JP2018085465A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
Description
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の少なくとも一方の面上に配置され、アスペクト比が1以下である配線と、を有する配線基板を提供する。
[配線基板]
本実施形態の配線基板の構成例について説明する。
[配線基板の製造方法]
次に本実施形態の配線基板の製造方法の構成例について説明する。
(1)第1構成例
配線基板の製造方法の第1構成例について説明する。
(シード層形成工程)
シード層形成工程では、絶縁性基材の少なくとも一方の面上にシード層を形成することができる。シード層形成工程に供する絶縁性基材は予め準備しておくことができる。絶縁性基材の好適な構成については既述のため、ここでは説明を省略する。絶縁性基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。
(金属層形成工程)
金属層は、乾式めっき膜である第1金属層から構成することもできる。また、金属層は乾式めっき膜である第1金属層と、湿式めっき膜である第2金属層とから構成することもできる。
(パターニング工程)
パターニング工程は以下のステップを有することができる。
レジストを用いて金属層をパターニングし、配線を形成する配線形成ステップ。
レジストを除去するレジスト除去ステップ。
(レジスト除去ステップ)
その後、レジスト除去ステップを実施できる。レジスト除去ステップでは、配線32上に残ったレジスト33を除去することで、図3(C)に示すように、絶縁性基材31と、絶縁性基材31上に配置された配線32とを備えた導電性基板を得ることができる。
(2)第2構成例
配線基板の製造方法の第2構成例について説明する。
シード層、及び第1金属層のレジストで覆われていた部分を除去するシード層・第1金属層除去工程。
(シード層形成工程、第1金属層形成工程)
シード層形成工程、及び第1金属層形成工程を実施することで、図4(A)に示す様に、絶縁性基材41の少なくとも一方の面41a上に、シード層421、及び第1金属層4221を形成することができる。
(レジスト形成工程)
レジスト形成工程は、第1金属層形成工程の後に実施することができ、レジスト形成工程では、図4(A)に示すように、第1金属層4221上に形成する配線に対応した形状を有する開口部431を有するレジスト43を形成することができる。
(第2金属層形成工程)
レジスト形成工程の後、第2金属層形成工程を実施することができる。第2金属層形成工程は、第1金属層上に、湿式めっき法により第2金属層を形成する工程とすることができる。
(レジスト除去工程、シード層・第1金属層除去工程)
その後、レジスト43の除去を実施できる(レジスト除去工程)。
[電子部品実装基板]
次に電子部品実装基板の構成例について説明する。
[実施例1]
まず、絶縁性基材として、100mm角、厚さが35μmの矩形形状のポリイミドフィルム(宇部興産社製 商品名:Upilex−35SGAV1)を用意し、以下の手順により、セミアディティブ法を用いて配線基板を製造した。
(シード層形成工程)
絶縁性基材の一方の面上に、シード層として、厚さが4nmのNi−Cr合金層を成膜した。
(第1金属層形成工程)
次いで、シード層上に、厚さ100nmの銅層である第1金属層を形成した。なお、シード層を成膜したマグネトロンスパッタリング装置には銅ターゲットをセットしておき、シード層の成膜後、チャンバーを開けることなく、連続して第1金属層を成膜した。
(レジスト配置工程)
まず、第1金属層表面にドライフィルムレジスト(日立化成製 商品名:RY−3315EE)をラミネートした。次いで、ドライフィルムレジストへ形成する配線のパターンを露光し、0.8質量%の炭酸ナトリウム水溶液にドライフィルムレジストを接触させた。
これにより図4(A)に示す様に、絶縁性基材41上にシード層421、及び第1金属層4221が形成され、第1金属層4221上に、形成する配線に対応する形状の開口部431を有するレジスト43を形成した。なお、レジスト43には、絶縁性基材の一辺と平行で、かつ互いに平行な、配線幅が10μm、配線間の距離が10μmの複数の直線状の配線のパターンが形成できるように開口部431を形成した。
(第2金属層形成工程)
次に硫酸銅めっき浴で銅めっきを行い、図4(B)に示す様にレジスト43に形成された開口部431に厚さ3μmの第2金属層4222を形成した。なお、第2金属層4222は、第1金属層4221上に形成されることになる。
(レジスト除去工程、シード層・第1金属層除去工程)
そして、2.0質量%の水酸化ナトリウム水溶液にドライフィルムを接触させることでレジスト43を剥離、除去した(レジスト除去工程)。
なお、配線42は、配線幅Wは10μm、配線厚さTは3μmとなっている。
第2金属層形成工程において、第2金属層の厚さを変更することにより、配線42の厚さが、それぞれ表1に示した値となるように配線基板を製造し、実施例1と同様に配線剥がれテストを実施した。
[比較例1、比較例2]
第2金属層形成工程において、第2金属層の厚さを変更することにより、配線42の厚さが、それぞれ表1に示した値となるように配線基板を製造し、実施例1と同様に配線剥がれテストを実施した。
11、31、41 絶縁性基材
12、32、42 配線
121、321、421 シード層
122、322 金属層
1221、4221 第1金属層
1222、4222 第2金属層
Claims (4)
- 絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の少なくとも一方の面上に配置され、アスペクト比が1以下である配線と、を有する配線基板。 - 前記配線は、シード層と、金属層とを有する請求項1に記載の配線基板。
- 前記配線の幅は、2μm以上12μm以下である請求項1または2に記載の配線基板。
- 前記配線の厚さは、1μm以上10μm以下である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016228378A JP2018085465A (ja) | 2016-11-24 | 2016-11-24 | 配線基板 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016228378A JP2018085465A (ja) | 2016-11-24 | 2016-11-24 | 配線基板 |
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ID=62238552
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JP2016228378A Pending JP2018085465A (ja) | 2016-11-24 | 2016-11-24 | 配線基板 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2018085465A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020107240A (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 制御装置、及び制御プログラム |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009117721A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 配線基板、回路基板、これらの製造方法 |
JP2010005800A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 2層フレキシブル基板及びその製造方法、並びに、該2層フレキシブル基板を用いたプリント配線基板及びその製造方法 |
JP2014082320A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 2層フレキシブル基板、並びに2層フレキシブル基板を基材としたプリント配線板 |
-
2016
- 2016-11-24 JP JP2016228378A patent/JP2018085465A/ja active Pending
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