JP2018080084A - 半導体シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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前記CZシリコン結晶の軸方向の酸素濃度を予め測定して酸素濃度分布を取得する工程と、
前記取得したCZシリコン結晶の軸方向の酸素濃度分布に応じて、前記CZシリコン結晶の形状を加工する工程と、
前記形状を加工したCZシリコン結晶を原料として用い、FZ法により前記半導体シリコン単結晶を製造する工程とを有することを特徴とするFZ法による半導体シリコン単結晶の製造方法を提供する。
前記取得したCZシリコン結晶の軸方向の酸素濃度分布に相関するように、前記CZシリコン結晶の直径を軸方向で変化させるように加工することが好ましい。
前記取得したCZシリコン結晶の軸方向の酸素濃度分布における、前記酸素濃度が高い位置の前記CZシリコン結晶の直径に比べて、前記酸素濃度が低い位置の前記CZシリコン結晶の直径が小さくなるように加工することが好ましい。
本発明の半導体シリコン単結晶の製造方法により、FZ法で製造する半導体シリコン単結晶の軸方向の全体で、酸素濃度が4.0×1016atoms/cm3〜5.3×1016atoms/cm3の範囲に収まるように、結晶直径200mmのFZシリコン単結晶を製造した。
実施例で使用した原料と長手方向の酸素濃度変化がほぼ同等のCZシリコン結晶を原料として用い、実施例のような形状の加工を行わなかったこと、従って、上軸速度は従来通りとすること以外は、実施例と同条件で、結晶直径200mmのFZシリコン単結晶の製造を行った。
13…下軸、 14…CZシリコン結晶、 15…種結晶、
16…高周波加熱コイル、 17…絞り、 18…溶融帯域、
19…半導体シリコン単結晶、 20…ドープノズル、 21…直胴部、
22…コーン部。
Claims (7)
- CZ法により製造したCZシリコン結晶を原料としたFZ法による半導体シリコン単結晶の製造方法において、
前記CZシリコン結晶の軸方向の酸素濃度を予め測定して酸素濃度分布を取得する工程と、
前記取得したCZシリコン結晶の軸方向の酸素濃度分布に応じて、前記CZシリコン結晶の形状を加工する工程と、
前記形状を加工したCZシリコン結晶を原料として用い、FZ法により前記半導体シリコン単結晶を製造する工程とを有することを特徴とするFZ法による半導体シリコン単結晶の製造方法。 - 前記CZシリコン結晶の形状を加工する工程において、
前記取得したCZシリコン結晶の軸方向の酸素濃度分布に相関するように、前記CZシリコン結晶の直径を軸方向で変化させるように加工することを特徴とする請求項1に記載の半導体シリコン単結晶の製造方法。 - 前記CZシリコン結晶の形状を加工する工程において、
前記取得したCZシリコン結晶の軸方向の酸素濃度分布における、前記酸素濃度が高い位置の前記CZシリコン結晶の直径に比べて、前記酸素濃度が低い位置の前記CZシリコン結晶の直径が小さくなるように加工することを特徴とする請求項2に記載の半導体シリコン単結晶の製造方法。 - 前記FZ法で製造する半導体シリコン単結晶の直径を150mm以上とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体シリコン単結晶の製造方法。
- 所望とする前記FZ法で製造する半導体シリコン単結晶の酸素濃度の50倍以上の酸素濃度を有する前記CZシリコン結晶を原料として用いることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体シリコン単結晶の製造方法。
- 前記FZ法で製造する半導体シリコン単結晶の軸方向の全体で、酸素濃度が2.1×1016atoms/cm3以上8.0×1016atoms/cm3以下の範囲であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体シリコン単結晶の製造方法。
- 前記FZ法で製造する半導体シリコン単結晶の軸方向の全体で、酸素濃度が4.0×1016atoms/cm3以上5.0×1016atoms/cm3以下の範囲であることを特徴とする請求項6に記載の半導体シリコン単結晶の製造方法。
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