JP2018092180A - シリコーン内の量子ドット用pdms系リガンド - Google Patents
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- 239000003446 ligand Substances 0.000 title claims abstract description 209
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title abstract description 124
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title description 63
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 330
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 259
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- -1 hydride group Chemical group 0.000 claims description 73
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 65
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 65
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 53
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 29
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 20
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 12
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 12
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 6
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims description 6
- 241000764773 Inna Species 0.000 claims description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 4
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001921 poly-methyl-phenyl-siloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 18
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 72
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 description 61
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 54
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 51
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 150000004678 hydrides Chemical group 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 18
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 18
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 17
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 16
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 15
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 15
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 14
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 13
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 9
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 7
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 4
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 4
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 2
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- UKWHYYKOEPRTIC-UHFFFAOYSA-N mercury(II) oxide Inorganic materials [Hg]=O UKWHYYKOEPRTIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Chemical group 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 3-[[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCN GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWFSPEQGWSIPLB-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethyl(trimethylsilyloxy)silyl]propan-1-amine Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCN QWFSPEQGWSIPLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010078791 Carrier Proteins Proteins 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100037412 Germinal-center associated nuclear protein Human genes 0.000 description 1
- 101000801643 Homo sapiens Retinal-specific phospholipid-transporting ATPase ABCA4 Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100033617 Retinal-specific phospholipid-transporting ATPase ABCA4 Human genes 0.000 description 1
- 229910018321 SbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical group [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical group [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 239000008272 agar Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 125000002009 alkene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002355 alkine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical group [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical group [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Cd+2] VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 1
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000000879 imine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003544 oxime group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Chemical group 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical group 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical group [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N tert-butyl-[(1r,3s,5z)-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-5-(2-diphenylphosphorylethylidene)-4-methylidenecyclohexyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C1[C@@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C[C@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C(=C)\C1=C/CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】本発明は、波長コンバータナノ粒子が中に埋め込まれたシロキサンポリマーマトリックスを含む波長コンバータを製造する方法であって、当該方法は、(a)短鎖シロキサンポリマー(i1)と、シロキサングラフト化リガンドでグラフト化された外側表面を有する波長コンバータナノ粒子(i2)とを含む第1の液体(i)と、硬化性シロキサンポリマー(ii)とを混合するステップと、(b)前記硬化性シロキサンポリマーを硬化するステップであって、それにより波長コンバータ(100)を製造するステップとを有する。
【選択図】図1a
Description
そのような方法により得られる波長コンバータと、
このような(高分子)波長コンバータを有する照明ユニットと
に関わる。
発光源と、
前記発光源の上部に配置された第1の量子ドット波長コンバータと
を有する発光デバイスであって、前記第1の量子ドット波長コンバータは、
発光源からの光の波長を変換することにより波長変換された光を生成するための複数の第1の量子ドットと、
その内部に前記第1の量子ドットを分散して埋め込む第1の分散媒体と、パック内に前記第1の量子ドットを埋め込む分散媒体の外側表面全体を密封するための第1の密封部材と、
を有する、発光デバイスについて記載している。
発光源からの光の波長を変換することにより波長変換された光を生成するための複数の第2の量子ドットと
その内部に前記第2の量子ドットを分散的に埋め込む第2の分散媒体と、
パック内に前記第2の量子ドットを埋め込む前記第2の分散媒体の外側表面全体を密封するための第2の密封部材と
を有するが、前記第1の量子ドット波長コンバータと、第2の量子ドット波長コンバータと、発光源とは、互いに間隔を置いて離れている。第2の封止物質は、第2の量子ドット波長コンバータの外側表面全体上に堆積され、且つ、第2の量子ドット波長コンバータの外側表面全体を封止するためのものである。さらに、発光源は、発光ダイオードもしくはレーザーダイオードである。
J. Mat. Chemistry C, vol. 1 (2012), p86−94は、シロキサン内に分散されているバイモーダルにグラフト化したナノ粒子を記載する(要約;スキーム1;第90ページ、左上欄;§4)。この文献は、バイモーダルなPDMSブラシグラフト化CdSe量子ドットを充填した透明発光シリコーンナノ複合体を記載する。
(a)短鎖シロキサンポリマー(i1)(「Sポリマー」)と、シロキサングラフト化リガンド(「Xポリマー」)でグラフト化された外側表面を有する波長コンバータナノ粒子(i2)とを含む第1の液体(i)と、硬化性シロキサンポリマー(ii)(「Yポリマー」)とを混合するステップと、
(b)前記硬化性シロキサンポリマーを硬化するステップであって、それにより波長コンバータを製造するステップと
を有し、
前記短鎖シロキサンポリマーは、s1個のSiバックボーン要素を有し、
前記シロキサングラフト化リガンドは、x1個のSiバックボーン要素を有するシロキサングラフト化リガンドを含み、
各シロキサングラフト化リガンドの少なくとも1のSiバックボーン要素は、グラフト化官能性を有する基を含み;かつ
前記硬化性シロキサンポリマーはy1個のSiバックボーン要素を有し;
ここで、x1/s1≧0.8、例えばx1/s1≧0.95、例えば>1、例えば少なくとも≧1.2であり、例えば少なくとも>2であり、
s1<y1、例えばs1/y1<0.25、かつ
一具体的実施形態において、x1<y1である。
(a)前記波長コンバータナノ粒子は、シロキサングラフト化リガンドでグラフト化された外側表面を有し、かつ
(b)前記シロキサンポリマーマトリックスは、第1のタイプのシロキサンポリマーと第2のタイプのシロキサンポリマーとを有し、ここで前記第2のタイプのシロキサンポリマーの少なくとも一部は架橋されており;
ここで、前記第1のタイプのシロキサンポリマーは、s1個のSiバックボーン要素を有する短鎖シロキサンポリマーを含み、
前記シロキサングラフト化リガンドは、x1個のSiバックボーン要素を有するシロキサングラフト化リガンドを含み、
前記第2のタイプのシロキサンポリマーは、y1個のSiバックボーン要素を有するシロキサンポリマーを含み;
ここで、x1/s1≧0.8、例えばx1/s1≧0.95、例えば>1、例えた少なくとも≧1.2、例えば少なくとも>2、
s1<y1、例えばs1/y1<0.1、かつ
一具体的実施形態においてx1<y1である、
光コンバータをも提供する。
光源光(即ち光源からの光)を発生するように構成された光源と、
本書で定義され波長コンバータであって、特に本書で定義された方法で得られた、光源光の少なくとも一部を可視性コンバータ光に変換するように構成された波長コンバータと
を有する照明デバイス
を提供する。さらに別の態様において、本発明は、1以上のバックライトユニットを有する液晶ディスプレイデバイスであって、
前記1以上のバックライトユニットは本書で定義された照明デバイスを1以上有する、液晶ディスプレイデバイスをも提供する。
[(R1,R2)SiO]n
(当該式は、末端基を考慮していない)を有する混合された無機有機ポリマーである。式中、Rは1つの基、例えば水素、炭化水素もしくはフルオロカーボン、特にメチル、エチル、もしくはフェニルである。特に、1以上のSiバックボーン要素の1以上のR基は、炭化水素及びフルオロカーボンの1以上を有する。これら側鎖基の1以上は、架橋官能性、例えばビニル基もしくはヒドリド基を有してもよい。これら重合されたシロキサンもしくはポリシロキサン材料は、四配位(four-coordinate)であるケイ素原子に付属した有機側鎖基を有する無機ケイ素−酸素バックボーン(…−Si−O−Si−O−Si−O−…)からなる。R側鎖基は原則異なってよいので、式[(R2)SiO]nの代わりに、式 [(R1,R2)SiO]n (当該式は、末端基を考慮していない)を適用してよい。本書では、x1及びy1は、それぞれシロキサングラフト化リガンド及び(ホスト物質を形成する)(硬化性)シロキサンポリマーのシロキサンバックボーンにおけるSi元素(elements)の数に該当することに留意されたい。同様に、s1は、本書では1もしくは複数の短鎖シロキサン(Sポリマー)のシロキサンバックボーンにおけるSi元素の数に使用される。特に、ポリマーのバックボーンは、一緒になって分子の連続鎖を生成する共有結合した原子の連続である。例えば、[(R2)SiO]nは、n個のSiバックボーン要素とn個のOバックボーン要素とを有する。
シロキサングラフト化リガンドのSiバックボーン要素(末端基を包含しない)の少なくとも75%、特に80%、さらに特に85%、その上さらに特に少なくとも90%、例えば特に少なくとも95%はメチル側鎖基を有し、そして
(硬化性)シロキサンポリマーのSiバックボーン要素(末端基を包含しない)の特に少なくとも75%、特に80%、さらに特に85%、その上さらに特に少なくとも90%、例えば特に少なくとも95%はメチル側鎖基を有する。従って一実施形態において、短鎖シロキサンポリマーのSiバックボーン要素の少なくとも60%はメチル側鎖基を有する。ここで、シロキサングラフト化リガンドのSiバックボーン要素の少なくとも90%はメチル側鎖基を有し、かつシロキサンポリマーのSiバックボーン要素の少なくとも90%はメチル側鎖基を有する。特に一実施形態において、短鎖シロキサンポリマー、(固体)シロキサンポリマー(マトリックス)及びシロキサングラフト化リガンドは、ポリジメチルシロキサンポリマーを含む。一具体的実施形態において、短鎖シロキサンポリマー、シロキサングラフト化リガンド及び硬化性シロキサンポリマーは、ポリジメチルシロキサン、もしくはポリジフェニルシロキサン、もしくはポリメチルフェニルシロキサンである。
シロキサンポリマーのSiバックボーン要素(末端基を包含しない)の少なくとも75%、特に80%、さらに特に85%、その上さらに特に少なくとも90%、例えば特に少なくとも95%は、フェニル側鎖基を有する。その上別のさらなる実施形態において、短鎖ポリシロキサンポリマーのSiバックボーン要素(末端基を包含しない)の少なくとも75%、特に80%、さらに特に85%、その上さらに特に少なくとも90%、例えば特に少なくとも95%は、フェニル側鎖基を有し、
シロキサングラフト化リガンドのSiバックボーン要素(末端基を包含しない)の少なくとも75%、特に80%、さらに特に85%、その上さらに特に少なくとも90%、例えば特に少なくとも95%は、フェニル側鎖基を有し、そして
シロキサンポリマーのSiバックボーン要素(末端基を包含しない)の少なくとも75%、特に80%、さらに特に85%、その上さらに特に少なくとも90%、例えば特に少なくとも95%は、フェニル側鎖基を有する。明らかに、(X、S、及びYポリマーのいずれかの)末端基は、メチル、フェニル、もしくは他の基、例えば任意には架橋官能性を有する基を含んでもよい。
Xは、酸素,硫黄,セレン,テルル,窒素,リン,ヒ素,アンチモン,もしくはこれらの混合物であり得る。半導体ナノ結晶コアとしての使用に好適な材料の例は、ZnO,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdO,CdS,CdSe,CdTe,MgS,MgSe,GaAs,GaN,GaP,GaSe,GaSb,HgO,HgS,HgSe,HgTe,InAs,InN,InP,InSb,AlAs,AIN,AlP,AlSb,TIN,TIP,TlAs,TlSb,PbO,PbS,PbSe,PbTe,Ge,Si,上述のいずれかを包含する合金,及び/又は上述のいずれかを包含し、3元及び4元混合物もしくは合金を包含する混合物、を包含する(ただしこれらに限定されない)。
(a)短鎖シロキサンポリマー(i1)と、シロキサングラフト化リガンドでグラフト化された外側表面を有する波長コンバータナノ粒子(i2)とを有する第1の液体(i)と、硬化性シロキサンポリマー(ii)とを混合するステップ、
を包含する方法をさらに提供する。ここで当該方法は、(第1の液体と硬化性シロキサンポリマーの混合物を)硬化するステップの前、及び特に第1の液体と硬化性シロキサンポリマーとを混合するステップの前に、特に2重量%以下、特に1重量%以下、さらに特に0.5重量%以下の溶媒量が得られるまで、第1の液体から溶媒(即ちいずれの残存する溶媒)を除去するステップをさらに包含する。
(a)前記波長コンバータナノ粒子は、シロキサングラフト化リガンド(Xポリマー)でグラフト化された外側表面を有し、かつ
(b)前記シロキサンポリマーマトリックスは、第1のタイプのシロキサンポリマー(SポリマーもしくはSポリマー系)と第2のタイプのシロキサンポリマー(YポリマーもしくはYポリマー系)とを含み、ここで前記第2のタイプのシロキサンポリマーの少なくとも一部は架橋されており;
ここで、前記第1のタイプのシロキサンポリマーは、s1個のSiバックボーン要素を有する短鎖シロキサンポリマーを含み、
前記シロキサングラフト化リガンドは、x1個のSiバックボーン要素を有するシロキサングラフト化リガンドを含み、
前記第2のタイプのシロキサンポリマーは、y1個のSiバックボーン要素を有するシロキサンポリマーを含み;
ここで、x1/s1≧0.8、例えばx1/s1≧0.95、例えば>1、例えば少なくとも≧1.2であり、例えば少なくとも>2であり、
s1<y1、例えばs1/y1<0.1、かつ
一具体的実施形態において、x1<y1である
波長コンバータを提供する。
(i)光源光を発生するように構成された光源と、
(ii)光源光の少なくとも一部をコンバータ光に変換するように構成された波長コンバータと
を含む照明デバイスをも提供する。ここで、波長コンバータは、本書に定義された方法により得られる固体ポリマー、又は本書に定義された波長コンバータを含む。従ってさらなる態様において、本発明は、
光源光を発生するように構成された光源と、
本書で定義された方法により得られる波長コンバータ、又は光源光の少なくとも一部を可視性コンバータ光に変換するように構成され、本書で定義された波長コンバータ自体と
を含む照明デバイスを提供する。
バックライトユニット200の照明ユニット100からの照明デバイス光5でバックライト照明され得るLCDパネル300と
を有する、液晶ディスプレイデバイス2を概略的に表す。
シリコーン内の量子ドットの実験結果
多様なサイズと官能基を有するリガンドの実施例
互換性QD−リガンド/シリコーンシステムについての我々の調査において、我々は異なる組成/官能性のリガンド20個まで及び異なるシリコーン10個までを系統的に調査した。リガンドは、
短い一官能性シロキサン(例えば3−アミノプロピルペンタメチルジシロキサン,AB129258;供給先ABCR);図3a参照;
短い二官能性シロキサン(例えば1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン,AB110832);図3b参照;
両端にアミンもしくは酸を有する末端官能化PDMS(「対称」,例えばポリジメチルシロキサン,アミノプロピル末端,AB111872);図3cを参照;
一方の末端にアミンもしくは酸を有する末端官能化PDMS(「非対称」,例えばモノカルボキシデシル末端化ポリジメチルシロキサン,非対称,AB252409);図3dを参照;
アミンもしくは酸を有する側鎖官能化PDMS(2−3%アミノプロピルメチルシロキサン)−ジメチルシロキサンコポリマー,AB109373);図3eを参照(ここで参照番号131は、グラフト化官能性を有する側鎖基と意味する)
として大まかに分類できる。
側鎖内に官能基を有するリガンドの上記成功例は、アミン官能基に基づく。ただし、カルボン酸側鎖基(特に実際にはカルボキシラート基)は、QD安定性の観点から好ましいことが知られている。加えて、過剰のアミンリガンドは、シリコーン硬化反応を阻害する一方、過剰のカルボン酸リガンドはそうではないことが観察される。従って例えばAB109373に類似するが、アミン側鎖基の代わりにカルボン酸を有し、かつ粘度100乃至300cSt及び類似分子量を有する分子が最も好ましい。分子は分枝していてもしていなくてもよい。ただしこのような分子は、我々の知る限り市販されていない。従って我々は、AB109373リガンドのアミン基に対して無水物部分を反応させることによりこの分子をカスタム合成した。反応及び得られるカルボキシリガンドは、図3hに表される(無水コハク酸との反応によるAB109373リガンドからカルボキシ官能化リガンドへの転換)。
図4aは、Lim et al.(Advanced Materials,2007,19,p.1927−1932)により記載の方法に従って製造し、かつTEMグリッド上で乾燥した、洗浄したCdSe量子ドットのTEM画像を表す。図4bは、AB109373カスタムリガンドとのリガンド交換後、図4aで示されるものと同一のバッチからのCdSe量子ドットのTEM画像を表す。図4aは、リガンド交換前の量子ドットが、粒子間距離約1nmを有することを表す。図4bは、リガンド交換後の量子ドット及び乾燥プロセスの際2次元に形成された凝集体が、粒子間距離約8nmを有し、互いに十分に離れて配置されることを表す。後者は、量子ドット上のリガンド層の厚さが約4nmであることを示す。
Lim et.al.(Advanced Materials,2007,19,p.1927−1932)の方法に従って製造されたCdSe量子ドットをシリコーン内に混合するならば、しばしば直ちに強いフロキュレーションが観察される。大きな凝集体が形成され、かつ肉眼では層が透明に見えても、顕微鏡は、凝集体が存在することを明らかにしている。
安定な分散を生成するため、トルエン内に再分散された精製QDは、低分子量を有するPDMSと混合できた。非飛散性(non-scattering)分散物を得るのに、ドットは、分子量1250,2000,3780及び5970を有するPDMS(対応粘度10,20,50及び100cSt、又は17,27,50,80のSiバックボーン単位)内に分散できた。200cSt(Mw 9430,y1=127)PDMSにおいてサンプルは飛散性(scattering)であった。
我々は、QDを短い末端官能化シロキサンリガンド(モノアミノプロピル末端,粘度7乃至14cSt及びMw 800乃至1100を有するAB250914,x1=12)で変性した。リガンド交換は成功であった。即ちQD−リガンド混合物は、リガンド交換後透明であった(100℃において、>12時間)。混合の際、AB250914リガンドを有するQDは、10cSt PDMS(y1=17)内で約30秒間完全に透明のままであり、その後次第に凝集し始め、そして結局濁ってしまう。この結果は、何度も再現された。リガンドは、10cSt PDMS内でQDを安定化するのに十分に長い閾値のちょうど下であると解釈される。その結果、混合物は、最初は安定であるが、ゆっくりと経時的に凝集しはじめる。100cSt,(y1=80)と混合すると、予想どおり直ちに濁った懸濁液が得られた。
リガンドとシロキサンポリマーとの間の化学的互換性の重要性を調査するため、カスタムAB109373−COOHリガンド(x1=68)を有するQDを、多様な側鎖基を有するシロキサン分子と混合した。概要は下の表にある。
リガンド交換された(Mw=5000g/mol/粘度=100cSt. COOH官能化側鎖基を有するシロキサンリガンド)量子ドットは、200cSt PDMSを使用して精製され、次いで交換に使用されたリガンドの過剰を除去するためトルエン/エタノール混合物内で洗浄された。トルエン内に再分散された後、それらを10,20,50,100及び200cSt PDMS(分量: 100μL トルエン中QDと1mL PDMS、即ち10%溶媒)に添加した。濁った懸濁液をもたらす200cSt PDMSを除き、分散はコロイド安定性を表す透明のままであった。200cSt PDMSの分子量は、リガンドの分子量を超える約9,500である一方、他のPDMSタイプは、リガンドの分子量以下の分子量である。
10%溶媒がまだ存在する50cSt PDMS内のQドットに、350cSt PDMSを比率1:1で添加した。分散液は、コロイド安定性を表す、少なくとも2時間はクリアなままであった。混合物PDMSは、一晩で濁った。
真空を使用して、トルエンが50cSt PDMS内のQドット(上記参照)から除去された。ポリマーメルト内の量子ドットは、クリアなままであった。350cSt及び1000cSt PDMSと比率1:1で混合すると、分散液は、コロイド安定性を表す、少なくとも2時間はクリアなままであった。20時間後、1000cSt PDMSを有する混合物はわずかに濁ったが、350cSt PDMSを有する混合物は1日以上クリアなままであった。これは、溶媒の除去は、これらPDMS混合物内のQDの安定化を助けることを意味する。一般に、QD−PDMSメルト内の溶媒の存在は、コロイド安定性に有害であるということが言える。KJR9226(粘度1000cSt)と混合すると、光学的にほとんどクリアな分散液が得られた。KJR9226それ自体がいくらか濁りを有するため、わずかな濁りも生じた。トルエン除去なしだと、もしくはリガンド交換した量子ドットを、KJR9226と直接混合すると、さらに強く飛散性の分散液が得られ、溶媒除去の関連を実証している。いずれのリガンド変性なしでも、高度に飛散性の分散液が得られる。
トルエン内リガンド交換した量子ドットを、粘度約8cStを有するビニル及びヒドリド末端PDMSの1:1混合物内に分散した。真空下トルエンを除去し、混合物を、市販のシリコーン,KJR9226に添加した。層をガラス基板上に滴下キャストし、180℃で3時間熱硬化した。低い程度の飛散性を有する色鮮やかな層が得られた(図5b参照)。
70μLのトルエン内0.5%量子ドット溶液を、粘度4乃至8cStを有するビニルジメチルシロキシ末端PDMS(Mw=770)と、7乃至10cStのヒドリド末端(Mw情報なしだが、提供された粘度データから、粘度4−8cStを有するビニルジメチルシロキシ末端PDMSの分子量と少なくとも同じくらいと推論され、従って>770)との50/50混合物200μLに添加した。トルエンを除去するためサンプルを真空下に1時間置いた。体積200μLの脱気されたKJR9226Dを、クリアな溶液に添加した。混合後、層をガラス基板上に滴下キャストし、そしてバルクゲルをガラス管内に製造した。これらをいずれも150℃で30分間硬化すると、透明な層及び透明なシリコーンゲルが得られた。20分後、バルクゲルは依然として部分的に液体であったが、見かけ上は完全に透明であった。
トルエン内の0.5%量子ドット溶液70μLを、粘度100cStを有するビニルジメチルシロキシ末端PDMS(Mw=6000)と、25乃至35cStの25/35%メチルヒドロシロキサン(Mw情報なし)との80/20混合物200μLに添加した。トルエンを除去するためサンプルを真空下に1時間置いた。体積200μLの脱気されたKJR9226Dを、クリアな溶液に添加した。混合後、層をガラス基板上に滴下キャストし、そしてバルクゲルをガラス管内に製造した。これらをいずれも150℃で硬化すると、透明な層及び透明なシリコーンゲルが得られた。20分後、バルクゲルは依然として部分的に液体であったが、見かけ上は完全に透明であった。
トルエン内0.5%量子ドット溶液70μLを、粘度4乃至8cStを有するビニルジメチルシロキシ末端PDMS(Mw=770)と、25乃至35cStの25/35%メチルヒドロシロキサン(Mw情報なし)との80/20混合物200μLに添加した。トルエンを除去するためサンプルを真空下に1時間置いた。体積200μLの脱気されたKJR9226Dを、クリアな溶液に添加した。混合後、層をガラス基板上に滴下キャストし、そしてバルクゲルをガラス管内に製造した。これらをいずれも150℃で硬化すると、透明な層及び透明なシリコーンゲルが得られた。(20分後チェックしたところ、ゲルはすでに固体化していた。)
5 照明デバイス光
10 光源
11 光源光
100 波長コンバータ
101 上流側
102 下流側
110 高分子ホスト材料
120 波長コンバータナノ粒子
Claims (14)
- 波長コンバータナノ粒子が中に埋め込まれたシロキサンポリマーマトリックスを含む波長コンバータを製造する方法であって、当該方法は、
短鎖シロキサンポリマー(i1)と、シロキサングラフト化リガンドでグラフト化された外側表面を有する波長コンバータナノ粒子(i2)とを含む第1の液体(i)と硬化性シロキサンポリマー(ii)とを混合するステップ(a)の前に、前記第1の液体(i)から溶媒を除去するステップと、
(a)前記第1の液体(i)と、前記硬化性シロキサンポリマー(ii)とを混合するステップと、
(b)前記硬化性シロキサンポリマーを硬化するステップであって、それにより前記波長コンバータを製造するステップと、
を含み、
− 前記波長コンバータナノ粒子の分子量は、前記波長コンバータナノ粒子の前記外側表面上の前記リガンドの分子量よりも高く、
− 前記短鎖シロキサンポリマーは、s1個のSiバックボーン要素を有し、
前記シロキサングラフト化リガンドは、x1個のSiバックボーン要素を有するシロキサングラフト化リガンドを含み、各シロキサングラフト化リガンドの少なくとも1のSiバックボーン要素は、グラフト化官能性を有する基を含み;かつ
前記硬化性シロキサンポリマーはy1個のSiバックボーン要素を有し;かつ、
− x1/s1≧0.8、s1<y1かつx1<y1である、
方法。 - s1<x1<y1、
s1は、少なくとも7であり、
x1は、少なくとも20であり、かつ
y1は、少なくとも100である、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の液体は、1以上の溶媒を2重量%以下の合計量で含み得る、請求項1乃至2のいずれか一項に記載の方法。
- 前記硬化性シロキサンポリマーは、不飽和結合含有基とヒドリド基とを第1の不飽和結合ヒドリド基モル比で含み、かつ
前記短鎖シロキサンポリマーは、不飽和結合含有基とヒドリド基とを第2の不飽和結合ヒドリド基モル比で含み、
ここで、前記第2の不飽和結合ヒドリド基モル比は、前記第1の不飽和結合ヒドリド基モル比の50%乃至150%の範囲内である、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法。 - 前記短鎖シロキサンポリマーの前記Siバックボーン要素の少なくとも70%は、メチル側鎖基を有し、
前記シロキサングラフト化リガンドの前記Siバックボーン要素の少なくとも90%は、メチル側鎖基を有し、かつ
前記シロキサンポリマーの前記Siバックボーン要素の少なくとも90%は、メチル側鎖基を有する、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記短鎖シロキサンポリマー、前記シロキサングラフト化リガンド及び前記硬化性シロキサンポリマーは、ポリジメチルシロキサン、又はポリジフェニルシロキサン、又はポリメチルフェニルシロキサンである、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法。
- グラフト化官能性を有する前記基は、アミン含有側鎖基、カルボキシラート含有側鎖基、ホスフィン含有側鎖基、ホスフィンオキシド含有側鎖基、ホスファート含有側鎖基、及びチオール含有側鎖基からなるグループから選択される、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記波長コンバータナノ粒子は、コア−シェルナノ粒子からなるグループから選択され、前記コアとシェルとはCdS,CdSe,CdTe,ZnS,ZnSe,ZnTe,HgS,HgSe,HgTe,CdSeS,CdSeTe,CdSTe,ZnSeS,ZnSeTe,ZnSTe,HgSeS,HgSeTe,HgSTe,CdZnS,CdZnSe,CdZnTe,CdHgS,CdHgSe,CdHgTe,HgZnS,HgZnSe,HgZnTe,CdZnSeS,CdZnSeTe,CdZnSTe,CdHgSeS,CdHgSeTe,CdHgSTe,HgZnSeS,HgZnSeTe,HgZnSTe,GaN,GaP,GaAs,AlN,AlP,AlAs,InN,InP,InAs,GaNP,GaNAs,GaPAs,AlNP,AlNAs,AlPAs,InNP,InNAs,InPAs,GaAlNP,GaAlNAs,GaAlPAs,GaInNP,GaInNAs,GaInPAs,InAlNP,InAlNAs,及びInAlPAsの1以上を含む、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法。
- 波長コンバータナノ粒子が中に埋め込まれたシロキサンポリマーマトリックスを含む波長コンバータであって、
(a)前記波長コンバータナノ粒子は、シロキサングラフト化リガンドでグラフト化された外側表面を有し、前記波長コンバータナノ粒子は、コア−シェルナノ粒子からなるグループから選択され、前記コアとシェルとはCdSeS,CdSeTe,CdSTe,ZnSeTe,ZnSTe,HgSeS,HgSeTe,HgSTe,CdZnS,CdZnSe,CdZnTe,CdHgS,CdHgSe,CdHgTe,HgZnS,HgZnSe,HgZnTe,CdZnSeS,CdZnSeTe,CdZnSTe,CdHgSeS,CdHgSeTe,CdHgSTe,HgZnSeS,HgZnSeTe,HgZnSTe,GaNP,GaNAs,GaPAs,AlNP,AlNAs,AlPAs,InNP,InNAs,InPAs,GaAlNP,GaAlNAs,GaAlPAs,GaInNP,GaInNAs,GaInPAs,InAlNP,InAlNAs,及びInAlPAsの1以上を含み、かつ
(b)前記シロキサンポリマーマトリックスは、第1のタイプのシロキサンポリマーと第2のタイプのシロキサンポリマーとを含み、ここで前記第2のタイプのシロキサンポリマーの少なくとも一部は架橋されており;
−ここで、前記第1のタイプのシロキサンポリマーは、s1個のSiバックボーン要素を有する短鎖シロキサンポリマーを含み、
前記シロキサングラフト化リガンドは、x1個のSiバックボーン要素を有するシロキサングラフト化リガンドを含み、
前記第2のタイプのシロキサンポリマーは、y1個のSiバックボーン要素を有するシロキサンポリマーを含み;
− ここで、x1/s1≧0.8、s1<y1かつx1<y1である、
波長コンバータ。 - 各シロキサングラフト化リガンドの少なくとも1個のSiバックボーン要素は、アミン含有側鎖基又はカルボキシラート含有側鎖基からなるグループから選択されたグラフト化官能性を有する側鎖基を含み、
ここで、s1<x1<y1、
s1は少なくとも7であり、
x1は少なくとも20であり、かつ
y1は少なくとも100である、
請求項9に記載の波長コンバータ。 - 前記第2のタイプのシロキサンポリマーの少なくとも一部は架橋されており、
前記第1のタイプのシロキサンポリマーの少なくとも一部もまた、架橋されており、かつ
前記第1のタイプのシロキサンポリマーと前記第2のタイプのシロキサンポリマーとの少なくとも一部は、互いに架橋されている、
請求項9乃至10のいずれか一項に記載の波長コンバータ。 - 前記短鎖シロキサンポリマーの前記Siバックボーン要素の少なくとも70%は、メチル側鎖基を有し、
前記シロキサングラフト化リガンドの前記Siバックボーン要素の少なくとも90%は、メチル側鎖基を有し、
前記シロキサンポリマーの前記Siバックボーン要素の少なくとも90%は、メチル側鎖基を有し、かつ
前記波長コンバータは、1以上の残存溶媒を含み得、前記溶媒の合計量は1重量%以下である、
請求項9に記載の波長コンバータ。 - −光源光を発生するように構成された光源と、
−請求項9乃至12のいずれか一項に定義され、前記光源光の少なくとも一部を可視性コンバータ光に変換するように構成された、波長コンバータと、
を含む照明デバイス。 - バックライトユニットを含む液晶ディスプレイデバイスであって、
前記バックライトユニットは請求項13に記載の照明デバイスを1以上含む、液晶ディスプレイデバイス。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261718260P | 2012-10-25 | 2012-10-25 | |
US61/718,260 | 2012-10-25 | ||
US201361767877P | 2013-02-22 | 2013-02-22 | |
US61/767,877 | 2013-02-22 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015538589A Division JP2016505212A (ja) | 2012-10-25 | 2013-09-24 | シリコーン内の量子ドット用pdms系リガンド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018092180A true JP2018092180A (ja) | 2018-06-14 |
JP6824203B2 JP6824203B2 (ja) | 2021-02-03 |
Family
ID=49724626
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015538589A Pending JP2016505212A (ja) | 2012-10-25 | 2013-09-24 | シリコーン内の量子ドット用pdms系リガンド |
JP2018016086A Active JP6824203B2 (ja) | 2012-10-25 | 2018-02-01 | シリコーン内の量子ドット用pdms系リガンド |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015538589A Pending JP2016505212A (ja) | 2012-10-25 | 2013-09-24 | シリコーン内の量子ドット用pdms系リガンド |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10287490B2 (ja) |
EP (1) | EP2912140B1 (ja) |
JP (2) | JP2016505212A (ja) |
KR (1) | KR102171776B1 (ja) |
CN (1) | CN104755586B (ja) |
TW (1) | TWI593720B (ja) |
WO (1) | WO2014064555A1 (ja) |
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- 2013-09-24 JP JP2015538589A patent/JP2016505212A/ja active Pending
- 2013-09-24 KR KR1020157013312A patent/KR102171776B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-24 EP EP13801774.4A patent/EP2912140B1/en active Active
- 2013-09-24 WO PCT/IB2013/058785 patent/WO2014064555A1/en active Application Filing
- 2013-09-24 US US14/437,318 patent/US10287490B2/en active Active
- 2013-10-25 TW TW102138793A patent/TWI593720B/zh active
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EP2912140A1 (en) | 2015-09-02 |
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KR102171776B1 (ko) | 2020-10-30 |
US10287490B2 (en) | 2019-05-14 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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A711 | Notification of change in applicant |
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C13 | Notice of reasons for refusal |
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C23 | Notice of termination of proceedings |
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C03 | Trial/appeal decision taken |
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C30A | Notification sent |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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