JP2018080956A - 感圧センサ及び感圧センサ付表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】タッチの検出の精度を向上する感圧センサ付表示装置及び感圧センサを提供することを目的とする。
【解決手段】感圧センサ付表示装置１００において、表示領域Ｍと重畳する箇所に離散的に設けられた複数の第１電極５６と、複数の第１電極５６のうち各第１電極上にそれぞれ、離散的に設けられた複数の誘電体層６８と、複数の誘電体層６８上に設けられた複数の第２電極５８と、複数の第１電極５６のうち各第１電極上であって、複数の誘電体６８及び複数の第２電極５８と重畳しない領域に設けられた弾力層６７と、複数の第１電極５６、複数の誘電体層６７、複数の第２電極５８、及び複数の弾力層６７に重畳する領域に、連続的に設けられた第３電極６６と、を有し、第３電極６６は、誘電体層６８及び第２電極５８と離間しており、弾力層６７は、第１電極５６及び第３電極６６と接して設けられる。
【選択図】図６

Description

本発明は、感圧センサ及び感圧センサ付表示装置に関する。

指等で表示面をタッチしたときにタッチがあったことを検出する感圧センサを搭載する表示装置が知られている（例えば、特許文献１）。

特開２０１１−０７６１７２号公報

感圧センサにおけるタッチ検出の方式としては、いわゆる静電容量方式を採用することが考えられる。例えば、電極間に弾力層を設け、表示面が指に押されて弾力層が圧縮したことによる電極間の距離の変化に基づく静電容量の変化を検出することにより、タッチがあったことを検出できる。しかしながら、弾力層の圧縮による電極間の距離の変化のみでは、十分な静電容量の変化が得られず、精度良くタッチ検出を行うことが難しい。そこで、本出願の発明者は、タッチ検出の精度を向上させるため、感圧センサにおいて構造上の工夫を検討している。

本発明は、タッチ検出の精度を向上する感圧センサ付表示装置及び感圧センサを提供することを目的とする。

本発明の一態様の感圧センサ付表示装置は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域と、前記表示領域を覆うように形成された封止膜と、前記封止膜上に設けられる感圧センサと、を有し、前記感圧センサは、前記封止膜上であって、前記表示領域と重畳する箇所に離散的に設けられた複数の第１電極と、前記複数の第１電極のうち各第１電極上にそれぞれ、離散的に設けられた複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層上に設けられた複数の第２電極と、前記複数の第１電極のうち各第１電極上であって、前記複数の誘電体及び前記複数の第２電極と重畳しない領域に設けられた弾力層と、前記複数の第１電極、前記複数の誘電体層、前記複数の第２電極、及び前記複数の弾力層に重畳する領域に、連続的に設けられた第３電極と、を有し、前記第３電極は、前記第２電極と離間しており、前記弾力層は、前記第１電極及び前記第３電極と接して設けられることを特徴とする。

本発明の他の態様の感圧センサ付表示装置は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域と、前記表示領域を覆うように形成された封止膜と、前記封止膜上に設けられる感圧センサと、前記感圧センサ上であって、前記表示領域に対向して配置された対向基板と、を有し、前記感圧センサは、前記封止膜上であって、前記表示領域と重畳する箇所に離散的に設けられた複数の第１電極と、前記封止膜上であって、前記複数の第１電極間に挟まれて設けられた複数の誘電体層と、前記封止膜上であって、前記複数の第１電極及び前記複数の誘電体層と重畳しない領域に設けられた弾力層と、前記誘電体層を挟む前記第１電極上にそれぞれ重畳するように設けられた第２電極と、を有し、前記第２電極は、前記第１電極と離間しており、前記弾力層は、前記封止膜及び前記対向基板と接して設けられることを特徴とする。

本発明の他の態様の感圧センサは、第１電極と、前記第１電極上に離散的に設けられた複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層上に設けられた複数の第２電極と、前記第１電極上であって、前記複数の誘電体及び前記複数の第２電極と重畳しない領域に設けられた弾力層と、前記第１電極、前記複数の誘電体層、前記複数の第２電極、及び前記複数の弾力層に重畳する領域に、連続的に設けられた第３電極と、を有し、前記第３電極は、前記第２電極と離間しており、前記弾力層は、前記第１電極及び前記第３電極と接して設けられることを特徴とする。

第１実施形態に係る表示装置の全体構成を模式的に示す斜視図である。 第１実施形態の表示装置の全体構成を模式的に示す平面図である。 図２に示す１区画における構成を示す平面図である。 図３に示す感圧センサの構成を示す平面図である。 第１実施形態の表示装置の断面図のうち、感圧センサを通る断面を示す断面図である。 第１実施形態の感圧センサによるタッチの検出について説明する図である。 コンデンサを構成する感圧センサを模式的に示す図である。 第１実施形態の第１変形例の感圧センサを示す断面図である。 第１実施形態の第２変形例の感圧センサを示す断面図である。 第２実施形態の感圧センサを示す断面図である。 第２実施形態の感圧センサを示す平面図である。 第２実施形態の変形例の感圧センサを示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

さらに、本発明の実施形態の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

図１は、第１実施形態に係る感圧センサ付表示装置（以下、単に表示装置という）の全体構成の概略を示す斜視図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置１００は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素Ｐを形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置１００は、第１基板１０を有する。第１基板１０は、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置された表示領域Ｍを有する。表示領域Ｍは、複数の区画Ｄに分けられる。また、第１基板１０は、表示領域Ｍの周辺に額縁領域Ｎを有する。さらに、第１基板１０は、端子領域Ｔを有し、端子領域Ｔには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１２が搭載される。なお、図示しないが、端子領域Ｔには外部との電気的接続のためにフレキシブル基板を接続してもよい。

図２は、第１実施形態の表示装置の全体構成を模式的に示す平面図である。図３は、図２に示す１区画における構成を示す平面図である。図４は、図３に示す感圧センサの構成を示す平面図である。

図２においては、表示領域Ｍが、Ｘ方向に４分割、Ｙ方向に５分割され、２０の区画Ｄに分けられる構成について示す。なお、これは一例であり、例えば、Ｘ方向に５分割、Ｙ方向に６分割して、３０の区画Ｄに分けても構わない。区画Ｄは、平面視において、一辺が２ｃｍ〜３ｃｍ程度の矩形の領域とするとよい。

各区画Ｄには、それぞれ感圧センサＳが離散的に設けられる。図３においては、１の区画Ｄに１３の感圧センサＳが設けられる構成について示すが、感圧センサＳの数や位置はこれに限られるものではない。感圧センサＳは、平面視において、一辺が２００ｕｍ〜３００ｕｍ程度の矩形の形状とするとよいが、これに限られるものではなく、例えば平面視において円形としても構わない。

図４は、感圧センサＳを対向基板７０（図５参照）側から見た平面図を示す。感圧センサＳは、第１電極５６と、第２電極５８と、第３電極６６（図４においては不図示）と、弾力層６７と、誘電体層６８とで構成される。弾力層６７は、絶縁性の可撓性樹脂からなる。絶縁性の可撓性樹脂としては、例えば、水分散ポリウレタンなどを用いるとよいが、弾性変形可能なものであればよい。弾力層６７は、平面視において、一辺が１５ｕｍ〜２０ｕｍ程度の矩形の形状とするとよいが、これに限られるものではなく、例えば平面視において円形としても構わない。なお、感圧センサＳの構成の詳細については、図５、図６等を参照して後述する。

図５は、第１実施形態の表示装置の断面図のうち、感圧センサを通る断面を示す断面図である。第１基板１０は、樹脂又はガラスからなり、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性を有するフィルムであってもよい。第１基板１０上には、それ自体が含有する不純物に対するバリアとなるアンダーコート層１４ａ、１４ｂ、１４ｃが形成される。アンダーコート層１４ａはシリコン酸化膜からなり、アンダーコート層１４ｂはシリコン窒化膜からなり、アンダーコート層１４ｃはシリコン酸化膜からなる。アンダーコート層１４ａは、第１基板１０とアンダーコート層１４ｂとの密着性向上のために設けられる。アンダーコート層１４ｂは、第１基板１０側から、後に形成される薄膜トランジスタの半導体層への不純物拡散を防止するために設けられる。アンダーコート層１４ｃは、アンダーコート層１４ｂと、薄膜トランジスタを含む層との密着性向上、ならびに、アンダーコート層１４ｂから、後に形成される薄膜トランジスタの半導体層への水素拡散を防止するために設けられる。なお、これら各アンダーコート層の材料は一例であり、また、第１基板１０がガラスからなる場合においては、アンダーコート層１４ａを省略しても良い。

アンダーコート層１４ｃ上には半導体層１６が形成されている。半導体層１６を覆ってゲート絶縁膜２２が形成されている。ゲート絶縁膜２２上にはゲート電極２４が形成され、ゲート電極２４を覆って層間絶縁膜２６ａ、２６ｂが形成されている。層間絶縁膜２６ａは、例えばシリコン窒化膜からなり、層間絶縁膜２６ｂは、例えばシリコン酸化膜からなる。

ソース電極１８及びドレイン電極２０は、ゲート絶縁膜２２及び層間絶縁膜２６ａ、２６ｂを貫通するコンタクトホールを介して半導体層１６に電気的に接続している。半導体層１６、ソース電極１８、ドレイン電極２０及びゲート電極２４によって薄膜トランジスタが構成される。薄膜トランジスタ上には、平坦化層３２が設けられている。平坦化層３２は、少なくとも画素電極３４が設けられる面が平坦になるように形成される。平坦化層３２としては、感光性アクリル樹脂等の有機材料が多く用いられる。平坦化層３２上には、複数の単位画素（サブピクセル）それぞれに対応するように構成された複数の画素電極３４（例えば陽極）が設けられている。画素電極３４は、平坦化層３２及びパッシベーション膜３０を貫通するコンタクトホール３６によって、半導体層１６上のソース電極１８及びドレイン電極２０の一方に電気的に接続している。平坦化層３２及び画素電極３４上には、絶縁層（バンク）３８が形成され、バンク３８に設けられた開口部を介して、画素電極３４の一部が露出している。

画素電極３４上に発光層４０が設けられている。発光層４０は、画素電極３４毎に別々に設けられ、絶縁層３８にも載るようになっている。発光層４０は、画素電極３４と接して設けられる領域で発光する。発光層４０のうち発光する領域を以下発光領域Ｌと呼ぶ。

発光層４０は、各画素に対応して青、赤、緑で発光するようになる。各画素に対応する色はこれに限られず、例えば、黄、白等でもよい。発光層４０は、例えば、蒸着により形成される。また、発光層４０は、表示領域Ｍ（図１参照）を覆う全面に、複数の画素に亘るように形成してもよい。つまり、発光層４０を絶縁層３８上で連続するように形成してもよい。発光層４０は溶媒分散による塗布により形成されてもよい。発光層４０を複数の画素に亘るように形成する場合は、全サブピクセルにおいて白色で発光し、図示しないカラーフィルタを通して所望の色波長部分を取り出す構成になる。

発光層４０上には、対向電極４２（共通電極又は陰極）が設けられている。対向電極４２は、バンクとなる絶縁層３８上に載る。発光層４０並びに発光層４０を挟む画素電極３４及び対向電極４２を含む発光素子４４が構成される。複数の画素のそれぞれが発光素子４４を有する。発光層４０は、画素電極３４及び対向電極４２に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。発光層４０と画素電極３４との間には、図示しない正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光層４０と対向電極４２との間には、図示しない電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層を設けてもよい。

発光素子４４は、対向電極４２上に設けられる封止膜４６によって覆われることで封止されて水分から遮断される。封止膜４６は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）などからなる少なくとも一層の無機絶縁層を含み、複数の絶縁層による積層構造であってもよい。図５に示すように、第１実施形態においては、一対の無機絶縁層４８，５０の間に樹脂などからなる有機絶縁層５２を挟む積層構造とした。封止膜４６は、表示領域Ｍを覆う。

表示装置１００は、無機絶縁層５０（封止膜４６）上に感圧センサＳを有する。感圧センサＳは、第１電極５６と、第２電極５８と、第３電極６６と、誘電体層６８と、弾力層６７とを有する。なお、図中においては、弾力層６７として断面形状が円形のものを示すが、その形状はそれに限られるものではない。

第１電極５６は、封止膜４６上であって、少なくとも表示領域Ｍと重畳する箇所に離散的に複数設けられる（図３〜図５参照）。誘電体層６８は、各第１電極５６上にそれぞれ離散的に複数設けられる（図４、図５参照）。第２電極５８は、誘電体層６８上にそれぞれ設けられる。すなわち、第２電極５８は、各誘電体層６８に対応するように複数設けられる。弾力層６７は、各第１電極上であって、誘電体層６８及び第２電極５８と重畳しない領域に複数設けられる（図４、図５参照）。第３電極６６は、複数の第１電極５６、複数の誘電体層６８、複数の第２電極５８、及び複数の弾力層６７に重畳する領域に、連続的に設けられる（図５参照）。

また、誘電体層６８及び第２電極５８は、平面的に見て発光領域Ｌと重畳しない領域に設けられる。誘電体層６８及び第２電極５８により、遮光されてしまうことを防止するためである。

さらに、図６、図７を参照して、第１実施形態の感圧センサＳの詳細について説明する。図６は、第１実施形態の感圧センサによるタッチの検出について説明する図である。図７は、コンデンサを構成する感圧センサを模式的に示す図である。

感圧センサＳは、表示装置１００の表示領域Ｍ（表示画面）に、指やタッチ用のペン等によるタッチがあったことを検出するために用いられる。すなわち、感圧センサＳは、指等で表示領域Ｍを押したときの押圧を検出するセンサともいえる。第１実施形態においては、センシングの方式としていわゆる静電容量方式を採用する。感圧センサＳは、第１電極５６、第２電極５８、第３電極６６、誘電体層６８によりコンデンサを構成する。感圧センサＳを構成する複数のコンデンサは並列接続するよう設けられる。

図６（ａ）は、指などにより表示領域Ｍが押されていない状態における感圧センサを示す断面図である。すなわち、図６（ａ）は表示領域Ｍに負荷が加わっていない状態における感圧センサを示す。図７（ａ）は、図６（ａ）の状態におけるコンデンサの状態を示す概念図である。この状態において、第３電極６６は、第２電極５８から離間している。この状態から、表示領域Ｍを指などで、後述する力Ｆ１よりも弱い力で押すと、対向基板７０及び第３電極６６は、指で押された箇所（指圧の中心部）で、第２電極５８に近づくように撓む。すなわち、第３電極６６と第２電極５８の間の距離が近づく。

図６（ｂ）は、指などにより表示領域Ｍが押された状態における感圧センサを示す図である。指で押された対向基板７０及び第３電極６６は、指で押された箇所（指圧の中心部）において撓む。第３電極６６が撓むことにより、弾力層６７は、第３電極６６に押されることにより圧縮される。そして、図６（ｂ）に示すように、所定の力Ｆ１で表示領域Ｍを押した場合に、第３電極６６は第２電極５８に接触する。図７（ｂ）は、図６（ｂ）の状態におけるコンデンサの状態を示す概念図である。この状態における合成静電容量はＣ２となる。

図６（ｃ）は、指などにより、力Ｆ１よりも強い力Ｆ２で表示領域Ｍが押された状態における感圧センサを示す図である。この場合、力Ｆ１で表示領域Ｍを押した時よりも、第３電極６６が第２電極５８に接触する箇所が多くなる。図７（ｃ）は、図６（ｃ）の状態におけるコンデンサの状態を示す概念図である。この状態における合成静電容量はＣ１＋Ｃ２＋Ｃ３である。すなわち、表示領域Ｍを押す力が強いほど、感圧センサＳを構成するコンデンサの合成静電容量は大きくなる。なお、図６（ｃ）においては、第３電極６６が全ての第２電極５８と接触した図となっているが、指などで押された箇所（指圧の中心部）から離れた領域においては、第３電極６６は撓んでおらず、第２電極５８と非接触となっている。

単に第３電極６６と第２電極５８とを平板状に対向するように形成し、押圧によって変化する両者間の距離の変化、すなわち相互の静電容量の変化量は、その値を検出して押圧の強弱を認識するにはあまりに微小な変化量である。一方、第１実施形態の構成によると、第３電極６６と第２電極５８の接触箇所の数に応じて、静電容量が、押圧の強弱を認識するのに十分な変化量でリニア（線形）に変化する。すなわち、第１実施形態においては、並列接続されたコンデンサの数に応じて、タッチがあったことを検出している。このような構成を採用するため、より確実に静電容量の変化を検出することが可能である。すなわち、より精度良くタッチを検出することが可能である。

図８は、第１実施形態の第１変形例の感圧センサを示す断面図である。図６で示した感圧センサＳにおいては、複数の誘電体層６８がそれぞれ略同じ膜厚である構成について示したが、図８においては、膜厚の異なる誘電体層を含む感圧センサＳについて示す。なお、誘電体層の膜厚が異なることを除いて、他の構成に関しては、図１〜図７で説明した構成と同様であるため、同じ構成については同じ符号を用いてその説明は省略する。

第１変形例の感圧センサＳは、誘電体層６８ａと、誘電体層６８ａよりも膜厚の薄い誘電体層６８ｂとを含む。誘電体６８ａ及び誘電体層６８ｂの上には、それぞれ略同じ膜厚の第２電極５８が設けられる。そのため、第３電極６６と、誘電体層６８ａ上の第２電極５８との距離は、第３電極６６と、誘電体層６８ｂ上の第２電極５８との距離よりも短い。

表示領域Ｍを指などで押すと、第３電極６６が撓み、弾力層６７が圧縮される。そして、第３電極６６が、誘電体層６８ａ上の第２電極５８に接触した時、コンデンサが形成されて静電容量が大きく変化する。さらに強い力で表示領域Ｍを押すと、さらに弾力層６７が圧縮され、第３電極６６が誘電体層６８ｂ上の第２電極５８に接触した時、コンデンサが形成され静電容量が大きく変化する。このように、第３電極６６に対する第２電極５８の距離が異なる領域を設けることにより、表示領域Ｍを押す力に応じて静電容量が大きく変化する段階をより明確に区別できる。そのため、より精度良くタッチを検出することが可能となる。

なお、図８においては、誘電体層６８ａと誘電体層６８ｂが交互に並べられる構成について示したが、これに限られるものではない。例えば、２つの誘電体層６８ａが並んで設けられ、その隣に、２つの誘電体層６８ｂが並んで設けられるような構成であってもよい。

図９は、第１実施形態の第２変形例の感圧センサを示す断面図である。第１実施形態の第２変形例においても、第１変形例と同様に、膜厚の異なる誘電体層を含む構成について示すが、膜厚の異なる誘電体層の数、配置が第１変形例に示した構成と異なる。

第２変形例においては、膜厚が互いに異なる３種類の誘電体層６８ｃ、６８ｄ、６８ｅを含む構成を採用した。また、第１変形例と同様に、それら誘電体層６８ｃ、６８ｄ、６８ｅ上に設けられる第２電極５８の膜厚は略同じとした。

第２変形例においても、表示領域Ｍを指などで押すと、第３電極６６が撓み、弾力層６７が圧縮される。そして、第３電極６６が、誘電体層６８ｃ上の第２電極５８と接触した時、コンデンサが形成されて静電容量が大きく変化する。さらに強い力で表示領域Ｍを押すと、さらに弾力層６７が圧縮され、第３電極６６が誘電体層６８ｄ上の第２電極５８に接触した時、コンデンサが形成され静電容量が大きく変化する。そこからさらに、強い力で表示領域Ｍを押すと、さらに弾力層６７が圧縮され、第３電極６６が誘電体層６８ｅ上の第２電極５８に接触した時、コンデンサが形成され静電容量が大きく変化する。このように、第３電極６６に対する第２電極５８の距離が異なる領域を設けることにより、表示領域Ｍを押す力に応じて静電容量が大きく変化する段階をより明確に区別できる。そのため、より精度良くタッチを検出することが可能となる。なお、誘電体層６８ｃ、誘電体層６８ｄ、誘電体層６８ｅの並びは図９に示すものに限られるものではない。

次に、図１０、図１１を参照して、第２実施形態について説明する。図１０は、第２実施形態の感圧センサを示す断面図である。図１１は、第２実施形態の感圧センサを示す平面図である。

第２実施形態の感圧センサＳは、第１電極１５６と、誘電体層１６８と、第２電極１６６と、弾力層６７とを有する。第１電極１５６は、封止膜４６上に設けられる。誘電体層１６８は、第１電極１５６と同層で、第１電極１５６間に設けられる。第２電極１６６は、第１電極１５６に重畳し、かつ離間して、対向基板７０の下面に設けられる。弾力層６７は、対向基板７０と封止膜４６に接して設けられる。

表示領域Ｍを指などで押すと、対向基板７０が撓み、弾力層６７が圧縮される。そして、第２電極１６６が第１電極１５６に接触すると、第１電極１５６、第２電極１６６、誘電体層１６８とでコンデンサが形成され、静電容量が大きく変化する。このような構成を採用することにより、第１実施形態と同様に、精度良くタッチ検出をすることができる。また、誘電体層１６８を第１電極１５６と同層に設けるため、第１実施形態の構成と比較して、感圧センサＳの薄型化が可能となる。

図１２は、第２実施形態の変形例の感圧センサを示す断面図である。第２実施形態の変形例においては、膜厚の異なる誘電体層及び第１電極を含む点で図１０で示した構成と異なる。その他の構成については同じであるため、同じ構成については同じ符号を用いてその説明は省略する。

図１２に示すように、第２実施形態の変形例の感圧センサＳは、第１電極１５６ａと、第１電極１５６ａと同層に設けられ略同じ膜厚の誘電体層１６８ａと、を有する。さらに、第１電極１５６ｂと、第１電極１５６ｂと同層に設けられ略同じ膜厚の誘電体層１６８ｂと、第１電極１５６ｃと、第１電極１５６ｃと同層に設けられ略同じ膜厚の誘電体層１６８ｃと、を有する。

表示領域Ｍを指等で押すと、対向基板７０が撓み、弾力層６７が圧縮される。そして、第２電極１６６が第１電極１５６ｃに接触した時、コンデンサが形成され静電容量が大きく変化する。さらに強い力で表示領域Ｍを押すと、さらに弾力層６７が圧縮され、第２電極１６６が第１電極１５６ｂに接触した時、コンデンサが形成され静電容量が大きく変化する。そこからさらに強い力で表示領域Ｍを押すと、さらに弾力層６７が圧縮され、第２電極１６６が第１電極１５６ａに接触した時、コンデンサが形成され静電容量が大きく変化する。このように、第２電極に対する第１電極の距離が異なる領域を設けることにより、表示領域Ｍを押す力に応じて静電容量が大きく変化する段階をより明確に区別できる。そのため、より精度良くタッチを検出することが可能となる。

なお、図１２においては、膜厚の異なる３種類の第１電極及び誘電体層を有する構成について示したが、これに限られるものではなく、例えば、膜厚の異なる２種類の第１電極及び誘電体層を有する構成であってもよい。また、第１電極及び誘電体層の並びは図１２に示すものに限られるものではない。

なお、上述した実施形態においては、特に説明しないが、感圧センサＳ上に、さらにタッチの位置検出が可能なタッチパネルを備えてもよい。

なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

１０ 第１基板、１２ 集積回路チップ、１４ａ〜１４ｂ アンダーコート層、１６ 半導体層、１６ ソース電極、１８ ソース電極、２０ ドレイン電極、２２ ゲート絶縁膜、２４ ゲート電極、２６ａ，２６ｂ 層間絶縁膜、２８ 薄膜トランジスタ、３０ パッシベーション膜、３２ 平坦化層、３４ 画素電極、３６ コンタクトホール、３８ 絶縁層、４０ 発光層、４２ 対向電極、４４ 発光素子、４６ 封止膜、４８ 無機絶縁層、５０ 無機絶縁層、５２ 有機絶縁層、５４ 感圧センサ、５６，１５６ 第１電極、５８ 第２電極、６６ 第３電極、６７ 弾力層、６８ 誘電体層、７０ 対向基板、１００ 表示装置、Ｃ１〜Ｃ３ コンデンサ、Ｓ 感圧センサ、Ｍ 表示領域、Ｎ 額縁領域、Ｔ 端子領域。

Claims (11)

1. 複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域と、
   前記表示領域を覆うように形成された封止膜と、
   前記封止膜上に設けられる感圧センサと、
   を有し、
   前記感圧センサは、
   前記封止膜上であって、前記表示領域と重畳する箇所に離散的に設けられた複数の第１電極と、
   前記複数の第１電極のうち各第１電極上にそれぞれ、離散的に設けられた複数の誘電体層と、
   前記複数の誘電体層上に設けられた複数の第２電極と、
   前記複数の第１電極のうち各第１電極上であって、前記複数の誘電体及び前記複数の第２電極と重畳しない領域に設けられた弾力層と、
   前記複数の第１電極、前記複数の誘電体層、前記複数の第２電極、及び前記複数の弾力層に重畳する領域に、連続的に設けられた第３電極と、
   を有し、
   前記第３電極は、前記第２電極と離間しており、
   前記弾力層は、前記第１電極及び前記第３電極と接して設けられることを特徴とする、感圧センサ付表示装置。
2. 前記複数の画素はそれぞれ、発光領域を有し、
   前記複数の誘電体層、及び前記複数の第２電極は、平面的に見て前記発光領域と重畳しない領域に設けられることを特徴とする、請求項１に記載の感圧センサ付表示装置。
3. 前記複数の誘電体層は、互いに膜厚が異なる誘電体層を含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の感圧センサ付表示装置。
4. 前記互いに膜厚の異なる誘電体層は、前記複数の第１電極のうち同じ第１電極上に設けられることを特徴とする、請求項３に記載の感圧センサ付表示装置。
5. 前記複数の第１電極の一と、前記複数の第１電極の一に重畳して設けられた前記複数の第２電極の一との距離は、前記複数の第１電極の他の一と、前記複数の第１電極の他の一に重畳して設けられた前記複数の第２電極の他の一との距離と異なることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の感圧センサ付表示装置。
6. 複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域と、
   前記表示領域を覆うように形成された封止膜と、
   前記封止膜上に設けられる感圧センサと、
   前記感圧センサ上であって、前記表示領域に対向して配置された対向基板と、
   を有し、
   前記感圧センサは、
   前記封止膜上であって、前記表示領域と重畳する箇所に離散的に設けられた複数の第１電極と、
   前記封止膜上であって、前記複数の第１電極間に挟まれて設けられた複数の誘電体層と、
   前記封止膜上であって、前記複数の第１電極及び前記複数の誘電体層と重畳しない領域に設けられた弾力層と、
   前記誘電体層を挟む前記第１電極上にそれぞれ重畳するように設けられた第２電極と、
   を有し、
   前記第２電極は、前記第１電極と離間しており、
   前記弾力層は、前記封止膜及び前記対向基板と接して設けられることを特徴とする、感圧センサ付表示装置。
7. 前記複数の画素はそれぞれ、発光領域を有し、
   前記複数の誘電体層、及び前記複数の第２電極は、平面的に見て前記発光領域と重畳しない領域に設けられることを特徴とする、請求項６に記載の感圧センサ付表示装置。
8. 前記複数の誘電体層は、互いに膜厚が異なる誘電体層を含むことを特徴とする、請求項６又は７に記載の感圧センサ付表示装置。
9. 前記互いに膜厚の異なる誘電体層は、前記複数の第１電極のうち同じ第１電極上に設けられることを特徴とする、請求項８に記載の感圧センサ付表示装置。
10. 前記複数の第１電極の一と、前記複数の第１電極の一に重畳して設けられた前記複数の第２電極の一との距離は、前記複数の第１電極他の一と、前記複数の第１電極他の一に重畳して設けられた前記複数の第２電極の他の一との距離と異なることを特徴とする、請求項６〜９のいずれか１項に記載の感圧センサ付表示装置。
11. 第１電極と、
    前記第１電極上に離散的に設けられた複数の誘電体層と、
    前記複数の誘電体層上に設けられた複数の第２電極と、
    前記第１電極上であって、前記複数の誘電体及び前記複数の第２電極と重畳しない領域に設けられた弾力層と、
    前記第１電極、前記複数の誘電体層、前記複数の第２電極、及び前記複数の弾力層に重畳する領域に、連続的に設けられた第３電極と、
    を有し、
    前記第３電極は、前記第２電極と離間しており、
    前記弾力層は、前記第１電極及び前記第３電極と接して設けられることを特徴とする、感圧センサ。

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