JP2018089893A - 液体吐出ヘッド - Google Patents
液体吐出ヘッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018089893A JP2018089893A JP2016236635A JP2016236635A JP2018089893A JP 2018089893 A JP2018089893 A JP 2018089893A JP 2016236635 A JP2016236635 A JP 2016236635A JP 2016236635 A JP2016236635 A JP 2016236635A JP 2018089893 A JP2018089893 A JP 2018089893A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- forming
- piezoelectric element
- discharge port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 25
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 51
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 43
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 11
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1607—Production of print heads with piezoelectric elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1607—Production of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/161—Production of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1623—Manufacturing processes bonding and adhesion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1628—Manufacturing processes etching dry etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1637—Manufacturing processes molding
- B41J2/1639—Manufacturing processes molding sacrificial molding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1643—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by plating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1646—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
- B41J2002/14258—Multi layer thin film type piezoelectric element
Abstract
【課題】吐出口を高密度に配置することができ、振動板の十分な変位量を得ることができる液体吐出ヘッドを提供する。
【解決手段】液体吐出ヘッド100は、基板101と、基板101に設けられた圧電素子120と、基板101の圧電素子120が設けられた面に設けられ、液体を吐出するための吐出口108を有する吐出口形成部材130であって、基板101との間に、吐出口108に連通し圧電素子120を内部に備えた圧力室107を形成する吐出口形成部材130と、基板101と圧電素子120との間に設けられ、基板101との間に空間部102を形成する第1の薄膜103と、圧電素子120を挟んで第1の薄膜103の反対側に設けられた第2の薄膜140と、を有し、第1の薄膜103が、圧電素子120の側面に接しないように設けられているとともに、第2の薄膜140よりも高い剛性を有している。
【選択図】図1
【解決手段】液体吐出ヘッド100は、基板101と、基板101に設けられた圧電素子120と、基板101の圧電素子120が設けられた面に設けられ、液体を吐出するための吐出口108を有する吐出口形成部材130であって、基板101との間に、吐出口108に連通し圧電素子120を内部に備えた圧力室107を形成する吐出口形成部材130と、基板101と圧電素子120との間に設けられ、基板101との間に空間部102を形成する第1の薄膜103と、圧電素子120を挟んで第1の薄膜103の反対側に設けられた第2の薄膜140と、を有し、第1の薄膜103が、圧電素子120の側面に接しないように設けられているとともに、第2の薄膜140よりも高い剛性を有している。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧電素子を用いて吐出口から液体を吐出する液体吐出ヘッドに関する。
インクなどの液体を吐出して記録媒体に画像を記録する液体吐出装置には、多くの場合、液体を貯留する圧力室内に圧力を発生させることで、圧力室の一端に形成された吐出口から液体を吐出する方式の液体吐出ヘッドが用いられている。圧力を発生させる方法として、圧電素子によって圧力室を収縮させる方法が知られており、圧電素子を用いた液体吐出ヘッドとして、いわゆるベンドモード型の液体吐出ヘッドが知られている。ベンドモード型の液体吐出ヘッドは、圧電素子と振動板とからなる積層構造を有し、電圧を印加することで圧電素子を面内方向に収縮させ、それにより、振動板を面外方向に変形(曲げ変形)させることで、圧力室内に圧力を発生させるものである。
このような液体吐出ヘッドにおいて、高解像度の画像を記録するためには、吐出口を高密度に配置することが必要になる。特許文献1には、フォトリソグラフィによる高精度な加工によって吐出口を高密度に配置可能な液体吐出ヘッドの製造方法が記載されている。
このような液体吐出ヘッドにおいて、高解像度の画像を記録するためには、吐出口を高密度に配置することが必要になる。特許文献1には、フォトリソグラフィによる高精度な加工によって吐出口を高密度に配置可能な液体吐出ヘッドの製造方法が記載されている。
しかしながら、特許文献1に記載の製造方法では、基板上に、後のエッチングプロセスで除去されて空間部を形成する犠牲層を形成し、その上に圧電素子を形成し、さらにその上に振動板を形成するため、圧電素子の側面に振動板が接する構成になる。そのため、圧電素子が変位する際に、振動板が圧電素子の変位を拘束して変位効率を低下させ、結果的に、振動板の十分な変位量が得られなくなる。
そこで、本発明の目的は、吐出口を高密度に配置することができ、かつ振動板の十分な変位量が得られる液体吐出ヘッドおよびその製造方法を提供することである。
そこで、本発明の目的は、吐出口を高密度に配置することができ、かつ振動板の十分な変位量が得られる液体吐出ヘッドおよびその製造方法を提供することである。
上述した目的を達成するために、本発明の液体吐出ヘッドは、基板と、基板に設けられた圧電素子と、基板の圧電素子が設けられた面に設けられ、液体を吐出するための吐出口を有する吐出口形成部材であって、基板との間に、吐出口に連通し圧電素子を内部に備えた圧力室を形成する吐出口形成部材と、基板と圧電素子との間に設けられ、基板との間に空間部を形成する第1の薄膜と、圧電素子を挟んで第1の薄膜の反対側に設けられた第2の薄膜と、を有し、第1の薄膜が、圧電素子の側面に接しないように設けられているとともに、第2の薄膜よりも高い剛性を有している。
また、本発明の液体吐出ヘッドの製造方法は、基板の上に犠牲層を形成する工程と、犠牲層の上に第1の薄膜を形成する工程と、第1の薄膜の上に圧電素子を形成する工程と、圧電素子の上に、第1の薄膜よりも剛性が低い第2の薄膜を形成する工程と、基板の圧電素子が設けられた面に、液体を吐出するための吐出口を有する吐出口形成部材を設け、基板との間に、吐出口に連通し圧電素子を内部に備えた圧力室を形成する工程と、犠牲層を除去して基板と第1の薄膜との間に空間部を形成する工程と、を含んでいる。
このような液体吐出ヘッドおよび液体吐出ヘッドの製造方法では、第1の薄膜が第2の薄膜よりも高い剛性を有することで振動板として機能し、その第1の薄膜の上に圧電素子が形成されるため、振動板が圧電素子の側面に接することがない。そのため、振動板が圧電素子の変位を拘束して変位効率を低下させることを抑制することができる。
また、本発明の液体吐出ヘッドの製造方法は、基板の上に犠牲層を形成する工程と、犠牲層の上に第1の薄膜を形成する工程と、第1の薄膜の上に圧電素子を形成する工程と、圧電素子の上に、第1の薄膜よりも剛性が低い第2の薄膜を形成する工程と、基板の圧電素子が設けられた面に、液体を吐出するための吐出口を有する吐出口形成部材を設け、基板との間に、吐出口に連通し圧電素子を内部に備えた圧力室を形成する工程と、犠牲層を除去して基板と第1の薄膜との間に空間部を形成する工程と、を含んでいる。
このような液体吐出ヘッドおよび液体吐出ヘッドの製造方法では、第1の薄膜が第2の薄膜よりも高い剛性を有することで振動板として機能し、その第1の薄膜の上に圧電素子が形成されるため、振動板が圧電素子の側面に接することがない。そのため、振動板が圧電素子の変位を拘束して変位効率を低下させることを抑制することができる。
本発明によれば、吐出口を高密度に配置することができ、かつ振動板の十分な変位量が得られる液体吐出ヘッドおよびその製造方法を提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
(第1の実施形態)
図1および図2を参照して、本発明の第1の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成について説明する。図1(a)は、本実施形態の液体吐出ヘッドを示す概略断面図であり、図1(b)は、本実施形態の液体吐出ヘッドの変形例を示す概略断面図である。図2は、本実施形態の液体吐出ヘッドの概略平面図である。
図1および図2を参照して、本発明の第1の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成について説明する。図1(a)は、本実施形態の液体吐出ヘッドを示す概略断面図であり、図1(b)は、本実施形態の液体吐出ヘッドの変形例を示す概略断面図である。図2は、本実施形態の液体吐出ヘッドの概略平面図である。
図1(a)を参照すると、液体吐出ヘッド100は、基板101と、圧電素子120と、吐出口形成部材130と、第1の薄膜103と、第2の薄膜140とを有している。圧電素子120は、基板101に設けられ、圧電体104、上部電極105、および下部電極106から構成されている。下部電極106と圧電体104と上部電極105とは、基板101の厚み方向にこの順で積層されている。吐出口形成部材130は、基板101の圧電素子120が設けられた面に設けられ、インクなどの液体を吐出するための吐出口108を有し、基板101との間に、吐出口108に連通し、圧電素子120を内部に備えた圧力室107を形成している。なお、基板101には、圧力室107に連通して圧力室107に液体を供給するための供給口109が基板101を貫通して形成されている。
第1の薄膜103は、基板101と圧電素子120との間に設けられ、基板101との間に空間部102を形成している。詳細は後述するが、第1の薄膜103は、圧力室107内に圧力を発生させる振動板として機能し、空間部102は、この振動板としての第1の薄膜103を変位させるために設けられている。すなわち、圧電素子120の駆動により振動板としての第1の薄膜103が変位し、それにより、圧力室107内に圧力を発生させることで、圧力室107内の液体を吐出口108から吐出することができる。高精細な画像記録を行うためには、各吐出口108について独立に液体の吐出動作を制御できることが好ましい。そのため、振動板としての第1の薄膜103は、複数の圧力室107に共通のものとして設けられていてもよいが、圧力室107ごとに独立して設けられていることが好ましい。第2の薄膜140は、2つの保護膜110,111から構成され、圧電素子120の保護膜として機能する。
第1の薄膜103は、基板101と圧電素子120との間に設けられ、基板101との間に空間部102を形成している。詳細は後述するが、第1の薄膜103は、圧力室107内に圧力を発生させる振動板として機能し、空間部102は、この振動板としての第1の薄膜103を変位させるために設けられている。すなわち、圧電素子120の駆動により振動板としての第1の薄膜103が変位し、それにより、圧力室107内に圧力を発生させることで、圧力室107内の液体を吐出口108から吐出することができる。高精細な画像記録を行うためには、各吐出口108について独立に液体の吐出動作を制御できることが好ましい。そのため、振動板としての第1の薄膜103は、複数の圧力室107に共通のものとして設けられていてもよいが、圧力室107ごとに独立して設けられていることが好ましい。第2の薄膜140は、2つの保護膜110,111から構成され、圧電素子120の保護膜として機能する。
基板101には、上述した供給口109の他に、空間部102に連通する連通孔202が基板101を貫通して形成されている。連通孔202は、空間部102の底面(基板101の空間部102に面する領域)の面積よりも小さい開口面積で空間部102に連通し、後述するように、空間部102を形成するためのエッチングプロセスにおいてエッチングホールとして用いられる。基板101の圧電素子120が設けられた面と反対側の面には、連通孔202の端部を閉塞する閉塞層208が設けられ、それにより、空間部102を、液体の流路である供給口109や圧力室107と連通しないようにすることができる。基板101と第1の薄膜103との間、すなわち、空間部102との間には、図1(b)に示すように、上述したエッチングプロセスにおいて基板101を保護するための基板保護膜(第3の薄膜)205が設けられていてもよい。同様に、供給口109および連通孔202の内壁には、図1(b)に示すように、供給口109および連通孔202をエッチャントから保護するための内壁保護膜(第4の薄膜)206が設けられていてもよい。
図2を参照すると、圧力室107はマトリクス状に配置され、それに応じて、吐出口108もマトリクス状に配置されて複数の吐出口列を形成している。ここでは、一例として、吐出口列内では吐出口108が150dpi(約169μm)のピッチで配置され、隣接する吐出口列同士は吐出口108の配列方向に1200dpi(約21μm)ずれて配置された場合の、各要素の平面サイズについて説明する。
圧力室107の平面サイズを120μm×210μmとすると、各吐出口列において隣接する2つの圧力室107の間の壁幅は約49μmとなる。このとき、空間部102によって決定される圧電素子120の変位領域は、圧力室107の平面サイズよりも若干小さく、115μm×200μmとすることができる。このようなサイズの変位領域を有する圧電素子120による圧力室107の容積変化量(単位電圧当たりの容積変化)は、0.26pL/V程度である。したがって、駆動電圧を25Vとすれば、6.5pL程度の容積変化が得られ、4pL程度の液体を吐出することができる。また、供給口109の平面サイズは、クロストークを抑制でき、また、液体再充填に関する十分な性能を有することを考慮すると、120μm×80μm程度である。また、隣接する吐出口列同士の間隔を350μmとすると、その間の壁幅は30μmとなる。
圧力室107の平面サイズを120μm×210μmとすると、各吐出口列において隣接する2つの圧力室107の間の壁幅は約49μmとなる。このとき、空間部102によって決定される圧電素子120の変位領域は、圧力室107の平面サイズよりも若干小さく、115μm×200μmとすることができる。このようなサイズの変位領域を有する圧電素子120による圧力室107の容積変化量(単位電圧当たりの容積変化)は、0.26pL/V程度である。したがって、駆動電圧を25Vとすれば、6.5pL程度の容積変化が得られ、4pL程度の液体を吐出することができる。また、供給口109の平面サイズは、クロストークを抑制でき、また、液体再充填に関する十分な性能を有することを考慮すると、120μm×80μm程度である。また、隣接する吐出口列同士の間隔を350μmとすると、その間の壁幅は30μmとなる。
以下に、図3および図4を参照して、本実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法について説明する。図3および図4は、本実施形態の製造方法の各工程における液体吐出ヘッドの概略断面図である。なお、以下の工程(3a)〜(3l)は、図3(a)から図3(l)に対応し、工程(4a)〜(4f)は、図4(a)から図4(f)に対応する。
(3a)基板101として、シリコン(Si)からなる基板を用意する。基板101には予め配線層101aが形成されている。配線層101aの配線材料としては、例えば、アルミニウム(Al)やその化合物、または、タングステン(W)を使用することができる。Alを用いると配線の電気抵抗を下げることができるが、配線の形成後に高温プロセスを行う場合にはWを用いることが好ましい。また、配線101aの表面は、後に上部電極105や下部電極106への引き出し配線を電気的に接続するために、一部を露出させ、それ以外の部分をSiNやSiO2などによって保護することができる。配線層101aは、配線数を減らすために、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)のような集積回路を含んでいてもよい。CMOSの機能としては、例えば、スイッチを構成し、画像データに合わせて吐出信号をON/OFFする機能などが挙げられる。
(3b)フォトリソグラフィによって、基板101上に犠牲層201を形成する。犠牲層201は、後のエッチングプロセスで除去されるため、その材料としては、周囲の部材に対するエッチング選択性が高く、また、エッチング速度が速いものを用いることが好ましい。このような犠牲層201、周囲の部材、およびエッチャントの組み合わせには、以下のようなものがある。例えば、第1の組み合わせとしては、犠牲層201をAlとし、周囲の部材をSiとし、エッチャントをAlウェットエッチャントとする組み合わせがある。また、第2の組み合わせとしては、犠牲層201をSiO2とし、周囲の部材をSiとし、エッチャントをHFとする組み合わせがある。特にエッチャントとして気相HFを用いると、狭い犠牲層201でも効率よくエッチングすることができる。ただし、犠牲層201にSiO2を用い、他の部材にもSiO2を用いる場合、他の部材の表面を予め保護しておく必要がある。また、第3の組み合わせとしては、犠牲層201をSiとし、周囲の部材をSiO2とし、エッチャントをXeF2(ドライエッチング)とする組み合わせがある。この場合、図1(b)に示すように、Siからなる基板101を保護するために、犠牲層201の成膜前に、基板101上に基板保護膜205を成膜する必要がある。この他にもエッチング選択性を確保することができれば、別の組み合わせを用いることもできる。
圧電素子120の変位量を数百nm程度とする場合、犠牲層201の厚さは、500nm以上1500nm以下であることが好ましい。これは、犠牲層201が厚くなると圧電素子120の断面形状における段差が大きくなるためである。犠牲層201の平面サイズは、液体の吐出量や吐出周波数、吐出口108のレイアウトによって適宜設定される。例えば、4pL程度の液滴を100kHz程度で吐出する場合、犠牲層201の平面サイズは、吐出口108のピッチが本実施形態のように150dpiでは115μm×200μm程度に設定され、200dpiでは80μm×500μm程度に設定される。
圧電素子120の変位量を数百nm程度とする場合、犠牲層201の厚さは、500nm以上1500nm以下であることが好ましい。これは、犠牲層201が厚くなると圧電素子120の断面形状における段差が大きくなるためである。犠牲層201の平面サイズは、液体の吐出量や吐出周波数、吐出口108のレイアウトによって適宜設定される。例えば、4pL程度の液滴を100kHz程度で吐出する場合、犠牲層201の平面サイズは、吐出口108のピッチが本実施形態のように150dpiでは115μm×200μm程度に設定され、200dpiでは80μm×500μm程度に設定される。
(3c)基板101および犠牲層201の上に、振動板として機能する第1の薄膜103を成膜する。第1の薄膜103としては、例えば、厚さが500〜2000nm程度のSiNを成膜することができる。その成膜方法としては、プラズマ励起化学気相堆積(PE−CVD)法、減圧化学気相堆積(LP−CVD)法などを用いることができる。LP−CVD法を用いると、より振動板に適した低応力で高密度な膜が得られるが、基板101が集積回路を含む場合には、成膜温度を下げるためにPE−CVD法を用いることが好ましい。また、第1の薄膜103としては、SiO2を用いることもでき、その成膜方法としては、PE−CVD法を用いることが好ましい。その他、第1の薄膜103としてSiを用いることもできる。また、第1の薄膜103は、単一膜ではなく複数の材料からなる多層膜であってもよく、例えば、第1層にSiNを用い、第2層にSiO2を用いることもできる。これらの膜の選択は、内部応力、密着性、他のプロセスとのエッチング選択比などから判断される。また、第1の薄膜103に加えて、第1の薄膜103を形成した面と反対側の面に、第1の薄膜103と同じ材料からなる基板保護膜207を形成する。
さらに、第1の薄膜103の上に、下部電極106、圧電体104、および上部電極105をこの順で成膜する。下部電極106としては、例えば、スパッタ法により、厚さが50〜150nm程度のPtを成膜することができる。下部電極106の密着性を高めるために、第1の薄膜103との間に、例えば、Ti、TiO2、ZrO、SrO、LNOなどからなる厚さが1〜50nm程度の密着層を設けてもよい。圧電体104としては、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)や、PZTにニオブ(Nb)などをドーピングしたものなどが用いられる。その成膜方法としては、ゾルゲル法が一般的に用いられるが、特に、基板101が集積回路を含む場合には、約500℃以下での成膜およびアニールが必要であり、成膜温度を下げる必要がある。この場合、低温スパッタ法、パルスレーザー堆積(PLD)法、転写法などが適切に用いられる。特に、スパッタ法は、結晶性が高く、また、絶縁耐圧が高い液体吐出ヘッドに適した圧電体を得ることができる点で好ましい。圧電体104の適切な厚さは500〜3000nmである。圧電体104の結晶配向制御や密着性を高めるために、下部電極106との間に、例えば、Ti、TiO2、ZrO、SrO、LNOなどからなる厚さが1〜5nm程度の密着層を設けてもよい。上部電極105としては、例えば、厚さが50〜150nm程度のPt、IrO、RuO、TiWなどを成膜することができる。その成膜方法としてはスパッタ法を用いることが好ましい。上部電極105の密着性を高めるために、圧電体104との間に、例えば、Ti、TiO2、ZrO、SrO、LNOなどからなる厚さが1〜5nm程度の密着層を設けてもよい。
さらに、第1の薄膜103の上に、下部電極106、圧電体104、および上部電極105をこの順で成膜する。下部電極106としては、例えば、スパッタ法により、厚さが50〜150nm程度のPtを成膜することができる。下部電極106の密着性を高めるために、第1の薄膜103との間に、例えば、Ti、TiO2、ZrO、SrO、LNOなどからなる厚さが1〜50nm程度の密着層を設けてもよい。圧電体104としては、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)や、PZTにニオブ(Nb)などをドーピングしたものなどが用いられる。その成膜方法としては、ゾルゲル法が一般的に用いられるが、特に、基板101が集積回路を含む場合には、約500℃以下での成膜およびアニールが必要であり、成膜温度を下げる必要がある。この場合、低温スパッタ法、パルスレーザー堆積(PLD)法、転写法などが適切に用いられる。特に、スパッタ法は、結晶性が高く、また、絶縁耐圧が高い液体吐出ヘッドに適した圧電体を得ることができる点で好ましい。圧電体104の適切な厚さは500〜3000nmである。圧電体104の結晶配向制御や密着性を高めるために、下部電極106との間に、例えば、Ti、TiO2、ZrO、SrO、LNOなどからなる厚さが1〜5nm程度の密着層を設けてもよい。上部電極105としては、例えば、厚さが50〜150nm程度のPt、IrO、RuO、TiWなどを成膜することができる。その成膜方法としてはスパッタ法を用いることが好ましい。上部電極105の密着性を高めるために、圧電体104との間に、例えば、Ti、TiO2、ZrO、SrO、LNOなどからなる厚さが1〜5nm程度の密着層を設けてもよい。
(3d)フォトリソグラフィによって、上部電極105、圧電体104、および下部電極106をパターニングし、圧電素子120を形成する。このときのエッチングには、ウェットエッチングおよびドライエッチングのいずれも用いることができるが、圧電体104へのプロセスダメージが少なく、また、サイドエッチングを低減することができる点で、ドライエッチングを用いることが好ましい。また、圧電体104のエッチングには、パターニングされた上部電極105をハードマスクとして使用することができる。パターニングの際に圧電体104の短辺幅を犠牲層201の短辺幅よりも2〜6μm程度小さくすることで、圧電素子120の変位効率をより高めることができる。
(3e)フォトリソグラフィによって第1の薄膜103をパターニングし、上部電極105および下部電極106からの引き出し配線のための貫通孔を形成する。パターニングにはドライエッチングを用いることができる。
(3f)第2の薄膜140の第1層として、第1の保護膜110を成膜し、パターニングして、引き出し配線のための貫通孔を開口させる。第1の保護膜110は、上部電極105からの引き出し配線と下部電極106との間を絶縁するために、絶縁材料で形成されている必要がある。そのような第1の保護膜110としては、例えば、低温で成膜可能なテトラエトキシシラン(TEOS)−CVD法によるSiO2膜が使用される。第1の保護膜110の厚さは100〜300nmであることが好ましい。パターニングには、ドライエッチングを用いることが好ましい。
(3g)例えば、スパッタ法により、厚さが500〜1000nm程度のAlまたはAl化合物などを成膜してパターニングし、上部電極105および下部電極106を基板101上の配線層101aに接続するための引き出し配線101bを形成する。パターニングには、ドライエッチングまたはウェットエッチングを用いることができる。
(3h)第2の薄膜140の第2層として、第2の保護膜111を成膜し、引き出し配線101bを保護するとともに、パターニングして、後で形成される供給口109に連通する貫通孔を開口させる。パターニングにはドライエッチングを用いる。第2の保護膜111は、インクなどの液体から配線101bを絶縁するために、絶縁材料で形成されている必要がある。また、第2の保護膜111には、液体に対する耐性も要求される。そのような第2の保護膜111としては、例えば、低温で成膜可能なTEOS−CVD法によるSiO2膜、はPE−CVD法によるSiN、または原子層堆積(ALD)法による酸化膜が使用される。第2の保護膜111の厚さは100〜300nmであることが好ましいが、ALD法を用いた場合にはコンフォーマルな膜が得られるため、数nm程度であってもよい。
(3i)後工程で除去することで圧力室107を形成するための第1の型材609を形成する。形成方法としては、プリント技術やフォトリソグラフィ技術を用いることができるが、微細パターンを形成することができる点で、感光性樹脂を利用したフォトリソグラフィ技術を用いることが好ましい。第1の型材609の材料としては、厚い膜厚でもパターニングが可能であり、後工程でアルカリ溶液や有機溶剤によって除去可能なものが好ましい。そのような材料として、JSR社製のTHBシリーズ(商品名)や東京応化工業社製のPMERシリーズ(商品名)などを使用することができる。あるいは、第1の型材609を形成するために、フィルム状に加工された感光性ドライフィルムをラミネートすることもできる。ドライフィルムを用いると、型材の厚さを厚くすることができ、それにより、圧力室107の流路抵抗を低減して液体再充填を迅速に行うことができ、吐出周波数を高めることができる。第1の型材609の厚さは20〜60μmであることが好ましい。
(3j)第1の型材609の上に、後工程で除去することで吐出口108を形成するための第2の型材611を形成する。第2の型材611の材料としては、JSR社製のTHBシリーズ(商品名)や東京応化工業社製のPMERシリーズ(商品名)などを使用できる。ただし、厚い膜厚でもパターニングが可能であり、後工程でアルカリ溶液や有機溶剤によって除去可能なものであれば、第2の型材611の材料は、これに限定されるものではない。
(3k)第1の型材609および第2の型材611の上に、例えば、スパッタ法により、Pt、Au、Cu、Ni、Tiなどからなる導電層610を成膜する。導電層610の厚さは50nm以上であることが好ましい。
(3l)めっき処理により、吐出口形成部材130となる被覆層612を形成する。めっきの種類としては電気めっきや無電解めっきなどがあり、これらは適宜使い分けることができるが、ここでは電気めっきを用い、Niからなる被覆層612を形成する。なお、電気めっきは、処理液が安価である点、廃液処理が簡易である点で有利であり、無電解めっきは、つき回りがよい点、均一な膜が形成できる点、および、めっき皮膜が硬く耐摩耗性がある点で優れている。被覆層612の厚さは10〜30μm程度であることが好ましい。
(4a)被覆層612の表面を研磨し、平坦化する。具体的には、第2の型材611が露出するまで、被覆層612および導電層610を研磨により除去する。
(4b)被覆層612の上に、撥水膜112として、電気めっきにより、Ni−ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)複合めっき層を薄く形成する。このとき、露出した第2の型材611の上には、導電層610が存在しないため、Ni−PTFE層は成膜されない。
(4c)基板101の被覆層612が形成された面側をエッチャントから保護するために、この面に、後工程で除去可能なテープを貼り付けたり、支持基板と貼り合わせたりする。そして、その面の反対側から深掘り反応性イオンエッチング(D−RIE)を行い、基板101に供給口109およびエッチングホール(連通孔)202を形成する。ここで、エッチングホール202は、犠牲層201の底面(基板101に対向する領域)の面積よりも小さい開口面積で犠牲層201の一端に連通するように、基板101を貫通して形成される。これにより、基板101の犠牲層201に対向する領域の大部分を、配線や集積回路を配置するスペースとして有効に利用することができ、吐出口108を高密度に配置することが可能になる。供給口109の開口径は60〜120μm程度(図2に示す吐出口108の配列では80μm×120μm)であることが好ましく、エッチングホール202の開口径は10〜100μm程度であることが好ましい。
(4d)エッチングにより犠牲層201を除去し、空間部102を形成する。具体的なエッチング方法は、上述したように、犠牲層201の材料に応じて適宜選択される。なお、犠牲層201にSiを用いた場合、エッチングを行う前に、図1(b)に示すように、エッチャントから基板101を保護するために、供給口109およびエッチングホール202の内壁にSiO2などからなる内壁保護膜206を形成しておく。その成膜方法としては、低温で成膜可能なTEOS−CVD法が適しており、成膜後、バイアス電圧を印加したドライエッチングにより、エッチングホール202の底部に成膜されたSiO2を選択的に除去することができる。また、犠牲層201にSiO2を用いた場合、第2の保護膜111をSiO2以外の材料、例えばSiNで形成しておくか、あるいは、エッチングを行う前に、供給口109を仮封止しておく必要がある。
(4e)エッチングホール202を封止(閉塞)する。封止方法としては、基板101のエッチングホール202が開口する面に、エッチングホール202を閉塞する閉塞層208を設ける方法が挙げられる。具体的には、第1に、エッチングホール202を予め1μm以下の複数の微細孔として形成しておき、基板101のエッチングホール202が開口する面にSiO2やSiNなどからなる層208を形成することで、その微細孔を閉塞する方法がある。また、第2に、供給口109に対応した開口のみを有する別基板208を貼り合わせてエッチングホール202を閉塞する方法もある。
(4f)基板101の供給口109が開口する面の側からドライエッチングを行い、第1の薄膜103のうち供給口109に対向する部分を除去する。さらに、第1の型材609および第2の型材611をアルカリ溶液や有機溶剤によって除去し、圧力室107および吐出口108を形成する。こうして、図1(a)に示す液体吐出ヘッド100が完成する。
本実施形態では、犠牲層201上に振動板(第1の薄膜)103を成膜した後、犠牲層201を除去することで空間部102を形成しているが、空間部102を形成する方法はこれに限定されるものではない。例えば、基板101上に、後に空間部102になる部分を除いて構造部材を形成し、その上に振動板103を貼り合わせることで空間部102を形成することもできる。このときの貼り合わせは、その後で行われる加熱プロセスによって空間部102内の空気の膨張による変形を抑制するために、真空中で行うことが好ましい。ただし、本実施形態で述べた、犠牲層201上に振動板103を成膜する方法が、振動板103を薄く形成することができ、より小さな圧力室107を形成することができる点で適している。
ここで、再び図1(a)を参照して、本実施形態の圧電素子120の剛性および変位について説明する。上部電極105と下部電極106との間に電圧を印加すると、圧電体104は、印加電界に平行な方向に膨張しようとするとともに、印加電界に垂直な方向に収縮しようとする。しかしながら、圧電体104は、一方の面が下部電極106と第1の薄膜103とに拘束され、他方の面が上部電極105と第2の薄膜140とに拘束され、さらに側面が第2の薄膜140に拘束されている。これらの拘束と圧電体104の収縮力とのバランスにより、圧電体104の運動が制限されることで、第1の薄膜103、圧電素子120、および第2の薄膜140にたわみが発生し、圧力室107に液体の吐出に必要な容積変化が生じる。
このとき、本実施形態では、第2の薄膜140に比べて第1の薄膜103の剛性を高くすることで、第1の薄膜103を振動板として機能させることができ、電圧印加時に圧力室107を膨張させるように変位させることができる。また、第1の薄膜103の剛性を高くすると、圧電体104の側面には、より剛性の低い第2の薄膜140が接することになる。その結果、圧電体104の側面側と圧力室107に対向する面側の拘束を弱めることで、圧電素子120の変位効率を高くすることができ、振動板としての第1の薄膜103を大きく変位させることができる。
このとき、本実施形態では、第2の薄膜140に比べて第1の薄膜103の剛性を高くすることで、第1の薄膜103を振動板として機能させることができ、電圧印加時に圧力室107を膨張させるように変位させることができる。また、第1の薄膜103の剛性を高くすると、圧電体104の側面には、より剛性の低い第2の薄膜140が接することになる。その結果、圧電体104の側面側と圧力室107に対向する面側の拘束を弱めることで、圧電素子120の変位効率を高くすることができ、振動板としての第1の薄膜103を大きく変位させることができる。
第1の薄膜103の剛性を高くする方法としては、よりヤング率の高い材料で第1の薄膜103を形成することや、より厚い膜厚で第1の薄膜103を形成することなどが挙げられ、第2の薄膜140の剛性を低くするためには、その逆を行えばよい。よりヤング率の高い材料としてはSiNが挙げられ、よりヤング率の低い材料としてはSiO2が挙げられる。また、例えば、圧電体104の厚さを2μmとし、SiNからなる第1の薄膜103の厚さを800nmとすると、第2の薄膜140を以下のように構成することで、第2の薄膜140に比べて第1の薄膜103の剛性を高くすることができる。すなわち、第2の薄膜140の第1層110を厚さ300nmのSiO2で形成し、第2層111を厚さ200nmで形成することで、第2の薄膜140に比べて第1の薄膜103の剛性を高くすることができる。このような構成では、第2の薄膜140の剛性よりも第1の薄膜103の剛性が低い場合に比べ、約30倍の変位を得ることができる。また、第1の薄膜103を2層構造にすることもでき、その場合には、例えば、第1層を厚さが600nmのSiNで形成し、第2層を厚さが400nmのSiO2で形成することができる。
なお、上部電極105および下部電極106の剛性も振動板の変位に影響を与えるが、一般に平板の剛性は厚さの3乗に比例するため、その影響は小さい。すなわち、第1の薄膜103の厚さ800〜1000nmに比べて電極105,106の厚さ50〜150nmは十分に薄いため、上部電極105および下部電極106の剛性が振動板の変位に与える影響は小さい。
なお、上部電極105および下部電極106の剛性も振動板の変位に影響を与えるが、一般に平板の剛性は厚さの3乗に比例するため、その影響は小さい。すなわち、第1の薄膜103の厚さ800〜1000nmに比べて電極105,106の厚さ50〜150nmは十分に薄いため、上部電極105および下部電極106の剛性が振動板の変位に与える影響は小さい。
(第2の実施形態)
図5は、本発明の第2の実施形態に係る液体吐出ヘッドの一構成例を示す概略断面図である。本実施形態は、吐出口形成部材130の構成が第1の実施形態と異なっている。具体的には、吐出口形成部材130は、第1の実施形態とは異なり、2つの部材203,204から構成されている。一つは、圧力室107を有し、樹脂材料からなる第1の部材203であり、もう一つは、吐出口108を有し、無機材料からなる第2の部材204である。これ以外の構成については、第1の実施形態と同様である。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る液体吐出ヘッドの一構成例を示す概略断面図である。本実施形態は、吐出口形成部材130の構成が第1の実施形態と異なっている。具体的には、吐出口形成部材130は、第1の実施形態とは異なり、2つの部材203,204から構成されている。一つは、圧力室107を有し、樹脂材料からなる第1の部材203であり、もう一つは、吐出口108を有し、無機材料からなる第2の部材204である。これ以外の構成については、第1の実施形態と同様である。
図6を参照して、本実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法について説明する。図6は、本実施形態の製造方法の各工程における液体吐出ヘッドの概略断面図である。なお、以下の工程(6a)〜(6g)は、図6(a)から図6(g)に対応する。また、本実施形態の製造方法において、工程(6a)までの工程は、第1の実施形態の工程(3h)までの工程と同様であり、その説明を省略する。
(6a)感光性ドライフィルムをラミネートしてパターニングすることで、圧力室107を有する第1の部材203を形成する。第1の部材203の厚さは20〜60μmであることが好ましい。
(6b)第1の部材203に、Siからなる第2の部材204を貼り合わせ、所望の厚さに研磨する。第2の部材204の適切な厚さは、後で形成される吐出口108の直径にもよるが10〜30μm程度である。第1の部材203と第2の部材204を貼り合わせる方法としては、接着剤によって両者を接着する方法や、加圧・加熱により、ドライフィルムからなる第1の部材203を硬化させることで両者を接合する方法を用いることができる。
(6c)第1の実施形態の工程(4c)と同様の手順および条件で、基板101に供給口109およびエッチングホール(連通孔)202を形成する。
(6d)第1の実施形態の工程(4d)と同様の手順および条件で、犠牲層201を除去し、空間部102を形成する。
(6e)第1の実施形態の工程(4e)と同様の手順および条件で、閉塞層208によりエッチングホール202を封止(閉塞)する。
この工程の後、あるいは工程(6a)の後に、各部材をインクなどの液体から保護するための保護膜を形成する工程を行ってもよい。このときの保護膜には、例えば、TEOS−CVD法によるSiO2膜やALD法によるTaO膜などが適している。
この工程の後、あるいは工程(6a)の後に、各部材をインクなどの液体から保護するための保護膜を形成する工程を行ってもよい。このときの保護膜には、例えば、TEOS−CVD法によるSiO2膜やALD法によるTaO膜などが適している。
(6f)第2の部材204の上に撥水膜112を形成する。撥水膜112の材料としては、フッ素系やシラン系のカップリング剤を用いることができ、成膜方法としては、蒸着などの方法を用いることができる。
(6g)フォトリソグラフィおよびD−RIEにより、第2の部材204に吐出口108を形成する。こうして、図4に示す液体吐出ヘッド100が完成する。
なお、撥水膜102にフォトレジストを塗布しようとしても、撥水膜102はフォトレジストをはじいてしまう。そのため、フォトリソグラフィの際には、感光性ドライフィルムをラミネートしたものをマスクとして用いることが好ましい。あるいは、撥水膜112の上にTiなどの撥水保護膜を蒸着することで撥水膜102の表面を非撥水化しておき、その表面にフォトレジストを塗布してフォトリソグラフィを行い、その後、レジストを除去した後に撥水保護膜を除去するようにしてもよい。
なお、撥水膜102にフォトレジストを塗布しようとしても、撥水膜102はフォトレジストをはじいてしまう。そのため、フォトリソグラフィの際には、感光性ドライフィルムをラミネートしたものをマスクとして用いることが好ましい。あるいは、撥水膜112の上にTiなどの撥水保護膜を蒸着することで撥水膜102の表面を非撥水化しておき、その表面にフォトレジストを塗布してフォトリソグラフィを行い、その後、レジストを除去した後に撥水保護膜を除去するようにしてもよい。
本実施形態によれば、第1の実施形態で得られる効果に加えて、以下に示す効果を得ることができる。すなわち、圧力室107の側壁の高さを20〜60μmと比較的低くすることができ、また、隣接する圧力室107との壁幅を30μm以上にすることができる。したがって、第1の部材203として、ヤング率の低い有機樹脂である感光性ドライフィルムを用いた場合にも、壁の変形によるクロストークや吐出エネルギーの消耗を十分に低減することができる。さらに、第2の部材204にはヤング率の高いSiを用いるため、第1の部材203の壁倒れを抑制するとともに、第2の部材204の吐出口108が開口する面の変形による吐出エネルギーの消耗を十分に低減することができる。
また、本実施形態の製造方法によれば、感光性ドライフィルムからなる第1の部材203とSiからなる第2の部材204の両方を基板101に貼り合わせた後で、吐出口108を形成するための感光性樹脂を露光、現像してパターニングする。このため、第1の部材203と第2の部材204との貼り合わせによる両者の位置合わせ精度が、液体吐出ヘッド100における各部材の位置精度に影響することがなく、高精度に液体吐出ヘッド100を製造することができる。したがって、吐出ばらつきを低減することができる上に、吐出口108をより高密度に配置することも可能になる。
また、本実施形態の製造方法によれば、感光性ドライフィルムからなる第1の部材203とSiからなる第2の部材204の両方を基板101に貼り合わせた後で、吐出口108を形成するための感光性樹脂を露光、現像してパターニングする。このため、第1の部材203と第2の部材204との貼り合わせによる両者の位置合わせ精度が、液体吐出ヘッド100における各部材の位置精度に影響することがなく、高精度に液体吐出ヘッド100を製造することができる。したがって、吐出ばらつきを低減することができる上に、吐出口108をより高密度に配置することも可能になる。
(第3の実施形態)
図7を参照して、本発明の第3の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成について説明する。図7(a)は、本実施形態の液体吐出ヘッドを示す概略断面図であり、図7(b)および図7(c)は、本実施形態の液体吐出ヘッドの変形例を示す概略断面図である。
図7を参照して、本発明の第3の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成について説明する。図7(a)は、本実施形態の液体吐出ヘッドを示す概略断面図であり、図7(b)および図7(c)は、本実施形態の液体吐出ヘッドの変形例を示す概略断面図である。
本実施形態は、第1および第2の実施形態に対して、空間部102を形成するためのエッチングホールとして用いられる連通孔202の構成を変更したものである。具体的には、連通孔202は、基板101にではなく、第1の薄膜103に形成されている。これに応じて、連通孔202を封止(閉塞)する構成も第1および第2の実施形態と異なっている。具体的には、図7(a)に示すように、連通孔202は、第2の保護膜111によって封止されている。ただし、連通孔202のアスペクト比、犠牲層201の高さ、および第2の保護膜111の厚さの関係で、第2の保護膜111だけでは封止が不十分な場合には、図7(b)に示すように、第1の保護膜110も連通孔202の封止に使用することができる。さらには、図7(c)に示すように、上部電極105および下部電極106からの引き出し配線101bの材料からなる層101cも連通孔202の封止に使用することができる。
なお、図7には、吐出口形成部材130が2つの部材203,204から構成されている第2の実施形態に対して連通孔20の構成を変更した場合を示しているが、第1の実施形態に対しても同様の変更が可能であることに留意されたい。
なお、図7には、吐出口形成部材130が2つの部材203,204から構成されている第2の実施形態に対して連通孔20の構成を変更した場合を示しているが、第1の実施形態に対しても同様の変更が可能であることに留意されたい。
図8を参照して、本実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法について説明する。図8は、本実施形態の製造方法の各工程における液体吐出ヘッドの概略断面図である。なお、以下の工程(8a)〜(8l)は、図8(a)から図8(l)に対応する。ここでは、エッチングホール(連通孔)202の封止を第2の保護膜111のみで行った場合(図7(a)参照)の製造方法について説明する。
(8a)第1の実施形態の工程(3a)で用意したものと同様の基板101を用意し、その上に基板保護膜205を成膜した後、第1の実施形態の工程(3b)と同様の手順および条件で、犠牲層201を形成する。基板保護膜205としては、犠牲層201とのエッチング選択性が高い材料を成膜する。例えば、上述した第1の組み合わせのように、犠牲層201がAlの場合、基板保護膜205にはSiを用いることができるが、SiO2やSiNなどが用いられていてもよく、あるいは、基板保護膜205が形成されていなくてもよい。ただし、基板保護膜205を形成しない場合には、上部電極105および下部電極106からの引き出し配線の材料にAlウェットエッチャントで溶けない材料(Auなど)を用いるか、犠牲層201を除去する前に引き出し配線の表面を保護しておく必要がある。また、上述した第2の組み合わせのように、犠牲層がSiO2の場合にも、基板保護膜205には、Siの他、SiNを用いることもでき、あるいは、基板保護膜205が形成されていなくてもよい。また、上述した第3の組み合わせのように、犠牲層がSiの場合、基板保護膜205にはSiO2やSiNなどが適している。
(8b)第1の実施形態の工程(3c)と同様の手順および条件で、基板101および犠牲層201の上に、振動板として機能する第1の薄膜103、下部電極106、圧電体104、および上部電極105をこの順で成膜する。また、第1の薄膜103に加えて、第1の薄膜103を形成した面と反対側の面に、第1の薄膜103と同じ材料からなる基板保護膜207を形成する。
(8c)第1の実施形態の工程(3d)と同様の手順および条件で、フォトリソグラフィによって、上部電極105、圧電体104、および下部電極106をパターニングし、圧電素子120を形成する。
その後、フォトリソグラフィによって、第1の薄膜103をパターニングし、上部電極105および下部電極106からの引き出し配線のための貫通孔とエッチングホール(連通孔)202を形成する。パターニングにはドライエッチングを用いることができる。ここで、エッチングホール202は、犠牲層201の上面(第1の薄膜103に対向する領域)の面積よりも小さい開口面積で犠牲層201の一端に連通するように、第1の薄膜103を貫通して形成される。エッチングホール202の適切な開口径は1〜10μm程度である。開口径が小さい場合、犠牲層201を除去する際のエッチング速度を速めるために、エッチングホール202を複数設けることが好ましい。なお、エッチングホール202は、下部電極106のパターンがエッチングホール202を迂回して引き出し配線との接続部に接続できるような位置に形成される。
その後、フォトリソグラフィによって、第1の薄膜103をパターニングし、上部電極105および下部電極106からの引き出し配線のための貫通孔とエッチングホール(連通孔)202を形成する。パターニングにはドライエッチングを用いることができる。ここで、エッチングホール202は、犠牲層201の上面(第1の薄膜103に対向する領域)の面積よりも小さい開口面積で犠牲層201の一端に連通するように、第1の薄膜103を貫通して形成される。エッチングホール202の適切な開口径は1〜10μm程度である。開口径が小さい場合、犠牲層201を除去する際のエッチング速度を速めるために、エッチングホール202を複数設けることが好ましい。なお、エッチングホール202は、下部電極106のパターンがエッチングホール202を迂回して引き出し配線との接続部に接続できるような位置に形成される。
(8d)第1の実施形態の工程(3f)と同様の手順および条件で、第1の保護膜110を成膜し、パターニングして、引き出し配線のための貫通孔やエッチングホール202に連通する貫通孔を開口させる。
(8e)第1の実施形態の工程(3g)と同様の手順および条件で、上部電極105および下部電極106を基板101上の配線層101aに接続するための引き出し配線101bを形成する。このとき、パターニングによって、エッチングホール202に連通する貫通孔を開口させる。
(8f)エッチングにより犠牲層201を除去し、空間部102を形成する。具体的なエッチング方法は、上述したように、犠牲層201の材料に応じて適宜選択される。一例として、基板保護膜205がSiO2、振動板として機能する第1の薄膜103がSiN、第1の保護膜110がSiO2、犠牲層201がSiである場合には、XeF2によるドライエッチングを用いることができる。
(8g)第1の実施形態の工程(3h)と同様の手順および条件で、第2の保護膜111を成膜し、引き出し配線101bの保護とエッチングホール202の封止を行うと共に、パターニングして、後で形成される供給口109に連通する貫通孔を開口させる。
なお、第2の保護膜111としてALD法による酸化膜を用いる場合、エッチングホール202を封止するのに十分な厚さで第2の保護膜111を成膜するのは困難であるため、エッチングホール202の封止層として他の層を併用することができる。すなわち、図7(b)に示すように、第1の保護膜110を併用したり、図7(c)に示すように、第1の保護膜110および引き出し配線101bを構成する材料からなる層を併用したりすることができる。このような封止は、工程(8c)の後、工程(8d)や工程(8e)を行う前に、犠牲層201を除去することで可能になる。なお、この場合には、犠牲層201の材料およびエッチャントとして、圧電体104、上部電極105、および下部電極106とのエッチング選択比が十分に取れるものを選択する必要がある。
なお、第2の保護膜111としてALD法による酸化膜を用いる場合、エッチングホール202を封止するのに十分な厚さで第2の保護膜111を成膜するのは困難であるため、エッチングホール202の封止層として他の層を併用することができる。すなわち、図7(b)に示すように、第1の保護膜110を併用したり、図7(c)に示すように、第1の保護膜110および引き出し配線101bを構成する材料からなる層を併用したりすることができる。このような封止は、工程(8c)の後、工程(8d)や工程(8e)を行う前に、犠牲層201を除去することで可能になる。なお、この場合には、犠牲層201の材料およびエッチャントとして、圧電体104、上部電極105、および下部電極106とのエッチング選択比が十分に取れるものを選択する必要がある。
(8h)基板101の圧電素子120が形成された面と反対側の面から、D−RIEを行い、基板101に供給口109を形成する。供給口109の開口径は60〜120μm程度(図2に示す吐出口108の配列では80μm×120μm)であることが好ましい。
(8i)第2の実施形態の工程(6a)と同様の手順および条件で、圧力室107を有する第1の部材203を形成する。
(8j)第2の実施形態の工程(6b)と同様の手順および条件で、第1の部材203に、Siからなる第2の部材204を貼り合わせ、所望の厚さに研磨する。
(8k)第2の実施形態の工程(6f)と同様の手順および条件で、第2の部材204の上に撥水膜112を形成する。
(8l)第2の実施形態の工程(6g)と同様の手順および条件で、第2の部材204に吐出口108を形成する。こうして、図7(a)に示す液体吐出ヘッド100が完成する。
本実施形態によれば、第1および第2の実施形態で得られる効果に加えて、以下に示す効果を得ることができる。すなわち、エッチングホール202を第1の薄膜103に設けることで、基板101の犠牲層201に対向する領域全体を、配線や集積回路を配置するスペースとして有効に利用することができ、吐出口108をさらに高密度に配置することが可能になる。また、基板101に貫通孔であるエッチングホール202を設けることによる基板101の剛性の低下を抑制することができる。また、基板101に形成したエッチングホール202は狭く深いため、犠牲層201を除去するためのエッチャントが入りにくく、エッチングに時間がかかってしまうのに対して、本実施形態には、エッチング時間を短縮できるというメリットがある。
100 液体吐出ヘッド
101 基板
103 第1の薄膜
120 圧電素子
130 吐出口形成部材
140 第2の薄膜
101 基板
103 第1の薄膜
120 圧電素子
130 吐出口形成部材
140 第2の薄膜
Claims (13)
- 基板と、
前記基板に設けられた圧電素子と、
前記基板の前記圧電素子が設けられた面に設けられ、液体を吐出するための吐出口を有する吐出口形成部材であって、前記基板との間に、前記吐出口に連通し前記圧電素子を内部に備えた圧力室を形成する吐出口形成部材と、
前記基板と前記圧電素子との間に設けられ、前記基板との間に空間部を形成する第1の薄膜と、
前記圧電素子を挟んで前記第1の薄膜の反対側に設けられた第2の薄膜と、を有し、
前記第1の薄膜が、前記圧電素子の側面に接しないように設けられているとともに、前記第2の薄膜よりも高い剛性を有する、液体吐出ヘッド。 - 前記第2の薄膜が、前記圧電素子の側面に接するように設けられている、請求項1に記載の液体吐出ヘッド。
- 前記第1の薄膜が、前記第2の薄膜よりもヤング率の高い材料からなる、請求項1または2に記載の液体吐出ヘッド。
- 前記第1の薄膜が、前記第2の薄膜よりも厚い膜厚を有する、請求項1または2に記載の液体吐出ヘッド。
- 前記第1および第2の薄膜の少なくとも一方が、多層膜である、請求項1から4のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド。
- 前記吐出口形成部材が、前記圧力室を有し、樹脂材料からなる第1の部材と、前記吐出口を有し、無機材料からなる第2の部材と、を有する、請求項1から5のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド。
- 前記吐出口形成部材が、無機材料からなる、請求項1から5のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド。
- 基板の上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上に第1の薄膜を形成する工程と、
前記第1の薄膜の上に圧電素子を形成する工程と、
前記圧電素子の上に、前記第1の薄膜よりも剛性が低い第2の薄膜を形成する工程と、
前記基板の前記圧電素子が設けられた面に、液体を吐出するための吐出口を有する吐出口形成部材を設け、前記基板との間に、前記吐出口に連通し前記圧電素子を内部に備えた圧力室を形成する工程と、
前記犠牲層を除去して前記基板と前記第1の薄膜との間に空間部を形成する工程と、
を含む、液体吐出ヘッドの製造方法。 - 前記第2の薄膜を形成する工程が、前記圧電素子の側面に接するように前記第2の薄膜を形成することを含む、請求項8に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第2の薄膜を形成する工程が、前記第1の薄膜よりもヤング率の小さい材料で前記第2の薄膜を形成することを含む、請求項8または9に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第2の薄膜を形成する工程が、前記第1の薄膜よりも薄い膜厚で前記第2の薄膜を形成することを含む、請求項8または9に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記吐出口と前記圧力室とを形成する工程が、前記基板の前記圧電素子が設けられた面に、樹脂材料からなる第1の部材を形成する工程と、前記第1の部材の上に、無機材料からなる第2の部材を接合して、前記圧力室を形成する工程と、前記第2の部材に前記吐出口を形成する工程と、を含む、請求項8から11のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記吐出口と前記圧力室とを形成する工程が、前記基板の前記圧電素子が設けられた面に、前記圧力室を形成するための第1の型材を形成する工程と、前記第1の型材の上に、前記吐出口を形成するための第2の型材を形成する工程と、前記第1の型材および前記第2の型材を覆うように、無機材料からなり、前記吐出口形成部材となる被覆層を形成する工程と、前記第1の型材および前記第2の型材を除去する工程と、を含む、請求項8から11のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016236635A JP2018089893A (ja) | 2016-12-06 | 2016-12-06 | 液体吐出ヘッド |
US15/813,351 US10265956B2 (en) | 2016-12-06 | 2017-11-15 | Liquid ejection head and method of manufacturing liquid ejection head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016236635A JP2018089893A (ja) | 2016-12-06 | 2016-12-06 | 液体吐出ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018089893A true JP2018089893A (ja) | 2018-06-14 |
Family
ID=62240259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016236635A Pending JP2018089893A (ja) | 2016-12-06 | 2016-12-06 | 液体吐出ヘッド |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10265956B2 (ja) |
JP (1) | JP2018089893A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7367396B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2023-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4453655B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2010-04-21 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置 |
JP2007168110A (ja) | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
JP6008347B2 (ja) * | 2012-04-05 | 2016-10-19 | ローム株式会社 | インクジェットプリントヘッドおよびその製造方法 |
-
2016
- 2016-12-06 JP JP2016236635A patent/JP2018089893A/ja active Pending
-
2017
- 2017-11-15 US US15/813,351 patent/US10265956B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10265956B2 (en) | 2019-04-23 |
US20180154634A1 (en) | 2018-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10232616B2 (en) | Liquid ejection head | |
JP6266725B2 (ja) | ノズルプレート及びインクジェットヘッド | |
US9705066B2 (en) | Head and liquid ejecting apparatus | |
US9415593B2 (en) | Ink jet head and manufacturing method of the same | |
US8359748B2 (en) | Method of forming micromachined fluid ejectors using piezoelectric actuation | |
JP2012071587A (ja) | インクジェットヘッドおよびその製造方法 | |
CN212499504U (zh) | 流体喷射设备和用于流体喷射的系统 | |
JP2013184321A (ja) | インクジェットヘッドおよびその製造方法 | |
JP4424520B2 (ja) | 圧電素子およびその製造方法、アクチュエータ、並びに、液体噴射ヘッド | |
US10265956B2 (en) | Liquid ejection head and method of manufacturing liquid ejection head | |
JP5663539B2 (ja) | インクジェットヘッドおよび画像形成装置 | |
JP5847973B2 (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
JP2016060164A (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子の製造方法 | |
JP2009154433A (ja) | 液体噴射ヘッドおよびその製造方法 | |
JP5169973B2 (ja) | インクジェットヘッド | |
JP6171051B1 (ja) | インクジェット式記録ヘッド | |
JP5904031B2 (ja) | 薄膜アクチュエータおよびそれを備えたインクジェットヘッド | |
US10011113B2 (en) | Manufacturing method of head | |
JP5786075B2 (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
JP5733510B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子、並びに液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP2014208495A (ja) | インクジェットヘッドおよびその製造方法 | |
JP2016060140A (ja) | 圧電デバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電デバイスの製造方法 | |
JP2009154432A (ja) | 液体噴射ヘッドおよびその製造方法 | |
JP2007245365A (ja) | 金属積層体の形成方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |