JP2018082103A - プリント配線板、その製造方法及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】絶縁層に埋め込まれた導体パターンの厚さが均一なプリント配線板を提供する。【解決手段】プリント配線板１は、内部に導体層１５が形成された内層基板１０と、内層基板１０の表面に形成された第１絶縁層３０と、第１絶縁層３０の表面に形成された第２絶縁層４０と、第２絶縁層４０を貫通し、第１絶縁層３０の表面を底面として形成された第１導体パターン５０と、第１絶縁層３０を貫通し、導体層１５と第１導体パターン５０とを電気的に接続するように形成されたビアホール６０とを備える。第１絶縁層３０は、酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層の硬化物からなる。第２絶縁層４０は、酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層の硬化物からなる。【選択図】図１
Description
本発明は、プリント配線板、その製造方法及びレジストパターンの製造方法に関する。
集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）等の電子部品をマザーボードに実装するにあたっては、ピッチ変換などを行うために、パッケージ基板（インターポーザ）が用いられている。すなわち、電子部品の端子ピッチが狭いことから、電子部品を直接マザーボードに実装するのではなく、電子部品を一旦パッケージ基板に搭載し、このパッケージ基板をマザーボードに実装するようにしている。
近年、電子部品の高性能化に伴って、パッケージ基板を構成するプリント配線板には、ファインピッチな導体パターンが要求される。ファインピッチな導体パターンを形成する方法として、特許文献１には、絶縁層にレーザー光を照射して回路用凹部及びビア導体用開口部を形成し、無電解めっき及び電解めっきを施して、回路及びビア導体を形成する回路形成方法が開示されている。特許文献２には、絶縁層に貫通穴を形成し、エッチング時間をコントロールして、貫通穴の周囲のランド部及びパターン溝を形成し、乾式成膜法及び湿式めっき法を施して、スルーホール及びパターンを形成する回路形成方法が開示されている。
一方、特許文献３には、高さの異なる樹脂パターンを形成する方法として、感光性樹脂層を所望のパターンに応じて異なる露光量で露光し、現像し、加熱硬化する樹脂パターンの製造方法が開示されている。
特許文献１においては、レーザー光の照射条件を変えて、ビア穴及び凹部の深さを制御していると考えられる。しかし、絶縁層の厚さが薄くなるほど、レーザー光の照射条件は厳しくなり、回路用凹部及びビア導体用開口部の深さを変えるための制御は困難となる。しかも導体パターンに沿って回路用凹部及びビア導体用開口部を形成するため、電子部品の高集積化とともに導体パターンを高密度に配置する目的からすると、一つのプリント配線板を完成させるのに多くの時間がかかってしまう。
特許文献２においては、エッチング時間を変えて、貫通穴の周囲のランド部及びパターン溝の深さを制御していると考えられる。しかし、この場合も絶縁層の厚さが薄くなるほど、エッチング時間の調整が厳しくなり、貫通穴の周囲のランド部及びパターン溝の深さを変えるための制御は困難となる。
特許文献３においても、感光性樹脂層の厚さが薄くなるほど、露光量の調整が難しくなり、樹脂パターンの高さを変えるための制御は困難である。
そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、絶縁層に埋め込まれた導体パターンの厚さが均一なプリント配線板、及び、絶縁層に埋め込む導体パターンの厚さを容易に均一にすることができ、さらに導体パターン及びビアホールの形成時間を従来よりも短縮化することができるプリント配線板の製造方法、及びレジストパターンの製造方法を提供することを目的とする。
第１の発明に係るプリント配線板は、内部に導体層が形成された内層基板と、前記内層基板の表面に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の表面に形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層を貫通し、前記第１絶縁層の表面を底面として形成された第１導体パターンと、前記第１絶縁層を貫通し、前記導体層と前記第１導体パターンとを電気的に接続するように形成されたビアホールとを備え、前記第１絶縁層は、酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層の硬化物からなり、前記第２絶縁層は、酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層の硬化物からなる。
第２の発明に係るプリント配線板の製造方法は、以下の工程（Ａ１）〜工程（Ｈ１）を含む。
工程（Ａ１）：内部に導体層が形成された内層基板を準備する工程、
工程（Ｂ１）：前記内層基板の表面に、酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層を配置する工程、
工程（Ｃ１）：酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層を、前記第１感光性樹脂層の表面に配置して、２層レジスト膜を形成する工程、
工程（Ｄ１）：前記２層レジスト膜を露光して、第１導体パターン用凹部を形成する部分に、前記光塩基発生剤から塩基を発生させる工程、
工程（Ｅ１）：前記２層レジスト膜を露光して、前記第１導体パターン用凹部及びビアホール用凹部を形成する部分に、前記光酸発生剤から酸を発生させる工程、
工程（Ｆ１）：露光した２層レジスト膜に露光後ベークを行う工程、
工程（Ｇ１）：前記露光後ベークを行った２層レジスト膜を現像液で現像して、前記第１導体パターン用凹部及びビアホール用凹部を形成する工程、
工程（Ｈ１）：めっき処理又は導電性ペーストの印刷を行い、前記第１導体パターン用凹部に前記第１導体パターンを、前記ビアホール用凹部に前記ビアホールをそれぞれ形成し、前記ビアホールで前記導体層と前記第１導体パターンとを電気的に接続する工程。
工程（Ａ１）：内部に導体層が形成された内層基板を準備する工程、
工程（Ｂ１）：前記内層基板の表面に、酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層を配置する工程、
工程（Ｃ１）：酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層を、前記第１感光性樹脂層の表面に配置して、２層レジスト膜を形成する工程、
工程（Ｄ１）：前記２層レジスト膜を露光して、第１導体パターン用凹部を形成する部分に、前記光塩基発生剤から塩基を発生させる工程、
工程（Ｅ１）：前記２層レジスト膜を露光して、前記第１導体パターン用凹部及びビアホール用凹部を形成する部分に、前記光酸発生剤から酸を発生させる工程、
工程（Ｆ１）：露光した２層レジスト膜に露光後ベークを行う工程、
工程（Ｇ１）：前記露光後ベークを行った２層レジスト膜を現像液で現像して、前記第１導体パターン用凹部及びビアホール用凹部を形成する工程、
工程（Ｈ１）：めっき処理又は導電性ペーストの印刷を行い、前記第１導体パターン用凹部に前記第１導体パターンを、前記ビアホール用凹部に前記ビアホールをそれぞれ形成し、前記ビアホールで前記導体層と前記第１導体パターンとを電気的に接続する工程。
第３の発明に係るレジストパターンの製造方法は、以下の工程（Ｂ２）〜工程（Ｇ２）を含む。
工程（Ｂ２）：酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層を、基板の表面に配置する工程、
工程（Ｃ２）：酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層を、前記第１感光性樹脂層の表面に配置して、２層レジスト膜を形成する工程、
工程（Ｄ２）：前記２層レジスト膜を露光して、有底孔を形成する部分に、前記光塩基発生剤から塩基を発生させる工程、
工程（Ｅ２）：前記２層レジスト膜を露光して、前記有底孔及び貫通孔を形成する部分に、前記光酸発生剤から酸を発生させる工程、
工程（Ｆ２）：露光した２層レジスト膜に露光後ベークを行う工程、
工程（Ｇ２）：前記露光後ベークを行った２層レジスト膜を現像液で現像して、前記有底孔及び貫通孔を形成する工程。
工程（Ｂ２）：酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層を、基板の表面に配置する工程、
工程（Ｃ２）：酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層を、前記第１感光性樹脂層の表面に配置して、２層レジスト膜を形成する工程、
工程（Ｄ２）：前記２層レジスト膜を露光して、有底孔を形成する部分に、前記光塩基発生剤から塩基を発生させる工程、
工程（Ｅ２）：前記２層レジスト膜を露光して、前記有底孔及び貫通孔を形成する部分に、前記光酸発生剤から酸を発生させる工程、
工程（Ｆ２）：露光した２層レジスト膜に露光後ベークを行う工程、
工程（Ｇ２）：前記露光後ベークを行った２層レジスト膜を現像液で現像して、前記有底孔及び貫通孔を形成する工程。
本発明によれば、絶縁層に埋め込まれた第１導体パターンの厚さを容易に均一にすることだけでなく、第１導体パターン及び内層基板に電気的に導通されるビアホールのそれぞれの厚み制御が容易に行えることにより形成時間を従来よりも短縮化することができる。
{本実施形態に係るプリント配線板}
図１は、本実施形態に係るプリント配線板１の断面図である。
図１は、本実施形態に係るプリント配線板１の断面図である。
本実施形態に係るプリント配線板１は、図１に示すように、内部に導体層１５（ブラインドビアホール１２、内層導体層１３、ベリードビア１４）が形成された内層基板１０と、第２導体パターン２０と、第１絶縁層３０と、第２絶縁層４０と、第１導体パターン５０と、ビアホール６０とを備える。第２導体パターン２０は、内層基板１０の両面に形成されている。第１絶縁層３０は、第２導体パターン２０を覆うように内層基板１０の表面に形成されている。第２絶縁層４０は、第１絶縁層３０の表面に形成されている。第１導体パターン５０は、第２絶縁層４０を貫通し、第１絶縁層３０の表面を底面として形成されている。ビアホール６０は、第１絶縁層３０を貫通し、導体層１５と第１導体パターン５０とが第２導体パターン２０を介して電気的に接続されるように形成されている。第１絶縁層３０は、酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層３１の硬化物からなる。第２絶縁層４０は、酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層４１の硬化物からなる。ここで、内部に導体層が形成された内層基板は、内層基板の表裏面に露出し、かつ内層基板を貫通する導体層を少なくとも１つ以上有する内層基板を含む。第１絶縁層は、内層基板の表面に形成される。
本実施形態では、上記のとおり、第１絶縁層３０は第１感光性樹脂層３１の硬化物からなり、第２絶縁層４０は第２感光性樹脂層４１の硬化物からなる。そのため、第１導体パターン５０の厚さを薄く、しかも均一に形成することができるだけでなく、第１導体パターン５０とビアホール６０のそれぞれの厚み制御が容易に行えることができ、プリント配線板１は、パッケージ基板として好適に用いることができる。
〔第１絶縁層〕
第１絶縁層３０は、第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層３１の硬化物からなる。第１絶縁層３０の厚みは、好ましくは１〜１０μｍ、より好ましくは１〜５μｍである。第１絶縁層３０の第２絶縁層４０に接している面は平坦であることが好ましい。
第１絶縁層３０は、第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層３１の硬化物からなる。第１絶縁層３０の厚みは、好ましくは１〜１０μｍ、より好ましくは１〜５μｍである。第１絶縁層３０の第２絶縁層４０に接している面は平坦であることが好ましい。
＜第１感光性樹脂組成物＞
第１感光性樹脂組成物は、酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する。第１感光性樹脂組成物は、必要に応じて、酸増幅剤、光増感剤、レジスト膜の塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、着色剤、染料、溶剤などをさらに含有してもよい。
第１感光性樹脂組成物は、酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する。第１感光性樹脂組成物は、必要に応じて、酸増幅剤、光増感剤、レジスト膜の塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、着色剤、染料、溶剤などをさらに含有してもよい。
（第１高分子）
第１高分子は、現像液には不溶であるが、酸性条件下で分解反応が進行し、現像液に可溶となる。この酸性条件下とは、ＰＨが７未満である。第１高分子としては、一般的なポジ型レジスト、例えば、 poly(p-tert-butoxycarbonyloxy styrene)、poly(p-tert-butoxycarbonyloxy-α-methylstyrene)、poly(p-tert-butoxycarbonyloxy-α-methoxylstyrene)、poly(p-tert-butoxycarbonyloxy vinyl ether)などを用いることができる。例えば、poly(p-tert-butoxycarbonyloxy styrene)は、p-hydroxybenzaldehydeのフェノール性水酸基（アルカリ可溶性基）をｔ-ブチルオキシカルボニル（ＢＯＣ）基（酸不安定基）で保護し（ＢＯＣ保護し）、ラジカル重合によって合成でき、分子量は約１〜１０万程度である。これらは、１種単独であっても、２種以上を混合して用いることができ、合成あるいは市販のものを用いることができる。酸不安定基とは、アルカリ可溶性基の保護基であり、露光により光酸発生剤から発生した酸を触媒として脱保護反応（分解反応）を起こす基をいう。
第１高分子は、現像液には不溶であるが、酸性条件下で分解反応が進行し、現像液に可溶となる。この酸性条件下とは、ＰＨが７未満である。第１高分子としては、一般的なポジ型レジスト、例えば、 poly(p-tert-butoxycarbonyloxy styrene)、poly(p-tert-butoxycarbonyloxy-α-methylstyrene)、poly(p-tert-butoxycarbonyloxy-α-methoxylstyrene)、poly(p-tert-butoxycarbonyloxy vinyl ether)などを用いることができる。例えば、poly(p-tert-butoxycarbonyloxy styrene)は、p-hydroxybenzaldehydeのフェノール性水酸基（アルカリ可溶性基）をｔ-ブチルオキシカルボニル（ＢＯＣ）基（酸不安定基）で保護し（ＢＯＣ保護し）、ラジカル重合によって合成でき、分子量は約１〜１０万程度である。これらは、１種単独であっても、２種以上を混合して用いることができ、合成あるいは市販のものを用いることができる。酸不安定基とは、アルカリ可溶性基の保護基であり、露光により光酸発生剤から発生した酸を触媒として脱保護反応（分解反応）を起こす基をいう。
第１高分子の含有割合は、第１感光性樹脂組成物の固形分１００質量部に対して、好ましくは９０〜９８質量部、より好ましくは９５〜９７質量部である。
（光塩基発生剤）
光塩基発生剤は、特定の波長の電磁波を吸収することで、塩基（図３Ａに記載の符号３２）を発生する。
光塩基発生剤は、特定の波長の電磁波を吸収することで、塩基（図３Ａに記載の符号３２）を発生する。
光塩基発生剤としては、例えば、ｏ−ニトロベンジル型光塩基発生剤、（３，５−ジメトキシベンジルオキシ）カルボニル型光塩基発生剤、アミロキシイミノ基型光塩基発生剤、ジヒドロピリジン型光塩基発生剤などを用いることができる。これらのうち、塩基発生効率と合成の簡便性に優れている観点から、ｏ−ニトロべンジル型光塩基発生剤を用いることができる。
また、光塩基発生剤としては、例えば、特開２０００−３３０２７０号公報に開示されるオキシムエステル系化合物、アンモニウム系化合物、ベンゾイン系化合物、ジメトキシベンジルウレタン系化合物、オルトニトロベンジルウレタン系化合物などを用いることもできる。
また、光塩基発生剤としては、例えば、特開２００９−２８０７８５号公報、特開２０１０−８４１４４号公報、特開２０１１−２３６４１６号公報に開示される塩基発生剤などを用いることができる。これらは、光照射により脱炭酸するカルボン酸と塩基類からなるカルボン酸塩である。
また、光塩基発生剤として、以下の式で表される化合物も用いることができる。なお、式（Ｂ−３）において、−Ｒ−は、−（ＣＨ２）６−、又は−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２−を示す。
光塩基発生剤の含有割合は、第１感光性樹脂組成物の固形分１００質量部に対して、好ましくは２〜１０質量部、より好ましくは３〜５質量部である。
（酸増幅剤）
第１感光性樹脂組成物は、酸増幅剤をさらに含有することが好ましい。これにより、後述する工程（Ｇ１）における露光後ベークを行うと、第２感光性樹脂層４１中で発生した酸４２が酸増幅剤を分解し、新たに一つ以上の酸を第１感光性樹脂層３１中に発生させる。この増幅反応が連鎖的に生じ、ビアホール用凹部７０Ｂを形成する部分７１Ｂにおいて、第２感光性樹脂層４１から第１感光性樹脂層３１に酸が拡散しやすくなる。さらに、工程（Ｅ１）における第２露光光９３の露光量を調整することで、第２感光性樹脂層４１中で発生する酸４２がＸ方向へ拡散すること（酸４２の水平拡散）を抑制しやすくなる。
第１感光性樹脂組成物は、酸増幅剤をさらに含有することが好ましい。これにより、後述する工程（Ｇ１）における露光後ベークを行うと、第２感光性樹脂層４１中で発生した酸４２が酸増幅剤を分解し、新たに一つ以上の酸を第１感光性樹脂層３１中に発生させる。この増幅反応が連鎖的に生じ、ビアホール用凹部７０Ｂを形成する部分７１Ｂにおいて、第２感光性樹脂層４１から第１感光性樹脂層３１に酸が拡散しやすくなる。さらに、工程（Ｅ１）における第２露光光９３の露光量を調整することで、第２感光性樹脂層４１中で発生する酸４２がＸ方向へ拡散すること（酸４２の水平拡散）を抑制しやすくなる。
酸増幅剤としては、例えば、cis-3-(p-toluenesulfonyloxy)-2-pinanolなどを用いることができる。これらは、１種単独であっても、２種以上を混合して用いることができ、市販のものを用いることができる。
酸増幅剤の含有割合は、第１感光性樹脂組成物の固形分１００質量部に対して、好ましくは１〜３０質量部、より好ましくは１０〜２０質量部である。
〔第２絶縁層〕
第２絶縁層４０は、第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層４１の硬化物からなる。第２絶縁層４０の厚みは、好ましくは１〜１０μｍ、より好ましくは１〜５μｍである。第２絶縁層４０の表面は平坦であることが好ましい。
第２絶縁層４０は、第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層４１の硬化物からなる。第２絶縁層４０の厚みは、好ましくは１〜１０μｍ、より好ましくは１〜５μｍである。第２絶縁層４０の表面は平坦であることが好ましい。
＜第２感光性樹脂組成物＞
第２感光性樹脂組成物は、酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する。第２感光性樹脂組成物は、必要に応じて、光増感剤、レジスト膜の塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、着色剤、染料、溶剤などをさらに含有してもよい。
第２感光性樹脂組成物は、酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する。第２感光性樹脂組成物は、必要に応じて、光増感剤、レジスト膜の塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、着色剤、染料、溶剤などをさらに含有してもよい。
（第２感光性樹脂）
第２感光性樹脂は、現像液には不溶であるが、酸性条件下で分解反応が進行し、現像液に可溶となる。この酸性条件下とは、ＰＨが７未満である。第２高分子としては、例えば、poly(p-tert-butoxycarbonyloxy styrene)などを用いることができる。これらは、１種単独であっても、２種以上を混合して用いることができ、合成あるいは市販のものを用いることができる。また、第２高分子は第１高分子と同じものを用いることができる。
第２感光性樹脂は、現像液には不溶であるが、酸性条件下で分解反応が進行し、現像液に可溶となる。この酸性条件下とは、ＰＨが７未満である。第２高分子としては、例えば、poly(p-tert-butoxycarbonyloxy styrene)などを用いることができる。これらは、１種単独であっても、２種以上を混合して用いることができ、合成あるいは市販のものを用いることができる。また、第２高分子は第１高分子と同じものを用いることができる。
第２高分子の含有割合は、第２感光性樹脂組成物の固形分１００質量に対して、好ましくは７０〜９８質量部である。
（光酸発生剤）
光酸発生剤は、特定の波長の電磁波を吸収することで、酸（図３Ａに記載の符号４２）を発生する。
光酸発生剤は、特定の波長の電磁波を吸収することで、酸（図３Ａに記載の符号４２）を発生する。
光酸発生剤としては、光塩基発生剤の光吸収特性に応じて適宜選択すればよく、例えば、オニウム塩などを用いることができる。オニウム塩としては、例えば、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ヨ−ドニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩などが挙げられる。これらは、１種単独であっても、２種以上を混合して用いることができ、市販のものを用いることができる。オニウム塩のアニオンとして、例えば、ＢＦ４ −、ＰＦ６ −、ＡｓＦ６ −、ＳｂＦ６ −、ＣＦ３ＳＯ３ −などが挙げられる。
具体的に、ホスホニウム塩としては、ヘキサフルオロホスフェート系スルホニウム塩、ヘキサフルオロアンチモネート系スルホニウム塩、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート系スルホニウム塩などを用いることができる。ヘキサフルオロホスフェート系スルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４，４’−ビス〔ジフェニルスルホニオ〕ジフェニルスルフィドビスヘキサフルオロホスフェート、４，４’−ビス〔ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルホニオ〕ジフェニルスルフィドビスヘキサフルオロホスフェート、４−フェニルカルボニル−４’−ジフェニルスルホニオ−ジフェニルスルフィドヘキサフルオロホスフェートなどが挙げられる。ヘキサフルオロアンチモネート系スルホニウム塩としては、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４，４’−ビス〔ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルホニオ〕ジフェニルスルフィドビスヘキサフルオロアンチモネート、７−〔ジ（ｐ−トルイル）スルホニオ〕−２−イソプロピルチオキサントンヘキサフルオロアンチモネート、４−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルカルボニル）−４’−ジフェニルスルホニオ−ジフェニルスルフィドヘキサフルオロアンチモネートなどが挙げられる。テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート系スルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、７−〔ジ（ｐ−トルイル）スルホニオ〕−２−イソプロピルチオキサントンテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルカルボニル）−４’−ジ（ｐ−トルイル）スルホニオ−ジフェニルスルフィドテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどが挙げられる。
また、ヨードニウム塩として、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジ（４−ノニルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェートなどを用いることができる。
また、ヨードニウム塩として、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジ（４−ノニルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェートなどを用いることができる。
光酸発生剤の含有割合は、第２感光性樹脂組成物の固形分１００質量部に対して、好ましくは２〜１０質量部、より好ましくは３〜５質量部である。
第１感光性樹脂層３１と第２感光性樹脂層４１とは、吸収する光のピーク波長が異なることが好ましい。これにより、それぞれの層に対して選択的に露光が可能となり、酸発生量および塩基発生量を独立して制御可能となる。従って、第２導体パターン２０、第１導体パターン５０及びビアホール６０の厚み制御（高さ制御）が可能となる。一方でピーク波長が同じである場合、１回の露光で第１感光性樹脂層３１と第２感光性樹脂層４１の２層とも反応し、層を選択的に反応させることができないため望ましくない。
〔内層基板〕
内層基板１０は、プリント配線板１の支持体として機能し、絶縁基板１１と、導体層１５とを備える。導体層１５は、ブラインドビアホール１２と、内層導体層１３と、ベリードビア１４とを有する。ブラインドビアホール１２、内層導体層１３、ベリードビア１４、内層導体層１３及びブラインドビアホール１２は、図１に示すように、この順に配置され一体化されており、これらは互いに電気的に接続されている。
内層基板１０は、プリント配線板１の支持体として機能し、絶縁基板１１と、導体層１５とを備える。導体層１５は、ブラインドビアホール１２と、内層導体層１３と、ベリードビア１４とを有する。ブラインドビアホール１２、内層導体層１３、ベリードビア１４、内層導体層１３及びブラインドビアホール１２は、図１に示すように、この順に配置され一体化されており、これらは互いに電気的に接続されている。
内層基板１０は、例えば、電子部品をマザーボードに実装する際に、ピッチ変換などを行うためのパッケージ基板に用いられる基板などに好適に用いることができる。電子部品としては、集積回路（ＩＣ）などが挙げられる。
絶縁基板１１としては、例えば、ガラス織布（ガラスクロス）又はガラス不織布に、絶縁性のあるエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）などを含浸して硬化させたものなどを用いることができる。
ブラインドビアホール１２は、第２導体パターン２０と内層導体層１３とを電気的に接続する。ブラインドビアホール１２を構成する材質としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）などの金属；これらを２種以上組み合わせた合金などを用いることができる。
内層導体層１３は、信号層、電源層、グラウンド層などを含む。内層導体層１３を構成する材質としては、ブラインドビアホール１２を構成する材質として例示したものと同様のものを用いることができる。本実施形態では、内層基板１０は内層導体層１３を２層有するが、本発明はこれに限定されず、内層基板は内層導体層を１層又は３層以上有していてもよいし、内層導体層を有しなくともよい。内層基板１０が内層導体層１３を有しない場合、内層基板１０の両面に形成された第２導体パターン２０同士は、スルーホールビアにより電気的に接続される。
ベリードビア１４は、内層導体層１３同士を電気的に接続する。ベリードビア１４を構成する材質としては、ブラインドビアホール１２を構成する材質として例示したものと同様のものを用いることができる。
なお、本実施形態では、導体層１５は、ブラインドビアホール１２と、内層導体層１３と、ベリードビア１４とを備えるが、本発明はこれに限定されない。
〔第２導体パターン〕
第２導体パターン２０は、例えば、ピッチ変換などに利用される。第２導体パターン２０を構成する材質としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）などの金属；これらを２種以上組み合わせた合金などを用いることができる。第２導体パターン２０の厚みは、好ましくは２〜２０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍ、さらに好ましくは２〜５μｍである。第２導体パターン２０を構成する、隣接する導体の配線ピッチは、好ましくは２〜２０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍ、さらに好ましくは２〜５μｍである。
第２導体パターン２０は、例えば、ピッチ変換などに利用される。第２導体パターン２０を構成する材質としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）などの金属；これらを２種以上組み合わせた合金などを用いることができる。第２導体パターン２０の厚みは、好ましくは２〜２０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍ、さらに好ましくは２〜５μｍである。第２導体パターン２０を構成する、隣接する導体の配線ピッチは、好ましくは２〜２０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍ、さらに好ましくは２〜５μｍである。
なお、本実施形態では、第２導体パターン２０は、図１に示すように、内層基板１０の両面に形成されており、内層基板１０の導体層１５と、ビアホール６０とは第２導体パターン２０を介して電気的に接続されているが、本発明はこれに限定されず、内層基板の両面に第２導体パターンが形成されておらず、内層基板の導体層とビアホールとが接触してこれらが電気的に接続されていてもよい。
〔第１導体パターン〕
第１導体パターン５０は、例えば、電子部品が電気的に接続される部位を有する。第１導体パターン５０は、図１に示すように、第２絶縁層４０を貫通し、第１絶縁層３０の表面を底面として形成されている。第１導体パターン５０の表面は、第２絶縁層４０の表面と同一平面となるように形成されている。すなわち、第１導体パターン５０は、いわゆるフラッシュ導体として、第２絶縁層４０に埋め込まれている。第１導体パターン５０の側面と第２絶縁層４０の内壁面とは接している。第１導体パターン５０を構成する材質としては、第２導体パターン２０を構成する材質として例示したものと同様のものを用いることができる。第１導体パターン５０の厚みは、好ましくは２〜２０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍ、さらに好ましくは２〜５μｍである。第１導体パターン５０を構成する、隣接する導体の配線ピッチは、好ましくは２〜２０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍ、さらに好ましくは２〜５μｍである。
第１導体パターン５０は、例えば、電子部品が電気的に接続される部位を有する。第１導体パターン５０は、図１に示すように、第２絶縁層４０を貫通し、第１絶縁層３０の表面を底面として形成されている。第１導体パターン５０の表面は、第２絶縁層４０の表面と同一平面となるように形成されている。すなわち、第１導体パターン５０は、いわゆるフラッシュ導体として、第２絶縁層４０に埋め込まれている。第１導体パターン５０の側面と第２絶縁層４０の内壁面とは接している。第１導体パターン５０を構成する材質としては、第２導体パターン２０を構成する材質として例示したものと同様のものを用いることができる。第１導体パターン５０の厚みは、好ましくは２〜２０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍ、さらに好ましくは２〜５μｍである。第１導体パターン５０を構成する、隣接する導体の配線ピッチは、好ましくは２〜２０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍ、さらに好ましくは２〜５μｍである。
なお、本実施形態では、第１導体パターン５０の表面は、第２絶縁層４０の表面と同一平面となるように形成されているが、本発明はこれに限定されず、第１導体パターンの表面は、第２絶縁層の表面に対して内層基板１０側とは反対側に盛り上がるように形成されていてもよい。
〔ビアホール〕
ビアホール６０は、図１に示すように、第１絶縁層３０を貫通し、導体層１５と第１導体パターン５０とが第２導体パターン２０を介して電気的に接続されるように形成されている。すなわち、ビアホール６０は、図１に示すように、第１導体パターン５０の内層基板１０側の面の一部から内層基板１０側に向かって第１絶縁層３０を貫通して形成されている。ビアホール６０を形成する位置は、導体層１５、第１導体パターン５０及び第２導体パターン２０の位置、サイズなどに応じて適宜調整すればよい。ビアホール６０の側面と第１絶縁層３０の内壁面とは接している。ビアホール６０を構成する材質としては、第２導体パターン２０を構成する材質として例示したものと同様のものを用いることができる。ビアホール６０の断面形状は、第１絶縁層３０側から第２絶縁層４０側に向かって、拡径するテーパ状であることが好ましい。ビアホール６０の直径は、好ましくは５〜２０μｍである。
ビアホール６０は、図１に示すように、第１絶縁層３０を貫通し、導体層１５と第１導体パターン５０とが第２導体パターン２０を介して電気的に接続されるように形成されている。すなわち、ビアホール６０は、図１に示すように、第１導体パターン５０の内層基板１０側の面の一部から内層基板１０側に向かって第１絶縁層３０を貫通して形成されている。ビアホール６０を形成する位置は、導体層１５、第１導体パターン５０及び第２導体パターン２０の位置、サイズなどに応じて適宜調整すればよい。ビアホール６０の側面と第１絶縁層３０の内壁面とは接している。ビアホール６０を構成する材質としては、第２導体パターン２０を構成する材質として例示したものと同様のものを用いることができる。ビアホール６０の断面形状は、第１絶縁層３０側から第２絶縁層４０側に向かって、拡径するテーパ状であることが好ましい。ビアホール６０の直径は、好ましくは５〜２０μｍである。
なお、本実施形態では、図１に示すように、内層基板１０の両面に、第２導体パターン２０、第１絶縁層３０、第２絶縁層４０、第１導体パターン５０及びビアホール６０を備えるが、本発明はこれに限定されず、内層基板の一方の面のみに、第１絶縁層、第２絶縁層、第２導体パターン及びビアホールを備えていてもよいし、内層基板の一方の面のみに、第２導体パターン、第１絶縁層、第２絶縁層、第２導体パターン及びビアホールを備えていてもよい。また、本実施形態では、図１に示すように、ビアホール６０は、図１に示すように、第１導体パターン５０の内層基板１０側の面の一部から内層基板１０側に向かって第１絶縁層３０を貫通して形成されているが、本発明はこれに限定されず、第１導体パターンの内層基板側の全面から内層基板側に向かって第１絶縁層を貫通して形成されていてもよい。
{本実施形態に係るプリント配線板の製造方法}
図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ及び図５（以下、図２〜図５）は、本実施形態に係るプリント配線板の製造方法を説明するための概略断面図である。図３Ａ及び図３Ｂ中の矢印は、露光時の光の照射方向を示す。図３Ａ、図３Ｂ及び図４Ａでは、塩基３２を「−」を、酸４２を「＋」を用いて表しており、第１感光性樹脂層３１及び第２感光性樹脂層４１の、露光により発生した塩基３２又は酸４２が存在する部位のハッチングは省略している。図２〜図５において、図１に示す実施形態の構成部材と同一の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ及び図５（以下、図２〜図５）は、本実施形態に係るプリント配線板の製造方法を説明するための概略断面図である。図３Ａ及び図３Ｂ中の矢印は、露光時の光の照射方向を示す。図３Ａ、図３Ｂ及び図４Ａでは、塩基３２を「−」を、酸４２を「＋」を用いて表しており、第１感光性樹脂層３１及び第２感光性樹脂層４１の、露光により発生した塩基３２又は酸４２が存在する部位のハッチングは省略している。図２〜図５において、図１に示す実施形態の構成部材と同一の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
本実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、以下の工程（Ａ１）〜工程（Ｈ１）をこの順で行う。これにより、図１に示すプリント配線板１が得られる。
工程（Ａ１）：内部に導体層１５が形成された内層基板１０を準備する工程、
工程（Ｂ１）：内層基板１０の表面に第２導体パターン２０を形成し、第２導体パターン２０を覆うように内層基板１０の表面に、酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層３１を配置する工程、
工程（Ｃ１）：酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層４１を、第１感光性樹脂層３１の表面に配置して、２層レジスト膜７１を形成する工程、
工程（Ｄ１）：２層レジスト膜７１を露光して、第１導体パターン用凹部７０Ａを形成する部分７１Ａに、光塩基発生剤から塩基３２を発生させる工程、
工程（Ｅ１）：２層レジスト膜７１を露光して、第１導体パターン用凹部７０Ａを形成する部分７１Ａ及びビアホール用凹部７０Ｂを形成する部分７１Ｂに、光酸発生剤から酸４２を発生させる工程、
工程（Ｆ１）：露光した２層レジスト膜７１に露光後ベークを行う工程、
工程（Ｇ１）：露光後ベークを行った２層レジスト膜７２を現像液で現像して、第１導体パターン用凹部７０Ａ及びビアホール用凹部７０Ｂを形成する工程、
工程（Ｈ１）：めっき処理又は導電性ペーストの印刷を行い、第１導体パターン用凹部７０Ａに第１導体パターン５０を、ビアホール用凹部７０Ｂにビアホール６０をそれぞれ形成し、ビアホール６０及び第２導体パターン２０で導体層１５と第１導体パターン５０を電気的に接続する工程。なお、以下、２層レジスト膜７１は露光後ベークを行う前の２層レジスト膜を指し、２層レジスト膜７２は露光後ベークを行った後の２層レジスト膜を指す。
工程（Ａ１）：内部に導体層１５が形成された内層基板１０を準備する工程、
工程（Ｂ１）：内層基板１０の表面に第２導体パターン２０を形成し、第２導体パターン２０を覆うように内層基板１０の表面に、酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層３１を配置する工程、
工程（Ｃ１）：酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層４１を、第１感光性樹脂層３１の表面に配置して、２層レジスト膜７１を形成する工程、
工程（Ｄ１）：２層レジスト膜７１を露光して、第１導体パターン用凹部７０Ａを形成する部分７１Ａに、光塩基発生剤から塩基３２を発生させる工程、
工程（Ｅ１）：２層レジスト膜７１を露光して、第１導体パターン用凹部７０Ａを形成する部分７１Ａ及びビアホール用凹部７０Ｂを形成する部分７１Ｂに、光酸発生剤から酸４２を発生させる工程、
工程（Ｆ１）：露光した２層レジスト膜７１に露光後ベークを行う工程、
工程（Ｇ１）：露光後ベークを行った２層レジスト膜７２を現像液で現像して、第１導体パターン用凹部７０Ａ及びビアホール用凹部７０Ｂを形成する工程、
工程（Ｈ１）：めっき処理又は導電性ペーストの印刷を行い、第１導体パターン用凹部７０Ａに第１導体パターン５０を、ビアホール用凹部７０Ｂにビアホール６０をそれぞれ形成し、ビアホール６０及び第２導体パターン２０で導体層１５と第１導体パターン５０を電気的に接続する工程。なお、以下、２層レジスト膜７１は露光後ベークを行う前の２層レジスト膜を指し、２層レジスト膜７２は露光後ベークを行った後の２層レジスト膜を指す。
本実施形態は、上記工程（Ａ１）〜工程（Ｈ１）を含むので、厚み（高さ）の異なる第１導体パターン用凹部７０Ａ及びビアホール用凹部７０Ｂを一括形成することができる。そのため、プリント配線板１の第１導体パターン５０及びビアホール６０の形成時間を従来よりも短縮することができる。
〔工程（Ａ１）〕
工程（Ａ１）では、内部に導体層１５が形成された内層基板１０を準備する。第１感光性樹脂層３１を配置する前に、内層基板１０の表面に前処理を施すことが好ましい。前処理としては、洗浄処理、密着性向上処理などが挙げられる。洗浄処理としては、例えば、ＵＶオゾン処理、超音波洗浄などが挙げられる。密着性向上処理としては、脱水ベーク及びヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理などが挙げられる。ＨＭＤＳ処理は、内層基板１０の表面にメチル基を結合させて内層基板１０の表面を疎水性にするための処理である。脱水ベークにより内層基板１０中の水分を除去し、ＨＭＤＳ処理により内層基板１０に対する第１感光性樹脂の密着性を高めることができる。
工程（Ａ１）では、内部に導体層１５が形成された内層基板１０を準備する。第１感光性樹脂層３１を配置する前に、内層基板１０の表面に前処理を施すことが好ましい。前処理としては、洗浄処理、密着性向上処理などが挙げられる。洗浄処理としては、例えば、ＵＶオゾン処理、超音波洗浄などが挙げられる。密着性向上処理としては、脱水ベーク及びヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理などが挙げられる。ＨＭＤＳ処理は、内層基板１０の表面にメチル基を結合させて内層基板１０の表面を疎水性にするための処理である。脱水ベークにより内層基板１０中の水分を除去し、ＨＭＤＳ処理により内層基板１０に対する第１感光性樹脂の密着性を高めることができる。
〔工程（Ｂ１）〕
工程（Ｂ１）では、図２Ａに示すように、内層基板１０の表面に第２導体パターン２０を形成し、第２導体パターン２０を覆うように内層基板１０の表面に、第１感光性樹脂層３１を配置する。
工程（Ｂ１）では、図２Ａに示すように、内層基板１０の表面に第２導体パターン２０を形成し、第２導体パターン２０を覆うように内層基板１０の表面に、第１感光性樹脂層３１を配置する。
第１感光性樹脂層３１を内層基板１０の表面に配置する方法としては、例えば、第１感光性樹脂組成物を内層基板１０の表面に塗布し、第１プリベークを行う方法などが挙げられる。第１プリベークを行うことにより、第１感光性樹脂層３１が溶剤を含有する場合、第１感光性樹脂層３１中に残存する溶剤を蒸発させて除去することができる。これにより、後述する工程（Ｃ１）において、第１感光性樹脂組成物と第２感光性樹脂組成物とが混合することを防ぐことができる。さらに、内層基板１０及び第１感光性樹脂層３１の密着性を高めることができる。
第１感光性樹脂組成物を内層基板１０の表面に塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、スリットコート法、スプレー法、ディップ法などが挙げられる。第１感光性樹脂層３１の表面が平坦となるように第１感光性樹脂組成物を塗布することが好ましい。第１感光性樹脂組成物の塗布量は、所望する第１絶縁層３０の厚みに応じて適宜調整すればよい。第１感光性樹脂組成物の塗布量などを調整することで、第１感光性樹脂組成物が酸増幅剤を含有しなくとも、レジストパターン７０にビアホール用凹部７０Ｂを形成しやすくなる。第１プリベークの条件は、第１感光性樹脂組成物の材質などに応じて適宜調整すればよい。第１プリベークの加熱条件は、好ましくは１００〜１５０℃である。第１プリベークの加熱時間は、好ましくは１〜１０分である。
〔工程（Ｃ１）〕
工程（Ｃ１）では、第２感光性樹脂層４１を、第１感光性樹脂層３１の表面に配置して、図２Ｂに示すように、２層レジスト膜７１を形成する。
工程（Ｃ１）では、第２感光性樹脂層４１を、第１感光性樹脂層３１の表面に配置して、図２Ｂに示すように、２層レジスト膜７１を形成する。
第２感光性樹脂層４１を第１感光性樹脂層３１の表面に配置する方法としては、例えば、第２感光性樹脂組成物を第１感光性樹脂層３１の表面に塗布し、第２プリベークを行う方法などが挙げられる。第２プリベークを行うことにより、第２感光性樹脂組成物が溶剤を含有する場合、第２感光性樹脂層４１中に残存する溶剤を蒸発させて除去することができる。さらに、第１感光性樹脂層３１及び第２感光性樹脂層４１の密着性を高めることができる。
第２感光性樹脂組成物を第１感光性樹脂層３１の表面に塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、スリットコート法、スプレー法、ディップ法などが挙げられる。第２感光性樹脂層４１の表面が平坦となるように第２感光性樹脂組成物を塗布することが好ましい。第２感光性樹脂組成物の塗布量は、所望する第２絶縁層４０の厚みに応じて適宜調整すればよい。第２プリベークの条件は、第２感光性樹脂組成物の材質などに応じて適宜調整すればよい。第２プリベークの加熱条件は、好ましくは１００〜１５０℃である。第２プリベークの加熱時間は、好ましくは１〜１０分である。
光酸発生剤及び光塩基発生剤は、吸収する光のピーク波長がそれぞれ異なることが好ましい。この場合、工程（Ｄ１）において、光酸発生剤のピーク波長よりも光塩基発生剤のピーク波長に近い波長の光で露光し、工程（Ｅ１）において、光塩基発生剤のピーク波長よりも光酸発生剤のピーク波長に近い波長の光で露光することが好ましい。これにより、各工程において、酸又は塩基の発生を制御しやすくなり、所望する第１導体パターン用凹部７０Ａ及びビアホール用凹部７０Ｂを形成しやすくなる。また、光酸発生剤及び光塩基発生剤の吸収する光の波長が重なる場合、その重なる波長帯域は小さいほど好ましい。
〔工程（Ｄ１）〕
工程（Ｄ１）では、２層レジスト膜７１を露光して、図３Ａに示すように、第１導体パターン用凹部７０Ａを形成する部分７１Ａに、光塩基発生剤から塩基３２を発生させる。光塩基発生剤から発生する塩基３２は、工程（Ｅ１）で発生する酸４２を中和し、酸４２の作用による第１高分子の分解反応を遮断する。そのため、第１感光性樹脂層３１の部分７１Ａは、現像液により溶解除去されない。
工程（Ｄ１）では、２層レジスト膜７１を露光して、図３Ａに示すように、第１導体パターン用凹部７０Ａを形成する部分７１Ａに、光塩基発生剤から塩基３２を発生させる。光塩基発生剤から発生する塩基３２は、工程（Ｅ１）で発生する酸４２を中和し、酸４２の作用による第１高分子の分解反応を遮断する。そのため、第１感光性樹脂層３１の部分７１Ａは、現像液により溶解除去されない。
具体的に、工程（Ｄ１）では、２層レジスト膜７１を第１マスクフィルム９０で覆って、部分７１Ａのみを露光する。第１感光性樹脂層３１の第１露光光９１が当たる部分７１Ａでは、光塩基発生剤の分解反応が進行し、塩基３２が発生する。第２感光性樹脂層４１の部分７１Ａでは、酸発生剤の材質などによるが、露光により酸発生剤の分解反応はほとんど進行せず、酸４２はほとんど発生しない。第１感光性樹脂層３１及び第２感光性樹脂層４１の部分７１Ａではない部分では、露光されず、光塩基発生剤及び酸発生剤の分解反応はほとんど進行しない。
第１マスクフィルム９０は、透光部９０Ａ及び遮光部を有する。透光部９０Ａは、２層レジスト膜７１の部分７１Ａに第１露光光９１が当たるように形成されている。遮光部は、第１マスクフィルム９０のうち透光部９０Ａではない部分であり、２層レジスト膜７１の部分７１Ａではない部分に第１露光光９１が当たらないように形成されている。透光部９０Ａの形状等は、第１導体パターン用凹部７０Ａの形状等に応じて適宜調整すればよい。
第１露光光９１としては、光塩基発生剤から塩基を発生させる波長を有すれば、光塩基発生剤の光の吸収特性に応じて適宜選択すればよく、例えば、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザー、極紫外（ＥＵＶ）線、ＶＵＶ（真空紫外）線、Ｘ線、電子線（ＥＢ）などを用いることができる。なかでも、第１露光光９１に用いる波長は、光塩基発生剤が吸収する光のピーク波長に近ければ近いほど好ましく、光塩基発生剤が吸収する光のピーク波長であることがより好ましい。
第１露光光９１の露光量は、第１導体パターン用凹部７０Ａの深さ、第１感光性樹脂組成物及び第２感光性樹脂組成物の材質などに応じて適宜調整すればよく、好ましくは、１０〜３００ｍＪ／ｃｍ２、より好ましくは１０〜１００ｍＪ／ｃｍ２である。
〔工程（Ｅ１）〕
工程（Ｅ１）では、２層レジスト膜７１を露光して、図３Ｂに示すように、第１導体パターン用凹部７０Ａを形成する部分７１Ａ及びビアホール用凹部７０Ｂを形成する部分７１Ｂに、光酸発生剤から酸４２を発生させる。光酸発生剤から発生する酸４２の作用により、第１高分子及び第２高分子の分解反応が進行し、第１感光性樹脂層３１及び第２感光性樹脂層４１は、現像液に対する溶解性が高くなる。そのため、酸４２の作用により第１感光性樹脂層３１及び第２感光性樹脂層４１の分解反応が進行した部分は、現像液により溶解除去される。
工程（Ｅ１）では、２層レジスト膜７１を露光して、図３Ｂに示すように、第１導体パターン用凹部７０Ａを形成する部分７１Ａ及びビアホール用凹部７０Ｂを形成する部分７１Ｂに、光酸発生剤から酸４２を発生させる。光酸発生剤から発生する酸４２の作用により、第１高分子及び第２高分子の分解反応が進行し、第１感光性樹脂層３１及び第２感光性樹脂層４１は、現像液に対する溶解性が高くなる。そのため、酸４２の作用により第１感光性樹脂層３１及び第２感光性樹脂層４１の分解反応が進行した部分は、現像液により溶解除去される。
具体的に、工程（Ｅ１）では、２層レジスト膜７１を第２マスクフィルム９２で覆って、部分７１Ａ及び部分７１Ｂを露光する。第２感光性樹脂層４１の第２露光光９３が当たる部分７１Ａ及び部分７１Ｂでは、光酸発生剤の分解反応が進行し、酸４２が発生する。第１感光性樹脂層３１の部分７１Ａ及び部分７１Ｂでは、光塩基発生剤の材質などによるが、露光により光塩基発生剤の分解反応はほとんど進行せず、塩基３２はほとんど発生しない。第１感光性樹脂層３１及び第２感光性樹脂層４１の部分７１Ａ及び部分７１Ｂではない部分では、露光されず、光塩基発生剤及び酸発生剤の分解反応はほとんど進行しない。
第２マスクフィルム９２は、第１透光部９２Ａ，第２透光部９２Ｂ、及び遮光部を有する。第１透光部９２Ａは、２層レジスト膜７１の部分７１Ａに第２露光光９３が当たるように形成されている。第２透光部９２Ｂは、２層レジスト膜７１の部分７１Ｂに第２露光光９３が当たるように形成されている。遮光部は、第２マスクフィルム９２のうち第１透光部９２Ａ及び第２透光部９２Ｂではない部分であり、２層レジスト膜７１の部分７１Ａ及び部分７１Ｂではない部分に第２露光光９３が当たらないように形成されている。第１透光部９２Ａの形状等は、第１導体パターン用凹部７０Ａの形状等に応じて適宜調整すればよい。第２透光部９２Ｂの形状等は、ビアホール用凹部７０Ｂの形状等に応じて適宜調整すればよい。
第２露光光９３としては、光酸発生剤から酸を発生させることができ、かつ第１露光光９１に用いる波長とは異なる波長を有すれば、光酸発生剤の光吸収特性に応じて適宜調整すればよく、例えば、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザー、極紫外（ＥＵＶ）線、ＶＵＶ（真空紫外）線、Ｘ線、電子線（ＥＢ）などを用いることができる。なかでも、第２露光光９３に用いる波長は、光酸発生剤が吸収する光のピーク波長に近ければ近いほど好ましく、光酸発生剤が吸収する光のピーク波長であることがより好ましい。
第２露光光９３の露光量は、第１感光性樹脂組成物及び第２感光性樹脂組成物の材質などに応じて適宜調整すればよく、好ましくは１０ｍＪ／ｃｍ２以上である。本実施形態では、第２感光性樹脂層４１で発生する酸４２の拡散は、第２露光光９３の露光量がある一定の量以上になると、第２露光光９３の露光量に依存しない傾向にある。
本実施形態では、工程（Ｄ１）を行った後に、工程（Ｅ１）を行う。これにより、第２感光性樹脂層４１で発生した酸４２が、第１感光性樹脂層３１の部分７１Ａに拡散しにくくなり、第１高分子の分解反応が遮断される。そのため、第１導体パターン用凹部７０Ａの深さを調整しやすくなる。
なお、本実施形態では、工程（Ｄ１）を行った後に、工程（Ｅ１）を行うが、本発明はこれに限定されず、工程（Ｅ１）を行った後に、工程（Ｄ１）を行ってもよい。
〔工程（Ｆ１）〕
工程（Ｆ１）では、露光した２層レジスト膜７１に露光後ベーク（ＰＥＢ、Ｐｏｓｔ−Ｅｘｐｏｓｕｒｅ−Ｂａｋｅ）を行う。これにより、工程（Ｄ１）及び工程（Ｅ１）における露光時の２層レジスト膜７１中で生じる定在波の影響を遮断し、潜像を形成することができる。すなわち、露光後ベークを行うことにより、酸４２の拡散を促進するとともに、第１高分子及び第２高分子の分解反応の速度を加速する。その結果、第１感光性樹脂層３１のビアホール用凹部７０Ｂを形成する部分７１Ｂに酸４２が拡散し、第１感光性樹脂層３１の部分７１Ｂの分解反応が進行しやすくなる。第１感光性樹脂層３１の部分７１Ａでは、塩基３２が拡散しているため、酸４２は中和されて、第２感光性樹脂層４１中で発生した酸４２は、第１感光性樹脂層３１中にほとんど拡散しない。一方で、第１感光性樹脂層３１の部分７１Ｂでは、塩基３２が拡散していないため、第２感光性樹脂層４１中で発生した酸４２は、第１感光性樹脂層３１中に拡散する。これにより、図４Ａに示すように、酸４２が拡散した部分７１Ｂを有する第１絶縁層３０の表面に、酸４２が拡散した部分７１Ａ及び部分７１Ｂを有する第２絶縁層４０を積層してなる、２層レジスト硬化膜が得られる。
工程（Ｆ１）では、露光した２層レジスト膜７１に露光後ベーク（ＰＥＢ、Ｐｏｓｔ−Ｅｘｐｏｓｕｒｅ−Ｂａｋｅ）を行う。これにより、工程（Ｄ１）及び工程（Ｅ１）における露光時の２層レジスト膜７１中で生じる定在波の影響を遮断し、潜像を形成することができる。すなわち、露光後ベークを行うことにより、酸４２の拡散を促進するとともに、第１高分子及び第２高分子の分解反応の速度を加速する。その結果、第１感光性樹脂層３１のビアホール用凹部７０Ｂを形成する部分７１Ｂに酸４２が拡散し、第１感光性樹脂層３１の部分７１Ｂの分解反応が進行しやすくなる。第１感光性樹脂層３１の部分７１Ａでは、塩基３２が拡散しているため、酸４２は中和されて、第２感光性樹脂層４１中で発生した酸４２は、第１感光性樹脂層３１中にほとんど拡散しない。一方で、第１感光性樹脂層３１の部分７１Ｂでは、塩基３２が拡散していないため、第２感光性樹脂層４１中で発生した酸４２は、第１感光性樹脂層３１中に拡散する。これにより、図４Ａに示すように、酸４２が拡散した部分７１Ｂを有する第１絶縁層３０の表面に、酸４２が拡散した部分７１Ａ及び部分７１Ｂを有する第２絶縁層４０を積層してなる、２層レジスト硬化膜が得られる。
露光後ベークの条件は、第１感光性樹脂組成物及び第２感光性樹脂組成物の材質などに応じて適宜調整すればよい。露光後ベークの加熱条件は、好ましくは１００〜１５０℃である。露光後ベークの加熱時間は、好ましくは１〜１０分である。
〔工程（Ｇ１）〕
工程（Ｇ１）では、露光後ベークした２層レジスト膜７２を現像液で現像して、第１導体パターン用凹部７０Ａ及びビアホール用凹部７０Ｂを形成する。これにより、酸４２の作用により、第１高分子及び第２高分子の分解反応が進行した部分が溶解除去され、図４Ｂに示すレジストパターン７０が得られる。
工程（Ｇ１）では、露光後ベークした２層レジスト膜７２を現像液で現像して、第１導体パターン用凹部７０Ａ及びビアホール用凹部７０Ｂを形成する。これにより、酸４２の作用により、第１高分子及び第２高分子の分解反応が進行した部分が溶解除去され、図４Ｂに示すレジストパターン７０が得られる。
現像液としては、第１感光性樹脂組成物及び第２感光性樹脂組成物の材質に応じて適宜調整すればよく、アルカリ水溶液、キシレン系有機溶剤などが挙げられる。アルカリ水溶液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液などが挙げられる。現像方法としては、例えば、ディップ現像法、スプレー現像法などが挙げられる。
現像後、レジストパターン７０に残存する現像液を除去するために、純水などのリンス液でレジストパターン７０を洗浄することが好ましい。さらに、リンス液での洗浄後、リンス液を除去するために、レジストパターン７０を乾燥することが好ましい。リンス液としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどが挙げられ、１種単独であっても、２種以上を混合して用いることができる。
現像後、ポストベーク（ハードベーク）を行なってもよい。これにより、第１絶縁層３０と第２絶縁層４０との密着性、第１絶縁層３０と内層基板１０との密着性を高めることができる。
ポストベークの条件は、第１感光性樹脂組成物及び第２感光性樹脂組成物の材質などに応じて適宜調整すればよい。ポストベークの加熱条件は、好ましくは８０〜１５０℃である。ポストベークの加熱時間は、好ましくは１〜１０分である。
〔工程（Ｈ１）〕
工程（Ｈ１）では、めっき処理又は導電性ペーストの印刷を行い、第１導体パターン用凹部７０Ａに第１導体パターン５０を、ビアホール用凹部７０Ｂにビアホール６０をそれぞれ形成し、図１に示すように、ビアホール６０及び第２導体パターン２０で導体層１５と第１導体パターン５０とを電気的に接続する。
工程（Ｈ１）では、めっき処理又は導電性ペーストの印刷を行い、第１導体パターン用凹部７０Ａに第１導体パターン５０を、ビアホール用凹部７０Ｂにビアホール６０をそれぞれ形成し、図１に示すように、ビアホール６０及び第２導体パターン２０で導体層１５と第１導体パターン５０とを電気的に接続する。
めっき処理法としては、例えば、無電解めっき、電気めっき（電解めっき）、真空めっき（真空蒸着）などが挙げられる。導電性ペーストの印刷法としては、例えば、グラビア印刷法などが挙げられる。
後の工程で電子部品を第１導体パターン５０に電気的に接続する場合などには、あらかじめ工程（Ｈ１）において、第１導体パターン用凹部７０Ａ内及びビアホール用凹部７０Ｂ内を導体８０で充填することが好ましい。第１導体パターン用凹部７０Ａにおける導体８０の層の厚さが第２絶縁層４０の厚さに比べて薄いと、プリント配線板１の表面に段差が生じて、搭載される電子部品がはんだ付けの際に傾くおそれがある。第１導体パターン用凹部７０Ａ及びビアホール用凹部７０Ｂを導体８０で充填しておけば、プリント配線板１の表面の段差がなくなり、電子部品を傾くことなく搭載することができる。これにより、電子部品と第１導体パターン５０との電気的な接続信頼性を高めることができる。
〔工程（Ｉ１）〕
工程（Ｈ１）でめっき処理又は導電性ペーストの印刷を行うと、図５に示すように、第２絶縁層４０の表面に導体８０が残存しやすい。この導体８０により、電気的に接続すべきでない第１導体パターン５０同士が電気的に接続されるおそれがある。そこで、工程（Ｈ１）を行なった後に、第２絶縁層４０の表面に残存する導体８０を除去する工程（Ｉ１）を行なってもよい。
工程（Ｈ１）でめっき処理又は導電性ペーストの印刷を行うと、図５に示すように、第２絶縁層４０の表面に導体８０が残存しやすい。この導体８０により、電気的に接続すべきでない第１導体パターン５０同士が電気的に接続されるおそれがある。そこで、工程（Ｈ１）を行なった後に、第２絶縁層４０の表面に残存する導体８０を除去する工程（Ｉ１）を行なってもよい。
導体８０の除去方法は、例えば、フラッシュエッチング（クイックエッチング法）、ソフトエッチング（マイクロエッチング）、化学機械研磨（ＣＭＰ：chemical mechanical polishing）が挙げられる。これらの方法により、第２絶縁層４０の表面に残存する不要な導体８０を除去することができる。工程（Ｈ１）で第１導体パターン用凹部７０Ａ及びビアホール用凹部７０Ｂが導体８０で充填されていれば、図１に示すように、第１導体パターン５０の表面と第２絶縁層４０の表面との間に段差はなくなり、第１導体パターン５０の表面と第２絶縁層４０の表面とは同一平面を形成することとなる。
上記の工程（Ａ１）〜工程（Ｈ１）を経て、図１に示すプリント配線板１を製造することができる。製造されたプリント配線板１を内層基板１０として上記の工程（Ａ１）〜工程（Ｈ１）を繰り返して、さらに多層化してもよい。
なお、本実施形態は、第２導体パターン２０を備えたプリント配線板１の製造方法であるが、本発明はこれに限定されず、第２導体パターンを備えないプリント配線板の製造方法を包含する。この場合、工程（Ｂ１）において、内層基板の表面に第１感光性樹脂層を配置し、工程（Ｈ１）において、ビアホールで導体層と第１導体パターンとを電気的に接続する他は、上述した本実施形態と同様にして行えばよい。
{本実施形態に係るレジストパターンの製造方法}
図６Ａ〜図６Ｆは、本実施形態に係るレジストパターンの製造方法を説明するための概略断面図である。図６Ｃ及び図６Ｄ中の矢印は、露光時の光の照射方向を示す。図６Ｃ〜図６Ｅでは、塩基３２を「−」を、酸４２を「＋」を用いて表しており、第１感光性樹脂層３１及び第２感光性樹脂層４１の、露光により発生した塩基３２又は酸４２が存在する部位のハッチングは省略している。
図６Ａ〜図６Ｆは、本実施形態に係るレジストパターンの製造方法を説明するための概略断面図である。図６Ｃ及び図６Ｄ中の矢印は、露光時の光の照射方向を示す。図６Ｃ〜図６Ｅでは、塩基３２を「−」を、酸４２を「＋」を用いて表しており、第１感光性樹脂層３１及び第２感光性樹脂層４１の、露光により発生した塩基３２又は酸４２が存在する部位のハッチングは省略している。
図６Ａ〜図６Ｆにおいて、図１及び図２〜図５に示す実施形態の構成部材と同一の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
本実施形態に係るレジストパターンの製造方法は、以下の工程（Ｂ２）〜工程（Ｇ２）をこの順で行う。これにより、図６Ｆに示す有底孔７０Ｃ及び貫通孔７０Ｄを有するレジストパターン７０が得られる。
工程（Ｂ２）：図６Ａに示すように、酸分解性を有する第１感光性樹脂と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層３１を、基板１０の表面に配置する工程、
工程（Ｃ２）：酸分解性を有する第２感光性樹脂と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層４１を、第１感光性樹脂層３１の表面に配置して、図６Ｂに示すように、２層レジスト膜７１を形成する工程、
工程（Ｄ２）：２層レジスト膜７１を露光して、図６Ｃに示すように、有底孔７０Ｃを形成する部分７１Ｃに、光塩基発生剤から塩基３２を発生させる工程、
工程（Ｅ２）：２層レジスト膜７１を露光して、図６Ｄに示すように、有底孔７０Ｃを形成する部分７１Ｃ及び貫通孔７０Ｄを形成する部分７１Ｄに、光酸発生剤から酸４２を発生させる工程、
工程（Ｆ２）：露光した２層レジスト膜７１に、図６Ｅに示すように露光後ベークを行う工程、
工程（Ｇ２）：露光後ベークした２層レジスト膜７２を現像液で現像して、図６Ｆに示すように、有底孔７０Ｃ及び貫通孔７０Ｄを形成する工程。
工程（Ｂ２）：図６Ａに示すように、酸分解性を有する第１感光性樹脂と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層３１を、基板１０の表面に配置する工程、
工程（Ｃ２）：酸分解性を有する第２感光性樹脂と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層４１を、第１感光性樹脂層３１の表面に配置して、図６Ｂに示すように、２層レジスト膜７１を形成する工程、
工程（Ｄ２）：２層レジスト膜７１を露光して、図６Ｃに示すように、有底孔７０Ｃを形成する部分７１Ｃに、光塩基発生剤から塩基３２を発生させる工程、
工程（Ｅ２）：２層レジスト膜７１を露光して、図６Ｄに示すように、有底孔７０Ｃを形成する部分７１Ｃ及び貫通孔７０Ｄを形成する部分７１Ｄに、光酸発生剤から酸４２を発生させる工程、
工程（Ｆ２）：露光した２層レジスト膜７１に、図６Ｅに示すように露光後ベークを行う工程、
工程（Ｇ２）：露光後ベークした２層レジスト膜７２を現像液で現像して、図６Ｆに示すように、有底孔７０Ｃ及び貫通孔７０Ｄを形成する工程。
本実施形態は、上記工程（Ｂ２）〜（Ｇ２）を含むので、有底孔７０Ｃ及び貫通孔７０Ｄを一括形成することができる。
〔工程（Ｂ２）〜工程（Ｇ２）〕
工程（Ｂ２）〜工程（Ｇ２）は、上述したプリント配線板の製造方法における工程（Ｂ１）〜工程（Ｇ１）と同様である。有底孔７０Ｃの深さ７０Ｈは、得られるレジストパターンの使用用途などに応じ適宜調整すればよく、第２露光光９３の露光量などを制御することにより調整することができる。有底孔７０Ｃ及び貫通孔７０Ｄの形状、サイズなどは、得られるレジストパターンの使用用途などに応じ適宜調整すればよい。
工程（Ｂ２）〜工程（Ｇ２）は、上述したプリント配線板の製造方法における工程（Ｂ１）〜工程（Ｇ１）と同様である。有底孔７０Ｃの深さ７０Ｈは、得られるレジストパターンの使用用途などに応じ適宜調整すればよく、第２露光光９３の露光量などを制御することにより調整することができる。有底孔７０Ｃ及び貫通孔７０Ｄの形状、サイズなどは、得られるレジストパターンの使用用途などに応じ適宜調整すればよい。
なお、本実施形態では、工程（Ｄ２）を行った後に、工程（Ｅ２）を行うが、本発明はこれに限定されず、工程（Ｅ２）を行った後に、工程（Ｄ２）を行ってもよい。
［レジストパターン］
このようにして得られるレジストパターン７０は、図６Ｆに示すように、第１絶縁層３０の表面に第２絶縁層４０を積層してなり、有底孔７０Ｃ及び貫通孔７０Ｄを有する。
このようにして得られるレジストパターン７０は、図６Ｆに示すように、第１絶縁層３０の表面に第２絶縁層４０を積層してなり、有底孔７０Ｃ及び貫通孔７０Ｄを有する。
なお、本実施形態では、有底孔７０Ｃは、図６Ｆに示すように、その深さ７０Ｈが第２絶縁層４０の厚みと一致するように形成されているが、本発明はこれに限定されず、有底孔は、その深さが第２絶縁層の厚みよりも短くなるように形成されていてもよいし、その深さが第２絶縁層の厚みよりも長くなるように形成されていてもよい。
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
［実施例１］
第１高分子として合成した「poly(p-tert-butoxycarbonyloxy styrene)」、光塩基発生剤として、合成した「1,3-bis[1-(2-nitro-4,5-dimethoxybenzyloxycarbonyl)-4-piperidyl]propane」、有機溶剤として、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、を準備した。
第１高分子として合成した「poly(p-tert-butoxycarbonyloxy styrene)」、光塩基発生剤として、合成した「1,3-bis[1-(2-nitro-4,5-dimethoxybenzyloxycarbonyl)-4-piperidyl]propane」、有機溶剤として、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、を準備した。
なお、第１高分子として用いたpoly(p-tert-butoxycarbonyloxy styrene)は、p-hydroxybenzaldehydeの水酸基をＢＯＣ保護し、ラジカル重合によって合成した。分子量は約1〜10万程度である。また、光塩基発生剤として用いた1,3-bis[1-(2-nitro-4,5-dimethoxybenzyloxycarbonyl)-4-piperidyl]propaneは、ｏ−ニトロべンジル型光塩基発生剤であり、2-nitro-4,5-methoxybenzylalcoholとp-nitroformchloroformateから2-nitro-4,5-dimethoxybenzyl-4’-nitrophenylcarbonateを合成し、さらに1,3-di(4-pyperidyl)propaneと反応させることで合成した。
これらの原料を、第１高分子を９５質量部、光塩基発生剤を５質量部となるように配合し、さらに有機溶剤を混合し、不揮発性（固形分）が２５質量％となるように第１感光性樹脂組成物を調製した。
得られた第１感光性樹脂組成物を、基板１０（松浪硝子工業株式会社製の「ガラスプレート」）の表面に、第１絶縁層の厚みが５μｍとなるようにスピンコート法により塗布し、第１プリベークを行なった。これにより、図６Ａに示すように、表面が平坦である第１感光性樹脂層３１を、基板１０の表面に配置した。第１プリベークの条件は、加熱温度が１００℃、加熱時間１分間であった。
第２高分子として、合成した「poly(p-tert-butoxycarbonyloxy styrene)」、光酸発生剤として、和光純薬工業株式会社製の「WPAG336」、有機溶剤として、ＴＨＦ：ヘキサン＝７:３（重量比）の混合溶媒を準備した。
本実施例では、第１高分子と第２高分子とは同材料を用いた。
これらの原料を、第２高分子を９０質量部、光酸発生剤を１０質量部となるように配合し、さらに有機溶剤を混合し、不揮発性（固形分）が２５質量％となるように第２感光性樹脂組成物を調製した。
得られた第２感光性樹脂組成物を、第１感光性樹脂層３１の表面に、第２絶縁層の厚みが５μｍとなるようにスピンコート法により塗布し、第２プリベークを行なった。これにより、図６Ｂに示すように、表面が平坦である第２感光性樹脂層４１を、第１感光性樹脂層３１の表面に配置して、２層レジスト膜７１を得た。第２プリベークの条件は、加熱温度が１００℃、加熱時間が１分であった。
２層レジスト膜７１を第１マスクフィルム９０で覆って、図６Ｃに示すように、有底孔７０Ｃを形成する部分７１Ｃのみを露光し部分７１Ｃ直下の第１感光性樹脂層部の塩基を発生させた。第１マスクフィルム９０の透光部９０Ａは、幅１００μｍの略バー形状であった。第１露光光９１の波長は３６５ｎｍ、露光量は１５０ｍＪ／ｃｍ２であった。
２層レジスト膜７１を第２マスクフィルム９２で覆って、図６Ｄに示すように、有底孔７０Ｃを形成する部分７１Ｃ及び貫通孔７０Ｄを形成する部分７１Ｄを露光した。この露光により部分７１Ｃ直下及び部分７１Ｄ直下の第２感光性樹脂層部の酸を発生し、有底孔７０Ｃ及び貫通孔７０Ｄの露光が促進された。第２露光光９３の波長は２４８ｎｍ、露光量は１５０ｍＪ／ｃｍ２であった。
露光した２層レジスト膜７１に、図６Ｅに示すように露光後ベークを行なった。露光後ベークの条件は、加熱温度１００℃、加熱時間２分であった。
露光後ベークした２層レジスト膜７２をアルカリ現像液（和光純薬工業株式会社製の「3wt％NaOH水溶液」）で現像して、有底孔７０Ｃを形成した。これにより、有底孔７０Ｃ及び貫通孔７０Ｄを有するレジストパターンを得た。得られたレジストパターンの有底孔７０Ｃは、幅７０Ｗが９８．２μｍ、深さ７０Ｈが３．２μｍであった。
１ プリント配線板
１０ 内層基板、基板
１５ 導体層
２０ 第２導体パターン
３０ 第１絶縁層
３１ 第１感光性樹脂層
３２ 塩基
４０ 第２絶縁層
４１ 第２感光性樹脂層
４２ 酸
５０ 第１導体パターン
６０ ビアホール
７０ レジストパターン
７０Ａ 第１導体パターン用凹部
７０Ｂ ビアホール用凹部
７０Ｃ 有底孔
７０Ｄ 貫通孔
７１、７２ ２層レジスト膜
８０ 導体
９０ 第１マスクフィルム
９２ 第２マスクフィルム
１０ 内層基板、基板
１５ 導体層
２０ 第２導体パターン
３０ 第１絶縁層
３１ 第１感光性樹脂層
３２ 塩基
４０ 第２絶縁層
４１ 第２感光性樹脂層
４２ 酸
５０ 第１導体パターン
６０ ビアホール
７０ レジストパターン
７０Ａ 第１導体パターン用凹部
７０Ｂ ビアホール用凹部
７０Ｃ 有底孔
７０Ｄ 貫通孔
７１、７２ ２層レジスト膜
８０ 導体
９０ 第１マスクフィルム
９２ 第２マスクフィルム
Claims (12)
- 内部に導体層が形成された内層基板と、
前記内層基板の表面に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の表面に形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層を貫通し、前記第１絶縁層の表面を底面として形成された第１導体パターンと、
前記第１絶縁層を貫通し、前記導体層と前記第１導体パターンとを電気的に接続するように形成されたビアホールとを備え、
前記第１絶縁層は、酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層の硬化物からなり、
前記第２絶縁層は、酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層の硬化物からなる
プリント配線板。 - 前記第１感光性樹脂層と前記第２感光性樹脂層とは、吸収する光のピーク波長が異なる請求項１に記載のプリント配線板。
- 前記第１感光性樹脂組成物は、酸増幅剤をさらに含有する請求項１又は２に記載のプリント配線板。
- 前記内層基板の表面に第２導体パターンが形成されており、前記導体層と前記第１導体パターンとは前記第２導体パターンを介して電気的に接続されている請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント配線板。
- 以下の工程（Ａ１）〜工程（Ｈ１）を含む、プリント配線板の製造方法。
工程（Ａ１）：内部に導体層が形成された内層基板を準備する工程、
工程（Ｂ１）：前記内層基板の表面に、酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層を配置する工程、
工程（Ｃ１）：酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層を、前記第１感光性樹脂層の表面に配置して、２層レジスト膜を形成する工程、
工程（Ｄ１）：前記２層レジスト膜を露光して、第１導体パターン用凹部を形成する部分に、前記光塩基発生剤から塩基を発生させる工程、
工程（Ｅ１）：前記２層レジスト膜を露光して、前記第１導体パターン用凹部及びビアホール用凹部を形成する部分に、前記光酸発生剤から酸を発生させる工程、
工程（Ｆ１）：露光した２層レジスト膜に露光後ベークを行う工程、
工程（Ｇ１）：前記露光後ベークを行った２層レジスト膜を現像液で現像して、前記第１導体パターン用凹部及びビアホール用凹部を形成する工程、
工程（Ｈ１）：めっき処理又は導電性ペーストの印刷を行い、前記第１導体パターン用凹部に前記第１導体パターンを、前記ビアホール用凹部に前記ビアホールをそれぞれ形成し、前記ビアホールで前記導体層と前記第１導体パターンとを電気的に接続する工程。 - 前記第１感光性樹脂組成物は、酸増幅剤をさらに含有する請求項５に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記工程（Ｄ１）を行った後に、前記工程（Ｅ１）を行う請求項５又は６に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記工程（Ｅ１）を行った後に、前記工程（Ｄ１）を行う請求項５又は６に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記光酸発生剤及び光塩基発生剤は、吸収する光のピーク波長がそれぞれ異なり、
前記工程（Ｄ１）において、前記光酸発生剤のピーク波長よりも前記光塩基発生剤のピーク波長に近い波長の光で露光し、
前記工程（Ｅ１）において、前記光塩基発生剤のピーク波長よりも前記光酸発生剤のピーク波長のピーク波長に近い波長の光で露光する
請求項５〜８のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。 - 前記工程（Ｂ１）において、前記内層基板の表面に第２導体パターンを形成し、前記第２導体パターンを覆うように前記内層基板の表面に前記第１感光性樹脂層を配置し、
前記工程（Ｈ１）において、前記ビアホール及び前記第２導体パターンで前記導体層と前記第１導体パターンとを電気的に接続する
請求項５〜９のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。 - 以下の工程（Ｂ２）〜工程（Ｇ２）を含む、レジストパターンの製造方法。
工程（Ｂ２）：酸分解性を有する第１高分子と、光塩基発生剤とを含有する第１感光性樹脂組成物からなる第１感光性樹脂層を、基板の表面に配置する工程、
工程（Ｃ２）：酸分解性を有する第２高分子と、光酸発生剤とを含有する第２感光性樹脂組成物からなる第２感光性樹脂層を、前記第１感光性樹脂層の表面に配置して、２層レジスト膜を形成する工程、
工程（Ｄ２）：前記２層レジスト膜を露光して、有底孔を形成する部分に、前記光塩基発生剤から塩基を発生させる工程、
工程（Ｅ２）：前記２層レジスト膜を露光して、前記有底孔及び貫通孔を形成する部分に、前記光酸発生剤から酸を発生させる工程、
工程（Ｆ２）：露光した２層レジスト膜に露光後ベークを行う工程、
工程（Ｇ２）：前記露光後ベークを行った２層レジスト膜を現像液で現像して、前記有底孔及び貫通孔を形成する工程。 - 前記第１感光性樹脂組成物は、酸増幅剤をさらに含有する請求項１１に記載のレジストパターンの製造方法。
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|---|---|---|---|---|
| JP2004311927A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 多層印刷回路基板の製造方法 |
| JP2007059777A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Fujikura Ltd | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
| JP2009015158A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Kaneka Corp | プリント配線板の製造方法 |
| JP2010131954A (ja) * | 2007-12-19 | 2010-06-17 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP2012018197A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
| JP2013240314A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-12-05 | Kyocer Slc Technologies Corp | 遺伝子解析用配線基板の製造方法 |
| JP2014033174A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法 |
-
2016
- 2016-11-17 JP JP2016224525A patent/JP6876952B2/ja active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311927A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 多層印刷回路基板の製造方法 |
| JP2007059777A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Fujikura Ltd | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
| JP2009015158A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Kaneka Corp | プリント配線板の製造方法 |
| JP2010131954A (ja) * | 2007-12-19 | 2010-06-17 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP2012018197A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
| JP2013240314A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-12-05 | Kyocer Slc Technologies Corp | 遺伝子解析用配線基板の製造方法 |
| JP2014033174A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法 |
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