JP2018090856A - 高温で熱安定性に優れた歪センサ用薄膜合金 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一般式Cr100−x−yAlxBy(ただし、x、yは原子比率(at.%)であり、1<x<20、0≦y<10である)で表される歪センサ用薄膜合金を提供する。本薄膜合金は、抵抗の時間変化が、20ppm/℃以下であることが好ましく、TCRおよびTCSの双方、またはこれらのいずれか一方が、−200〜+200ppm/℃の範囲内であることが好ましい。また、比抵抗率は250μΩ・cm以上であることが好ましい。
【選択図】図2
Description
K=(ΔR/R)/(Δl/l)=1+2σ+(Δρ/ρ)/(Δl/l) (1)
ここで、R、σおよびρは、それぞれセンサ材である薄膜、細線または箔の全抵抗、ポアソン比および比電気抵抗である。またlは被測定体の全長であり、よってΔl/lは被測定体に生じる歪を表す。一般に、金属・合金におけるσはほぼ0.3であるから、前記の式における右辺第1項と第2項の合計は約1.6でほぼ一定の値となる。したがってゲージ率を大きくするためには、前記の式における第3項が大きいことが必須条件である。すなわち、材料に引っ張り変形を与えたとき材料の長さ方向の電子構造が大幅に変化し、比電気抵抗の変化量Δρ/ρが増加することによる。
(ただし、x、yは原子比率(at.%)であり、1<x<20、0≦y<10である)で表されることを特徴とする、高温で熱安定性に優れた歪センサ用薄膜合金。
(3)抵抗の時間変化が、20ppm/H以下であることを特徴とする、(1)または(2)に記載の高温で熱安定性に優れた歪センサ用薄膜合金。
まず、従来歪センサ用合金として用いられているCr−N系薄膜について特性を把握した。その結果を図1〜3に示す。図1は、Cr−N系薄膜合金としてCr−4.4at.%Nを用い、240〜600℃の各温度で1時間の熱処理を行った後のゲージ率の温度変化を示す図である。また、図2は、成膜後の熱処理温度を200℃にした場合の、Cr−N薄膜合金のN含有量と、TCRおよびTCSとの関係を示す図である。さらに、図3は、Cr−4.4at.%N薄膜について、300℃で1時間真空熱処理した後、250℃に保持したときの抵抗の時間変化を示す図である。
図4は、Cr薄膜および種々のCr系薄膜合金について、300℃で1時間真空熱処理した後、250℃に保持したときの抵抗の時間変化を示す図、図5は、Cr薄膜および種々のCr系薄膜合金におけるゲージ率の温度変化を示す図である。ここでは、Cr薄膜合金として、従来のCr−4.4at%Nの他、Cr−1.6at.%Al、Cr−3.8at.%B、Cr−2.9at.%C、Cr−9.8at.%Oを用いた。
以下、本発明の実施例について説明する。
ここでは、基板上に、高周波スパッタリングにより所定パターンでCr−14.4at.%Al組成の薄膜を形成した後、300℃、450℃で熱処理して試料を作製した。
ここでは、基板上に、高周波スパッタリングにより所定パターンで表1に示す組成のCr−Al−B薄膜合金を形成した後、300℃で熱処理して試料を作製した。
Claims (5)
- 一般式Cr100−x−yAlxBy
(ただし、x、yは原子比率(at.%)であり、1<x<20、0≦y<10である)で表されることを特徴とする、高温で熱安定性に優れた歪センサ用薄膜合金。 - 前記一般式Cr100−x−yAlxByにおいて、前記xおよびyが、12≦x≦16、0≦y≦5で表される範囲であることを特徴とする、請求項1に記載の高温で熱安定性に優れた歪センサ用薄膜合金。
- 抵抗の時間変化が、20ppm/H以下であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の高温で熱安定性に優れた歪センサ用薄膜合金。
- 抵抗温度係数(TCR)およびゲージ率の温度係数(TCS)の双方、またはこれらのいずれか一方が、−200〜+200ppm/℃の範囲内であることを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の高温で熱安定性に優れた歪センサ用薄膜合金。
- 比抵抗率が250μΩ・cm以上であることを特徴とする、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の高温で熱安定性に優れた歪センサ用薄膜合金。
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