JP2018101776A - Printed circuit board and package - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a printed circuit board.SOLUTION: A printed circuit board according to one aspect of the present invention includes: an insulation part; an outer conductor pattern layer including a first conductor pattern and a second conductor pattern each embedded in one surface of the insulation part; a first surface treatment layer which is formed on the first conductor pattern so as to protrude from the one surface of the insulation part; a seed layer which is formed between the first conductor pattern and the first surface treatment layer so as to protrude from the one surface of the insulation part; a second surface treatment layer which is formed on the second conductor pattern and contains an organic material; and recess parts which are formed on both sides of the first conductor pattern and/or seed layer.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、プリント回路基板(Printed circuit board)及びパッケージに関する。   The present invention relates to a printed circuit board and a package.

通常プリント回路基板は、コア基板上に複数のビルドアップ層を順次積層して生産される。このように、ビルドアップ層を順次積層してプリント回路基板を生産することを順次積層工法とも称する。   Usually, a printed circuit board is produced by sequentially laminating a plurality of build-up layers on a core substrate. In this way, the production of a printed circuit board by sequentially laminating build-up layers is also referred to as a sequential laminating method.

順次積層工法によりプリント回路基板を製造する場合、プリント回路基板の層数が増えると積層工程数も増加する。このような積層工程は、既に積層されている部分にも熱を加えるので、不要でかつ予測不可能な変形を起こしたりする。このような変形が多いほど層間の位置合わせは困難となる。   When manufacturing a printed circuit board by a sequential lamination method, the number of lamination processes increases as the number of layers of the printed circuit board increases. Such a laminating process also applies heat to the already laminated parts, causing unnecessary and unpredictable deformation. As the number of such deformations increases, the alignment between layers becomes more difficult.

このため、それぞれのビルドアップ層を単位基板に分離生産した後に、複数の単位基板を一括的に同時に積層してプリント回路基板を生産する一括積層工法が開発されている。   For this reason, a collective laminating method has been developed in which a plurality of unit substrates are simultaneously laminated at the same time to produce a printed circuit board after the build-up layers are separately produced on the unit substrates.

韓国公開特許第10−2011−0066044号公報Korean Published Patent No. 10-2011-0066044

本発明の実施例によれば、表面処理層を形成する際に導体パターンの損失を低減できるプリント回路基板及びパッケージが提供される。   According to the embodiment of the present invention, a printed circuit board and a package capable of reducing a loss of a conductor pattern when a surface treatment layer is formed are provided.

本発明の一実施例に係るプリント回路基板を示す図である。It is a figure which shows the printed circuit board which concerns on one Example of this invention. 本発明の一実施例に係るパッケージを示す図である。It is a figure which shows the package which concerns on one Example of this invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法の一工程を示す図である。It is a figure which shows 1 process of the manufacturing method of the printed circuit board which concerns on one Example of this invention. 図3の次の工程を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a step subsequent to FIG. 3. 図4の次の工程を示す図である。It is a figure which shows the next process of FIG. 図5の次の工程を示す図である。It is a figure which shows the next process of FIG. 図6の次の工程を示す図である。It is a figure which shows the next process of FIG. 図7の次の工程を示す図である。It is a figure which shows the next process of FIG. 図8の次の工程を示す図である。It is a figure which shows the next process of FIG. 図9の次の工程を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a step subsequent to that in FIG. 9. 図10の次の工程を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a step subsequent to FIG. 10. 図11の次の工程を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a step subsequent to FIG. 11. 図12の次の工程を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a step subsequent to FIG. 12. 図13の次の工程を示す図である。It is a figure which shows the next process of FIG.

本出願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明白に表現しない限り、複数の表現を含む。   The terms used in the present application are merely used to describe particular embodiments, and are not intended to limit the present invention. A singular expression includes the plural expression unless it is expressly stated in the sentence.

本出願において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたもの等の存在または付加可能性を予め排除するものではないことを理解しなくてはならない。   In this application, terms such as “comprising” or “having” designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts or combinations thereof as described in the specification, It should be understood that the existence or additional possibilities of one or more other features or numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof are not excluded in advance.

また、明細書の全般にわたって、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準にして上側に位置することを意味するものではない。   Further, throughout the specification, “on” means located above or below the target portion, and does not necessarily mean located above the gravity direction.

また、「結合」とは、各構成要素の間の接触関係において、各構成要素の間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。
図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであり、本発明が必ずしもそれらに限定されることはない。
In addition, the term “coupled” does not mean that in the contact relationship between the components, the components are physically directly in contact with each other, and other configurations are interposed between the components. It is used as a concept encompassing even when the components are in contact with other components.
The size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and the present invention is not necessarily limited thereto.

以下、本発明に係るプリント回路基板及びパッケージの実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに関する重複説明を省略する。   DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a printed circuit board and a package according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or corresponding components will be denoted by the same reference numerals in the description with reference to the accompanying drawings. In addition, a duplicate description regarding this will be omitted.

(プリント回路基板及びパッケージ)
(プリント回路基板及)
図1は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
(Printed circuit boards and packages)
(Printed circuit board and)
FIG. 1 is a diagram illustrating a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

図1を参照すると、本発明の一実施例に係るプリント回路基板1000は、絶縁部20と、外層導体パターン層110、610と、第1表面処理層40と、シード層30と、第2表面処理層50と、リセス部Rと、を含み、内部導体パターン層210、310、410、510及びビア60をさらに含むことができる。   Referring to FIG. 1, a printed circuit board 1000 according to an embodiment of the present invention includes an insulating part 20, outer conductor pattern layers 110 and 610, a first surface treatment layer 40, a seed layer 30, and a second surface. The processing layer 50 and the recess R may be included, and the inner conductor pattern layers 210, 310, 410, 510 and the via 60 may be further included.

絶縁部20は、複数の絶縁層120、220、320、420、520、620が互いに積層されて形成される。
絶縁部20は、第1導体パターン層から第6導体パターン層120、210、310、410、510、610を互いに電気的に絶縁する。
The insulating unit 20 is formed by stacking a plurality of insulating layers 120, 220, 320, 420, 520, 620.
The insulating unit 20 electrically insulates the first to sixth conductor pattern layers 120, 210, 310, 410, 510, and 610 from each other.

以下では、複数の絶縁層120、220、320、420、520、620を説明するに当たって、相互間の区別が必要な場合は、図1を基準にして上部から下部方向に沿ってそれぞれ第1絶縁層120、第2絶縁層220、第3絶縁層320、第4絶縁層420、第5絶縁層520及び第6絶縁層620と称する。ただし、相互間の区別が不要な場合は、絶縁層120、220、320、420、520、620と通称する。   In the following description, when the plurality of insulating layers 120, 220, 320, 420, 520, and 620 are required to be distinguished from each other, the first insulating layers are respectively formed from the top to the bottom with reference to FIG. These layers are referred to as a layer 120, a second insulating layer 220, a third insulating layer 320, a fourth insulating layer 420, a fifth insulating layer 520, and a sixth insulating layer 620. However, when it is not necessary to distinguish between them, they are commonly referred to as insulating layers 120, 220, 320, 420, 520, and 620.

また、複数の導体パターン層110、210、310、410、510、610を説明するに当たって、相互間の区別が必要な場合は、図1を基準にして上部から下部方向に沿ってそれぞれ第1導体パターン層110、第2導体パターン層210、第3導体パターン層310、第4導体パターン層410、第5導体パターン層510及び第6導体パターン層610と称する。ただし、相互間の区別が不要な場合は、第1導体パターン層から第6導体パターン層110、210、310、410、510、610と、または導体パターン層110、210、310、410、510、610と通称する。   Further, in the description of the plurality of conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, 510, and 610, when it is necessary to distinguish between them, the first conductors are respectively formed from the top to the bottom with reference to FIG. These are referred to as a pattern layer 110, a second conductor pattern layer 210, a third conductor pattern layer 310, a fourth conductor pattern layer 410, a fifth conductor pattern layer 510, and a sixth conductor pattern layer 610. However, when it is not necessary to distinguish between the first conductor pattern layer to the sixth conductor pattern layer 110, 210, 310, 410, 510, 610, or the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, 510, This is commonly referred to as 610.

一方、図1には、絶縁層120、220、320、420、520、620及び導体パターン層110、210、310、410、510、610のそれぞれが6層に形成されているが、これに限定されることはない。例として、絶縁層及び導体パターン層のそれぞれは、4層に形成されることも可能である。   On the other hand, in FIG. 1, each of the insulating layers 120, 220, 320, 420, 520, 620 and the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, 510, 610 is formed in six layers. It will never be done. As an example, each of the insulating layer and the conductive pattern layer may be formed in four layers.

そして、複数の導体パターン層110、210、310、410、510、610は、必要によって、本実施例に係るプリント回路基板1000の最外層の導体パターン層に該当する外層導体パターン層110、610と、外層導体パターン層110、610の間に形成される内層導体パターン層210、310、410、510とに区別される。   The plurality of conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, 510, and 610 are, if necessary, outer layer conductor pattern layers 110 and 610 corresponding to the outermost conductor pattern layer of the printed circuit board 1000 according to the present embodiment. And the inner conductor pattern layers 210, 310, 410, 510 formed between the outer conductor pattern layers 110, 610.

図1の場合、第1導体パターン層110及び第6導体パターン層610が外層導体パターン層となり、第2導体パターン層から第5導体パターン層210、310、410、510が内部導体パターン層となる。ただし、以下では、説明の便宜のために、別途の図面符号が併記されていない限り、外層導体パターンは第1導体パターン層110を意味することにする。   In the case of FIG. 1, the first conductor pattern layer 110 and the sixth conductor pattern layer 610 are outer conductor pattern layers, and the second conductor pattern layer to the fifth conductor pattern layers 210, 310, 410, 510 are inner conductor pattern layers. . However, in the following description, for convenience of description, the outer layer conductor pattern means the first conductor pattern layer 110 unless a separate drawing symbol is shown.

絶縁層120、220、320、420、520、620のそれぞれは、導体パターン層120、210、310、410、510、610のうちのいずれか一つと共に、後述する単位基板100、200、300、400、500、600に含まれる。すなわち、第1絶縁層12は、第1導体パターン層110と共に、後述する第1単位基板100に含まれる。第1単位基板から第6単位基板100、200、300、400、500、600は、順次積層工法とは異なって、互いに分離して別個に形成した後に、一括的に同時に積層される。   Each of the insulating layers 120, 220, 320, 420, 520, 620, together with any one of the conductor pattern layers 120, 210, 310, 410, 510, 610, unit substrates 100, 200, 300, which will be described later. 400, 500, and 600. That is, the first insulating layer 12 is included in the first unit substrate 100 described later together with the first conductor pattern layer 110. The first to sixth unit substrates 100, 200, 300, 400, 500, and 600 are sequentially stacked at the same time after being formed separately from each other, unlike the sequential stacking method.

絶縁層120、220、320、420、520、620のそれぞれは、光硬化性樹脂を含んでおり、光に反応する物質で構成された感光性絶縁層であることができる。   Each of the insulating layers 120, 220, 320, 420, 520, and 620 includes a photocurable resin, and may be a photosensitive insulating layer made of a substance that reacts with light.

以下では、説明の便宜上、絶縁層120、220、320、420、520、620のうち第1絶縁層120に対してのみ説明する。また、第1絶縁層120を感光性絶縁層と称する。ただし、この説明が第1絶縁層から第6絶縁層120、220、320、420、520、620のうちの少なくとも一つが通常のプリプレグ(prepreg)または ABF(Ajinomoto Build−up Film)等の非感光性絶縁物質で形成されることを排除することではない。   Hereinafter, only the first insulating layer 120 among the insulating layers 120, 220, 320, 420, 520, 620 will be described for convenience of explanation. The first insulating layer 120 is referred to as a photosensitive insulating layer. However, in this explanation, at least one of the first to sixth insulating layers 120, 220, 320, 420, 520, 620 is a non-photosensitive material such as a normal prepreg or ABF (Ajinomoto Build-up Film). It is not to exclude the formation of a conductive insulating material.

感光性絶縁層120は、光により硬化度を調整することができる。ただし、感光性絶縁層120は、熱硬化性でもあるので、熱により硬化度を調整することもできる。   The degree of cure of the photosensitive insulating layer 120 can be adjusted by light. However, since the photosensitive insulating layer 120 is also thermosetting, the degree of curing can be adjusted by heat.

感光性絶縁層120は、フォトリソグラフィ(photolithography) 工程が可能であるので、プリプレグ(prepreg)等の非感光性絶縁層にホールを加工する場合に比べ、微細なホールを実現するに有利であり、一度のフォトリソグラフィ工程のみで複数のホールを同時に形成することができるので、ホールの形成工程を単純化することができる。   Since the photosensitive insulating layer 120 can be subjected to a photolithography process, it is advantageous for realizing a fine hole as compared with the case of processing a hole in a non-photosensitive insulating layer such as a prepreg. Since a plurality of holes can be formed simultaneously by only one photolithography process, the hole forming process can be simplified.

また、感光性絶縁層120は、フォトリソグラフィ工程により、ホールの形状をより容易に様々な形状に形成することができる。例えば、ホールの縦断面の形状は、逆台形、正台形、長方形等を有することができる。   In addition, the photosensitive insulating layer 120 can be easily formed into various shapes by a photolithography process. For example, the shape of the vertical cross section of the hole may have an inverted trapezoidal shape, a regular trapezoidal shape, a rectangular shape, or the like.

感光性絶縁層120は、ポジ型(positive type)またはネガ型(negative type)であることができる。ポジ型の感光性絶縁層120の場合、露光された部分の光重合体ポリマー結合が切れる。以後、現像工程を行うと、光を受けて光重合体ポリマー結合の切れた部分が除去される。ネガ型の感光性絶縁層120の場合、露光された部分が光重合反応を起こし、単一構造から鎖構造の3次元綱状構造となり、現像工程を行うと、光を受けていない部分が除去される。   The photosensitive insulating layer 120 may be a positive type or a negative type. In the case of the positive type photosensitive insulating layer 120, the exposed portion of the photopolymer polymer bond is broken. Thereafter, when the development process is performed, the portion where the photopolymer polymer bond is broken is removed by receiving light. In the case of the negative-type photosensitive insulating layer 120, the exposed portion undergoes a photopolymerization reaction to change from a single structure to a three-dimensional chain structure having a chain structure. When the development process is performed, the portion not receiving light is removed. Is done.

感光性絶縁層120は、光硬化性樹脂に無機フィラーが含有されたものであってもよい。無機フィラーは、感光性絶縁層120の剛性を向上させ、熱膨脹係数を低減させる。   The photosensitive insulating layer 120 may be one in which an inorganic filler is contained in a photocurable resin. The inorganic filler improves the rigidity of the photosensitive insulating layer 120 and reduces the thermal expansion coefficient.

無機フィラーとしては、シリカ(SiO)、アルミナ(Al)、炭化ケイ素(SiC)、硫酸バリウム(BaSO)、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム(AlOH)、水酸化マグネシウム(Mg(OH))、炭酸カルシウム(CaCO)、炭酸マグネシウム(MgCO)、酸化マグネシウム(MgO)、窒化ホウ素(BN)、ホウ酸アルミニウム(AlBO)、チタン酸バリウム(BaTiO)及びジルコン酸カルシウム(CaZrO)から構成された群より選択された少なくとも1種以上を用いることができる。 As inorganic fillers, silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), barium sulfate (BaSO 4 ), talc, clay, mica powder, aluminum hydroxide (AlOH 3 ), magnesium hydroxide (Mg (OH) 2), calcium carbonate (CaCO 3), magnesium carbonate (MgCO 3), magnesium oxide (MgO), boron nitride (BN), aluminum borate (alBO 3), barium titanate (BaTiO 3) and At least one selected from the group consisting of calcium zirconate (CaZrO 3 ) can be used.

外層導体パターン層110、610は、最外層の絶縁層120、620にそれぞれ形成される。すなわち、第1導体パターン層110は、第1絶縁層120に形成され、第6導体パターン層61は、第6絶縁層620に形成される。   The outer conductor pattern layers 110 and 610 are formed on the outermost insulating layers 120 and 620, respectively. That is, the first conductor pattern layer 110 is formed on the first insulating layer 120, and the sixth conductor pattern layer 61 is formed on the sixth insulating layer 620.

外層導体パターン層110、610は、通常のプリント回路基板の導体パターンである信号パターン、パワーパターン、グラウンドパターン及び外部接続端子のうちの少なくともいずれか一つを含むことができる。   The outer conductor pattern layers 110 and 610 may include at least one of a signal pattern, a power pattern, a ground pattern, and an external connection terminal, which are conductor patterns of a normal printed circuit board.

外層導体パターン層110は、絶縁部20の一面にそれぞれ埋め込まれた第1導体パターン111及び第2導体パターン112を含む。第1導体パターン111及び第2導体パターン112は、通常の回路パターンとは異なって、本実施例に係るプリント回路基板1000の外部接続端子に該当する。具体的には、第1導体パターン111が半導体ダイ(die、図2の700)等の能動素子に接続され、第2導体パターン112がMLCC等の受動素子またはメインボード等の他の基板に接続されることができる。   The outer conductor pattern layer 110 includes a first conductor pattern 111 and a second conductor pattern 112 respectively embedded in one surface of the insulating portion 20. Unlike the normal circuit pattern, the first conductor pattern 111 and the second conductor pattern 112 correspond to external connection terminals of the printed circuit board 1000 according to the present embodiment. Specifically, the first conductor pattern 111 is connected to an active element such as a semiconductor die (die, 700 in FIG. 2), and the second conductor pattern 112 is connected to a passive element such as MLCC or another substrate such as a main board. Can be done.

第1導体パターン111は、図1に示すように、ダイ(die、図2の700)が載置される載置パッド111−1、及びワイヤ(図2のW)を介してダイ(die、図2の700)の外部接続端子に電気的に接続されるボンディングパッド111−2を含む。また、第1導体パターン111は、フリップチップボンディングのためのフリップチップボンディングパッド(図示せず)をさらに含むことができる。   As shown in FIG. 1, the first conductor pattern 111 includes a mounting pad 111-1 on which a die (die, 700 in FIG. 2) is mounted, and a die (die, die) through a wire (W in FIG. 2). The bonding pad 111-2 is electrically connected to the external connection terminal 700) in FIG. In addition, the first conductor pattern 111 may further include a flip chip bonding pad (not shown) for flip chip bonding.

第2導体パターン112には、SMT(Surface Mounting Technology)によりMLCC等の受動素子が電気的に接続されることができる。例として、第2導体パターンは、MLCCの外部電極と結合することで、MLCCと電気的に接続されることができる。   A passive element such as MLCC can be electrically connected to the second conductor pattern 112 by SMT (Surface Mounting Technology). As an example, the second conductor pattern may be electrically connected to the MLCC by being coupled to an external electrode of the MLCC.

第1表面処理層4は、第1導体パターン111上に形成されて、絶縁部20の一面から突出する。すなわち、第1表面処理層40は、図1に基づいて第1絶縁層120の上面から突出するように第1導体パターン111上に形成される。   The first surface treatment layer 4 is formed on the first conductor pattern 111 and protrudes from one surface of the insulating unit 20. That is, the first surface treatment layer 40 is formed on the first conductor pattern 111 so as to protrude from the upper surface of the first insulating layer 120 based on FIG.

第1表面処理層40は、第1導体パターン111とダイ(die、図2の700)との間の信号伝逹及び熱伝逹を容易にするために第1導体パターン111上に形成される。 具体的には、載置パッド111−1上に形成された第1表面処理層40は、ダイ(die、図2の700)と載置パッド111−1との間の熱伝逹を容易にし、ボンディングパッド111−2上に形成された第1表面処理層40は、ダイ(die、図2の700)とボンディングパッド111−2との間の信号伝逹を容易にする。第1表面処理層40は、電気伝導度及び熱伝導度に優れた物質を含むことができる。例として、第1表面処理層は、金(Au)を含むことができる。   The first surface treatment layer 40 is formed on the first conductor pattern 111 to facilitate signal transmission and heat transfer between the first conductor pattern 111 and a die (die, 700 in FIG. 2). . Specifically, the first surface treatment layer 40 formed on the mounting pad 111-1 facilitates heat transfer between the die (700 in FIG. 2) and the mounting pad 111-1. The first surface treatment layer 40 formed on the bonding pad 111-2 facilitates signal transmission between the die (die, 700 in FIG. 2) and the bonding pad 111-2. The first surface treatment layer 40 may include a material having excellent electrical conductivity and thermal conductivity. As an example, the first surface treatment layer may include gold (Au).

シード層30は、第1導体パターン111と第1表面処理層40との間に形成され、絶縁部20の一面から突出する。シード層(30)は、後述するキャリア(図3のC)の銅箔(図3のCF)から形成可能である。   The seed layer 30 is formed between the first conductor pattern 111 and the first surface treatment layer 40 and protrudes from one surface of the insulating unit 20. The seed layer (30) can be formed from a copper foil (CF in FIG. 3) of a carrier (C in FIG. 3) described later.

第1表面処理層40は、第1導体パターン111及び/またはシード層30を形成する物質の標準還元電位よりも高い標準還元電位を有する物質を含む。例として、第1導体パターン111及びシード層30が銅(Cu)で形成される場合、第1表面処理層40は、銅の標準還元電位よりも高い標準還元電位を有する金(Au)を含むことができる。   The first surface treatment layer 40 includes a material having a standard reduction potential higher than the standard reduction potential of the material forming the first conductor pattern 111 and / or the seed layer 30. For example, when the first conductor pattern 111 and the seed layer 30 are formed of copper (Cu), the first surface treatment layer 40 includes gold (Au) having a standard reduction potential higher than the standard reduction potential of copper. be able to.

第2表面処理層50は、第2導体パターン112上に形成され、有機物を含む。すなわち、第2表面処理層50は、通常のOSP層であることができる。   The second surface treatment layer 50 is formed on the second conductor pattern 112 and includes an organic substance. That is, the second surface treatment layer 50 can be a normal OSP layer.

第2表面処理層50の少なくとも一部は、絶縁部20に埋め込まれる。後述するように、第2表面処理層50を形成する前に第2導体パターン112がソフトエッチングされる。   At least a part of the second surface treatment layer 50 is embedded in the insulating unit 20. As will be described later, the second conductor pattern 112 is soft etched before the second surface treatment layer 50 is formed.

よって、ソフトエッチング後に第2導体パターン112は、図1の絶縁部20の上面から凹む。ソフトエッチング後に、第2表面処理層50が第2導体パターン112に形成されるので、その結果、第2表面処理層50の少なくとも一部が絶縁部20に埋め込まれる。   Therefore, the second conductor pattern 112 is recessed from the upper surface of the insulating part 20 of FIG. 1 after the soft etching. Since the second surface treatment layer 50 is formed on the second conductor pattern 112 after the soft etching, as a result, at least a part of the second surface treatment layer 50 is embedded in the insulating portion 20.

リセス部Rは、第1導体パターン111及び/またはシード層30の両側部に形成される。リセス部Rは、第2表面処理層50を形成するためにソフトエッチングにより形成される。すなわち、ソフトエッチングのとき、第1導体パターン111上には、第1導体パターン111の標準還元電位よりも高い標準還元電位を有する物質で形成された第1表面処理層40が既に形成されているので、ソフトエッチングを行うと、第1導体パターン111及び/またはシード層30の過エッチング(Galvanic corrosion)によりリセス部Rが形成される。   The recess R is formed on both sides of the first conductor pattern 111 and / or the seed layer 30. The recess portion R is formed by soft etching in order to form the second surface treatment layer 50. That is, at the time of soft etching, the first surface treatment layer 40 made of a material having a standard reduction potential higher than the standard reduction potential of the first conductor pattern 111 is already formed on the first conductor pattern 111. Therefore, when soft etching is performed, the recessed portion R is formed by overetching (galvanic corrosion) of the first conductor pattern 111 and / or the seed layer 30.

過エッチングの現象は、第1表面処理層40によりカバーされていない第1導体パターン111及び/またはシード層30の両側部においてより顕著になる。ただし、本発明の一実施例に係るプリント回路基板1000の場合、第1導体パターン111が絶縁部20の一面に埋め込まれた形態に形成されるので、ソフトエッチングのとき、エッチング液に露出される第1導体パターン111の面積を最小化することができる。これにより、第2表面処理層50を形成するためのソフトエッチングのとき発生する第1導体パターン111の過エッチング現象を最小化することができる。   The phenomenon of over-etching becomes more prominent on both sides of the first conductor pattern 111 and / or the seed layer 30 that are not covered by the first surface treatment layer 40. However, in the case of the printed circuit board 1000 according to an embodiment of the present invention, since the first conductor pattern 111 is formed in a form embedded in one surface of the insulating portion 20, it is exposed to an etching solution during soft etching. The area of the first conductor pattern 111 can be minimized. Thereby, the overetching phenomenon of the 1st conductor pattern 111 which generate | occur | produces at the time of the soft etching for forming the 2nd surface treatment layer 50 can be minimized.

第1導体パターン111に形成されたリセス部Rは、絶縁部20の一面から絶縁部20の内部に行くほど断面積が小さくなる。すなわち、リセス部Rの大きさは、絶縁部20の一面から絶縁部20の内部に行くほど小さくなる。   The recess portion R formed in the first conductor pattern 111 has a cross-sectional area that decreases from one surface of the insulating portion 20 to the inside of the insulating portion 20. That is, the size of the recess portion R decreases as it goes from one surface of the insulating portion 20 to the inside of the insulating portion 20.

内部導体パターン層210、310、410、510は、絶縁部20の内部に形成される。すなわち、内部導体パターン層210、310、410、510のそれぞれは、第2絶縁層から第5絶縁層220、320、420、520のそれぞれに形成されて、絶縁部20の内部に位置する。   The inner conductor pattern layers 210, 310, 410, 510 are formed inside the insulating unit 20. That is, each of the internal conductor pattern layers 210, 310, 410, 510 is formed in each of the second insulating layer to the fifth insulating layers 220, 320, 420, 520 and is located inside the insulating unit 20.

導体パターン層110、210、310、410、510、610のそれぞれは、電気的特性に優れた銅(Cu)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、金(Au)、白金(Pt)等で形成することができる。   Each of the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, 510, and 610 has excellent electrical characteristics such as copper (Cu), silver (Ag), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), and titanium. (Ti), gold (Au), platinum (Pt), or the like can be used.

導体パターン層110、210、310、410、510、610のパターン形状は、すべて同一であってもよく、設計上の必要によって、互いに異なってもよい。   The pattern shapes of the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, 510, and 610 may all be the same, or may be different from each other according to design needs.

ビア60は、内部導体パターン層210、310、410、510及び外層導体パターン層110、610を互いに接続する。また、ビア60は、互いに隣接している内部導体パターン層210、310、410、510同士を互いに接続する。また、ビア60は、図1の載置パッド111−1の下部に形成されたもののようにスタックビアと類似の形態に積層されることができる。   The via 60 connects the inner conductor pattern layers 210, 310, 410, 510 and the outer conductor pattern layers 110, 610 to each other. Further, the via 60 connects the inner conductor pattern layers 210, 310, 410, 510 adjacent to each other to each other. In addition, the via 60 can be stacked in a form similar to that of the stacked via, such as that formed in the lower portion of the mounting pad 111-1 of FIG.

ビア60は、図1の載置パッド111−1の下部に形成された放熱ビアと、図1のボンディングパッド111−2等の下部に形成された信号ビアとに区別することができる。 放熱ビアは、載置パッド111−1に載置されるダイ(die、図2の700)から発生した熱を本実施例に係るプリント回路基板1000側に迅速に除去することができる。 放熱ビアは、迅速な放熱のために、通常の信号ビアよりも断面積を大きく形成することができる。
ビア60は、高融点金属層61及び高融点金属層61の溶融点よりも低い溶融点を有する低融点金属層62を含む。
The via 60 can be distinguished into a heat dissipation via formed in the lower part of the mounting pad 111-1 in FIG. 1 and a signal via formed in the lower part of the bonding pad 111-2 in FIG. The heat dissipation via can quickly remove the heat generated from the die (die, 700 in FIG. 2) placed on the placement pad 111-1 to the printed circuit board 1000 according to the present embodiment. The heat dissipation via can be formed to have a larger cross-sectional area than a normal signal via for quick heat dissipation.
The via 60 includes a high melting point metal layer 61 and a low melting point metal layer 62 having a melting point lower than the melting point of the high melting point metal layer 61.

高融点金属層61は、電気的特性に優れ、低融点金属層62の溶融点よりも高い溶融点を有する銅(Cu)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、金(Au)、白金(Pt)等で形成することができる。一例として、高融点金属層61及び導体パターン層110、210、310、410、510、610はすべて銅で形成することができ、この場合、両者は同種の物質で形成されるので相互間の結合力が向上される。また、両者を互いに異なる物質で形成する場合に比べて、工程を単純化することができ、コストを低減することができる。しかし、上述の例は、例示に過ぎず、本発明の範囲がこれに限定されることはない。   The high melting point metal layer 61 has excellent electrical characteristics and has a melting point higher than that of the low melting point metal layer 62, such as copper (Cu), silver (Ag), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel ( Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt), or the like can be used. As an example, the refractory metal layer 61 and the conductive pattern layers 110, 210, 310, 410, 510, 610 can be all formed of copper, and in this case, since both are formed of the same kind of material, the bonding between them is performed. Power is improved. Further, the process can be simplified and the cost can be reduced as compared with the case where both are formed of different materials. However, the above-described example is merely an example, and the scope of the present invention is not limited thereto.

低融点金属層62は、高融点金属層61の溶融点よりも溶融点が低い。低融点金属層62は、ソルダー材質で形成することができる。ここで、「ソルダー」とは、半田付けに使用可能な金属材料を意味し、鉛(Pb)を含む合金であってもよく、鉛を含まなくてもよい。例えば、ソルダーは、錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、またはこれらから選択された金属の合金であってもよい。具体的には、本発明の実施例で使用するソルダーは、ソルダー全体に対する錫(Sn)の含量が90%以上である錫、銀及び銅を成分として含む合金であることができる。   The low melting point metal layer 62 has a melting point lower than that of the high melting point metal layer 61. The low melting point metal layer 62 can be formed of a solder material. Here, “solder” means a metal material that can be used for soldering, and may be an alloy containing lead (Pb) or may not contain lead. For example, the solder may be tin (Sn), silver (Ag), copper (Cu), or an alloy of metals selected from these. Specifically, the solder used in the embodiment of the present invention may be an alloy containing tin, silver and copper as components with a tin (Sn) content of 90% or more based on the entire solder.

低融点金属層62は、後述する複数の単位基板100、200、300、400、500、600を一括積層する際に少なくとも一部が溶融して複数の単位基板100、200、300、400、500、600の間の圧力のばらつきを緩和することができる。   The low-melting point metal layer 62 is melted at least partially when a plurality of unit substrates 100, 200, 300, 400, 500, and 600, which will be described later, are collectively laminated, and the plurality of unit substrates 100, 200, 300, 400, and 500 are stacked. , 600 can be reduced.

低融点金属層62は、一括積層する際の温度及び圧力により少なくとも一部が溶融するので、高融点金属層61または導体パターン層110、210、310、410、510、610を構成する物質と容易に反応して金属間化合物層(Inter−Metallic Compound、IMC)を形成する。金属間化合物層により、導体パターン層110、210、310、410、510、610の間の物理的結合力が向上される。   Since the low melting point metal layer 62 is at least partially melted by the temperature and pressure at the time of batch lamination, the low melting point metal layer 62 and the material constituting the high melting point metal layer 61 or the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, 510, 610 can be easily used. To form an intermetallic compound layer (Inter-Metal Compound, IMC). The intermetallic compound layer improves the physical bonding force between the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, 510, and 610.

(パッケージ)
図2は、本発明の一実施例に係るパッケージを示す図である。
(package)
FIG. 2 is a view showing a package according to an embodiment of the present invention.

図2に示すように、本発明の一実施例に係るパッケージ2000は、プリント回路基板1000と、ダイ700と、受動素子800と、結合部材900と、を含む。
プリント回路基板1000については上述したので詳細な説明を省略する。
As shown in FIG. 2, a package 2000 according to an embodiment of the present invention includes a printed circuit board 1000, a die 700, a passive element 800, and a coupling member 900.
Since the printed circuit board 1000 has been described above, a detailed description thereof will be omitted.

ダイ700は、半導体素子であって、半導体工程により形成された電子素子である。ダイ700の一面は、外部接続端子が形成された活性面(Active Surface)であり、ダイ700の他面は、非活性面(Inactive Surface)であり得る。本実施例においては、ダイ700の他面が載置パッド111−1に載置されることができる。ダイ700の外部接続端子は、ワイヤWを介してプリント回路基板1000のボンディングパッド111−2と結合することができる。   The die 700 is a semiconductor element and is an electronic element formed by a semiconductor process. One surface of the die 700 may be an active surface on which an external connection terminal is formed, and the other surface of the die 700 may be an inactive surface (Inactive Surface). In the present embodiment, the other surface of the die 700 can be placed on the placement pad 111-1. The external connection terminal of the die 700 can be coupled to the bonding pad 111-2 of the printed circuit board 1000 through the wire W.

受動素子800は、インダクタ、キャパシタ及び抵抗素子のうちのいずれか一つであり得る。すなわち、本明細書では受動素子としてMLCCを前提に説明したが、これに限定されることはない。   The passive element 800 may be any one of an inductor, a capacitor, and a resistance element. That is, in the present specification, the description has been made on the assumption that MLCC is used as the passive element, but the present invention is not limited to this.

結合部材900は、第2導体パターン112を受動素子800及び/またはメインボード等の他の基板に電気的に結合させる部材である。結合部材900は、ソルダーを用いるSMT工程により形成することができる。SMT工程時の温度により、上述した第2表面処理層(50)は除去される。   The coupling member 900 is a member that electrically couples the second conductor pattern 112 to the passive element 800 and / or another substrate such as a main board. The coupling member 900 can be formed by an SMT process using a solder. The second surface treatment layer (50) described above is removed depending on the temperature during the SMT process.

一方、図示していないが、本実施例に係るパッケージ2000は、載置パッド111−1とダイ700との間に形成され、ダイ700を固定するボンディング層、またはダイ700を固定するためにダイ700をカバーするモールディング材をさらに含むことができる。   On the other hand, although not shown, the package 2000 according to the present embodiment is formed between the mounting pad 111-1 and the die 700, and is a bonding layer for fixing the die 700 or a die for fixing the die 700. A molding material covering 700 may be further included.

(プリント回路基板の製造方法)
図3から図14は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を順次示す図である。
(Printed circuit board manufacturing method)
3 to 14 are views sequentially illustrating a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

具体的には、図3から図8は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法に適用される単位基板の製造工程を順次示す図であり、図9及び図10は、図3から図8により製造された複数の単位基板を一括的に積層することを示す図であり、図11から図14は、一括積層後の工程を順次示す図である。   Specifically, FIGS. 3 to 8 are diagrams sequentially illustrating a manufacturing process of a unit substrate applied to a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to FIG. 8 are diagrams showing a plurality of unit substrates manufactured according to FIGS. 3 to 8 being stacked together, and FIGS. 11 to 14 are diagrams sequentially showing processes after the batch stacking.

(単位基板の製造方法)
図3から図8は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法に適用される単位基板の製造工程を順次示す図である。
以下では、図3から図8を参照して、図9に示された第2単位基板200の製造工程を例として説明する。
(Unit board manufacturing method)
3 to 8 are diagrams sequentially illustrating a unit substrate manufacturing process applied to the printed circuit board manufacturing method according to the embodiment of the present invention.
Hereinafter, a manufacturing process of the second unit substrate 200 shown in FIG. 9 will be described as an example with reference to FIGS.

先ず、図3を参照すると、支持部SFの両面に銅箔CFの形成されたキャリアCを準備する。支持部SFは、要求される剛性を有する金属材、無機材または有機材のうちのいずれか1種で形成することができる。銅箔CFは、支持部SFの両面にラミネーション工程を用いて形成することができる。または銅箔CFは、無電解メッキ及び電解メッキ工程を用いて支持部SFの両面に形成することができる。   First, referring to FIG. 3, a carrier C in which a copper foil CF is formed on both surfaces of a support portion SF is prepared. The support portion SF can be formed of any one of a metal material, an inorganic material, and an organic material having required rigidity. The copper foil CF can be formed on both surfaces of the support portion SF using a lamination process. Alternatively, the copper foil CF can be formed on both surfaces of the support portion SF using electroless plating and electrolytic plating processes.

次に、図4を参照すると、銅箔CFに選択的に第2導体パターン層210を形成する。
第2導体パターン層210は、銅箔CFを電解メッキの給電層とするMSAP(Modified Semi−Additive Process)法を用いて形成することができる。
Next, referring to FIG. 4, the second conductor pattern layer 210 is selectively formed on the copper foil CF.
The second conductor pattern layer 210 can be formed using an MSAP (Modified Semi-Additive Process) method in which the copper foil CF is a power feeding layer for electrolytic plating.

第2導体パターン層210は、銅箔CF上に第2導体パターン層210とは逆パターンを有するメッキレジストを形成し、電解メッキを行い、電解メッキ完了後にメッキレジストを除去することにより形成することができる。   The second conductor pattern layer 210 is formed by forming a plating resist having a reverse pattern to the second conductor pattern layer 210 on the copper foil CF, performing electrolytic plating, and removing the plating resist after completion of the electrolytic plating. Can do.

一方、上述の例では、通常の回路パターンの形成工法中、MSAP法に限定して説明したが、周知のSubstractive法、Full−Additive法またはSemi−Additive法のうちのいずれか一つを用いて第2導体パターン層210を形成することもできる。   On the other hand, in the above-described example, the MSAP method is limited to the normal circuit pattern forming method. However, any one of the well-known Subtractive method, Full-Additive method, and Semi-Additive method is used. The second conductor pattern layer 210 can also be formed.

次に、図5を参照すると、第2導体パターン層210上に第2絶縁層220を形成する。
第2絶縁層220は、光硬化性樹脂を含むことができる。
Next, referring to FIG. 5, the second insulating layer 220 is formed on the second conductor pattern layer 210.
The second insulating layer 220 can include a photocurable resin.

第2絶縁層220は、絶縁フィルムをキャリアCにラミネーションして形成することができる。すなわち、第2絶縁層220は、真空ラミネータを用いて第2導体パターン層210にラミネーションすることができる。または、第2絶縁層220は、液状の絶縁物質をキャリアCに塗布し、その後硬化させることにより形成することができる。   The second insulating layer 220 can be formed by laminating an insulating film to the carrier C. That is, the second insulating layer 220 can be laminated on the second conductor pattern layer 210 using a vacuum laminator. Alternatively, the second insulating layer 220 can be formed by applying a liquid insulating material to the carrier C and then curing it.

次に、図6を参照すると、第2絶縁層220に第2導体パターン層210のうちの一部を選択的に露出させるビアホールVHを形成する。   Next, referring to FIG. 6, a via hole VH that selectively exposes a part of the second conductive pattern layer 210 is formed in the second insulating layer 220.

ビアホールVHは、フォトリソグラフィ工法により形成することができる。すなわち、第2絶縁層220が感光性絶縁層である場合、ビアホールVHは、第2絶縁層220を選択的に露光及び現像することで形成可能である。または、ビアホールVHは、レーザドリリングで形成することも可能である。   The via hole VH can be formed by a photolithography method. That is, when the second insulating layer 220 is a photosensitive insulating layer, the via hole VH can be formed by selectively exposing and developing the second insulating layer 220. Alternatively, the via hole VH can be formed by laser drilling.

第2絶縁層220は、選択的に露光工程を経ても、一括積層前には半硬化状態(B−stage)にある。例として、選択的露光工程を経た第2絶縁層220は、完全硬化状態(C−stage)対比10〜20%の硬化度を有することができる。   The second insulating layer 220 is in a semi-cured state (B-stage) before the batch lamination even though the second exposure layer 220 is selectively subjected to the exposure process. For example, the second insulating layer 220 that has been subjected to the selective exposure process may have a curing degree of 10 to 20% as compared with a fully cured state (C-stage).

一方、必要により第2絶縁層220は、別途の工程により、完全硬化状態(C−stage)対比50%の硬化度を有するように半硬化することができる。別途の半硬化工程としては、ビアホールVHを形成するためのフォトリソグラフィ工程に使用されるUV光を用いて行われることができる。しかし、この場合であっても、第2絶縁層220は、一括積層前には完全硬化されない。   On the other hand, if necessary, the second insulating layer 220 may be semi-cured by a separate process so as to have a degree of cure of 50% compared to the fully cured state (C-stage). The separate semi-curing process can be performed using UV light used in a photolithography process for forming the via hole VH. However, even in this case, the second insulating layer 220 is not completely cured before batch lamination.

次に、図7及び図8を参照すると、ビアホールVHに高融点金属層61と低融点金属層62を順次形成する。   Next, referring to FIGS. 7 and 8, a refractory metal layer 61 and a low melting point metal layer 62 are sequentially formed in the via hole VH.

高融点金属層61は、電解メッキにより形成される。電解メッキの場合、異方性または等方性メッキをすべて含む。高融点金属層61は、銅電解メッキにより形成されて、銅(Cu)を含むことができる。高融点金属層61を電解メッキで形成するに当たって、第2導体パターン層210は給電層として機能することができる。   The refractory metal layer 61 is formed by electrolytic plating. In the case of electrolytic plating, all anisotropic or isotropic plating is included. The refractory metal layer 61 is formed by copper electrolytic plating and can contain copper (Cu). In forming the refractory metal layer 61 by electrolytic plating, the second conductor pattern layer 210 can function as a power feeding layer.

低融点金属層62は、ソルダー等の低融点金属を選択的にメッキするか、ソルダーペースト等の低融点金属ペーストを選択的に塗布し、その後に低融点金属ペーストを乾燥することにより形成することができる。   The low melting point metal layer 62 is formed by selectively plating a low melting point metal such as solder or by selectively applying a low melting point metal paste such as a solder paste and then drying the low melting point metal paste. Can do.

ソルダーまたはソルダーペーストは、錫、銀、銅またはこれらから選択された金属の合金を主成分とすることができる。また、本発明で使用するソルダーペーストにはフラックスが含まれなくてもよい。ソルダーペーストには、相対的に高い温度(ex.800℃)で固まる焼結型と、相対的に低い温度(ex.200℃)で固まる硬化型がある。本実施例で使用するソルダーペーストは、ソルダーペーストの硬化時に第2絶縁層220の完全硬化を防止するために、相対的に低い温度で固まる硬化型を用いることができる。   The solder or the solder paste can be mainly composed of tin, silver, copper, or an alloy of a metal selected from these. Further, the solder paste used in the present invention may not contain a flux. The solder paste includes a sintered mold that hardens at a relatively high temperature (ex. 800 ° C.) and a curable mold that hardens at a relatively low temperature (ex. 200 ° C.). As the solder paste used in the present embodiment, a curing type that hardens at a relatively low temperature can be used in order to prevent the second insulating layer 220 from being completely cured when the solder paste is cured.

低融点金属ペーストは、比較的高い粘性を有するものであることができ、高融点金属層61上に形成された後にその形状を維持することができる。また、低融点金属ペーストは低融点金属粒子を有し、この粒子により低融点金属ペーストが固まって形成された低融点金属層62の表面は、でこぼこになることがある。   The low melting point metal paste can have a relatively high viscosity and can maintain its shape after being formed on the high melting point metal layer 61. Further, the low melting point metal paste has low melting point metal particles, and the surface of the low melting point metal layer 62 formed by solidifying the low melting point metal paste with the particles may be bumpy.

次に、支持部SFと銅箔CFとを分離することにより第2単位基板200をキャリアCから分離する。このとき、図示していないが、低融点金属層62及び第2絶縁層220上にはカバーフィルムを形成することができる。   Next, the second unit substrate 200 is separated from the carrier C by separating the support portion SF and the copper foil CF. At this time, although not shown, a cover film can be formed on the low melting point metal layer 62 and the second insulating layer 220.

カバーフィルムは、一括積層工程前まで低融点金属層62及び第2絶縁層220を保護する構成であって、一括積層工程直前に第2単位基板200から分離される。   The cover film is configured to protect the low-melting point metal layer 62 and the second insulating layer 220 before the batch lamination process, and is separated from the second unit substrate 200 immediately before the batch lamination process.

以上では、第2単位基板200を基準にして説明したが、第1単位基板100及び第3単位基板から第6単位基板300、400、500、600も同じ工程により製造することができる。   In the above description, the second unit substrate 200 is used as a reference, but the first unit substrate 100 and the third unit substrate to the sixth unit substrates 300, 400, 500, and 600 can be manufactured by the same process.

また、以上の説明及び図3から図8においては、キャリアCの一面にのみ単位基板を形成するための工程が適用されることを説明及び図示したが、キャリアの他面にも同一の単位基板を形成するための工程または他の単位基板を形成するための工程が適用されることができる。   Further, in the above description and FIGS. 3 to 8, it has been described and illustrated that the process for forming the unit substrate is applied only to one surface of the carrier C. However, the same unit substrate is also applied to the other surface of the carrier. A process for forming the substrate or a process for forming another unit substrate may be applied.

(単位基板を一括積層するステップ)
図9及び図10は、図3から図8により製造された複数の単位基板を一括的に積層することを示す図である。
(Step of stacking unit substrates in a batch)
FIGS. 9 and 10 are views showing that a plurality of unit substrates manufactured according to FIGS. 3 to 8 are stacked together.

図9を参照すると、複数の単位基板100、200、300、400、500、600を上下に配置する。このとき、複数の単位基板100、200、300、400、500、600のそれぞれに形成された位置合わせマークを用いて複数の単位基板100、200、300、400、500、600を互いに位置合わせする。第1及び第6単位基板100、600を除いた第2単位基板から第5単位基板200、300、400、500のそれぞれは、銅箔CFが除去された後に位置合わせされる。第1及び第6単位基板100、600に残存する銅箔CFは、後述する第1表面処理層40をメッキ形成するに当たって、給電層となる。   Referring to FIG. 9, a plurality of unit substrates 100, 200, 300, 400, 500, and 600 are vertically arranged. At this time, the plurality of unit substrates 100, 200, 300, 400, 500, 600 are aligned with each other using alignment marks formed on the plurality of unit substrates 100, 200, 300, 400, 500, 600. . Each of the fifth unit substrates 200, 300, 400, 500 from the second unit substrate excluding the first and sixth unit substrates 100, 600 is aligned after the copper foil CF is removed. The copper foil CF remaining on the first and sixth unit substrates 100 and 600 serves as a power feeding layer when the first surface treatment layer 40 described later is plated.

図10を参照すると、位置合わせされた複数の単位基板100、200、300、400、500、600をV−press積層機等を用いて高温圧着することで一括的に接合する。   Referring to FIG. 10, a plurality of aligned unit substrates 100, 200, 300, 400, 500, 600 are bonded together by high-temperature pressure bonding using a V-press laminator or the like.

一括積層時の温度は、180〜200℃に設定し、プレス圧力を30〜50kg/cm2に設定することが可能であり、この数値に限定されず、一括積層時の温度及び圧力は、第1絶縁層から第6絶縁層120、220、320、420、520、620の成分または低融点金属層62の成分等に応じて異ならせて設定することが可能である。特に、一括積層時の温度は、低融点金属層62の溶融点以上であればよい。   The temperature at the time of collective lamination can be set to 180 to 200 ° C., and the press pressure can be set to 30 to 50 kg / cm 2. The temperature and pressure at the time of collective lamination are not limited to these values. The insulating layer can be set differently depending on the components of the sixth insulating layers 120, 220, 320, 420, 520, 620, the component of the low melting point metal layer 62, and the like. In particular, the temperature at the time of batch stacking may be equal to or higher than the melting point of the low melting point metal layer 62.

低融点金属層62は、一括積層時の圧力により絶縁層120、220、320、420、520、620側に広がることになり、これにより低融点金属層62の上部横断面積と低融点金属層62の下部横断面積とは互いに異なることがある。   The low melting point metal layer 62 spreads toward the insulating layers 120, 220, 320, 420, 520, 620 due to the pressure at the time of collective lamination, whereby the upper cross-sectional area of the low melting point metal layer 62 and the low melting point metal layer 62 are expanded. The lower cross-sectional area may be different from each other.

半硬化状態にあった第1絶縁層から第6絶縁層120、220、320、420、520、620は、一括積層時の温度及び圧力により完全硬化される。   The first to sixth insulating layers 120, 220, 320, 420, 520, and 620 that are in a semi-cured state are completely cured by the temperature and pressure during the batch lamination.

次に、図11を参照すると、第1絶縁層120及び/または第6絶縁層620上に第1表面処理層40を形成する。上述したように、第1単位基板及び第6単位基板100、600には、上述の銅箔CFが残存するので、第1表面処理層40をメッキ形成するに当たって、銅箔CFを給電層として用いることができる。   Next, referring to FIG. 11, the first surface treatment layer 40 is formed on the first insulating layer 120 and / or the sixth insulating layer 620. As described above, since the copper foil CF described above remains on the first unit substrate and the sixth unit substrate 100, 600, the copper foil CF is used as a power feeding layer when the first surface treatment layer 40 is formed by plating. be able to.

第1表面処理層40は、銅箔CF上に第1表面処理層40とは逆転写パターンを有するメッキレジストを形成し、電解メッキを行った後にメッキレジストを除去することで形成することができる。第1表面処理層40は、ダイ(図2の700)との迅速な信号伝逹及び熱伝逹のために電気伝導度及び熱伝導度に優れた金(Au)を含むことができる。また、示されていないが、第1表面処理層40と銅箔CFとの間には接合層を形成することができる。接合層は、銅箔CFとの接合力が相対的に優れたニッケル(Ni)を含むことができる。接合層は、銅箔CFを給電層とする電解メッキにより形成することができる。   The first surface treatment layer 40 can be formed by forming a plating resist having a reverse transfer pattern to the first surface treatment layer 40 on the copper foil CF, and removing the plating resist after performing electrolytic plating. . The first surface treatment layer 40 may include gold (Au) having excellent electrical conductivity and thermal conductivity for rapid signal transfer and heat transfer with the die (700 in FIG. 2). Although not shown, a bonding layer can be formed between the first surface treatment layer 40 and the copper foil CF. The bonding layer can include nickel (Ni) that has relatively high bonding force with the copper foil CF. The bonding layer can be formed by electrolytic plating using the copper foil CF as a power feeding layer.

次に、図12を参照すると、銅箔CFを選択的に除去してシード層30を形成する。すなわち、シード層30は、銅箔CFのうちの第1表面処理層40が形成されていない領域を除去することで形成される。シード層30は、銅箔CFを選択的にエッチング(クィックエチング及びハーフエッチング等)することにより除去することができる。このとき、第1表面処理層40は、エッチングレジストとして機能する。銅箔CFを選択的にエッチングすることにより、第2導体パターン112が外部に露出される。   Next, referring to FIG. 12, the seed layer 30 is formed by selectively removing the copper foil CF. That is, the seed layer 30 is formed by removing a region of the copper foil CF where the first surface treatment layer 40 is not formed. The seed layer 30 can be removed by selectively etching the copper foil CF (such as quick etching and half etching). At this time, the first surface treatment layer 40 functions as an etching resist. By selectively etching the copper foil CF, the second conductor pattern 112 is exposed to the outside.

次に、図13を参照すると、ソフトエッチングを行う。ソフトエッチング工程は、第2導体パターン112に第2表面処理層50を形成する前に行われる工程であって、第2導体パターン112の表面に粗度を形成し、第2導体パターン112と第2表面処理層50との結合力を向上させるための工程である。   Next, referring to FIG. 13, soft etching is performed. The soft etching process is a process performed before forming the second surface treatment layer 50 on the second conductor pattern 112, and forms a roughness on the surface of the second conductor pattern 112, and the second conductor pattern 112 and the second conductor pattern 112 2 This is a step for improving the bonding strength with the surface treatment layer 50.

ソフトエッチングは、第2導体パターン112の構成物質と化学反応するエッチング液を用いて行われる。第2導体パターン112が銅(Cu)で形成された場合、ソフトエッチングは、銅エッチング液を用いて行われることができる。第1導体パターン111上に第1表面処理層40が既に形成されており、第1表面処理層4は、第1導体パターン111及び/またはシード層30の標準還元電位よりも高い標準還元電位を有する物質で形成されるので、ソフトエッチングにより第1導体パターン111及び/またはシード層30の両側部にリセス部Rが形成される。   The soft etching is performed using an etchant that chemically reacts with the constituent material of the second conductor pattern 112. When the second conductor pattern 112 is formed of copper (Cu), the soft etching can be performed using a copper etchant. The first surface treatment layer 40 is already formed on the first conductor pattern 111, and the first surface treatment layer 4 has a standard reduction potential higher than the standard reduction potential of the first conductor pattern 111 and / or the seed layer 30. Since the first conductive pattern 111 and / or the seed layer 30 are formed on both sides of the first conductive pattern 111, the recess R is formed by the soft etching.

次に、図14を参照すると、第2導体パターン112上に第2表面処理層50を形成する。第2表面処理層50は有機物を含む通常のOSP層であり得る。   Next, referring to FIG. 14, the second surface treatment layer 50 is formed on the second conductor pattern 112. The second surface treatment layer 50 may be a normal OSP layer containing an organic material.

一方、図示していないが、ソフトエッチングの後に第2表面処理層50を形成する前に、第2導体パターン112の表面に作用基を結合させる前処理工程を行うことができる。   On the other hand, although not shown, before the second surface treatment layer 50 is formed after the soft etching, a pretreatment step of bonding an active group to the surface of the second conductor pattern 112 can be performed.

以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更または削除等により本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。   In the above, one embodiment of the present invention has been described. However, those who have ordinary knowledge in the technical field can add components without departing from the spirit of the present invention described in the claims. The present invention can be modified and changed in various ways by changes or deletions, and it can be said that this is also included in the scope of the right of the present invention.

C キャリア
CF 銅箔
R リセス部
SF 支持部
W ワイヤ
VH ビアホール
20 絶縁部
30 シード層
40 第1表面処理層
50 第2表面処理層
60 ビア
61 高融点金属層
62 低融点金属層
100、200、300、400、500、600 単位基板
110、210、310、410、510、610 導体パターン層
120、220、320、420、520、620 絶縁層
111 第1導体パターン
111−1 載置パッド
111−2 ボンディングパッド
112 第2導体パターン
700 ダイ
800 受動素子
900 結合部材
1000 プリント回路基板
2000 パッケージ
C Carrier CF Copper foil R Recessed portion SF Support portion W Wire VH Via hole 20 Insulating portion 30 Seed layer 40 First surface treatment layer 50 Second surface treatment layer 60 Via 61 High melting point metal layer 62 Low melting point metal layer 100, 200, 300 , 400, 500, 600 Unit substrate 110, 210, 310, 410, 510, 610 Conductive pattern layer 120, 220, 320, 420, 520, 620 Insulating layer 111 First conductive pattern 111-1 Mounting pad 111-2 Bonding Pad 112 Second conductor pattern 700 Die 800 Passive element 900 Coupling member 1000 Printed circuit board 2000 Package

Claims (10)

絶縁部と、
前記絶縁部の一面にそれぞれ埋め込まれた第1導体パターン及び第2導体パターンを含む外層導体パターン層と、
前記第1導体パターン上に形成され、前記絶縁部の一面から突出した第1表面処理層と、
前記第1導体パターンと前記第1表面処理層との間に形成され、前記絶縁部の一面から突出したシード層と、
前記第2導体パターン上に形成され、有機物を含む第2表面処理層と、
前記第1導体パターン及び前記シード層の少なくとも一方の両側部に形成されたリセス部と、
を含むプリント回路基板。
An insulating part;
An outer conductor pattern layer including a first conductor pattern and a second conductor pattern respectively embedded in one surface of the insulating portion;
A first surface treatment layer formed on the first conductor pattern and protruding from one surface of the insulating portion;
A seed layer formed between the first conductor pattern and the first surface treatment layer and protruding from one surface of the insulating portion;
A second surface treatment layer formed on the second conductor pattern and containing an organic substance;
A recess formed on both sides of at least one of the first conductor pattern and the seed layer;
Including printed circuit board.
前記第1表面処理層は、
前記第1導体パターン及び前記シード層の少なくとも一方を形成する物質の標準還元電位よりも高い標準還元電位を有する物質を含む請求項1に記載のプリント回路基板。
The first surface treatment layer is
The printed circuit board according to claim 1, comprising a material having a standard reduction potential higher than a standard reduction potential of a material forming at least one of the first conductor pattern and the seed layer.
前記第2表面処理層の少なくとも一部は、前記絶縁部に埋め込まれた請求項1または請求項2に記載のプリント回路基板。   The printed circuit board according to claim 1, wherein at least a part of the second surface treatment layer is embedded in the insulating portion. 前記第1導体パターンに形成された前記リセス部は、
前記絶縁部の一面から前記絶縁部の内部に行くほど断面積が小さくなる請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のプリント回路基板。
The recess portion formed in the first conductor pattern is
The printed circuit board according to any one of claims 1 to 3, wherein a cross-sectional area decreases from one surface of the insulating portion toward the inside of the insulating portion.
前記絶縁部内部に形成された内部導体パターン層と、
前記内部導体パターン層と前記外層導体パターン層とを互いに接続させるビアをさらに含む請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のプリント回路基板。
An inner conductor pattern layer formed inside the insulating portion;
The printed circuit board according to claim 1, further comprising a via that connects the inner conductor pattern layer and the outer conductor pattern layer to each other.
前記ビアは、
高融点金属層と、
前記高融点金属層の溶融点よりも低い溶融点を有する低融点金属層と、を含む請求項5に記載のプリント回路基板。
The via is
A refractory metal layer,
The printed circuit board according to claim 5, further comprising: a low melting point metal layer having a melting point lower than a melting point of the high melting point metal layer.
前記低融点金属層は、錫(Sn)を含む請求項6に記載のプリント回路基板。   The printed circuit board according to claim 6, wherein the low-melting-point metal layer includes tin (Sn). 前記絶縁部は、光硬化性樹脂を含む請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のプリント回路基板。   The printed circuit board according to claim 1, wherein the insulating portion includes a photocurable resin. 絶縁部、前記絶縁部の一面にそれぞれ形成された第1パッド部及び第2パッド部を含むプリント回路基板と、
前記第1パッド部に結合するダイと、
前記第2パッド部に結合する受動素子と、を含み、
前記第1パッド部は、
前記絶縁部の一面に埋め込まれた導体パターンと、
前記導体パターン上に形成されたシード層と、
前記シード層上に形成され、前記絶縁部の一面から突出し、前記導体パターン及び前記シード層の少なくとも一方の標準還元電位よりも高い標準還元電位を有する表面処理層と、
前記導体パターン及び前記シード層の少なくとも一方の両側部に形成されたリセス部と、
を含む、パッケージ。
An insulating part, a printed circuit board including a first pad part and a second pad part respectively formed on one surface of the insulating part;
A die coupled to the first pad portion;
A passive element coupled to the second pad portion,
The first pad portion is
A conductor pattern embedded in one surface of the insulating portion;
A seed layer formed on the conductor pattern;
A surface treatment layer formed on the seed layer, protruding from one surface of the insulating portion, and having a standard reduction potential higher than a standard reduction potential of at least one of the conductor pattern and the seed layer;
A recess formed on both sides of at least one of the conductor pattern and the seed layer;
Including the package.
前記第2パッド部と前記受動素子との間に介在され、前記第2パッド部と前記受動素子とを接続させ、少なくとも一部が前記絶縁部の一面に埋め込まれた結合部材をさらに含む請求項9に記載のパッケージ。   And a coupling member interposed between the second pad part and the passive element, connecting the second pad part and the passive element, and having at least a part embedded in one surface of the insulating part. 9. The package according to 9.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115190701A (en) * 2022-05-13 2022-10-14 广州广芯封装基板有限公司 Embedded circuit packaging substrate and processing method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311705A (en) * 2003-04-07 2004-11-04 Ibiden Co Ltd Multilayer printed circuit board
JP2010123829A (en) * 2008-11-21 2010-06-03 Panasonic Corp Printed wiring board and manufacturing method thereof
JP2011243714A (en) * 2010-05-18 2011-12-01 Ngk Spark Plug Co Ltd Multilayer wiring board
JP2013073994A (en) * 2011-09-27 2013-04-22 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board and manufacturing method of the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101103301B1 (en) 2009-12-10 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 A build-up printed circuit board with odd-layer and Manufacturing method of the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311705A (en) * 2003-04-07 2004-11-04 Ibiden Co Ltd Multilayer printed circuit board
JP2010123829A (en) * 2008-11-21 2010-06-03 Panasonic Corp Printed wiring board and manufacturing method thereof
JP2011243714A (en) * 2010-05-18 2011-12-01 Ngk Spark Plug Co Ltd Multilayer wiring board
JP2013073994A (en) * 2011-09-27 2013-04-22 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board and manufacturing method of the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115190701A (en) * 2022-05-13 2022-10-14 广州广芯封装基板有限公司 Embedded circuit packaging substrate and processing method thereof

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