JP2018088365A5 - - Google Patents

Description

本開示の一実施の形態に係る発光装置の概略構成を表す断面図である。 図１に示した赤色有機ＥＬ素子の構成を表す断面図である。 図１に示した青色有機ＥＬ素子の構成を表す断面図である。 図２Ａに示した第１反射界面により反射された光の透過率を表す図である。 図３に、第１反射界面および第２反射界面により反射された光の透過率を重ねて表す図である。 図２Ａに示した第２反射界面の他の例（１）を表す断面図である。 図２Ａに示した第２反射界面の他の例（２）を表す断面図である。 図２Ａに示した第１反射界面〜第３反射界面により反射された光の透過率を表す図である。 図７Ａに示した縦軸の透過率を規格化して表す図である。 図２Ａに示した第１反射界面〜第４反射界面により反射された光の透過率を表す図である。 図８Ａに示した縦軸の透過率を規格化して表す図である。 図２Ｂに示した第１反射界面〜第４反射界面により反射された光の透過率を表す図である。 図９Ａに示した縦軸の透過率を規格化して表す図である。 図１に示した発光装置の動作について説明するための断面図である。 図１に示した発光装置の視野角による色度の変化の一例を表す図である。 図１に示した発光装置の視野角による輝度の変化の一例を表す図である。 変形例１に係る赤色有機ＥＬ素子の概略構成を表す断面図である。 図１３に示した赤色有機ＥＬ素子の分光反射率を表す図である。 変形例２に係る赤色有機ＥＬ素子の概略構成を表す断面図である。 図１５に示した赤色有機ＥＬ素子の他の例（１）を表す断面図である。 図１５に示した赤色有機ＥＬ素子の他の例（２）を表す断面図である。 図１５に示した赤色有機ＥＬ素子の他の例（３）を表す断面図である。 変形例３に係る発光装置の概略構成を表す断面図である。 図１等に示した発光装置を適用させた表示装置の構成を模式的に表す断面図である。 図２０に示した表示装置の他の例を表す断面図である。 図２０に示した表示装置の構成を表すブロック図である。 図２２に示した表示装置等が適用される電子機器の構成を表すブロック図である。 図１等に示した発光装置を適用させた照明装置の外観の一例を斜視的に表す図である。

図示は省略するが、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇも、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂと同様に、第１反射界面、第２反射界面、第３反射界面、第４反射界面および光取出面をこの順に有しており、第１反射界面と第２反射界面との間には、発光中心が設けられている。即ち、赤色発光素子領域１１Ｒ，緑色発光素子領域１１Ｇ，青色発光素子領域１１Ｂにわたって、第１反射界面、発光中心、第２反射界面、第３反射界面、第４反射界面および光取出面がこの順に設けられている。第１反射界面〜第４反射界面は、例えば屈折率差０．１５以上を有する界面により形成されている。

２Ｌ１１／λ１１+ａ１／（２π）＝ｍ１（ただし、ｍ１≧０）・・・・・（１）
λ１−１５０＜λ１１＜λ１＋８０・・・・・（５）
２Ｌ２１／λ２１+ｃ１／（２π）＝ｎ１（ただし、ｎ１≧０）・・・・・（９）
λ２−１５０＜λ２１＜λ２＋８０・・・・・（１３）

ただし、ｍ１、ｎ１：整数
λ１、λ１１、λ２およびλ２１の単位：ｎｍ
ａ１：赤色発光層１３１Ｒから出射された各波長の光が第１反射界面Ｓ１Ｒで反射する際の位相変化
ｃ１：青色発光層１３１Ｂから出射された各波長の光が第１反射界面Ｓ１Ｂで反射する際の位相変化

２Ｌ１１／λ１１+ａ１／（２π）＝０・・・・・（１７）
λ１−１５０＝４５０＜λ１１＝６００＜λ１＋８０＝６８０・・・・・（１８）

２Ｌ１２／λ１２+ａ２／（２π）＝ｍ２・・・・・（２）
λ１−８０＜λ１２＜λ１＋８０・・・・・（６）
２Ｌ２２／λ２２+ｃ２／（２π）＝ｎ２・・・・・（１０）
λ２−８０＜λ２２＜λ２＋８０・・・・・（１４）

ただし、ｍ２、ｎ２：整数
λ１、λ１２、λ２およびλ２２の単位：ｎｍ
ａ２：赤色発光層１３１Ｒから出射された各波長の光が第２反射界面Ｓ２Ｒで反射する際の位相変化
ｃ２：青色発光層１３１Ｂから出射された各波長の光が第２反射界面Ｓ２Ｂで反射する際の位相変化

２Ｌ１３／λ１３+ａ３／（２π）＝ｍ３＋１/２・・・・・（３）
２Ｌ１４／λ１４+ａ４／（２π）＝ｍ４＋１/２・・・・・（４）
λ１−１５０＜λ１３＜λ１＋１５０・・・・・（７）
λ１−１５０＜λ１４＜λ１＋１５０・・・・・（８）
２Ｌ２３／λ２３+ｃ３／（２π）＝ｎ３・・・・・（１１）
２Ｌ２４／λ２４+ｃ４／（２π）＝ｎ４・・・・・（１２）
λ２−１５０＜λ２３＜λ２＋１５０・・・・・（１５）
λ２−１５０＜λ２４＜λ２＋１５０・・・・・（１６）

ただし、ｍ３、ｍ４、ｎ３、ｎ４：整数
λ１、λ１３、λ１４、λ２、λ２３およびλ２４の単位：ｎｍ
ａ３：赤色発光層１３１Ｒから出射された各波長の光が第３反射界面Ｓ３Ｒで反射する際の位相変化
ａ４：赤色発光層１３１Ｒから出射された各波長の光が第４反射界面Ｓ４Ｒで反射する際の位相変化
ｃ３：青色発光層１３１Ｂから出射された各波長の光が第３反射界面Ｓ３Ｂで反射する際の位相変化
ｃ４：青色発光層１３１Ｂから出射された各波長の光が第４反射界面Ｓ４Ｂで反射する際の位相変化

図１１，１２は、視野角特性を表したものである。図１１は、視野角による色度の変化を表し、図１２は、視野角による輝度の変化を表している。発光装置１は、４５°の視野角においても、Δｕｖ≦０．０１５、輝度６０％以上を維持することができ、高画質を実現することができる。

金属層５１には、例えばマグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ）またはこれらの合金を用いることができる。この金属層５１の厚みは５ｎｍ以上であることが好ましい。このような金属層５１を用いて第２反射界面Ｓ２Ｒを形成することにより、外光反射を抑えることができる。以下、これについて説明する。

表示装置２には、図２１に示したように、カラーフィルタ層７４を設けるようにしてもよい。カラーフィルタ層７４は、例えば、封止基板７２の一方の面（駆動基板７１との対向面）に設けられている。カラーフィルタ層７４には、例えば赤色，緑色，青色の各色に対応したカラーフィルタが画素毎に設けられている。