JP2018085366A

JP2018085366A - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2018085366A
Application number: JP2016225895A
Authority: JP
Inventors: 圭児黒田; Keiji Kuroda
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 2016-11-21
Filing date: 2016-11-21
Publication date: 2018-05-31
Anticipated expiration: 2036-11-21
Also published as: JP6627726B2

Abstract

【課題】Ｎｉ食われを抑制するために構成部品とＳｎ系はんだ材料の間に配設されるＣｕ層の成膜サイズ公差に起因して、封止樹脂体とＣｕ層が密着し、双方が剥離することを解消できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１００を構成する複数の部品のうち、Ｓｎ系はんだ層４にて第一部品１と第二部品２を接続する半導体装置の製造方法であって、重力方向の下方から順に、第一部品１、第一Ｃｕ層３’、Ｓｎ系はんだ材料４’、第二部品２を積層し、第一Ｃｕ層３’はＳｎ系はんだ材料４’の平面寸法よりも小さな平面寸法とし、加熱処理してＳｎ系はんだ層４を形成し、Ｓｎ系はんだ層４と第一部品１の間において、中央側にＣｕ６Ｓｎ５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５の金属間化合物層３Ｂ、外周側にＮｉ３Ｓｎ４もしくは（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４の金属間化合物層３Ｃを形成し、それらの周囲に樹脂モールドして封止樹脂体１０を成形する。【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。

ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等の半導体素子を搭載した半導体装置（パワーモジュールもしくはパワーカード）は、コレクタリードフレームと半導体素子が接合材であるはんだ層を介して接合されて構成された積層体がケース内に収容され、さらにこのケース内に封止樹脂体が形成された構成のものや、ケースレス構造であって、比較的硬質の封止樹脂体で上記積層体が封止された構成のものなど、多様な形態が存在している。

なお、ケースレス構造のもの、ケースを具備する構造のもののいずれであっても、ヒートシンクや冷媒を還流させる冷却器などがさらに配されて半導体素子からの熱をこれらに放熱させる構造が一般に適用されている。

さらに、コレクタリードフレームとエミッタリードフレームが上下に存在し、その間に半導体素子が接合材を介して配設されるとともに、これらの積層体が封止樹脂体で一体化された両面冷却構造の半導体装置も存在しており、たとえば特許文献１にこの形態の半導体装置とその製造方法が開示されている。

上記する両面冷却構造の半導体装置の構造として、コレクタリードフレーム、接合材、半導体素子、接合材、金属製冷却ブロック、接合材、エミッタリードフレーム、が順に積層され、封止樹脂体で全体が封止されてなる構造の半導体装置を挙げることができる。

特開２０１６−０９２０６４号公報

特許文献１で記載される半導体装置の製造方法では、半導体素子と被接合部材との間にはんだ材料を配置する配置工程と、はんだ材料を融解、凝固させる熱処理工程を有し、被接合部材は表面にニッケル層が設けられているとともにニッケル層の表面の少なくとも一部に銅層が設けられており、はんだ材料は少なくともすずを含んでおり、配置工程でははんだ材料と銅層を接触させ、熱処理工程でははんだ材料中のすずと銅層によってニッケル層の表面にＣｕ_６Ｓｎ_５を形成する。

このように、被接合部材の表面にたとえばＳｎ系はんだ材料との濡れ性を高めるＮｉ層（Ｎｉめっき層）が存在する場合、Ｓｎ系はんだ材料中のＳｎとＮｉ層中のＮｉが相互拡散してＮｉ層が消費される、いわゆるＮｉ食われが危惧される。

このＮｉ食われを抑制するべく、特許文献１で開示されるように、被接合部材とＳｎ系はんだ材料の間にＣｕ層を成膜し、Ｃｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５の金属間化合物層を形成する。

ところで、被接合部材の表面にＣｕ層を成膜し、さらにはんだ層を形成するに当たり、Ｃｕ層の成膜サイズ公差やはんだサイズ公差が往々にして発生する。仮に、はんだ層や金属間化合物層よりもＣｕ層が広い平面積を有していると、半導体装置の周囲を構成する封止樹脂体とＣｕ層が密着することになる。封止樹脂体とＣｕ層との密着強度はたとえばＮｉ層との密着強度に比べて低いことから、封止樹脂体とＣｕ層の密着箇所においては、封止樹脂体がリードフレームや半導体素子等の被接合部材から剥離する可能性が高くなってしまう。

本発明は上記する問題に鑑みてなされたものであり、構成部品同士がＳｎ系はんだ層にて接合される半導体装置の製造方法において、Ｎｉ食われを抑制するために構成部品とＳｎ系はんだ材料の間に配設されるＣｕ層の成膜サイズ公差に起因して、封止樹脂体とＣｕ層が密着し、剥離することを解消することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

前記目的を達成すべく、本発明による半導体装置の製造方法は、半導体装置を構成する複数の部品のうち、Ｓｎ系はんだ層にて第一部品と第二部品を接続して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、少なくとも前記第一部品において、前記Ｓｎ系はんだ層が形成される表面にはＮｉ被膜が形成されており、重力方向の下方から順に、前記第一部品、第一Ｃｕ層、Ｓｎ系はんだ材料、前記第二部品を積層し、ここで、該第一Ｃｕ層は該Ｓｎ系はんだ材料の平面寸法よりも小さな平面寸法を有しており、加熱処理することにより、前記Ｓｎ系はんだ材料が溶融し、凝固してなるＳｎ系はんだ層を形成し、前記Ｓｎ系はんだ層と前記第一部品の間において、中央側には、Ｃｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５の金属間化合物層を形成し、外周側には、Ｎｉ_３Ｓｎ_４もしくは（Ｎｉ，Ｃｕ）_３Ｓｎ_４の金属間化合物層を形成して前記第一部品と前記第二部品を接続し、全体を樹脂モールドして半導体装置を製造するものである。

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置を構成する第一部品と第二部品を接続するに当たり、重力方向の下方から順に、第一部品、第一Ｃｕ層、Ｓｎ系はんだ材料、第二部品を積層し、加熱処理してＳｎ系はんだ層を形成するに当たり、第一Ｃｕ層の平面寸法をＳｎ系はんだ材料の平面寸法よりも小さく設定しておくことに特徴を有している。

ここで、Ｓｎ系はんだ材料と第二部品の平面寸法は、いずれも同じか略同じに設定しておくのが望ましい。

なお、Ｓｎ系はんだ材料と第二部品の間に第一Ｃｕ層とは別途の第二Ｃｕ層が介在していてもよく、この場合は、Ｓｎ系はんだ材料、第二Ｃｕ層、および第二部品の平面寸法をいずれも同じか略同じに設定しておくのが望ましい。

第一Ｃｕ層からは、中央側において、Ｃｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５の金属間化合物層が形成され、外周側においては、Ｎｉ_３Ｓｎ_４もしくは（Ｎｉ，Ｃｕ）_３Ｓｎ_４の金属間化合物層が形成される。より具体的には、第一部品とＳｎ系はんだ材料の間において、第一Ｃｕ層の平面寸法範囲においてはＣｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５の金属間化合物層が形成される。一方、第一Ｃｕ層の平面寸法の外側の範囲であって、かつＳｎ系はんだ材料の平面寸法の内側の範囲においては、Ｓｎ系はんだ材料中のＳｎと第一部品表面のＮｉ被膜中のＮｉにより、Ｎｉ_３Ｓｎ_４もしくは（Ｎｉ，Ｃｕ）_３Ｓｎ_４の金属間化合物層が形成される。

この製造方法によれば、第一部品とＳｎ系はんだ層の間にＣｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５の金属間化合物層を形成し、その外周であってかつＳｎ系はんだ層の平面寸法範囲内においてはＮｉ_３Ｓｎ_４もしくは（Ｎｉ，Ｃｕ）_３Ｓｎ_４の金属間化合物層が形成されることから、形成された金属間化合物層の平面寸法がＳｎ系はんだ層の平面寸法よりも大きくなることはない。そのため、Ｃｕ層の成膜サイズ公差に起因して封止樹脂体とＣｕ層が密着し、剥離の可能性を有する半導体装置が製造されることが解消される。

半導体装置に電流を流すと半導体素子の表面が発熱し、この際の発熱温度分布は、半導体素子の中央側で発熱温度が高く、外周側に向かって発熱温度が低くなる傾向を示す。そのため、Ｎｉめっき食われ量は半導体素子の中央側の方が外周側よりも大きくなる。本発明の製造方法では、中央側においてＣｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５の金属間化合物層が形成されていることから、Ｎｉめっき食われを効果的に抑制することができる。

さらに、封止樹脂体と接触する領域に、Ｎｉ_３Ｓｎ_４もしくは（Ｎｉ，Ｃｕ）_３Ｓｎ_４の金属間化合物層が形成されていることから、この金属間化合物層と封止樹脂体の密着性も良好になる。

ここで、第一部品と第二部品の組み合わせに関しては、第二部品が相対的に平面寸法が小さいことから、第一部品がコレクタリードフレームで第二部品が半導体素子の形態、第一部品が半導体素子で第二部品が金属製冷却ブロックの形態、第一部品がエミッタリードフレームで第二部品が金属製冷却ブロックの形態などが挙げられる。

すなわち、Ｓｎ系はんだ層で接合される二つの部品同士を上記する本発明の製造方法を用いて各々接合することにより、コレクタリードフレーム、半導体素子、金属製冷却ブロック、エミッタリードフレーム等、複数の部品がＳｎ系はんだ層を介して接合されてなる積層体が製造される。この積層体の周囲にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂やポリアミドイミド等の熱可塑性樹脂をモールドして封止樹脂体が成形されることにより、両面冷却構造の半導体装置が製造される。

なお、本明細書において、コレクタリードフレームやエミッタリードフレームは、文字通りのリードフレームのほか、ダイパッド、回路基板や応力緩和基板等の基板、純ＡＬからなる基板とＡＩＮ(窒化アルミニウム)からなる基板を積層してなるＤＢＡ（絶縁基板）、ヒートシンクなども包含されるものであり、たとえばＣｕ素材のリードフレームが適用できる。

また、接合材としては、Ｐｂフリーはんだ材料であるＳｎ系はんだ材料としては、Ｓｎを主成分とする、Ｓｎ−Ａｇはんだ、Ｓｎ−Ｃｕはんだ、Ｓｎ−Ｚｎはんだ等が挙げられる。

また、金属製冷却ブロックとしては、たとえばＣｕ製の冷却ブロックが挙げられ、ターミナル、スペーサなどと称することもできる。

以上の説明から理解できるように、本発明の半導体装置の製造方法は、重力方向の下方から順に、第一部品、第一Ｃｕ層、Ｓｎ系はんだ材料、第二部品を積層し、ここで、第一Ｃｕ層はＳｎ系はんだ材料の平面寸法よりも小さな平面寸法を有しており、加熱処理してＳｎ系はんだ層を形成し、全体に樹脂モールドをおこなう方法である。この製造方法により、Ｓｎ系はんだ層と第一部品の間において、中央側には、Ｃｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５の金属間化合物層が形成され、外周側には、Ｎｉ_３Ｓｎ_４もしくは（Ｎｉ，Ｃｕ）_３Ｓｎ_４の金属間化合物層が形成されることから、Ｃｕ層の成膜サイズ公差に起因して封止樹脂体とＣｕ層が密着し、剥離の原因になるといった問題を解消しながら、Ｎｉめっき食われを効果的に抑制することができ、金属間化合物層と封止樹脂体の良好な密着性を保証することができる。

本発明の半導体装置の製造方法を説明した縦断面図である。図１に続いて半導体装置の製造方法を説明した縦断面図である。図２に続いて半導体装置の製造方法を説明した縦断面図であって製造された半導体装置を示した図である。（ａ）は試作品の積層体の側面図であり、（ｂ）は半導体素子の作動時の温度分布図であって図４（ａ）のｂ方向から見た図であり、（ｃ）は実施例および比較例のＮｉめっき食われ量の測定結果を示した図である。

以下、図面を参照して本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態を説明する。なお、図示する製造方法にて製造される半導体装置は、コレクタリードフレーム、半導体素子、金属製冷却ブロック、およびエミッタリードフレームが積層した構造を有した両面冷却構造の半導体装置であるが、図示例以外の多様な構造形態の半導体装置も本発明の製造方法の製造対象であることは勿論のことである。また、図示する半導体装置では冷却器等の図示を省略している。

（半導体装置の製造方法の実施の形態）
図１，２，３は順に、本発明の半導体装置の製造方法を説明した縦断面図であり、図３は製造された半導体装置も示している。

ここでは、第一部品であるコレクタリードフレーム１と第二部品である半導体素子２を接合する方法を取り上げて説明する。

図１で示すように、上方から見た（Ｙ方向）平面寸法において、コレクタリードフレーム１は半導体素子２よりも平面寸法が大きい。

まず、重力方向の下方（Ｘ方向）から順に、コレクタリードフレーム１、第一Ｃｕ層３’、Ｓｎ系はんだ材料４’、第二Ｃｕ層３”、および半導体素子２を積層する。

ここで、上方から見た（Ｙ方向）平面寸法において、Ｓｎ系はんだ材料４’、第二Ｃｕ層３”、および半導体素子２の平面寸法は、いずれも同じに設定しておき、第一Ｃｕ層３’の平面寸法はＳｎ系はんだ材料４’よりも小さく設定しておき、Ｓｎ系はんだ材料４’の中央側下方に第一Ｃｕ層３’を配設し、Ｓｎ系はんだ材料４’の下方領域であって第一Ｃｕ層３’の外側の領域に隙間Ｇを形成しておく。

コレクタリードフレーム１はアルミニウムやその合金、銅やその合金などから形成されており、その表面にはＮｉめっき被膜１ａが形成されている。また、半導体素子２はＩＧＢＴやダイオードからなり、その下面にも同様にＮｉめっき被膜２ａが形成されている。

Ｓｎ系はんだ材料４’としては、Ｐｂフリーはんだであり、かつＳｎを主成分とする、Ｓｎ−Ａｇはんだ、Ｓｎ−Ｃｕはんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ、Ｓｎ−Ｚｎはんだ、Ｓｎ−Ｓｂはんだなどを挙げることができる。

次に、図２で示すように、加熱処理を実行し、Ｓｎ系はんだ材料４’を溶融させ、凝固させてＳｎ系はんだ層４を形成する。

この加熱処理により、Ｓｎ系はんだ層４が形成されるとともに、半導体素子２とＳｎ系はんだ材料４’の間に介在していた第二Ｃｕ層３”からＣｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５の金属間化合物層３Ａが形成される。さらに、コレクタリードフレーム１とＳｎ系はんだ材料４’ の間に介在していた第一Ｃｕ層３’からＣｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５の金属間化合物層３Ｂが中央側に形成される。さらに、金属間化合物層３Ｂの外周であってかつＳｎ系はんだ層４の平面寸法範囲内（図１の隙間Ｇ）においては、Ｎｉ_３Ｓｎ_４もしくは（Ｎｉ，Ｃｕ）_３Ｓｎ_４の金属間化合物層３Ｃが形成される。

図示する製造方法によれば、形成された金属間化合物層３Ｂ，３Ｃの平面寸法がＳｎ系はんだ層４の平面寸法よりも大きくなることはない。そのため、Ｃｕ層の成膜サイズ公差に起因して封止樹脂体とＣｕ層が密着し、剥離の可能性を有する半導体装置が製造されることが解消される。

また、最終的に得られる半導体装置に電流を流すと半導体素子２の表面が発熱し、この際の発熱温度分布は、半導体素子２の中央側で発熱温度が高く、外周側に向かって発熱温度が低くなる傾向を示す。そのため、Ｎｉめっき食われ量は半導体素子２の中央側の方が外周側よりも大きくなる。図示する製造方法では、中央側においてＣｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５の金属間化合物層３Ｂが形成されていることから、Ｎｉめっき食われを効果的に抑制することができる。

さらに、封止樹脂体と接触する外側領域に、Ｎｉ_３Ｓｎ_４もしくは（Ｎｉ，Ｃｕ）_３Ｓｎ_４の金属間化合物層３Ｃが形成されていることから、この金属間化合物層３Ｃと封止樹脂体の密着性も良好になる。

図示する製造方法により、半導体装置を構成する複数の部品のうち、コレクタリードフレーム１とこれよりも平面寸法の小さな半導体素子２が、Ｓｎ系はんだ層４と金属間化合物層３Ａ、３Ｂ、３Ｃを介して接合される。

次に、図３で示すように、表面にＮｉめっき被膜７ａが形成されているエミッタリードフレーム７を相対的に平面寸法の大きな第一部品、同様にＮｉめっき被膜が形成されている金属製冷却ブロック５を第二部品とし、これらの部品を図１，２で示す製造方法にて同様に接合する。すなわち、この製造方法では、重力方向の下方から、第一部品であるエミッタリードフレーム７、第一Ｃｕ層、Ｓｎ系はんだ材料、第二Ｃｕ層、金属製冷却ブロック５を積層し、加熱処理する。さらに、半導体素子２を相対的に平面寸法の大きな第一部品、金属製冷却ブロック５を第二部品とし、同様の方法で接合する。このように三度の製造方法を繰り返すことにより、図３で示す複数部品同士が、Ｓｎ系はんだ層４，６，８と金属間化合物層３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，６Ａ，６Ｂ，９Ａ，９Ｂ，９Ｃで接合されてなる積層体が製造される。なお、金属間化合物層９ＢはＣｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５の金属間化合物層であり、金属間化合物層９ＣはＮｉ_３Ｓｎ_４もしくは（Ｎｉ，Ｃｕ）_３Ｓｎ_４の金属間化合物層である。

この積層体の周囲に樹脂モールドをおこなって封止樹脂体１０を成形することにより、両面冷却構造の半導体装置１００が製造される。

ここで、封止樹脂体１０の素材として、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂やポリアミドイミド等の熱可塑性樹脂が挙げられる。

エポキシ樹脂に関しては、その末端に反応性のエポキシ基を持つ熱硬化型の合成樹脂であり、ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの縮合反応により製造されるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂や、ノボラック系エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、高分子型エポキシ樹脂およびグリシジルエステル型エポキシ樹脂などを挙げることができ、これらを単独で、もしくは、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とその他の一種もしくは二種以上の樹脂を混合して使用することもできる。熱可塑性樹脂に関しては、ポリアミドイミド以外にも、ポリフェニレンサルファイドやポリブチレンテレフタレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等が挙げられる。また、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂の中には、熱伝導性と熱膨張の改善を目的としてシリカやアルミナ、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化マグネシウム等の無機フィラーが含有されていてもよい。

図示する半導体装置１００によれば、Ｃｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５等の金属間化合物層３Ｂ，９Ｂ等がＳｎ系はんだ層４，８等からはみ出し、封止樹脂体１０と接触する箇所を具備しない。そのため、Ｃｕ層の成膜サイズ公差に起因して封止樹脂体１０とＣｕ層や金属間化合物層３Ｂ，９Ｂが密着し、剥離の原因になるといった問題は生じない。さらに、いわゆるＮｉめっき食われも抑制することができる。

（Ｎｉめっき食われ量を測定した実験とその結果）
本発明者等は、図１，２で示す製造方法でコレクタリードフレームと半導体素子を接合してなる積層体を試作した。具体的には、実施例として、図２で示す積層体を製作し、比較例として、コレクタリードフレームとＳｎ系はんだ層の間にＮｉ_３Ｓｎ_４もしくは（Ｎｉ，Ｃｕ）_３Ｓｎ_４の金属間化合物層のみが介在する積層体を製作した。

図４（ａ）は実施例の積層体を示している。半導体素子を１０００時間発熱させた際の半導体素子における温度分布であって図４（ａ）のｂ方向から見た図を図４（ｂ）に示す。同図で示すように、半導体素子の中央側で２００℃、外側に向かって１７５℃、１５０℃、１００℃と徐々に温度が低下することが確認できた。

Ｎｉめっき食われ量を測定した結果を図４（ｃ）に示す。同図で示すように、比較例においては、半導体素子の温度の高い中央部で４．８ｍｍほどの値となっているのに対して、実施例では中央部で２．２ｍｍ程度と比較例の半分以下となり、外周部においても低い値となっていることが実証されている。

以上、本発明の実施の形態を図面を用いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。

１…コレクタリードフレーム（第一部品）、１ａ…Ｎｉめっき被膜、２…半導体素子（第二部品）、２ａ…Ｎｉめっき被膜、３Ａ，３Ｂ，３Ｃ…金属間化合物層、３’…第一Ｃｕ層、３”…第二Ｃｕ層、４’…Ｓｎ系はんだ材料、４…Ｓｎ系はんだ層、５…金属製冷却ブロック、６，８…Ｓｎ系はんだ層、６Ａ，６Ｂ，９Ａ，９Ｂ，９Ｃ…金属間化合物層、７…エミッタリードフレーム、１０…封止樹脂体、１００…半導体装置、Ｇ…隙間

Claims

半導体装置を構成する複数の部品のうち、Ｓｎ系はんだ層にて第一部品と第二部品を接続して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
少なくとも前記第一部品において、前記Ｓｎ系はんだ層が形成される表面にはＮｉ被膜が形成されており、
重力方向の下方から順に、前記第一部品、第一Ｃｕ層、Ｓｎ系はんだ材料、前記第二部品を積層し、ここで、該第一Ｃｕ層は該Ｓｎ系はんだ材料の平面寸法よりも小さな平面寸法を有しており、
加熱処理することにより、前記Ｓｎ系はんだ材料が溶融し、凝固してなるＳｎ系はんだ層を形成し、
前記Ｓｎ系はんだ層と前記第一部品の間において、中央側には、Ｃｕ_６Ｓｎ_５もしくは（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５の金属間化合物層を形成し、外周側には、Ｎｉ_３Ｓｎ_４もしくは（Ｎｉ，Ｃｕ）_３Ｓｎ_４の金属間化合物層を形成して前記第一部品と前記第二部品を接続し、全体を樹脂モールドして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法。