JP2008103524A - 回路基板材及びその製造方法並びに電子部品装置及び多層基板 - Google Patents

Abstract

【課題】弾力性に優れ、アスペクト比が高く、狭ピッチ化に対応し得るバンプが設けられた回路基板材の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の上面の電極２，３の少なくとも一部を含む領域に感光性樹脂組成物を塗布し、感光性樹脂組成物層４を形成した後に、電極２，３の外周縁よりも露光部の外周縁が内側に位置するように感光性樹脂組成物層４を選択的に露光し、電極２，３上に位置している感光性樹脂組成物の内、露光部において、酸または塩基を発生しつつ、周囲の未露光部の感光性樹脂組成物を露光部側に移動させ、該露光部において硬化を進行させて、樹脂コア６，７を形成し、樹脂コア６，７の外表面を被覆するように導電性被膜８，９を形成してバンプ１０，１１を形成する、各工程を備える回路基板材の製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、様々な電子部品素子が搭載される回路基板や多層基板の一部の基板層を構成するための回路基板材に関し、より詳細には、樹脂コアを有するバンプが形成されている回路基板材及びその製造方法並びに該回路基板材を用いた電子部品装置及び多層基板に関する。

半導体素子などの電子部品素子を基板上に実装するに際し、ボンディングワイヤーに代わり金属バンプを用いたフリップチップボンディング工法が広く用いられてきている。フリップチップボンディング工法では、電子部品素子の下面に電子部品素子を外部と電気的に接続するための金属バンプが下方に突出するように形成されている。そして、基板上の電極ランド上に前記金属バンプが位置するように電子部品素子が搭載されている。金属バンプと電極ランドとを半田などにより電気的に接続することにより、電気的接続が図られている。

フリップチップボンディング工法では、電子部品素子の下面に上記金属バンプが設けられており、従って、電子部品素子の外側に電気的接続部分が存在しないため、実装スペースを低減することができる。

このようなフリップチップボンディング工法により電子部品素子を基板上に実装した構造は、例えば下記の特許文献１に記載されている。

また、下記の特許文献２には、導体バンプを用いた多層構造を有するプリント配線基板の製造方法が開示されている。ここでは、絶縁性基板上に配線層が形成されており、配線層の上に導電性組成物を印刷し、硬化させることにより、導体バンプが形成されている。しかる後、未硬化の絶縁シートが導体バンプ上に配置され、次に、加圧して導体バンプを絶縁シートに貫通させている。次に、絶縁性シートが硬化され、さらに、絶縁シートの上面が研磨されて平滑化され、電解メッキなどにより導体バンプに電気的に接続される配線層が形成されている。このようにして、最初の絶縁性基板上に設けられた配線層と、上記絶縁性シートの上面にメッキ等により設けられた配線層とが、上記導体バンプにより電気的に接続されている多層基板が得られている。従って、導体バンプが、多層基板のビアホール電極を構成している。

他方、下記の特許文献３には、基板上の電極ランドに、弾力性を有するバンプが設けられており、該バンプの上方から下面に端子電極を有する半導体素子を当接し、半導体素子の下面の端子電極を上記バンプに常温接合法により接合する方法が開示されている。ここでは、弾力性を有するバンプを用いることにより、バンプからの反作用により、半導体素子及び基板に負荷される荷重が軽減されるとされている。そして、上記弾力性を有するバンプの例として、樹脂コアを有し、樹脂コアの表面が導電性材料で被覆されている構造が開示されている。
特開平９−２４６３２６号公報 特開２００５−１２３６３７号公報 特開２００６−６６８０９号公報

特許文献１に記載のように、電子部品素子の下面にバンプを形成して、基板上の電極ランドに実装するフリップチップボンディング工法が広く用いられており、特許文献３のように、逆に基板上の電極ランド上にバンプを形成し、半導体素子を実装する工法も知られている。また、特許文献２に記載のように、多層基板のビアホール電極を導体バンプで形成した構造も知られている。

しかしながら、特許文献１，２に記載のようなバンプは、例えば特許文献２に記載されているように、Ａｇペーストなどの導電ペーストを印刷し、硬化させることにより形成されているのが普通である。このような方法で得られたバンプでは、バンプの高さばらつきが比較的大きいという問題があった。バンプの高さのばらつきが大きくなると、基板上に電子部品素子をバンプを用いて接合するに際し、電子部品素子が傾いたり、電極とバンプとが電気的に接続されない部分が生じたりするおそれがある。従って、バンプの高さばらつきのより一層の低減が強く求められている。

また、半導体素子などにおいては、小型化の進展に伴って、複数のバンプ間のピッチが小さくなってきている。印刷法により導体バンプを形成する方法では、このような狭ピッチ化に対応することは困難であった。

他方、特許文献３に記載の弾力性を有するバンプでは、バンプによる接合に際しての反作用による半導体素子及び／または基板の負荷を軽減することが可能とされている。しかしながら、特許文献３では、このような弾力性を有するバンプについて記載されているものの、樹脂コアと樹脂コアの表面が導電性材料で被覆されているバンプの具体的な製造方法については何ら示されていない。従来から周知の印刷法により樹脂組成物を印刷し、硬化させて樹脂コアを形成した後、メッキ等により金属被膜を形成しているものと考えられるが、このような方法では、上記導体バンプと同様に、高さのばらつきが生じざるを得ない。また、バンプ間のピッチを小さくすることが困難であり、狭ピッチ化に対応することはできない。

本発明の目的は、従来を技術の欠点を解消し、複数のバンプの高さばらつきを低減することができ、かつ弾力性を有し、バンプを用いた接合に際しての接合される部品や材料に対する負荷を軽減することができ、しかも複数のバンプ間のピッチの狭ピッチ化に対応することができるバンプを備えた回路基板材の製造方法、並びに該回路基板材、該回路基板材を用いて構成された電子部品装置及び多層基板を提供することにある。

本発明に係る回路基板材の製造方法は、上面に電極が形成された基板を用意する工程と、前記基板の上面において、前記電極の少なくとも一部を含む領域に、感光性樹脂組成物を塗布し、感光性樹脂組成物層を形成する工程と、露光部の外周縁が前記電極の外周縁よりも内側に位置するように前記感光性樹脂組成物層の一部を選択的に露光し、前記電極上に位置している感光性樹脂組成物層部分の内、光が照射された露光部において酸または塩基を発生させつつ、周囲の未露光部の感光性樹脂組成物を露光部側に移動させ、該露光部において硬化を進行させ、前記樹脂コアを形成する工程と、樹脂コアの外表面を被覆するように導電性材料からなる導電性被膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。

本発明に係る回路基板材の製造方法では、上記感光性樹脂組成物層を部分的に露光するに際しては、様々な方法を用いることができるが、好ましくは、前記感光性樹脂組成物層の一部を選択的に露光するに際し、前記電極の外周縁よりも内側に外周縁が位置する光透過部を有するマスクを介して感光性樹脂組成物層に光を照射する。この場合には、感光性樹脂組成物層を塗工した後に、上記マスクを介して光を照射するだけで、容易に樹脂コアを形成することができる。

本発明に係る回路基板材の製造方法において用いられる感光性樹脂組成物層としては、好ましくは、酸または塩基の作用により硬化する硬化性樹脂と、光の照射により酸または塩基を発生する光酸または光塩基発生剤とを含有する感光性樹脂組成物が用いられる。より好ましくは、前記感光性樹脂組成物が、酸または塩基の作用により酸または塩基を増殖的に生成する酸または塩基増殖剤をさらに含有されている。この場合には、上記感光性樹脂組成物層を部分的に露光することにより、樹脂コアを高精度に形成することが可能となる。

上記硬化性樹脂としては、特に限定されないが、好ましくはノボラック系エポキシオリゴマーが用いられる。

また、本発明においては、好ましくは、前記光酸または光塩基発生剤が、下記の式（１）で表わされる光塩基発生剤である。

また、好ましくは、前記酸または塩基増殖剤が下記の式（２）で表わされる塩基増殖剤である。

上記式（１）で表わされる光塩基発生剤を用いることにより、及び／または上記式（２）で表わされる塩基増殖剤を用いることにより、感光性樹脂組成物層の部分的な露光により、樹脂コアをより一層高精度に構成することができる。

本発明に係る回路基板材は、本発明の製造方法により得られたものであり、上面及び下面を有する基板と、前記基板の上面に設けられた電極と、前記基板の上面において前記電極上において上方に突出するように設けられたバンプとを備え、前記バンプが、樹脂コアと、樹脂コアの外表面を被覆するように設けられた導電性被膜とを有し、前記樹脂コアが、感光性樹脂組成物の硬化物からなり、該感光性樹脂組成物が、部分的に光を照射された際に、光が照射された露光部において光の照射により酸または塩基を発生し、未露光部の感光性樹脂組成物が露光部側に移動し、露光部において硬化する感光性樹脂組成物からなることを特徴とする回路基板材である。

好ましくは、上記導電性被膜は金属からなり、それによって、電気的接続の信頼性を高めることができる。

本発明に係る電子部品装置は、本発明に従って得られた回路基板材と、下面に前記回路基板材の前記バンプに接合される端子電極を有する電子部品素子とを備え、前記電子部品素子が、下面側から前記回路基板材に実装されており、かつ前記電子部品素子の下面の端子電極が前記バンプに導電性接合材により接合されていることを特徴とする。

本発明に係る多層基板は、本発明により得られた回路基板材と、前記回路基板材上に積層された少なくとも１層の回路基板層とを備える多層基板であって、前記バンプが該回路基板層内に突出されており、前記回路基板材の電極と、前記回路基板層内もしくは回路基板層の上方に設けられた電極とを電気的に接続しているビアホール電極を構成していることを特徴とする。

本発明に係る電子部品装置及び多層基板は、いずれも、本発明により得られた回路基板材を用いているため、上記回路基板材のバンプが高精度に形成されているので、電子部品装置及び多層基板における小型化、複数のバンプ内のピッチの狭ピッチ化などに容易に対応することができる。

本発明に係る回路基板材の製造方法によれば、基板の上面において、基板上の電極の少なくとも一部を含む領域に所定の厚みとなるように感光性樹脂組成物を塗布して感光性樹脂組成物層の一部を形成した後に、電極の外周縁より内側に露光部が位置するように感光性樹脂組成物層を選択的に露光するだけで、電極上に位置している感光性樹脂組成物部分の内、光が照射された露光部において酸または塩基が発生し、周囲の未露光部の感光性樹脂組成物層が露光部側に移動し、露光部において硬化が進行して、樹脂コアが形成される。そして、樹脂コアの外表面に導電性材料からなる導電性被膜を形成するだけで、電極上に樹脂コアを有する弾力性に富むバンプを形成することができる。

本発明の製造方法では、上記感光性樹脂組成物層を用いて樹脂コアを形成しているので、アスペクト比が高いバンプを形成することができ、しかもバンプを高精度に形成することができ、バンプの高さのばらつき小さくすることができる。また、多数のバンプが形成される用途に用いた場合には、バンプ間の狭ピッチ化に容易に対応することができる。

また、金属バンプと異なり、樹脂コアを有するバンプであるため、一般的にバンプよりも高さばらつきの大きい基板の凹凸を吸収することができ、それによって、基板上に電子部品素子を正しい向きに実装することができ、かつ電子部品素子の電極とバンプを確実に電気的に接続することができる。また、接合に際しての基板上の電極に対する負荷やバンプにより接合される他の部材における負荷を軽減し、これらの損傷を防止することができる。

本発明の製造方法で得られた回路基板材は様々な能動部品や受動部品を実装する回路基板として好適に用いることができる。また、本発明の製造方法により得られた回路基板材は、例えば多層基板の一部の回路基板層として用いることができ、その場合には、上記バンプによりビアホール電極を形成することができる。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１（ａ）〜図３を参照して、本発明の第１の実施形態に係る回路基板材の製造方法及び該回路基板材を用いて構成される電子部品装置を説明する。

先ず、図１（ａ）に示すように、基板１を用意する。基板１は、合成樹脂またはセラミックスなどのような適宜の絶縁性材料からなる。なお、基板１は、内部に配線層が設けられた基板であってもよい。

基板１の上面には、電極２，３が構成されている。電極２，３は、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金などの適宜の金属からなる。電極２，３は、後述する電子部品素子としての半導体素子チップが実装される電極ランドである。

本実施形態では、基板１上において、電極２，３を覆うように、所定の厚みに感光性樹脂組成物層を塗工し、感光性樹脂組成物層４を形成する。

本発明の特徴は、この感光性樹脂組成物層４を構成している感光性樹脂組成物にあり、後述するように、感光性樹脂組成物層４は、部分的に光を照射された際に、光が照射された露光部において、光の照射により酸または塩基を発生し、未露光部の感光性樹脂組成物が露光部側に移動し露光部において硬化するという性質を有する。このような感光性樹脂組成物の具体的な例につては後ほど詳述する。

感光性樹脂組成物の塗工方法は特に限定されない。例えば、スピンコーティングや、ダイコータを用いた塗工方法などの適宜の方法を用いることができる。

次に、感光性樹脂組成物層４上に、マスク５を配置して、光を照射し、感光性樹脂組成物層４を選択的に露光する。マスク５は、遮光性材料からなり、電極２，３の上方に、電極２，３よりも小さな面積の開口５ａ，５ｂを有する。開口５ａ，５ｂが光透過部となる。図１（ａ）において、平面視した場合、上記光透過部の外周縁は、電極２，３の外周縁よりも内側に位置するように開口５ａ，５ｂが形成されている。

この状態で、上記感光性樹脂組成物層４を硬化するための光をマスク５の上方から矢印で示すように照射する。その結果、感光性樹脂組成物層４において、上記光透過部の下方部分に光が照射され、光が照射された露光部において酸または塩基が発生し、硬化が進行する。この場合、未露光部の感光性樹脂組成物は上記硬化の進行に伴って、露光側に移動し、さらに露光部において硬化することとなる。そのため、図１（ｂ）に示すように、で２，３上において、電極２，３の外周縁より内側に外周縁が位置するように感光性樹脂組成物層の硬化物からなる樹脂コア６，７が形成されることとなる。本実施形態の製造方法によれば、樹脂コア６，７は、上記選択的露光により高精度に形成することができ、しかも、アスペクトの比が大きい樹脂コア６，７を容易に形成することができる。アスペクト比とは、樹脂コア６，７の底部の径または一辺の長さに対する樹脂コア６，７の高さ方向寸法の割合をいうものとする。

樹脂コア６，７は、上記のように、感光性樹脂組成物層の硬化物のからなるため、金属に比べ、弾力性に富んでいる。

次に、樹脂コア６，７の外表面を、例えばパラジウムで処理すること等により、活性化し、次に、導電性材料からなる導電性被膜８，９を形成し、それによってバンプ１０，１１を形成する。樹脂コア６，７の底部の外周縁が、電極２，３の外周縁よりも内側に位置しているため、樹脂コア６，７の外表面を被覆するように形成された導電性被膜８，９は、電極２，３に連なるように形成される。従って、バンプ１０，１１を電気的接続部分に接続した場合、電気的接続部分を電極２，３と確実に電気的に接続することができる。

上記導電性被膜８，９を構成する導電性材料としては、導電性を有する限り、特に限定されないが、本実施形態では、メッキ法により形成されるため、金属材料が好適に用いられる。このような金属材料としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎなどの適宜の金属もしくは合金を挙げることができる。また、導電性被膜８，９は、複数の金属層を積層したものであってもよい。好ましくは、導電性に優れたＣｕやＡｇメッキ膜上に半田喰われを防止するための中間層としてのＮｉメッキ膜を形成し、外表面に半田付け性に優れたＳｎ−Ａｇメッキ膜を積層した導電性被膜、あるいは、導電性に優れたたてＡｕメッキ膜上に、半田付け性に優れたＳｎ−Ａｇメッキ膜を積層した導電性被膜などが好適に用いられる。

このようにして、図１（ｃ）に示す回路基板材１２が得られる。

次に、図２（ａ）に示すように、上記のようにして得られた回路基板材１２上に、電子部品素子としての半導体素子チップ１３を搭載する。半導体素子チップ１３は下面に端子電極１４，１５を有する。端子電極１４，１５が上記バンプ１０，１１上に接触するようにして、半導体素子チップ１３が回路基板材１２上に搭載され、しかる後、図２（ｂ）に示すように、半田１６、１７により端子電極１４，１５とバンプ１０，１１とが接合される。このようにして、半導体素子チップ１３が、回路基板材１２上に実装される。なお、半田１６，１７を用いずに、他の接合方法によりバンプ１０，１１と端子電極１４，１５とを接合してもよい。このような他の接合方法としては、常温接合法または導電性接着剤を用いた方法などを挙げることができる。

次に、図３に示すように、基板１の上面と半導体素子チップ１３との間の空間を埋めるように、アンダーフィル層としての合成樹脂層１８を形成する。合成樹脂層１８を形成することにより、回路基板材１２と、半導体素子チップ１３とが接合されている構造の機械的強度を高めることができるとともに、バンプ１０，１１と端子電極１４，１５との電気的接続部分の保護を図ることができる。このような合成樹脂層１８を構成する合成樹脂としては、特に限定されず、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの適宜の合成樹脂を挙げることができる。

上記のようにして、図３に示す半導体装置１９が得られる。半導体装置１９では、バンプ１０，１１が上記感光性樹脂組成物の塗工及び選択的露光により形成された樹脂コア６，７を有するため、バンプ１０，１１が高精度に形成される。従って、半導体素子チップ１３の下面の端子電極１４，１５が、多数形成されており、端子電極間のピッチが狭くなっている場合であっても、導電性のバンプ１０，１１を高精度に形成することができるので、狭ピッチ化に速やかに対応することができる。

しかも、前述した通り、アスペクト比の大きな樹脂コア６，７を容易に形成することができるので、基板１や半導体素子チップ１３に凹凸が存在した場合であっても、アスペクト比が大きく、弾力性に富むバンプ１０，１１により凹凸を吸収することができ、半導体素子チップ１３を基板１上において適切な向きに確実に実装することができるとともに、バンプ１０，１１と端子電極１４，１５とを確実に電気的に接続することができる。

また、本製造方法では、上記感光性樹脂組成物層の塗工及び選択的露光により、樹脂コア６，７を容易にかつ高精度に形成することができる。例えば、Ａｇペーストのスクリーン印刷などにより金属バンプを形成する方法では、小さなバンプを高精度に形成することが困難であり、かつアスペクト比を高めるとこが困難であったのに対し、本発明の製造方法では、上記のように、アスペクト比が高く、弾力性に優れたバンプを容易にかつ高精度に形成することができる。また、従来のフォトリソグラフィーを用いたパターニング法では、アルカリ溶液による現像及び焼成などの工程を実施しなければならず、それによって、基板やバンプが形成される部分の電極が損傷するおそれがあったのに対し、本実施形態の製造方法では、アルカリ溶液による現像や焼付を実施せずともよいため、回路基板材を構成している部分の損傷を確実に抑制することができる。また、アルカリ現像といった煩雑な工程を実施する必要がないため、製造工程の簡略化及びコストの低減をも果たすことができる。

なお、本実施形態の電子部品装置では、電子部品素子として半導体素子チップ１３が回路基板材１２上に搭載されたが、半導体素子チップ１３に限らず、他の様々な能動部品、あるいは抵抗素子もしくはコンデンサ素子などの様々な受動部品を電子部品素子として用い、電子部品装置を形成してもよい。

図４は、上記実施形態の変形例を説明するための正面断面図である。

上記実施形態では、図１（ａ）に示したように、基板１の上面において全面に感光性樹脂組成物を塗工し、感光性樹脂組成物層４を形成していた。しかしながら、電極２，３上に形成するバンプの上面の少なくとも一部にのみ、樹脂コアを形成し、かつ樹脂コアのアスペクト比がさほど要求されない場合には、図４に示すように、電極２，３が形成されている部分及びその近傍にのみ感光性樹脂組成物を塗工し、感光性樹脂組成物層４Ａ，４Ｂを形成してもよい。この場合には、電極２，３から離れた部分には感光性樹脂組成物が存在しないので、マスク５に対して光を照射した際に、開口５ａ，５ｂの下方の露光部に周囲の感光性樹脂組成物が速やかに移動し、電極２，３の外周縁よりも内側に位置する樹脂コアが速やかに形成されることになる。

従って、樹脂コアのアスペクト比がさほど高くない場合であって、かつ未露光部から露光部への感光性樹脂組成物の移動を速やかに行うことが求められる場合には、バンプが形成れる電極２，３の上面及びその近傍にのみ感光性樹脂組成物を塗工することが望ましい。このような塗工方法としては、例えば、インクジェット吐出法を用いて感光性樹脂組成物を電極２，３上に吐出する方法、あるいはスクリーン印刷などを挙げることができる。

他方、前述した実施形態では、基板１の上面の全面に感光性樹脂組成物を塗工すればよいため、高価な装置を用いることなく、かつ容易に感光性樹脂組成物層４を形成することができる。

図５（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る多層基板の製造方法を説明するための各正面断面図である。

本実施形態では、図５（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様の製造方法により得られた回路基板材２０を用意する。回路基板材２０は、電極２２，２３が上面に形成された基板２１上に、第１の実施形態と同様にして、バンプ１０，１１を形成した構造を有する。ここでは、電極２２，２３は、バンプ１０，１１を上面に形成するために配置されているが、電極２２，２３は、図示されていない基板２１上または２１内の他の配線に電気的に接続されている。

基板２１は、第１の実施形態で用いた基板１と同様に、適宜の絶縁性材料からなる。また、基板２１内には、適宜の配線が形成されていてもよい。電極２２，２３は、第１の実施形態で形成されていた電極２，３と同様の材料で形成されている。

なお、バンプ１０，１１の形成方法については、第１の実施形態の製造方法の説明を援用することにより、省略する。

本実施形態では、上記回路基板材２０を得た後に、上方から下面に未硬化状態の絶縁性樹脂層２４が形成された回路基板材２５を積層する。回路基板材２５は、基板２６と、基板２６の下面に形成された電極２７〜２９とを有する。電極２８は、適宜の機能回路を形成するための電極部分であり、図示されていない部分で電極２７，２９に電気的に接続されている。

他方、電極２７，２９は、下方のバンプ１０，１１の上方に位置している部分を有する。

上記基板２６は、適宜の合成樹脂またはセラミックス樹脂などの絶縁性材料からなる。基板２６内には、図示されていない配線層が形成されていてもよい。

電極２７〜２９は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、もしくはこれらの合金などの適宜の金属からなる。

未硬化の合成樹脂層２４は、溶剤の蒸発、加熱または光の照射等により硬化する適宜の合成樹脂組成物からなる。本実施形態では、合成樹脂層２４は、特に限定されないが、エポキシ系化合物、アクリレート系オリゴマー、イソシアネート系オリゴマー、アルコキシシラン及びその部分縮合物系等から選ばれる樹脂組成物からなる。

未硬化状態の合成樹脂層２４は、基板２６を用意した後、電極２７〜２９が形成されている面の全面に合成樹脂組成物を塗工することにより、形成することができる。

次に、合成樹脂層２４が未硬化状態にある内に、図５（ａ）に示すように回路基板材２５を回路基板材２０の上方から当接させる。合成樹脂層２４が未硬化であるため、バンプ１０，１１が未硬化状態の合成樹脂層２４内に進入し、バンプ１０，１１の先端が電極２７，２９に接触する。しかる後、合成樹脂層２４を硬化することにより、図５（ｂ）に示す多層基板３０が得られる。多層基板３０では、硬化した合成樹脂層２４Ａにより、基板２１と基板２６とが強固に接合され、一体化されている。また、バンプ１０，１１と、電極２７，２９との電気的接続部分が硬化した合成樹脂層２４Ａにより保護され、かつ補強されている。従って、信頼性に優れた多層基板３０を得ることができる。

多層基板３０では、バンプ１０，１１は、電極２２，２３と異なる高さ位置にある電極２７，２９とを電気的に接続している。従って、合成樹脂層２４Ａからなる絶縁層を貫通しており、かつ異なる高さ位置にある複数の電極を接続しているビアホール電極としてバンプ１０，１１が設けられている。

このように、本発明の回路基板材におけるバンプは、基板と基板上に搭載される電子部品素子とを接合するバンプとして用いられるだけでなく、多層基板のビアホール電極として用いられてもよい。

本実施形態においても、上記バンプ１０，１１は高精度に形成することができ、しかも、前述したように、アスペクト比の大きなバンプ１０，１１を容易に形成することができる。よって、多層基板内において、異なる高さ位置にある電極間を接続するビアホール電極として確実に機能させることができる。

また、上記合成樹脂層２４の硬化に伴う収縮応力が生じたとても、バンプ１０，１１が弾力性に富んでいるため、収縮応力による電気的接続部分の損傷や導通不良を生じ難い。
また、本実施形態においても、バンプ１０，１１が弾力性を有しているので、基板２１や基板２６に反りや凹凸があったとしても、このような反りや凹凸を吸収して、バンプ１０，１１を電極２７，２９に確実に接合することができる。

さらに、バンプ１０，１１を高精度に形成することができるので、多数のビアホール電極を高密度に配置する必要がある場合にも、本発明によれば、確実にバンプ１０，１１を高精度に形成し、異なる高さ位置の電極間を確実に電気的に接続することができる。

なお、上記合成樹脂層２４Ａを形成する合成樹脂としては、特に限定されず、エポキシ系化合物、アクリレート系オリゴマー、イソシアネート系オリゴマー、アルコキシシラン及びその部分縮合物系等などを挙げることができる。また、合成樹脂組成物層２４Ａは、前述した感光性樹脂組成物で形成されてもよい。この場合、全面に露光することにより、感光性樹脂組成物の全体を硬化すればよい。

本発明の特徴は、選択的に露光された場合に、未露光部の感光性樹脂組成物の少なくとも一部が露光部に移動し、露光部において硬化が進行し、露光部に当初の感光性樹脂組成物の塗布厚みにより厚い硬化部分が形成されるという点に特徴を有する。このような感光性樹脂組成物としては特に限定されないが、好ましくは、酸または塩基の作用により硬化する硬化性樹脂と、光の照射により酸または塩基を発生する光酸または塩基発生剤とを含有する感光性樹脂組成物、より好ましくはさらに酸または塩基の作用により酸または塩基を増殖的に生成する酸または塩基増殖剤をさらに含有する感光性樹脂組成物が用いられる。このような感光性樹脂組成物を用いれば、フォトリソグラフィー法と異なり、溶剤等による現像を行う必要がない。従って、環境負担を低減することができるだけでなく、煩雑な現像工程及び現像後の乾燥工程を実施する必要がなく、製造工程を大幅に簡略化することが可能となる。

もっとも、本発明においても、スペーサー及び突起が形成されている部分以外の未露光部における感光性樹脂組成物を除去したい場合には、現像を行ってもよい。

ここで、現像とは、有機溶媒に、潜像が形成された感光樹脂組成物層を浸漬する操作の他、該感光樹脂組成物層の表面を有機溶媒で洗い流す操作、あるいは有機溶媒を上記感光樹脂組成物層表面に噴射する操作など、有機溶媒で感光樹脂組成物層を処理する様々な操作を含むものとする。

なお、現像液としては、有機溶媒に限らず、アルカリ水溶液や酸性水溶液を用いてもよい。有機溶媒としては、ＰＥＧＭＥＡ（プロピレングリコール−１―モノメチルエーテル−２―アセタート）、乳酸エチルエステル、酢酸エチル、テトラヒドロフラン，トルエンなどが挙げられる。アルカリ水溶液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、珪酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液などが挙げられる。酸性水溶液としては、シュウ酸、ギ酸、酢酸、グリコール酸、酒石酸、乳酸、マロン酸などが挙げられる。

現像に要する時間は、感光性樹脂組成物層の厚みや溶剤の種類にもよるが、効率良く現像でき製造効率が高められるため、１０秒〜５分の範囲が好ましい。現像後に用いられたパターン膜は、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールあるいは蒸留水などで洗浄し、膜上に残存している現像液を除去することが好ましい。

上記硬化性樹脂の配合割合は、感光性樹脂組成物１００重量％に対して、５０〜８０重量％の範囲であることが好ましい。硬化性樹脂が５０重量％未満であると、光酸又は光塩基発生剤や酸又は塩基増殖剤が析出することがあり、８０重量％を超えると、硬化性に劣ることがある。

上記硬化性樹脂としては、特に限定されないが、エポキシ系化合物、アクリレート系オリゴマー、イソシアネート系オリゴマー、アルコキシシラン及びその部分縮合物等が挙げられ、好ましく用いられる。なかでも、塩基の作用により架橋反応が効率的に進行するため、エポキシ系化合物がより好ましく用いられる。

上記エポキシ系化合物としては、特に限定されないが、東都化成社カタログ記載のＢＰＦ型エポキシ樹脂、ＢＰＡ型エポキシ樹脂、ＢＰＦ型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシオリゴマーなどのノボラック型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂、油化シェルエポキシ社カタログ記載のエピコ−ト基本固形タイプ、エピコートビスＦ固形タイプ、ダイセル化学工業社カタログ記載のＥＨＰＥ脂環式固形エポキシ樹脂などが挙げられる。

さらに、上記エポキシ系化合物としては、ナガセケムテックス社カタログ記載のデナコールシリーズであるＥＸ−６１１、ＥＸ−６１２、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−３１３．ＥＸ−３１４、ＥＸ−３２１、ＥＸ−２０１、ＥＸ−２１１、ＥＸ−２１２、ＥＸ−２５２、ＥＸ−８１０、ＥＸ−８１１、ＥＸ−８５０、ＥＸ−８５１、ＥＸ−８２１、ＥＸ−８３０、ＥＸ−８３２、ＥＸ−８４１、ＥＸ−８６１、ＥＸ−９１１、ＥＸ−９４１、ＥＸ−９２０、ＥＸ−７２１、ＥＸ−２２１、ＥＭ−１５０、ＥＭ−１０１、ＥＭ−１０３、東都化成社カタログ記載のＹＤ−１１５、ＹＤ−１１５Ｇ、ＹＤ−１１５ＣＡ、ＹＤ−１１８Ｔ、ＹＤ−１２７、共栄社化学社カタログ記載のエポライトシリーズである４０Ｅ、１００Ｅ、２００Ｅ、４００Ｅ、７０Ｐ、２００Ｐ、４００Ｐ、１５００ＮＰ、１６００、８０ＭＦ、１００ＭＦ、４０００、３００２、１５００などの液状エポキシ樹脂を挙げることができる。

さらに、上記エポキシ系化合物としては、脂環式エポキシ化合物であるダイセル化学工業社カタログ記載のセロキサイド２０２１、セロキサイド２０８０、セロキサイド３０００、エポリードＧＴ３００、エポリードＧＴ４００、エポリードＤ−１００ＥＴ、エポリードＤ−１００ＯＴ、エポリードＤ−１００ＤＴ、エポリードＤ−１００ＳＴ、エポリードＤ−２００ＨＤ、エポリードＤ−２００Ｅ、エポリードＤ−２０４Ｐ、エポリードＤ−２１０Ｐ、エポリードＤ−２１０Ｐ、エポリードＰＢ３６００、エポリードＰＢ４７００などの液状エポキシ樹脂を挙げることができる。

上記硬化性樹脂の中でも、ノボラック系エポキシオリゴマーがより好ましく用いられる。本発明に係る感光性樹脂組成物は、下記式（３）で表されるノボラック系エポキシオリゴマー（ＹＤＣＮ−７０１、Ｍｗ＝２１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５８、ｎ≒１０）を含有することがさらに好ましい。

上記光酸又は光塩基発生剤の配合割合は、感光性樹脂組成物１００重量％に対して、１〜３０重量％の範囲であることが好ましい。光酸又は光塩基発生剤が１重量％未満であると、発生する酸又は塩基の量が少なすぎることがあり、３０重量％を超えると、光酸又は光塩基発生剤の添加効果を得るのに過剰となることがある。

上記光酸又は光塩基発生剤として用いられる光酸発生剤としては、特に限定されないが、例えば、オニウム塩などが挙げられる。より具体的には、ジアゾニウム、ホスホニウム、及びヨードニウムのＢＦ_４ ⁻、ＰＦ_６ ⁻、ＳＢＦ_６ ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻などの塩や、その他、有機ハロゲン化合物、有機金属、及び有機ハロゲン化物などが挙げられる。

上記光酸発生剤としては、特に限定されないが、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンアンチモナート、トリフェニルスルホニウムベンゾスルホナート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジシクロヘキシルスルホニルシクロヘキサノン、ジメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート等のスルホニウム塩化合物、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート等のヨードニウム塩、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホナート等が挙げられる。これらの酸発生剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光酸発生剤としては、特に限定されないが、好ましくは、より反応性の高いオニウム塩、ジアゾニウム塩、及びスルホン酸エステルからなる群から選択した少なくとも１種の化合物が用いられる。

上記光酸又は光塩基発生剤として用いられる光塩基発生剤としては、特に限定されないが、従来知られているｏ−ニトロベンジル型光塩基発生剤、（３，５−ジメトキシベンジルオキシ）カルボニル型光塩基発生剤、アミロキシイミノ基型光塩基発生剤、ジヒドロピリジン型光塩基発生剤等が挙げられる。なかでも、塩基発生効率と合成の簡便性に優れているため、ｏ−ニトロべンジル型光塩基発生剤が好ましく用いられる。

本発明に係る感光性樹脂組成物は、未露光部の感光性樹脂組成物の少なくとも一部が露光部により一層効率的に移動するので、前述した式（１）で表される光塩基発生剤を含むことがより好ましい。

上記光の照射により酸又は塩基を発生する光酸又は光塩基発生剤は、熱を与えることにより酸又は塩基を発生することが好ましい。光酸又は光塩基発生剤が、熱を与えることにより酸又は塩基を発生する場合には、感光性樹脂組成物を加熱処理することにより、酸または塩基を発生させることできる。

上記酸又は塩基増殖剤の配合割合は、感光性樹脂組成物１００重量％に対して、１０〜４５重量％の範囲であることが好ましい。酸又は塩基増殖剤が１０重量％未満であると、増殖反応により発生する酸又は塩基が少なすぎることがあり、４５重量％を超えると、酸又は塩基増殖剤が析出することがある。

上記酸又は塩基増殖剤として用いられる酸増殖剤としては、例えば、ベンジルスルホネート型、アセト酢酸エステル型、アセタール型、ジオールモノスルホネート型、ジオールジスルホネート型の酸増殖剤が挙げられる。

上記酸又は塩基増殖剤として用いられる塩基増殖剤としては、例えば、二官能型、球状多官能オリゴマー型、直鎖高分子型、シロキサン型の９−フルオレニルカルバメート誘導体が挙げられる。本発明に係る感光性樹脂組成物は、未露光部の感光性樹脂組成物の少なくとも一部が露光部により一層効率的に移動するので、上述した式（２）で表される塩基増殖剤を含むことがより好ましい。

上述した式（２）で表される塩基増殖剤は、塩基増殖反応によって分解して、新たにアミンを発生する。さらに、発生したアミンが新たな触媒として機能し、増殖的に多数のアミンを生成する。

上述した式（２）中、Ｘは水素原子、置換されているアルキル基、または無置換のアルキル基を示す。式（２）中Ｘの具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。塩基増殖反応が効果的に起こるため、Ｘは無置換のアルキル基であることが好ましい。なかでも、Ｘにおける立体障害も小さくなり、塩基増殖反応がより一層効果的に起こり易いため、Ｘはエチル基であることがより好ましい。

上述した式（２）中、Ｚは置換または無置換のアルキレン鎖を示す。式（２）中Ｚの具体例としては、メチレン鎖、エチレン鎖、プロピレン鎖などが挙げられる。上記塩基増殖反応が効果的に起こるため、Ｙは無置換のアルキレン鎖であることが好ましい。なかでも、Ｙにおける立体障害も小さくなり、塩基増殖反応がより一層効果的に起こり易いため、Ｙはメチレン鎖であることがより好ましい。

上述した式（２）中、ｎは１〜４の整数を示す。（２）式で表される塩基増殖剤が同一分子内に複数の９−フルオレニルカルバメート基を有する場合には、発生した塩基の触媒作用によって塩基増殖反応がより一層効果的に起こり易い。よって上記式（２）中、ｎは３又は４の整数であることが好ましい。

上述した式（２）で表される化合物の具体例としては、下記式（４）、（５）で表される化合物が挙げられる。

上述した式（４）及び式（５）で表される塩基増殖剤は、同一分子内に複数の９−フルオレニルカルバメート基を有する。よって、発生した塩基の触媒作用によって塩基増殖反応が進行し易いという特徴を有する。本発明に係る感光性樹脂組成物は、未露光部の感光性樹脂組成物の少なくとも一部が露光部により一層効率的に移動するので、上述した式（４）で表される塩基増殖剤を含有することがより好ましく、上述した式（５）で表される塩基増殖剤を含有することがさらに好ましい。

上述した式（２）、（４）又は（５）で表される塩基増殖剤は、特に限定されないが例えばフルオレニルメタノールとイソシアネート誘導体との付加反応や、フルオレニルカルバメート基を有するアクリレートモノマーとポリチオール誘導体との付加反応によって合成することができる。前者の付加反応にはすず触媒を適切に用いることにより、上記化合物の合成を簡便に行うことができる。後者の付加反応には塩基触媒を適切に用いることにより、上記化合物の合成を簡便に行うことができる。

本発明に係る感光性樹脂組成物は、未露光部の感光性樹脂組成物の少なくとも一部が露光部にさらに一層効率的に移動するので、上述した式（３）で表されるノボラック系エポキシオリゴマーと、上述した式（１）で表される光塩基発生剤と、上述した式（５）で表される塩基増殖剤とを含有することが好ましい。

本発明に係る感光性樹脂組成物は、増感剤をさらに含有することが好ましい。感光性樹脂組成物が増感剤を含有すると、感度が高められる。

上記増感剤としては、特に限定されないが、例えばベンゾフェノン、ｐ，ｐ′−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ′−テトラエチルアミノベンゾフェノン、２−クロロチオキサントン、アントロン、９−エトキシアントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビン、セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェニルアントラセン、９−フルオレノン、アセトフェノン、フェナントレン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフテン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニリン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロアニリン、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルアミン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−１，９−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、１，２−ナフトキノン、３，３′−カルボニル−ビス（５，７−ジメトキシカルボニルクマリン）又はコロネン等が挙げられる。これらの増感剤は、単独で用いられてもよく、２種類以上が併用されてもよい。

上記増感剤の配合割合は、感光性樹脂組成物１００重量％中、１〜２０重量％の範囲であることが好ましい。増感剤が１重量％未満であると、感度が十分に高められないことがある。増感剤が２０重量％を超えると、感度を高めるのに過剰となることがある。

本発明に係る感光性樹脂組成物は、適宜の溶媒をさらに含有してもよい。感光性樹脂組成物に溶媒を配合することにより、塗布性を高めることができる。

上記溶媒としては、特に限定されないが、ベンゼン、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、スチレン、トリメチルベンゼン、ジエチルベンゼンなどの芳香族炭化水素化合物；シクロヘキサン、シクロヘキセン、ジペンテン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、ｎ−ヘプタン、イソヘプタン、ｎ−オクタン、イソオクタン、ｎ−ノナン、イソノナン、ｎ−デカン、イソデカン、テトラヒドロナフタレン、スクワランなどの飽和または不飽和炭化水素化合物；ジエチルエーテル、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジ−イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン；ジプロピルエーテル、ジブチルエーテルなどのエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、酢酸ブチルセロソルブ、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソアミル、ステアリン酸ブチルなどのエステル類などが挙げられる。これらの溶媒は、単独で用いられてもよく、２種類以上が併用されてもよい。

上記溶媒の配合割合は、例えば基板上に感光性樹脂組成物を塗工し、感光性樹脂組成物層を形成する際に、均一に塗工されるように適宜選択すればよい。

本発明で用いられる感光性樹脂組成物には、必要に応じて、他の添加剤をさらに添加してもよい。このような添加剤としては、充填剤、顔料、染料、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、ｐＨ調整剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、可塑促進剤、タレ防止剤などが挙げられる。 次に、本発明の特徴である上記スペーサー及び／または突起の形成を感光性樹脂組成物の選択的露光により形成する工程の具体的な実施例につき説明する。

次に具体的な実験例につき説明する。

（実施例１）
上述した式（３）で表わされるノボラック系エポキシオリゴマー（ＹＤＣＭ−７０１）１００重量部と、上述した式（１）で表わされる光塩基発生剤（ＰＢＧ）１０重量部と、上述した式（５）で表わされる塩基増殖剤４５重量部と、ＰＧＭＡ（プロピレングリコール１−モノメチルエーテル−２−アセタート）：ＣＨＣｌ_３＝４：５溶媒（重量比）９００重量部で希釈し、感光性樹脂組成物を得た。図１（ａ）に示した基板１として、上面にアルミからなる電極２，３が形成された基板１を用意し、基板１の上面に、上記感光性樹脂組成物層をスピンコート法により５μｍの厚みとなるように全面に塗工し、感光性樹脂組成物層４を形成した。なお、電極２，３は、１００μｍ径の寸法の円形とした。
次に、マスク５を用いて、高圧水銀灯の光を３０秒照射し、感光性樹脂組成物層４を選択的に露光した。照射量は２００ｍＪ／ｃｍ^２とした。上記光透過部を構成している開口５ａ，５ｂの平面形状は円形であり、その直径は９０μｍである。

上記開口５ａ，５ｂが電極２，３の上方に位置しており、開口５ａ，５ｂの外周縁が電極２，３の内側に位置するようにして露光を行った。

その結果、図１（ｂ）に示した樹脂コア６，７が形成された。樹脂コア６，７の高さ寸法は４０μｍであり、底部は円形であり、その直径は７０μｍであり、電極２，３の径よりも小さい。

次に、樹脂コア６，７の表面に、パラジウム処理を行い活性化した後、ニッケルからなる金属材料を無電解メッキ法によりメッキし、導電性被膜８，９を形成し、バンプ１０，１１を形成した。

このようにして、図１に示した回路基板材１２を得ることができた。ここでは、上記選択的露光により、樹脂コア６，７が形成され、従って、アスペクト比が０．６と大きいバンプ１０，１１を形成することができた。

次に、上記回路基板材１２上に、下面に端子電極を有する半導体素子チップを搭載し、半田１６，１７により接合し、しかる後、アンダーフィルとして合成樹脂層１８を形成し、図３に示した半導体装置１９を得た。この場合、バンプ１０，１１が弾力性を有するため、半導体素子チップ１３の電極１４、１５に損傷を与えることなく、半導体素子チップ１３を回路基板材１２上において正しい向きに固定することができた。

（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態において、回路基板材を製造する方法を説明するための各正面断面図。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態で得られた回路基板材を用いて電子部品装置を製造する工程を示す各正面断面図。 第１の実施形態で得られた電子部品装置を示す正面断面図。 第１の実施形態の変形例を説明するための図であって、基板上に部分的に感光性樹脂組成物を塗工し、マスクを介して選択的に露光する工程を示す正面断面図。 （ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実施形態の製造方法において、多層基板を製造する各工程を示す正面断面図。

符号の説明

１…基板
２，３…電極
４…感光性樹脂組成物層
４Ａ，４Ｂ…感光性樹脂組成物層
５…マスク
５ａ，５ｂ…開口
６，７…樹脂コア
８，９…導電性被膜
１０，１１…バンプ
１２…回路基板材
１３…半導体素子チップ
１４，１５…端子電極
１６，１７…半田
１８…合成樹脂層
１９…電子部品装置
２０…回路基板材
２１…基板
２２，２３…電極
２４…合成樹脂組成物層
２５…回路基板材
２６…基板
２７〜２９…電極
３０…多層基板

Claims (11)

1. 上面に電極が形成された基板を用意する工程と、
   前記基板の上面において、前記電極の少なくとも一部を含む領域に、感光性樹脂組成物を塗布し、感光性樹脂組成物層を形成する工程と、
   露光部の外周縁が前記電極の外周縁よりも内側に位置するように前記感光性樹脂組成物層の一部を選択的に露光し、前記電極上に位置している感光性樹脂組成物層部分の内、光が照射された露光部において酸または塩基を発生させつつ、周囲の未露光部の感光性樹脂組成物を露光部側に移動させ、該露光部において硬化を進行させ、前記樹脂コアを形成する工程と、
   樹脂コアの外表面を被覆するように導電性材料からなる導電性被膜を形成する工程とを備えることを特徴とする、回路基板材の製造方法。
2. 前記感光性樹脂組成物層の一部を選択的に露光するに際し、前記電極の外周縁よりも内側に外周縁が位置する光透過部を有するマスクを介して感光性樹脂組成物層に光を照射することを特徴とする、請求項１に記載の回路基板材の製造方法。
3. 前記感光性樹脂組成物として、酸または塩基の作用により硬化する硬化性樹脂と、光の照射により酸または塩基を発生する光酸または光塩基発生剤とを含有する感光性樹脂組成物を用いる、請求項１または２に記載の回路基板材の製造方法。
4. 前記感光性樹脂組成物が、酸または塩基の作用により酸または塩基を増殖的に生成する酸または塩基増殖剤をさらに含有する、請求項３に記載の回路基板材の製造方法。
5. 前記硬化性樹脂が、ノボラック系エポキシオリゴマーである、請求項３または４に記載の回路基板材の製造方法。
6. 前記光酸または光塩基発生剤が、下記の式（１）で表わされる光塩基発生剤である、請求項３〜５のいずれか１項に記載の回路基板材の製造方法。
   

   
7. 前記酸または塩基増殖剤が下記の式（２）で表わされる塩基増殖剤である、請求項３〜６のいずれか１項に記載の回路基板材の製造方法。
   

   
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の回路基板材の製造方法により得られた回路基板材であって、
   上面及び下面を有する基板と、
   前記基板の上面に設けられた電極と、
   前記基板の上面において前記電極上において上方に突出するように設けられたバンプとを備え、
   前記バンプが、樹脂コアと、樹脂コアの外表面を被覆するように設けられた導電性被膜とを有し、前記樹脂コアが、感光性樹脂組成物の硬化物からなり、該感光性樹脂組成物が、部分的に光を照射された際に、光が照射された露光部において光の照射により酸または塩基を発生し、未露光部の感光性樹脂組成物が露光部側に移動し、露光部において硬化する感光性樹脂組成物からなることを特徴とする回路基板材。
9. 前記導電性被膜が、金属からなる、請求項８に記載の回路基板材。
10. 請求項８または９に記載の回路基板材と、
    下面に前記回路基板材の前記バンプに接合される端子電極を有する電子部品素子とを備え、
    前記電子部品素子が、下面側から前記回路基板材に実装されており、かつ前記電子部品素子の下面の端子電極が前記バンプに導電性接合材により接合されている、電子部品装置。
11. 請求項８または９に記載の回路基板材と、
    前記回路基板材上に積層された少なくとも１層の回路基板層とを備える多層基板であって、
    前記バンプが該回路基板層内に突出されており、前記回路基板材または回路基板材の上方に配置された電極と、電気的に接続されており、前記バンプがビアホール電極を構成していることを特徴とする、多層基板。

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