例で使用した樹脂シートの成分について説明する。
エポキシ樹脂:新日鐵化学(株)製のYSLV−80XY(ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキン当量200g/eq.、軟化点80℃)
フェノール樹脂:群栄化学製のLVR8210DL(ノボラック型フェノール樹脂、水酸基当量104g/eq.、軟化点60℃)
熱可塑性樹脂:根上工業社製のME−2006M(カルボキシル基含有のアクリル酸エステル系ポリマー、重量平均分子量:約60万、酸価:31mgKOH/g、ポリマー濃度20%のメチルエチルケトン溶液)
無機充填剤A−1:デンカ社製のFB−8SM(シリカ、平均粒径:5μm、表面処理ナシ、粒径0.1μm以上50μm以下のもののみ含む(粒径50μmより大きいもの、及び、粒径0.1μm未満のものを含まない)、比表面積:2.5のもの)
無機充填剤A−2:デンカ社製のFB−8SM(シリカ、平均粒径:5μm、表面処理ナシ、粒径0.1μm以上50μm以下のもののみ含む(粒径50μmより大きいもの、及び、粒径0.1μm未満のものを含まない)、比表面積:2.7のもの)
無機充填剤A−3:デンカ社製のFB−8SM(シリカ、平均粒径:5μm、表面処理ナシ、粒径0.1μm以上50μm以下のもののみ含む(粒径50μmより大きいもの、及び、粒径0.1μm未満のものを含まない)、比表面積:1.8のもの)
無機充填剤A−4:デンカ社製のFB−8SM(シリカ、平均粒径:5μm、表面処理ナシ、粒径0.1μm以上50μm以下のもののみ含む(粒径50μmより大きいもの、及び、粒径0.1μm未満のものを含まない)、比表面積:4.3のもの)
無機充填剤B:アドマテックス社製のSC−220G−SMJ(シリカ、平均粒径0.5μm、粒径50μmより大きいもの、及び、粒径0.001μm未満のものを含む)を3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学社製の製品名:KBM−503)で表面処理したもの。無機充填剤Bの100重量部に対して1重量部のシランカップリング剤で表面処理。
カーボンブラック:三菱化学社製の#20
シランカップリング剤(エポキシシランカップリング剤):信越シリコーン社製のKBM−403(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)
硬化促進剤:日本触媒社製のHC−188W(イミダゾール系触媒2P4MHZを5−ヒドロキシ―イソフタル酸で包接した潜在性効果触媒。2P4MHZ含有割合67%)
The components of the resin sheet used in the examples will be described.
Epoxy resin: YSLV-80XY manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. (bisphenol F type epoxy resin, epkin equivalent 200 g / eq., Softening point 80 ° C.)
Phenol resin: LVR8210DL (Novolak-type phenol resin, hydroxyl group equivalent 104 g / eq., Softening point 60 ° C.) manufactured by Gunei Chemical
Thermoplastic resin: ME-2006M manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd. (carboxyl group-containing acrylic ester polymer, weight average molecular weight: about 600,000, acid value: 31 mg KOH / g, polymer concentration 20% methyl ethyl ketone solution)
Inorganic filler A-1: FB-8SM manufactured by Denka Co., Ltd. (silica, average particle size: 5 μm, surface treatment pear, including only particles having a particle size of 0.1 μm to 50 μm (particles having a particle size larger than 50 μm and particles) (Not including those with a diameter of less than 0.1 μm), specific surface area: 2.5)
Inorganic filler A-2: FB-8SM manufactured by Denka Co., Ltd. (silica, average particle size: 5 μm, surface treatment pear, including only particles having a particle size of 0.1 μm to 50 μm (particles larger than 50 μm and particles) (Not including those having a diameter of less than 0.1 μm), specific surface area: 2.7)
Inorganic filler A-3: FB-8SM manufactured by Denka Co., Ltd. (silica, average particle size: 5 μm, surface treatment pear, including only particles having a particle size of 0.1 μm to 50 μm (particles having a particle size larger than 50 μm (Not including those with a diameter of less than 0.1 μm), specific surface area: 1.8)
Inorganic filler A-4: FB-8SM manufactured by Denka Co., Ltd. (silica, average particle size: 5 μm, surface treatment pear, including only particles having a particle size of 0.1 μm to 50 μm (particle size larger than 50 μm and particles) Not including those having a diameter of less than 0.1 μm), specific surface area: 4.3)
Inorganic filler B: SC-220G-SMJ (including silica, those having an average particle size of 0.5 μm, a particle size of larger than 50 μm, and a particle size of less than 0.001 μm) manufactured by Admatechs Co., Ltd. 3-methacryloxy Surface treated with propyltrimethoxysilane (product name: KBM-503, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). Surface treatment with 1 part by weight of silane coupling agent with respect to 100 parts by weight of inorganic filler B.
Carbon black: # 20 manufactured by Mitsubishi Chemical
Silane coupling agent (epoxy silane coupling agent): KBM-403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Silicone
Curing accelerator: HC-188W manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd. (latent effect catalyst in which imidazole catalyst 2P4MHZ is included with 5-hydroxy-isophthalic acid. 2P4MHZ content ratio 67%)

[実施例、及び、比較例に係る樹脂シートの作成]
表1に記載の樹脂シートの配合比に従い、各成分を溶剤としてのメチルエチルケトンに溶解、分散させ、濃度75重量%のワニスを得た。このワニスを、シリコーン離型処理したセパレータ上に塗布した後、110℃で5分間乾燥させた。これにより、厚さ55μmのシートを得た。このシートを4層積層させて厚さ220μmの樹脂シートを作製した。
なお、下記評価においては、樹脂シートの厚みは、下記評価で用いたチップ厚みとバンプ高さとの合計以上の厚みで実施することが好ましい。これは、シート厚が薄すぎると、侵入量が減り、安定的な評価を行うことができないためである。従って、本実施例では、下記評価での「チップ厚みとバンプ高さとの合計」である220μmとした。
[Production of Resin Sheets According to Examples and Comparative Examples]
According to the mixing ratio of the resin sheet shown in Table 1, each component was dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone as a solvent to obtain a varnish having a concentration of 75% by weight. This varnish was applied on a silicone release-treated separator and then dried at 110 ° C. for 5 minutes. As a result, a sheet having a thickness of 55 μm was obtained. Four layers of this sheet were laminated to produce a resin sheet having a thickness of 220 μm.
In addition, in the following evaluation, it is preferable to implement the thickness of the resin sheet by the thickness more than the sum of the chip thickness and bump height used by the following evaluation. This is because if the sheet thickness is too thin, the amount of intrusion decreases and stable evaluation cannot be performed. Therefore, in this example, it was set to 220 μm, which is the “total of chip thickness and bump height” in the following evaluation.

(パッケージ中空部への樹脂進入性評価)
<ステップA>
まず、下記仕様の1つのダミーチップが樹脂バンプを介してガラス基板(縦76mm、横26mm、厚さ1.0mm)に実装されたダミーチップ実装基板を準備した。ガラス基板とダミーチップの間のギャップ幅は、20μmであった。
<ダミーチップの仕様>
チップサイズが縦3mm、横3mm、厚さ200μmであり、高さ20μmの樹脂バンプ(樹脂の材質:ドライフィルムレジスト)が形成されている。バンプ数は、63バンプであり、予め定められたパターンで配置されている(各1mm×1mmのエリア内に7つのバンプが配置されたパターンであり、等間隔ではない箇所もある)。ダミーチップの材質は、シリコンウエハである。
なお、近年、電子デバイスの薄型化が進んでおり、チップや半導体パッケージの薄型化が求められている。そのため、チップ表面に形成されるバンプ高さが10〜50μm程度が求められている。ここで、バンプは、シリコンウエハを所定厚みまで研削した後にウエハ表面に形成しているため、ウエハ厚みがあまり薄すぎるとバンプを有効に形成できなくなる。そこで、本実施例では、バンプを安定的に形成できるウエハ厚みの限界を考慮し、チップ厚さとして約200μmを採用して評価した。また、評価のバラツキを抑えるためには、バンプ高さは低い方がよい。この観点より、バンプ高さを20μmとして評価した。
(Evaluation of resin penetration into package hollow)
<Step A>
First, a dummy chip mounting substrate was prepared in which one dummy chip having the following specifications was mounted on a glass substrate (length 76 mm, width 26 mm, thickness 1.0 mm) via resin bumps. The gap width between the glass substrate and the dummy chip was 20 μm.
<Dummy chip specifications>
A resin bump (resin material: dry film resist) having a chip size of 3 mm in length, 3 mm in width, and 200 μm in thickness and 20 μm in height is formed. The number of bumps is 63, and is arranged in a predetermined pattern (a pattern in which seven bumps are arranged in an area of 1 mm × 1 mm, and there is a portion that is not equally spaced). The material of the dummy chip is a silicon wafer.
In recent years, electronic devices have been made thinner, and there is a demand for thinner chips and semiconductor packages. Therefore, the bump height formed on the chip surface is required to be about 10 to 50 μm. Here, since the bump is formed on the wafer surface after the silicon wafer is ground to a predetermined thickness, the bump cannot be effectively formed if the wafer thickness is too thin. Therefore, in this example, in consideration of the limit of the wafer thickness where bumps can be stably formed, the evaluation was performed by adopting a chip thickness of about 200 μm. Moreover, in order to suppress the variation in evaluation, the bump height should be low. From this viewpoint, the bump height was evaluated as 20 μm.

具体的には、上記ダミーチップを、下記ボンディング条件で、上記ガラス基板に実装することにより、ダミーチップ実装基板を準備した。
<ボンディング条件>
装置:パナソニック電工(株)製
ボンディング条件:200℃、3N、1秒、超音波出力2W
Specifically, the dummy chip mounting substrate was prepared by mounting the dummy chip on the glass substrate under the following bonding conditions.
<Bonding conditions>
Equipment: manufactured by Panasonic Electric Works Co., Ltd. Bonding conditions: 200 ° C., 3N, 1 second, ultrasonic output 2W

<ステップB>
上記実施例、比較例にて作成した厚さ220μmの樹脂シートを縦1cm、横1cmに切り出してサンプルとした。
<Step B>
A 220 μm thick resin sheet prepared in the above Examples and Comparative Examples was cut into 1 cm length and 1 cm width to make a sample.

<ステップC>
前記サンプルを、前記ダミーチップ実装基板の前記ダミーチップ上に配置した。
<Step C>
The sample was placed on the dummy chip of the dummy chip mounting substrate.

<ステップD>
下記埋め込み条件下で、前記ダミーチップを前記サンプルに埋め込んだ。
<埋め込み条件>
プレス方法:平板プレス
温度:65℃
加圧力:0.1MPa
真空度:1.6kPa
プレス時間:1分
<Step D>
The dummy chip was embedded in the sample under the following embedding conditions.
<Embedding conditions>
Press method: Flat plate press Temperature: 65 ° C
Applied pressure: 0.1 MPa
Degree of vacuum: 1.6 kPa
Press time: 1 minute

<ステップE>
大気圧に開放した後、前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量X1を測定した。具体的には、KEYENCE社製の商品名「デジタルマイクロスコープ VHX−2000」(200倍)により、ダミーチップとセラミック基板との間の中空部への樹脂の進入量X1を測定した。樹脂進入量X1は、SAWチップの端部から中空部へ進入した樹脂の最大到達距離を測定し、これを樹脂進入量X1とした。なお、進入がなく、中空部がSAWチップよりも外側に広がっている場合は、樹脂進入量をマイナスで表した。
<Step E>
After opening to atmospheric pressure, the amount X1 of resin that constitutes the sample into the hollow portion between the dummy chip and the glass substrate was measured. Specifically, the amount X1 of the resin entering the hollow portion between the dummy chip and the ceramic substrate was measured by a trade name “Digital Microscope VHX-2000” (200 times) manufactured by KEYENCE. The resin ingress amount X1 was determined by measuring the maximum reach distance of the resin that entered the hollow portion from the end of the SAW chip, and this was defined as the resin ingress amount X1. In addition, when there was no entry and the hollow portion spread outside the SAW chip, the resin entry amount was expressed as minus.

<ステップF>
前記ステップEの後、150℃の熱風乾燥機中に1時間放置した。これにより、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得た。なお、本実施例では、硬化促進剤として、日本触媒社製のHC−188W(イミダゾール系触媒2P4MHZを5−ヒドロキシ―イソフタル酸で包接した潜在性硬化触媒。2P4MHZ含有割合67%)を用いており、この製品の反応開始温度を考慮して、本実施例では、加熱条件を150℃で1時間とした。
<Step F>
After Step E, it was left in a hot air dryer at 150 ° C. for 1 hour. Thereby, the said sample was thermosetted and the sealing body sample was obtained. In this example, as a curing accelerator, HC-188W manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd. (latent curing catalyst in which imidazole catalyst 2P4MHZ is included with 5-hydroxy-isophthalic acid. 2P4MHZ content ratio 67%) is used. In consideration of the reaction start temperature of this product, the heating condition was set to 150 ° C. for 1 hour in this example.

<ステップG>
その後、封止体サンプルにおける中空部への樹脂の進入量Y1を測定した。測定方法は、進入量X1と同様である。樹脂進入量Y1が0μm〜80μmであった場合を「○」、0μm未満もしくは80μmより大きい場合を「×」として評価した。結果を表1に示す。
<Step G>
Thereafter, the amount Y1 of the resin entering the hollow portion in the sealed sample was measured. The measuring method is the same as the approach amount X1. The case where the resin penetration amount Y1 was 0 μm to 80 μm was evaluated as “◯”, and the case where the resin penetration amount Y1 was less than 0 μm or greater than 80 μm was evaluated as “X”. The results are shown in Table 1.

その後、進入量Y1から進入量X1を引いた値を求めた。結果を表1に示す。進入量Y1から進入量X1を引いた値が100μm以下であった場合を「○」、100μmよりも大きい場合を「×」として評価した。結果を表1に示す。   Thereafter, a value obtained by subtracting the approach amount X1 from the approach amount Y1 was obtained. The results are shown in Table 1. The case where the value obtained by subtracting the approach amount X1 from the approach amount Y1 was 100 μm or less was evaluated as “◯”, and the case where the value was larger than 100 μm was evaluated as “X”. The results are shown in Table 1.

(樹脂シートの90℃での溶融粘度ηの測定)
実施例及び比較例で作製し樹脂シートの90℃での溶融粘度ηを、レオメーター(HAAKE社製、MARS II)を用いて、パラレルプレート法により測定した。より詳細には、以下の条件にて測定した。90℃測定時の最も低い値の粘度を溶融粘度ηとした。結果を表1に示す。
<測定条件>
測定モード:室温(25℃)〜90℃まで昇温後、90℃で15分間等温維持
昇温速度:10℃/min
ひずみ量:0.05%
周波数:1hz
サンプル直径:8mmφ
(Measurement of melt viscosity η of resin sheet at 90 ° C.)
The melt viscosity η at 90 ° C. of the resin sheets produced in Examples and Comparative Examples was measured by a parallel plate method using a rheometer (HAAKE II, MARS II). More specifically, the measurement was performed under the following conditions. The lowest viscosity at 90 ° C. measurement was defined as the melt viscosity η. The results are shown in Table 1.
<Measurement conditions>
Measurement mode: After raising the temperature from room temperature (25 ° C.) to 90 ° C., isothermal maintaining at 90 ° C. for 15 minutes Temperature rising rate: 10 ° C./min
Strain amount: 0.05%
Frequency: 1Hz
Sample diameter: 8mmφ

(無機充填剤の比表面積の測定)
樹脂シートをるつぼに入れ、大気雰囲気下、700℃で2時間強熱して灰化させた。なお、樹脂シートの組成として無機充填剤以外は有機成分であり、上記の強熱処理により実質的に全ての有機成分が焼失することから、得られる灰分を無機充填剤とみなして測定を行った。
BET比表面積は、BET吸着法(多点法)により測定した。具体的には、Quantachrome製4連式比表面積・細孔分布測定装置「NOVA−4200e型」を用い、得られた灰分を110℃6時間以上真空脱気した後に、窒素ガス中、77.35Kの温度下で測定した。結果を表1に示す。
(Measurement of specific surface area of inorganic filler)
The resin sheet was put in a crucible and ignited by igniting at 700 ° C. for 2 hours in an air atmosphere. In addition, since it is an organic component other than an inorganic filler as a composition of a resin sheet and substantially all the organic components are burned down by said strong heat processing, it measured by considering the obtained ash as an inorganic filler.
The BET specific surface area was measured by the BET adsorption method (multipoint method). Specifically, using a quadrant specific surface area / pore distribution measuring device “NOVA-4200e type” manufactured by Quantachrome, the obtained ash was vacuum degassed at 110 ° C. for 6 hours or more, and then in nitrogen gas at 77.35K. Measured at a temperature of. The results are shown in Table 1.

Figure 2018104649
Figure 2018104649

11 電子デバイス用樹脂シート(樹脂シート)
13 SAWフィルタ(電子デバイス)
14 中空部
15 積層体
18 中空型電子デバイスパッケージ
25 封止体
112 ガラス基板
113 ダミーチップ
113a 樹脂バンプ
114 中空部
115 ダミーチップ実装基板
11 Resin sheet for electronic devices (resin sheet)
13 SAW filter (electronic device)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 14 Hollow part 15 Laminated body 18 Hollow type electronic device package 25 Sealing body 112 Glass substrate 113 Dummy chip 113a Resin bump 114 Hollow part 115 Dummy chip mounting board

Claims (3)

無機充填剤を含み、
前記無機充填剤は、粒径0.5μm以上45μm以下の範囲内であり、
前記無機充填剤は、全無機充填剤のうちの50重量%以上の無機充填剤の比表面積が2.0m/g〜4.5m/gの範囲内であることを特徴とする樹脂シート。
Containing inorganic fillers,
The inorganic filler has a particle size of 0.5 μm or more and 45 μm or less,
The inorganic filler, a resin sheet, wherein the 50 specific surface area of the weight percent of the inorganic filler of the total inorganic filler is in the range of 2.0m 2 /g~4.5m 2 / g .
前記無機充填剤の含有量は、樹脂シート全体に対して75重量%以上であることを特徴とする請求項1に記載の樹脂シート。   2. The resin sheet according to claim 1, wherein the content of the inorganic filler is 75% by weight or more based on the entire resin sheet. 90℃での溶融粘度ηが100000Pa・s以上350000Pa・s以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の樹脂シート。
The resin sheet according to claim 1, wherein the melt viscosity η at 90 ° C. is 100000 Pa · s or more and 350,000 Pa · s or less.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7471940B2 (en) 2019-12-18 2024-04-22 日東電工株式会社 Sealing resin sheet

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014225635A (en) * 2013-04-26 2014-12-04 日東電工株式会社 Hollow sealing sheet and method of producing hollow package
JP2015053470A (en) * 2013-08-07 2015-03-19 日東電工株式会社 Resin sheet for hollow electronic device encapsulation and method for manufacturing hollow electronic device package
JP2016089081A (en) * 2014-11-07 2016-05-23 日東電工株式会社 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP2016213391A (en) * 2015-05-13 2016-12-15 日東電工株式会社 Sealing resin sheet
JP2016219638A (en) * 2015-05-22 2016-12-22 日東電工株式会社 Encapsulation resin sheet for electronic component built-in substrate and manufacturing method for electronic component built-in substrate

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3611066B2 (en) * 1996-08-29 2005-01-19 株式会社ルネサステクノロジ Inorganic filler and method for producing epoxy resin composition
WO2004090033A1 (en) * 2003-04-07 2004-10-21 Hitachi Chemical Co., Ltd. Epoxy resin molding material for sealing use and semiconductor device
JP5133598B2 (en) * 2007-05-17 2013-01-30 日東電工株式会社 Thermosetting adhesive sheet for sealing
JP4989402B2 (en) * 2007-10-04 2012-08-01 日東電工株式会社 Hollow device sealing resin composition sheet and hollow device sealed using the same
JP6302693B2 (en) * 2013-03-28 2018-03-28 日東電工株式会社 Hollow sealing resin sheet and method for producing hollow package
JP6643791B2 (en) * 2013-03-28 2020-02-12 日東電工株式会社 Hollow sealing resin sheet and hollow package manufacturing method
JP6685080B2 (en) * 2014-11-07 2020-04-22 日東電工株式会社 Sheet for encapsulating electronic device and method for manufacturing electronic device package
CN104558688B (en) * 2014-12-26 2018-01-05 广东生益科技股份有限公司 A kind of fill composition and its application
JP6422370B2 (en) * 2015-03-03 2018-11-14 日東電工株式会社 Hollow type electronic device sealing sheet and method for manufacturing hollow type electronic device package
JP6646360B2 (en) * 2015-04-24 2020-02-14 日東電工株式会社 Sealing resin sheet and electronic device
JP6283624B2 (en) * 2015-05-28 2018-02-21 日東電工株式会社 Hollow electronic device sealing sheet, hollow electronic device package manufacturing method, and hollow electronic device package

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014225635A (en) * 2013-04-26 2014-12-04 日東電工株式会社 Hollow sealing sheet and method of producing hollow package
JP2015053470A (en) * 2013-08-07 2015-03-19 日東電工株式会社 Resin sheet for hollow electronic device encapsulation and method for manufacturing hollow electronic device package
JP2016089081A (en) * 2014-11-07 2016-05-23 日東電工株式会社 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP2016213391A (en) * 2015-05-13 2016-12-15 日東電工株式会社 Sealing resin sheet
JP2016219638A (en) * 2015-05-22 2016-12-22 日東電工株式会社 Encapsulation resin sheet for electronic component built-in substrate and manufacturing method for electronic component built-in substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7471940B2 (en) 2019-12-18 2024-04-22 日東電工株式会社 Sealing resin sheet

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