JP2018074066A - Semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device in which generation of a bur on an end of a lead terminal is inhibited.SOLUTION: A semiconductor device 100 comprises an element 10, lead terminals 21-24, a plurality of metallic thin lines and an encapsulation body 50. The element 10 is an element having an electromagnetic conversion function or a photoelectric conversion function and has a plurality of electrodes. The lead terminals are arranged around a Hall element 10 in plan view. The encapsulation body 50 is composed of a synthetic resin and encapsulated the element 10, the lead terminals and the plurality of metallic thin lines. The lead terminals have terminal bottom faces 21e-24e exposed from a bottom face 52 of the encapsulation body 50 and terminal lateral faces 21c-24c exposed from a first lateral face 53 of the encapsulation body 50, respectively. Each of the terminal lateral faces 21c-24c has a shape of a virtual quadrangle with any corner being removed, which has a first side extending along a straight line along the bottom face 52 of the encapsulation body 50.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

この発明は半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device.

近年、電子機器の小型化に伴い、電子部品の小型・薄型化が進展している。その中で、センサなどの半導体装置では、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）やＱＦＮ（Quad flat no lead package ）と称されるノンリードタイプのパッケージが採用されている。
ＳＯＮやＱＦＮによるパッケージの製造方法（特許文献１などを参照）では、先ず、リードフレーム上の複数位置に複数の素子を搭載した後、合成樹脂で複数の素子を含むリードフレーム全体を一括して封止する。次に、ダイシングブレードにより、合成樹脂からなる封止体とリードフレームを一体に切断して個片化することで、一つの素子と複数のリード端子とを含む半導体装置を、複数個得る。 In recent years, with the miniaturization of electronic devices, electronic components have become smaller and thinner. Among them, semiconductor devices such as sensors employ non-lead type packages called SON (Small Outline Non-leaded Package) and QFN (Quad flat no lead package).
In a package manufacturing method using SON or QFN (see Patent Document 1, etc.), first, a plurality of elements are mounted at a plurality of positions on a lead frame, and then the entire lead frame including the plurality of elements is collectively made of synthetic resin. Seal. Next, a sealing body made of synthetic resin and a lead frame are integrally cut and separated into pieces by a dicing blade, thereby obtaining a plurality of semiconductor devices including one element and a plurality of lead terminals.

特開２００７−２４２６４３号公報JP 2007-242643 A

しかしながら、上述の方法で製造された半導体装置では、ダイシングブレードによる個片化工程でリードフレームの切断面（リード端子の封止体側面からの露出面）に半導体装置の厚さ方向に延びるバリが生じるため、パッケージの厚さが設計値より厚くなるなどの問題が生じる。特に、薄型化が求められているセンサでは、例えば２００μｍ以下の厚さのセンサの場合、厚さ方向に延びるバリの許容値は例えば数１０μｍ以下となる。
この発明の課題は、ダイシングブレードにより合成樹脂からなる封止体とリードフレームを一体に切断して個片化する工程を含む方法で製造される半導体装置において、個片化工程でリードフレームの切断面に生じるバリの発生量を抑制することである。 However, in the semiconductor device manufactured by the above-described method, burrs extending in the thickness direction of the semiconductor device are formed on the cut surface of the lead frame (exposed surface from the side surface of the sealing body of the lead terminal) in the singulation process by the dicing blade. As a result, there arises a problem that the thickness of the package becomes thicker than the design value. In particular, in a sensor that is required to be thin, for example, in the case of a sensor having a thickness of 200 μm or less, the allowable value of a burr extending in the thickness direction is, for example, several tens of μm or less.
An object of the present invention is to cut a lead frame in a singulation process in a semiconductor device manufactured by a method including a process of cutting a sealing body made of a synthetic resin and a lead frame together with a dicing blade into a piece. This is to suppress the amount of burrs generated on the surface.

上記課題を解決するために、この発明の一態様の半導体装置は、下記の構成要件(1) 〜(5) を有する。
(1) 磁電変換機能または光電変換機能を有し複数の電極を備えた素子を備えている。
(2) 平面視で素子の周囲に配置された複数のリード端子を備えている。
(3) 素子の複数の電極と複数のリード端子とを、それぞれ電気的に接続する複数の金属細線を備えている。 In order to solve the above problems, a semiconductor device according to one embodiment of the present invention has the following structural requirements (1) to (5).
(1) An element having a plurality of electrodes having a magnetoelectric conversion function or a photoelectric conversion function is provided.
(2) It has a plurality of lead terminals arranged around the element in plan view.
(3) A plurality of fine metal wires are provided to electrically connect the plurality of electrodes of the element and the plurality of lead terminals, respectively.

(4) 合成樹脂を主成分とする材料（合成樹脂以外に、必要に応じて添加されるフィラーや不可避的に混在する不純物などを含む場合がある）からなる封止体を備えている。この封止体は、底面と、底面とは反対側の面と、底面から立ち上がって反対側の面に至る側面と、を有する。この封止体は、素子とリード端子と複数の金属細線とを封止する。
(5) 複数のリード端子は、それぞれ、封止体の底面から露出する端子底面と、封止体の側面から露出する端子側面と、を有する。端子側面は、封止体の底面に沿った直線を第一辺とする仮想四角形のいずれかの角部が除去された形状を有する。 (4) It is provided with a sealing body made of a material mainly composed of a synthetic resin (in addition to the synthetic resin, it may contain a filler added as necessary or an inevitably mixed impurity). The sealing body has a bottom surface, a surface opposite to the bottom surface, and a side surface that rises from the bottom surface and reaches the surface on the opposite side. This sealing body seals an element, a lead terminal, and a plurality of fine metal wires.
(5) Each of the plurality of lead terminals has a terminal bottom surface exposed from the bottom surface of the sealing body and a terminal side surface exposed from the side surface of the sealing body. The terminal side surface has a shape in which any corner of a virtual quadrangle having a straight line along the bottom surface of the sealing body as a first side is removed.

この発明の一態様の半導体装置によれば、リード端子の形状を特定することにより、ダイシングブレードにより合成樹脂からなる封止体とリードフレームを一体に切断して個片化する工程を含む方法で製造される際に、個片化工程でリードフレームの切断面に生じるバリの発生量を抑制できる。   According to the semiconductor device of one aspect of the present invention, by specifying the shape of the lead terminal, the sealing body made of synthetic resin and the lead frame are integrally cut by a dicing blade and separated into individual pieces. When manufactured, the amount of burrs generated on the cut surface of the lead frame in the singulation process can be suppressed.

第一実施形態のセンサ（磁気センサ）を示す斜視図（ａ）と、平面図（ｂ）と、（ｂ）のＣ−Ｃ断面に対応する断面図（ｃ）である。They are the perspective view (a) which shows the sensor (magnetic sensor) of 1st embodiment, a top view (b), and sectional drawing (c) corresponding to CC cross section of (b). 第一実施形態のセンサ（磁気センサ）を示す第一の側面図（ａ）と、底面図（ｂ）と、第二の側面図（ｃ）である。It is the 1st side view (a) which shows the sensor (magnetic sensor) of 1st embodiment, a bottom view (b), and a 2nd side view (c). 第一実施形態のセンサを構成する端子の側面の形状を説明する図であって、図２（ａ）の部分拡大図に相当する。It is a figure explaining the shape of the side of the terminal which constitutes the sensor of a first embodiment, and is equivalent to the partial enlarged view of Drawing 2 (a). 第一実施形態のセンサを構成する端子の平面視での形状を説明する図であって、図１（ｂ）の部分拡大図に相当する。It is a figure explaining the shape in planar view of the terminal which comprises the sensor of 1st embodiment, Comprising: It corresponds to the elements on larger scale of FIG.1 (b). 図１の磁気センサの製造方法を工程順に説明する平面図である。It is a top view explaining the manufacturing method of the magnetic sensor of FIG. 1 in process order. 図１の磁気センサの製造方法の樹脂封止工程以降を工程順に説明する断面図（ａ）〜（ｄ）と側面図（ｅ）である。It is sectional drawing (a)-(d) and the side view (e) explaining the resin sealing process after the manufacturing method of the magnetic sensor of FIG. 1 in order of a process. 第二実施形態のセンサ（磁気センサ）を示す平面図（ａ）と、第一の側面図（ｂ）と、底面図（ｃ）と、第二の側面図（ｃ）である。It is the top view (a) which shows the sensor (magnetic sensor) of 2nd embodiment, 1st side view (b), bottom view (c), and 2nd side view (c). 第二実施形態のセンサを構成する端子の側面の形状を説明する図であって、図７（ｂ）の部分拡大図に相当する。It is a figure explaining the shape of the side surface of the terminal which comprises the sensor of 2nd embodiment, Comprising: It corresponds to the elements on larger scale of FIG.7 (b). 第三実施形態のセンサ（磁気センサ）を示す平面図（ａ）と、第一の側面図（ｂ）と、底面図（ｃ）と、第二の側面図（ｃ）である。It is the top view (a) which shows the sensor (magnetic sensor) of 3rd embodiment, a 1st side view (b), a bottom view (c), and a 2nd side view (c). 第三実施形態のセンサを構成する端子の平面視での形状を説明する図であって、図９（ａ）の部分拡大図に相当する。It is a figure explaining the shape in planar view of the terminal which comprises the sensor of 3rd embodiment, Comprising: It corresponds to the elements on larger scale of Fig.9 (a).

以下、この発明の実施形態について説明するが、この発明は以下に示す実施形態に限定されない。以下に示す実施形態では、この発明を実施するために技術的に好ましい限定がなされているが、この限定はこの発明の必須要件ではない。
なお、以下の説明で使用する図において、図示されている各部の寸法関係は、実際の寸法関係と異なる場合がある。 Hereinafter, although embodiment of this invention is described, this invention is not limited to embodiment shown below. In the embodiment described below, a technically preferable limitation is made for carrying out the present invention, but this limitation is not an essential requirement of the present invention.
Note that in the drawings used in the following description, the dimensional relationships of the respective parts illustrated may be different from the actual dimensional relationships.

〔第一実施形態〕
第一実施形態として、磁電変換機能を有する素子としてホール素子を用いた磁気センサ（半導体装置）について説明する。
［磁気センサの構成］
図１（ａ）〜（ｃ）および図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、この実施形態の磁気センサ１００は、ホール素子１０と、四個（複数）のリード端子２１〜２４と、四本（複数）の金属細線３１〜３４と、絶縁層（保護層）４０と、合成樹脂製の封止体５０と、外装メッキ層６０とを有する。磁気センサ１００は、ホール素子１０を載置するためのアイランド部を有さない。つまり、磁気センサ１００はアイランドレス構造を有する。なお、図１（ａ）と図２（ｂ）では外装メッキ層６０が省略されている。 [First embodiment]
As a first embodiment, a magnetic sensor (semiconductor device) using a Hall element as an element having a magnetoelectric conversion function will be described.
[Configuration of magnetic sensor]
As shown in FIGS. 1A to 1C and FIGS. 2A to 2C, the magnetic sensor 100 of this embodiment includes a Hall element 10, four (plural) lead terminals 21 to 24, and , Four (plural) fine metal wires 31 to 34, an insulating layer (protective layer) 40, a synthetic resin sealing body 50, and an exterior plating layer 60. The magnetic sensor 100 does not have an island portion on which the hall element 10 is placed. That is, the magnetic sensor 100 has an islandless structure. In addition, the exterior plating layer 60 is abbreviate | omitted in Fig.1 (a) and FIG.2 (b).

図１（ａ）に示すように、磁気センサ１００は直方体の外観形状を有する。この直方体の内部に、ホール素子１０と、リード端子２１〜２４と、金属細線３１〜３４と、絶縁層４０が配置されている。封止体５０をなす合成樹脂は、これらの部品と直方体をなす六個の面との間を埋めるとともに、六個の面を形成している。つまり、封止体５０は、第一面（ホール素子１０の基板側を下側とした時に最上面となる面、底面とは反対側の面）５１と、第二面（底面、ホール素子１０の基板側を下側とした時に最下面となる面）５２と、一対の第一側面５３と、一対の第二側面５４を有する。図１（ｂ）では、封止体５０の第一面５１と内部を埋めている部分が省略されている。   As shown in FIG. 1A, the magnetic sensor 100 has a rectangular parallelepiped appearance. Inside the rectangular parallelepiped, the Hall element 10, the lead terminals 21 to 24, the fine metal wires 31 to 34, and the insulating layer 40 are arranged. The synthetic resin forming the sealing body 50 fills the space between these parts and the six surfaces forming the rectangular parallelepiped, and forms six surfaces. That is, the sealing body 50 includes a first surface (a surface that is the uppermost surface when the substrate side of the Hall element 10 is the lower side, a surface opposite to the bottom surface) 51 and a second surface (the bottom surface, the Hall element 10). ) 52, a pair of first side surfaces 53, and a pair of second side surfaces 54. In FIG.1 (b), the part which has filled the 1st surface 51 and the inside of the sealing body 50 is abbreviate | omitted.

＜ホール素子＞
図１（ｂ）に示すように、ホール素子１０は、基板上に形成された半導体薄膜からなる活性層（磁気感受部）１２と、活性層１２と電気的に接続された四個（複数）の電極１３ａ〜１３ｄとを有する。
図１（ｃ）および図２（ｂ）に示すように、ホール素子１０の基板の平面形状は正方形である。基板は、例えば、半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）からなる。また、基板としては、シリコン（Ｓｉ）などからなる半導体基板や、フェライト基板などの磁気を収束する効果のある基板を用いることもできる。
活性層１２は、例えば、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）やガリウムヒ素などの化合物半導体からなる薄膜である。
ホール素子１０の厚さは、例えば１００μｍ以下である。 <Hall element>
As shown in FIG. 1B, the Hall element 10 includes an active layer (magnetic sensing portion) 12 made of a semiconductor thin film formed on a substrate, and four (plural) electrically connected to the active layer 12. Electrodes 13a to 13d.
As shown in FIGS. 1C and 2B, the planar shape of the substrate of the Hall element 10 is a square. The substrate is made of, for example, semi-insulating gallium arsenide (GaAs). As the substrate, a semiconductor substrate made of silicon (Si) or the like, or a substrate having an effect of converging magnetism such as a ferrite substrate can be used.
The active layer 12 is a thin film made of a compound semiconductor such as indium antimony (InSb) or gallium arsenide.
The thickness of the Hall element 10 is, for example, 100 μm or less.

＜リード端子＞
リード端子２１〜２４は、磁気センサ１００と外部との電気的接続を得るための端子である。図１（ｂ）に示すように、リード端子２１〜２４は、平面視でホール素子１０の周囲に配置されている。
図１および図２に示すように、リード端子２１〜２４は、封止体５０の第一面（底面とは反対側の面）５１側の面である上面２１ａ〜２４ａと、ホール素子１０側の面であって封止体５０の第一側面５３に近い位置に存在する面２１ｂ〜２４ｂを有する。また、リード端子２１〜２４は、封止体５０の第一側面５３と平行で隣のリード端子との対向面２１ｇ〜２４ｇと、第一側面５３と同一面となる外側面２１ｃ〜２４ｃと、ホール素子１０とは反面側の面であって、第一側面５３から離れる位置に存在する面２１ｄ１〜２４ｄ１および第一側面５３に近い位置に存在する面２１ｄ２〜２４ｄ２と、封止体５０の第二面（底面）５２と同一面となる下面２１ｅ〜２４ｅを有する。 <Lead terminal>
The lead terminals 21 to 24 are terminals for obtaining an electrical connection between the magnetic sensor 100 and the outside. As shown in FIG. 1B, the lead terminals 21 to 24 are arranged around the Hall element 10 in a plan view.
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the lead terminals 21 to 24 include upper surfaces 21 a to 24 a that are surfaces on the first surface (surface opposite to the bottom surface) 51 side of the sealing body 50, and the Hall element 10 side. And the surfaces 21 b to 24 b existing at positions close to the first side surface 53 of the sealing body 50. The lead terminals 21 to 24 are parallel to the first side surface 53 of the sealing body 50 and face opposite to the lead terminals 21g to 24g, and outer surfaces 21c to 24c that are flush with the first side surface 53; The Hall element 10 is the surface opposite to the surface 21d1 to 24d1 that is located away from the first side surface 53, the surfaces 21d2 to 24d2 that are located near the first side surface 53, and the first of the sealing body 50. It has lower surfaces 21 e to 24 e that are flush with the two surfaces (bottom surface) 52.

つまり、リード端子２１〜２４は、封止体５０の底面５２から露出する端子底面（下面）２１ｅ〜２４ｅと、第一側面５３から露出する端子側面（外側面）２１ｃ〜２４ｃを有する。
また、リード端子２１〜２４は、上面２１ａ〜２４ａから徐々に高さが低くなる凹状の円弧面２１ｆ〜２４ｆと、下面２１ｅ〜２４ｅから徐々に高さが高くなる凹状の曲面２１ｈ〜２４ｈを有する。円弧面２１ｆ〜２４ｆは上面２１ａ〜２４ａ側のハーフエッチング部であり、曲面２１ｈ〜２４ｈは下面２１ｅ〜２４ｅ側のハーフエッチング部である。また、リード端子２１〜２４は、ホール素子１０の角部と対向する凹状の円弧面２１ｉ〜２４ｉを有する。これらの円弧面２１ｉ〜２４ｉは同一円上にあり、その円の中心はホール素子１０の平面形状の中心である。 That is, the lead terminals 21 to 24 have terminal bottom surfaces (lower surfaces) 21 e to 24 e exposed from the bottom surface 52 of the sealing body 50 and terminal side surfaces (outer surfaces) 21 c to 24 c exposed from the first side surface 53.
The lead terminals 21 to 24 have concave arcuate surfaces 21f to 24f whose height gradually decreases from the upper surfaces 21a to 24a, and concave curved surfaces 21h to 24h whose height gradually increases from the lower surfaces 21e to 24e. . The circular arc surfaces 21f to 24f are half-etched portions on the upper surface 21a to 24a side, and the curved surfaces 21h to 24h are half-etched portions on the lower surface 21e to 24e side. The lead terminals 21 to 24 have concave arcuate surfaces 21 i to 24 i that face the corners of the Hall element 10. These circular arc surfaces 21 i to 24 i are on the same circle, and the center of the circle is the center of the planar shape of the Hall element 10.

また、図２（ｂ）に示すように、封止体５０の第二面５２において隣り合う二つのリード端子２１，２３間の距離と二つのリード端子２２，２４間の距離は同じであり、その距離Ｔは２００μｍ以下である。封止体５０の第二面５２において隣り合う二つのリード端子２１，２４間の距離と二つのリード端子間２２，２３間の距離は同じであり、その距離はＴより大きい。   2B, the distance between the two lead terminals 21 and 23 adjacent to each other on the second surface 52 of the sealing body 50 is the same as the distance between the two lead terminals 22 and 24. The distance T is 200 μm or less. The distance between the two lead terminals 21 and 24 adjacent to each other on the second surface 52 of the sealing body 50 and the distance between the two lead terminals 22 and 23 are the same, and the distance is larger than T.

ここで、端子側面２１ｃ〜２４ｃの形状について、図３に示す仮想四角形２００を用いて説明する。
図３に示すように、端子側面２１ｃ〜２４ｃの仮想四角形２００は、封止体の底面５２に沿った直線である第一辺２０１と、端子反面（上面）２１ａ〜２４ａに沿った第二辺２０２と、素子側で第一辺２０１から第二辺２０２に至る第三辺２０３と、素子とは反対側で第一辺２０１から第二辺２０２に至る第四辺２０４ａと、からなる長方形である。 Here, the shape of the terminal side surfaces 21c to 24c will be described using a virtual quadrangle 200 shown in FIG.
As shown in FIG. 3, the virtual quadrangle 200 of the terminal side surfaces 21 c to 24 c includes a first side 201 that is a straight line along the bottom surface 52 of the sealing body and a second side along the terminal opposite surface (upper surface) 21 a to 24 a. 202, a third side 203 that extends from the first side 201 to the second side 202 on the element side, and a fourth side 204 a that extends from the first side 201 to the second side 202 on the opposite side of the element. is there.

また、第一辺２０１は、端子底面（下面）２１ｅ〜２４ｅに沿った直線である。第三辺２０３は、ホール素子１０側の面２１ｂ〜２４ｂに沿った直線である。第四辺２０４ａは、ホール素子１０とは反面側の面２１ｄ２〜２４ｄ２に沿った直線である。
そして、磁気センサ１００を構成する端子側面２１ｃ〜２４ｃは、仮想四角形２００の四つの仮想角部２１０〜２４０のうち、第二辺２０２と第三辺２０３とで形成される仮想角部２１０が除去された形状を有する。つまり、仮想角部２１０の除去により凹状の円弧面２１ｆ〜２４ｆが形成されている。 The first side 201 is a straight line along the terminal bottom surfaces (lower surfaces) 21e to 24e. The third side 203 is a straight line along the surfaces 21b to 24b on the Hall element 10 side. The fourth side 204a is a straight line along the surfaces 21d2 to 24d2 on the side opposite to the Hall element 10.
The terminal side surfaces 21c to 24c constituting the magnetic sensor 100 are removed from the virtual corner portion 210 formed by the second side 202 and the third side 203 out of the four virtual corner portions 210 to 240 of the virtual quadrangle 200. Has a shape. That is, the concave arcuate surfaces 21f to 24f are formed by removing the virtual corner portion 210.

また、リード端子２１〜２４は、図４に示すように、平面視で仮想角部２５０が除去された形状を有する。仮想角部２５０は、平面視で、端子側面２１ｃ〜２４ｃに沿った直線２０５と、ホール素子１０とは反対側で端子底面２１ｅ〜２４ｅから立ち上がる外側立ち上がり面２１ｄ１〜２４ｄ１に沿った直線２０４ｂと、で形成される角部である。仮想角部２５０の除去により外側立ち上がり面２１ｄ１〜２４ｄ１から長方形の切欠き部が形成され、その結果として側面５３に近い位置に面２１ｄ２〜２４ｄ２が形成される。   Further, as shown in FIG. 4, the lead terminals 21 to 24 have a shape in which the virtual corner portion 250 is removed in plan view. The virtual corner portion 250 has a straight line 205 along the terminal side surfaces 21c to 24c in a plan view, a straight line 204b along the outer rising surfaces 21d1 to 24d1 rising from the terminal bottom surfaces 21e to 24e on the opposite side to the Hall element 10, and It is the corner | angular part formed by. By removing the virtual corner portion 250, rectangular cutout portions are formed from the outer rising surfaces 21d1 to 24d1, and as a result, surfaces 21d2 to 24d2 are formed at positions close to the side surface 53.

リード端子２１〜２４は、例えば、銅（Ｃｕ）または銅合金、鉄（Ｆｅ）または鉄を含む合金等の金属材料からなり、特に銅製であることが好ましい。また、リード端子２１〜２４の上面２１ａ〜２４ａに、銀（Ａｇ）めっき、またはニッケル（Ｎｉ）−パラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）めっきが施されていてもよい。また、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅに、ニッケル（Ｎｉ）−パラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）めっきが施されていてもよい。   The lead terminals 21 to 24 are made of a metal material such as copper (Cu) or a copper alloy, iron (Fe) or an alloy containing iron, and are particularly preferably made of copper. Moreover, silver (Ag) plating or nickel (Ni) -palladium (Pd) -gold (Au) plating may be applied to the upper surfaces 21a-24a of the lead terminals 21-24. Further, nickel (Ni) -palladium (Pd) -gold (Au) plating may be applied to the lower surfaces 21e-24e of the lead terminals 21-24.

＜金属細線＞
図１（ｂ）に示すように、金属細線３１〜３４は、ホール素子１０が有する電極１３ａ〜１３ｄと、リード端子２１〜２４とを、それぞれ電気的に接続している。具体的には、金属細線３１がリード端子２１と電極１３ａとを接続し、金属細線３２がリード端子２２と電極１３ｂとを接続し、金属細線３３がリード端子２３と電極１３ｃとを接続し、金属細線３４がリード端子２４と電極１３ｄとを接続している。
金属細線３１〜３４は、例えば、金、銀、または銅からなる。 <Metallic wire>
As shown in FIG.1 (b), the metal fine wires 31-34 electrically connect the electrodes 13a-13d which the Hall element 10 has, and the lead terminals 21-24, respectively. Specifically, the fine metal wire 31 connects the lead terminal 21 and the electrode 13a, the fine metal wire 32 connects the lead terminal 22 and the electrode 13b, the fine metal wire 33 connects the lead terminal 23 and the electrode 13c, A thin metal wire 34 connects the lead terminal 24 and the electrode 13d.
The thin metal wires 31 to 34 are made of, for example, gold, silver, or copper.

＜絶縁層＞
絶縁層４０は、ホール素子１０の裏面に接触状態で配置されている。
絶縁層４０をなす材料としては、合成樹脂や金属酸化物が挙げられる。絶縁層４０は、合成樹脂からなる層と金属酸化物からなる層のいずれか一層で構成されていてもよいし、これらの層の二層構造であってもよい。 <Insulating layer>
The insulating layer 40 is disposed in contact with the back surface of the Hall element 10.
Examples of the material forming the insulating layer 40 include synthetic resins and metal oxides. The insulating layer 40 may be composed of any one of a layer made of a synthetic resin and a layer made of a metal oxide, or may have a two-layer structure of these layers.

合成樹脂の例としては、フォトレジスト材（ネガ型でもポジ型でも可）や、エポキシ樹脂などの熱硬化型樹脂にフィラーを含む材料が挙げられる。フィラーの材質としては、シリ力（ＳｉＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、チタニア（ＴｉＯ2）などのセラミックスや金属酸化物が好ましい。
金属酸化物としては、酸化チタン（ＴｉＯ2）などが使用できる。 Examples of the synthetic resin include a photoresist material (which can be negative or positive) and a material containing a filler in a thermosetting resin such as an epoxy resin. As the material of the filler, ceramics and metal oxides such as silli force (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and titania (TiO 2 ) are preferable.
As the metal oxide, titanium oxide (TiO 2 ) or the like can be used.

絶縁層４０がフィラー入りの合成樹脂からなる場合、絶縁層４０の厚さはフィラーの寸法で決まる。この厚さは例えば２μｍ以上とするが、ホール素子１０の保護の観点から１０μｍ以上３０μｍ以下とすることが好ましい。絶縁層４０が金属酸化物の場合は、製法上、膜厚を厚くすると生産コスト高くなるため、例えば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下にすることが好ましい。
なお、「フィラーの寸法」とは、球状のフィラーの場合は球の直径であり、球体が破砕された形状を有するフィラーの場合は、元の球体の径方向で最も大きい部分の寸法であり、繊維状のフィラーの場合は繊維断面の長径である。 When the insulating layer 40 is made of a synthetic resin containing a filler, the thickness of the insulating layer 40 is determined by the size of the filler. The thickness is, for example, 2 μm or more, but is preferably 10 μm or more and 30 μm or less from the viewpoint of protecting the Hall element 10. In the case where the insulating layer 40 is a metal oxide, the manufacturing cost increases when the film thickness is increased in view of the manufacturing method.
The “filler dimension” is the diameter of a sphere in the case of a spherical filler, and the dimension of the largest part in the radial direction of the original sphere in the case of a filler having a crushed shape. In the case of a fibrous filler, the major axis is the fiber cross section.

＜封止体＞
図１（ｃ）に示すように、封止体５０は、ホール素子１０と電極１３ａ〜１３ｄとリード端子２１〜２４と金属細線３１〜３４とを封止する。図１（ａ）および図２（ａ）に示すように、リード端子２１〜２４の外側面２１ｃ〜２４ｃは、封止体５０の第一側面５３と同一面にある。図１（ｃ）および図２（ｂ）に示すように、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅおよび絶縁層４０の下面は、封止体５０の第二面５２と同一面にある。 <Sealing body>
As shown in FIG. 1C, the sealing body 50 seals the Hall element 10, the electrodes 13a to 13d, the lead terminals 21 to 24, and the fine metal wires 31 to 34. As shown in FIGS. 1A and 2A, the outer surfaces 21 c to 24 c of the lead terminals 21 to 24 are on the same plane as the first side surface 53 of the sealing body 50. As shown in FIGS. 1C and 2B, the lower surfaces 21 e to 24 e of the lead terminals 21 to 24 and the lower surface of the insulating layer 40 are on the same plane as the second surface 52 of the sealing body 50.

封止体５０の厚さ（つまり、磁気センサ１００の厚さ）は、例えば２００μｍ以下である。
封止体５０をなす合成樹脂には、絶縁性、線膨張係数がリード端子と近い値であること、耐衝撃性、耐熱性（磁気センサ１００をリフローハンダ付けする時の高熱に耐えられること）、および耐吸湿性が求められる。 The thickness of the sealing body 50 (that is, the thickness of the magnetic sensor 100) is, for example, 200 μm or less.
The synthetic resin that forms the sealing body 50 has insulating properties and linear expansion coefficients that are close to those of the lead terminals, impact resistance, and heat resistance (can withstand high heat when reflow soldering the magnetic sensor 100). And moisture absorption resistance is required.

封止体５０をなす合成樹脂の線膨張係数がリード端子の線膨張係数に近い値であると、熱ストレスで磁気センサ１００のパッケージに生じる応力が抑制されるため、パッケージに割れが生じにくくなる。そのため、例えば、リード端子が銅製である場合、封止体５０の材料として、銅の線膨張係数（１６．８×１０8／℃）に近い線膨張係数を有する合成樹脂を用いることが好ましい。 When the linear expansion coefficient of the synthetic resin forming the sealing body 50 is a value close to the linear expansion coefficient of the lead terminal, stress generated in the package of the magnetic sensor 100 due to thermal stress is suppressed, so that the package is less likely to be cracked. . Therefore, for example, when the lead terminal is made of copper, it is preferable to use a synthetic resin having a linear expansion coefficient close to that of copper (16.8 × 10 8 / ° C.) as the material of the sealing body 50.

耐衝撃性に関しては、封止体５０の材料として、弾性率の高い合成樹脂を用いることが好ましい。
封止体５０をなす合成樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、テフロン（登録商標）が挙げられる。封止体５０は、１種類の合成樹脂で形成されていてもよいし、２種類以上の合成樹脂で形成されていてもよい。また、後述のシートを用いた成形法を採用して封止体５０を形成する場合は、封止体５０の第一面５１側の部分に、このシートを構成する合成樹脂が存在していてもよい。 Regarding impact resistance, it is preferable to use a synthetic resin having a high elastic modulus as the material of the sealing body 50.
As a synthetic resin which makes the sealing body 50, thermosetting resins, such as an epoxy resin, and Teflon (trademark) are mentioned, for example. The sealing body 50 may be formed of one type of synthetic resin or may be formed of two or more types of synthetic resins. Further, when the sealing body 50 is formed by adopting a molding method using a sheet described later, the synthetic resin constituting the sheet exists in the portion on the first surface 51 side of the sealing body 50. Also good.

＜外装メッキ層＞
外装メッキ層６０は、封止体５０の第二面５２と同一面にあるリード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅに形成されている。図２（ｂ）では外装メッキ層６０が省略されている。外装めっき層６０は、例えば、スズ（Ｓｎ）からなる。なお、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅに、予めニッケル（Ｎｉ）−パラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）めっきが施されている場合には、外装メッキ層６０を設ける必要はない。 <Exterior plating layer>
The exterior plating layer 60 is formed on the lower surfaces 21e to 24e of the lead terminals 21 to 24 on the same surface as the second surface 52 of the sealing body 50. In FIG. 2B, the exterior plating layer 60 is omitted. The exterior plating layer 60 is made of, for example, tin (Sn). When nickel (Ni) -palladium (Pd) -gold (Au) plating is applied in advance to the lower surfaces 21e-24e of the lead terminals 21-24, it is not necessary to provide the exterior plating layer 60.

［動作］
この実施形態の磁気センサ１００を用いて磁気（磁界）を検出する場合には、例えば、リード端子２１を電源電位（＋）に接続すると共に、リード端子２２を接地電位（ＧＮＤ）に接続して、リード端子２１からリード端子２２に電流を流す。そして、リード端子２３，２４間の電位差Ｖ１−Ｖ２（＝ホール出力電圧ＶＨ）を測定する。また、測定されたホール出力電圧ＶＨの大きさから磁界の大きさを検出し、ホール出力電圧ＶＨの正負から磁界の向きを検出する。 [Operation]
In the case of detecting magnetism (magnetic field) using the magnetic sensor 100 of this embodiment, for example, the lead terminal 21 is connected to the power supply potential (+) and the lead terminal 22 is connected to the ground potential (GND). A current is passed from the lead terminal 21 to the lead terminal 22. Then, the potential difference V1−V2 (= Hall output voltage VH) between the lead terminals 23 and 24 is measured. Further, the magnitude of the magnetic field is detected from the measured magnitude of the Hall output voltage VH, and the direction of the magnetic field is detected from the positive / negative of the Hall output voltage VH.

［製法］
図５および図６を用いて、実施形態の磁気センサ１００の製造方法を説明する。
先ず、表面に複数のホール素子１０のパターンが形成されたウエハの裏面の各ホール素子１０の位置に、平面形状がホール素子１０より小さい絶縁層４０を形成する。次に、ウエハをダイシングラインに沿って切断することで個片化する。これにより、裏面に絶縁層４０が形成されたホール素子１０が得られる。 [Production method]
A method for manufacturing the magnetic sensor 100 according to the embodiment will be described with reference to FIGS.
First, the insulating layer 40 whose planar shape is smaller than the Hall element 10 is formed at the position of each Hall element 10 on the back surface of the wafer on which the pattern of the plurality of Hall elements 10 is formed on the front surface. Next, the wafer is cut into individual pieces by cutting along the dicing line. Thereby, the Hall element 10 in which the insulating layer 40 is formed on the back surface is obtained.

次に、図５（ａ）に示すリードフレーム１２０を用意する。リードフレーム１２０は、リード部１２１〜１２４を有する。リード部１２１〜１２３は、平面視で隣り合う磁気センサ１００の二個または四個のリード端子を含む形状を有する。リード部１２４は、磁気センサ１００の一つのリード端子を含む形状を有する。リード端子２１〜２４の円弧面２１ｆ〜２４ｆは、リードフレーム１２０の作製時に、金属板の上面（端子反面２２ａ〜２４ａ）側からエッチングを行うことで形成する。   Next, the lead frame 120 shown in FIG. The lead frame 120 has lead portions 121 to 124. The lead parts 121 to 123 have a shape including two or four lead terminals of the magnetic sensor 100 adjacent in plan view. The lead part 124 has a shape including one lead terminal of the magnetic sensor 100. The arc surfaces 21f to 24f of the lead terminals 21 to 24 are formed by etching from the upper surface (terminal opposite surfaces 22a to 24a) side of the metal plate when the lead frame 120 is manufactured.

なお、リード部１２２とリード部１２４をリードフレーム１２０の外縁に沿って接続する接続部と、各リード部１２１〜１２４をダイシングラインＬ１，Ｌ２に沿って接続する接続部は図示されていない。
次に、リードフレーム１２０の裏面に、例えばポリイミド製の耐熱性フィルム８０を貼り付けて、リードフレーム１２０のリード部１２１〜１２４がない部分（貫通領域）を裏面側から耐熱性フィルム８０で塞ぐ。耐熱性フィルム８０として、一方の面に絶縁性の粘着層を有するものを使用し、この粘着層で耐熱性フィルム８０とリードフレーム１２０を接合する。つまり、耐熱性フィルム８０とリードフレーム１２０との接合体８１を得る。図５（ｂ）はこの工程後の状態を示す。 Note that a connection part that connects the lead part 122 and the lead part 124 along the outer edge of the lead frame 120 and a connection part that connects the lead parts 121 to 124 along the dicing lines L1 and L2 are not shown.
Next, a heat resistant film 80 made of, for example, polyimide is attached to the back surface of the lead frame 120, and a portion (penetrating region) where the lead portions 121 to 124 of the lead frame 120 are not provided is covered with the heat resistant film 80 from the back surface side. As the heat resistant film 80, a film having an insulating adhesive layer on one surface is used, and the heat resistant film 80 and the lead frame 120 are joined by this adhesive layer. That is, a joined body 81 of the heat resistant film 80 and the lead frame 120 is obtained. FIG. 5B shows the state after this step.

次に、裏面に絶縁層４０が形成されたホール素子１０を、接合体８１の上面（耐熱性フィルム８０の粘着層）のホール素子配置領域（リード端子２１〜２４で囲まれた領域）に配置する（即ち、ダイボンディングを行う）。図５（ｃ）はこの工程後の状態を示す。
なお、ホール素子配置領域に絶縁ペーストを塗布し、その上に絶縁層４０が形成されていないホール素子１０を配置して絶縁ペーストを硬化させることで、絶縁層４０を形成してもよい。その場合は、完成後の磁気センサ１００において、ホール素子１０の裏面の一部が封止部５０から露出することがないように、絶縁ペーストの塗布条件（例えば、塗布する範囲、塗布する厚さ等）を調整する。 Next, the Hall element 10 having the insulating layer 40 formed on the back surface is disposed in the Hall element arrangement area (area surrounded by the lead terminals 21 to 24) on the upper surface of the bonded body 81 (adhesive layer of the heat resistant film 80). (Ie, die bonding is performed). FIG. 5C shows the state after this step.
The insulating layer 40 may be formed by applying an insulating paste to the hall element arrangement region, placing the hall element 10 on which the insulating layer 40 is not formed thereon, and curing the insulating paste. In that case, in the completed magnetic sensor 100, the application conditions of the insulating paste (for example, the range to be applied, the thickness to be applied) so that a part of the back surface of the Hall element 10 is not exposed from the sealing portion 50. Etc.).

そして、ダイボンディングを行った後に熱処理（即ち、キュア）を行い、耐熱性フィルム８０と絶縁層４０の密着性を向上させる。
次に、金属細線３１〜３４の一端を各リード端子２１〜２４にそれぞれ接続し、金属細線３１〜３４の他端を電極１３ａ〜１３ｄにそれぞれ接続する（即ち、ワイヤーボンディングを行う）。図５（ｄ）は、この工程後の状態を示す。 Then, after performing die bonding, heat treatment (that is, curing) is performed to improve the adhesion between the heat resistant film 80 and the insulating layer 40.
Next, one end of the fine metal wires 31 to 34 is connected to the lead terminals 21 to 24, respectively, and the other end of the fine metal wires 31 to 34 is connected to the electrodes 13a to 13d (that is, wire bonding is performed). FIG. 5D shows the state after this step.

次に、図５（ｄ）の状態の接合体８１を金型内に入れて、接合体８１の上面側に封止体５０を形成する。具体的には、先ず、図６（ａ）に示すように、下型９１と上型９２を備えた金型９０およびシート９４を用意し、シート９４を、上型９２の下面（下型９１と対向する面）の全面を覆うように配置する。シート９４は、例えばテフロン（登録商標）製である。   Next, the bonded body 81 in the state of FIG. 5D is put in a mold, and the sealing body 50 is formed on the upper surface side of the bonded body 81. Specifically, first, as shown in FIG. 6A, a mold 90 and a sheet 94 having a lower mold 91 and an upper mold 92 are prepared, and the sheet 94 is attached to the lower surface (lower mold 91). It is arranged so as to cover the entire surface facing the surface. The sheet 94 is made of, for example, Teflon (registered trademark).

次に、金型９０内に図５（ｄ）の状態の接合体８１を配置する。具体的には、金属細線３１〜３４側を上に向けて、接合体８１を下型９１の上に載せ、金属細線３１〜３４の上側に所定の間隔を開けて上型９２を配置し、シート９４を上型９２の下面に吸着させる。図６（ａ）はこの状態を示す。
次に、図６（ａ）の状態の上型９２と下型９１との空間に溶融樹脂を流し込んだ後に、上型９２を下降させて溶融樹脂に圧縮力を加えることにより、シート９４の下面と下型９１の上面との間隔を設定値に合わせた後、冷却する。これにより、封止体５０が形成される。図６（ｂ）はこの状態を示す。 Next, the joined body 81 in the state of FIG. Specifically, with the metal thin wires 31 to 34 facing upward, the joined body 81 is placed on the lower die 91, and the upper die 92 is disposed above the metal thin wires 31 to 34 with a predetermined interval therebetween. The sheet 94 is adsorbed on the lower surface of the upper mold 92. FIG. 6A shows this state.
Next, after pouring the molten resin into the space between the upper die 92 and the lower die 91 in the state shown in FIG. 6A, the upper die 92 is lowered to apply a compressive force to the molten resin, thereby lowering the lower surface of the sheet 94. After the distance between the upper surface of the lower mold 91 and the upper surface of the lower mold 91 is set to the set value, the cooling is performed. Thereby, the sealing body 50 is formed. FIG. 6B shows this state.

次に、封止体５０が形成された接合体８１を金型９０から取り出した後、接合体８１から耐熱性フィルム８０を剥離する。これにより、複数のセンサ前躯体（外装メッキ層６０を形成する前の磁気センサ１００）が結合された結合体１０００が得られる。図６（ｃ）および図５（ｅ）はこの状態を示す。
次に、封止体５０の第二面５２と同一面にあるリードフレーム１２０の面に、外装めっきを施す。これにより、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅに外装めっき層６０が形成され、複数の磁気センサ１００が結合された結合体１００１が得られる。図６（ｄ）はこの状態を示す。 Next, after taking out the joined body 81 on which the sealing body 50 is formed from the mold 90, the heat resistant film 80 is peeled from the joined body 81. As a result, a combined body 1000 in which a plurality of sensor precursor bodies (the magnetic sensor 100 before forming the exterior plating layer 60) is combined is obtained. FIG. 6C and FIG. 5E show this state.
Next, exterior plating is performed on the surface of the lead frame 120 that is flush with the second surface 52 of the sealing body 50. Thereby, the exterior plating layer 60 is formed on the lower surfaces 21e to 24e of the lead terminals 21 to 24, and a combined body 1001 in which a plurality of magnetic sensors 100 are combined is obtained. FIG. 6D shows this state.

次に、封止体５０の第一面５１にダイシングテープ９３を貼り付けた後、ダイシングテープ９３を下側にして結合体１００１をダイシング装置に設置し、図５（ｅ）に示すダイシングラインＬ１，Ｌ２に沿って、結合体１００１をダイシングブレードを用いて切断する。ダイシングラインＬ１に沿った切断により第一側面５３が生じ、ダイシングラインＬ２に沿った切断により第二側面５４が生じる。図６（ｅ）はこの状態を示す。最後にダイシングテープ９３を除去することにより、複数の磁気センサ１００が得られる。   Next, after the dicing tape 93 is attached to the first surface 51 of the sealing body 50, the combined body 1001 is installed in the dicing apparatus with the dicing tape 93 facing down, and the dicing line L1 shown in FIG. , L2 is cut using a dicing blade. The first side surface 53 is generated by cutting along the dicing line L1, and the second side surface 54 is generated by cutting along the dicing line L2. FIG. 6E shows this state. Finally, by removing the dicing tape 93, a plurality of magnetic sensors 100 are obtained.

なお、図６（ｂ）〜図６（ｄ）の状態で封止体５０は切断されていないが、封止体５０の部分にハッチングを施している。また、図６（ｅ）の状態で、リード端子２１〜２４の端子側面および封止体５０の第一側面５３は切断面であるが、図６（ｅ）ではハッチングを省略している。   In addition, although the sealing body 50 is not cut | disconnected in the state of FIG.6 (b)-FIG.6 (d), the part of the sealing body 50 is hatched. Moreover, in the state of FIG.6 (e), although the terminal side surface of the lead terminals 21-24 and the 1st side surface 53 of the sealing body 50 are a cut surface, hatching is abbreviate | omitted in FIG.6 (e).

［作用、効果］
上述のように、この実施形態の磁気センサ１００を構成するリード端子２１〜２４は、封止体５０の第一側面５３から露出する端子側面２１ｃ〜２４ｃの形状が、図３に示す仮想角部２１０が除去された形状であるとともに、平面視で図４に示す仮想角部２５０が除去された形状を有する。そして、リード端子２１〜２４がこのような形状を有することで、ダイシングブレードによる図５（ｅ）に示すダイシングラインＬ１に沿った切断の際に、仮想角部２１０，２５０が除去されていない形状を有する場合と比較して、リードフレーム１２０の切断面積が小さくなる。 [Action, effect]
As described above, the lead terminals 21 to 24 constituting the magnetic sensor 100 of this embodiment have the shape of the terminal side surfaces 21c to 24c exposed from the first side surface 53 of the sealing body 50 as shown in FIG. In addition to the shape from which 210 is removed, it has a shape from which the virtual corner portion 250 shown in FIG. 4 is removed in plan view. Since the lead terminals 21 to 24 have such a shape, the virtual corner portions 210 and 250 are not removed when the dicing blade cuts along the dicing line L1 shown in FIG. The cutting area of the lead frame 120 is reduced as compared with the case where the lead frame 120 is provided.

なお、仮想角部２５０の除去に関しては、仮想角部２５０が除去された形状とすることで、仮想角部２５０が除去されていない場合よりも、端子側面２１ｃ〜２４ｃの幅が小さくなる分だけ、端子側面２１ｃ〜２４ｃの面積を小さくできる。
そして、封止体５０の第一側面５３から露出する端子側面２１ｃ〜２４ｃの面積が従来品よりも小さくなる分だけ、リードフレーム１２０の切断面積が小さくなることで、端子側面（リード端子２１〜２４の封止体５０の第一側面５３からの露出面）２１ｃ〜２４ｃに発生するバリの量が少なくなる。これに伴い、端子側面２１ｃ〜２４ｃから封止体５０の第二面５２側に延びるバリの発生量が少なくなるため、磁気センサ１００の厚さを設計値に近い状態とすることができる。 In addition, regarding the removal of the virtual corner portion 250, by making the shape from which the virtual corner portion 250 is removed, the width of the terminal side surfaces 21c to 24c is smaller than when the virtual corner portion 250 is not removed. The area of the terminal side surfaces 21c to 24c can be reduced.
Then, the cutting area of the lead frame 120 is reduced by the amount that the area of the terminal side faces 21c to 24c exposed from the first side face 53 of the sealing body 50 is smaller than that of the conventional product. The amount of burrs generated on the exposed surfaces 21c to 24c of the 24 sealing bodies 50 is reduced. Accordingly, the amount of burrs that extend from the terminal side surfaces 21c to 24c to the second surface 52 side of the sealing body 50 is reduced, so that the thickness of the magnetic sensor 100 can be brought close to the design value.

また、磁気センサ１００の端子側面２１ｃ〜２４ｃに、封止体５０の第二面５２側に延びるバリが生じると、実装面である端子底面２２ｅ（外装メッキ層６０）に付着するなどの問題が生じるが、バリの発生が抑制されることでこの問題も改善できる。
さらに、封止体５０の第二面５２において隣り合う二つのリード端子間の距離が２００μｍ以下であるため、バリが落下した場合に端子間が短絡する可能性が高くなるが、バリの発生が抑制されることでこの問題も改善できる。 In addition, if a burr extending toward the second surface 52 side of the sealing body 50 is generated on the terminal side surfaces 21c to 24c of the magnetic sensor 100, there is a problem that it adheres to the terminal bottom surface 22e (exterior plating layer 60) that is a mounting surface. However, this problem can be improved by suppressing the generation of burrs.
Furthermore, since the distance between two lead terminals adjacent to each other on the second surface 52 of the sealing body 50 is 200 μm or less, there is a high possibility that the terminals will be short-circuited when the burrs are dropped. This problem can be improved by being suppressed.

〔第二実施形態〕
第二実施形態として、磁電変換機能を有する素子としてホール素子を用いた磁気センサ（半導体装置）について説明する。
第二実施形態の磁気センサ１０１の構成は、リード端子２１〜２４の形状を除いて第一実施形態の磁気センサ１００と同じである。 [Second Embodiment]
As a second embodiment, a magnetic sensor (semiconductor device) using a Hall element as an element having a magnetoelectric conversion function will be described.
The configuration of the magnetic sensor 101 of the second embodiment is the same as that of the magnetic sensor 100 of the first embodiment except for the shape of the lead terminals 21 to 24.

図７（ａ）に示すように、第二実施形態の磁気センサ１０１のリード端子２１〜２４の平面視での形状は、第一実施形態の磁気センサ１００のリード端子２１〜２４と同じである。
図７（ｂ）に示すように、第二実施形態の磁気センサ１０１のリード端子２１〜２４の側面形状は、第一実施形態の磁気センサ１００のリード端子２１〜２４と異なる。図７（ｃ）に示すように、第二実施形態の磁気センサ１０１のリード端子２１〜２４の底面形状は、第一実施形態の磁気センサ１００のリード端子２１〜２４と異なる。 As shown to Fig.7 (a), the shape in the planar view of the lead terminals 21-24 of the magnetic sensor 101 of 2nd embodiment is the same as the lead terminals 21-24 of the magnetic sensor 100 of 1st embodiment. .
As shown in FIG. 7B, the side shapes of the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 101 of the second embodiment are different from the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 100 of the first embodiment. As shown in FIG.7 (c), the bottom face shape of the lead terminals 21-24 of the magnetic sensor 101 of 2nd embodiment differs from the lead terminals 21-24 of the magnetic sensor 100 of 1st embodiment.

第二実施形態の磁気センサ１０１を構成するリード端子２１〜２４は、端子側面（外側面）２１ｃ〜２４ｃに、下面２１ｅ〜２４ｅから徐々に高さが高くなる凹状の曲面２１ｊ〜２４ｊをさらに有する。これ以外の点は第一実施形態の磁気センサ１００のリード端子２１〜２４と同じである。
図８に示すように、磁気センサ１０１を構成する端子側面２１ｃ〜２４ｃは、図３と同じ仮想四角形２００の四つの仮想角部２１０〜２４０のうち、第二辺２０２と第三辺２０３とで形成される仮想角部２１０と、第一辺２０１と第四辺２０４ａとで形成される仮想角部２３０が除去された形状を有する。つまり、仮想角部２３０の除去により凹状の曲面２１ｊ〜２４ｊが形成されている。 The lead terminals 21 to 24 constituting the magnetic sensor 101 of the second embodiment further have concave curved surfaces 21j to 24j whose height gradually increases from the lower surfaces 21e to 24e on the terminal side surfaces (outer surfaces) 21c to 24c. . Other points are the same as the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 100 of the first embodiment.
As shown in FIG. 8, the terminal side surfaces 21 c to 24 c constituting the magnetic sensor 101 are the second side 202 and the third side 203 among the four virtual corners 210 to 240 of the same virtual quadrangle 200 as in FIG. 3. The virtual corner portion 210 is formed, and the virtual corner portion 230 formed by the first side 201 and the fourth side 204a is removed. That is, the concave curved surfaces 21j to 24j are formed by removing the virtual corner portion 230.

第二実施形態の磁気センサ１０１は、リード端子２１〜２４の形状が異なることに起因して、用意するリードフレームの形状が異なることを除いて、第一実施形態の磁気センサ１００と同じ方法で製造することができる。リード端子２１〜２４の曲面２１ｊ〜２４ｊは、リードフレームの作製時に、金属板の下面（端子底面２２ｅ〜２４ｅ）側からエッチングを行うことで形成する。
第二実施形態の磁気センサ１０１によれば、封止体５０の第一側面５３から露出する端子側面２１ｃ〜２４ｃの面積が第一実施形態の磁気センサ１００よりも小さくなるため、バリ発生の抑制効果が第一実施形態の磁気センサ１００よりも高くなる。 The magnetic sensor 101 of the second embodiment is the same as the magnetic sensor 100 of the first embodiment except that the shape of the lead frame to be prepared is different due to the difference in the shape of the lead terminals 21 to 24. Can be manufactured. The curved surfaces 21j to 24j of the lead terminals 21 to 24 are formed by performing etching from the lower surface (terminal bottom surfaces 22e to 24e) side of the metal plate when the lead frame is manufactured.
According to the magnetic sensor 101 of the second embodiment, since the area of the terminal side surfaces 21c to 24c exposed from the first side surface 53 of the sealing body 50 is smaller than that of the magnetic sensor 100 of the first embodiment, the occurrence of burrs is suppressed. The effect is higher than that of the magnetic sensor 100 of the first embodiment.

〔第三実施形態〕
第三実施形態として、磁電変換機能を有する素子としてホール素子を用いた磁気センサ（半導体装置）について説明する。
第三実施形態の磁気センサ１０２の構成は、リード端子２１〜２４の形状を除いて第一実施形態の磁気センサ１００と同じである。
図９（ａ）に示すように、第三実施形態の磁気センサ１０１のリード端子２１〜２４の平面視での形状は、第一実施形態の磁気センサ１００のリード端子２１〜２４と異なる。磁気センサ１００で面２１ｄ２〜２４ｄ２が形成されている位置に、磁気センサ１０１では凹状の曲面２１ｋ〜２４ｋが形成されている。 [Third embodiment]
As a third embodiment, a magnetic sensor (semiconductor device) using a Hall element as an element having a magnetoelectric conversion function will be described.
The configuration of the magnetic sensor 102 of the third embodiment is the same as that of the magnetic sensor 100 of the first embodiment except for the shape of the lead terminals 21 to 24.
As shown to Fig.9 (a), the shape in the planar view of the lead terminals 21-24 of the magnetic sensor 101 of 3rd embodiment differs from the lead terminals 21-24 of the magnetic sensor 100 of 1st embodiment. In the magnetic sensor 101, concave curved surfaces 21k to 24k are formed at positions where the surfaces 21d2 to 24d2 are formed in the magnetic sensor 100.

図９（ｂ）に示すように、第三実施形態の磁気センサ１０１のリード端子２１〜２４の側面形状は、第一実施形態の磁気センサ１００のリード端子２１〜２４と異なる。磁気センサ１００の面２１ｄ２をなす線よりホール素子１０側に、第四辺２０４ｃが存在する。また、面２１ｄ１〜２４ｄ１の底面側に凹状の曲面２１ｍ〜２４ｍが形成されている。
図９（ｃ）に示すように、第三実施形態の磁気センサ１０２のリード端子２１〜２４の底面形状は、第一実施形態の磁気センサ１００のリード端子２１〜２４と異なり、凹状の曲面２１ｋ〜２４ｋが存在する。 As shown in FIG. 9B, the side shapes of the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 101 of the third embodiment are different from the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 100 of the first embodiment. A fourth side 204c exists on the Hall element 10 side from the line forming the surface 21d2 of the magnetic sensor 100. In addition, concave curved surfaces 21m to 24m are formed on the bottom surfaces of the surfaces 21d1 to 24d1.
As shown in FIG. 9C, the bottom surface shape of the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 102 of the third embodiment is different from the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 100 of the first embodiment, and has a concave curved surface 21k. There are ~ 24k.

つまり、第三実施形態の磁気センサ１０１を構成するリード端子２１〜２４は、平面視における凹状の曲面２１ｋ〜２４ｋと、面２１ｄ１〜２４ｄ１の底面側に形成された凹状の曲面２１ｍ〜２４ｍをさらに有する。これ以外の点は第一実施形態の磁気センサ１００のリード端子２１〜２４と同じである。
磁気センサ１０２のリード端子２１〜２４は、図１０に示すように、平面視で仮想角部２５０が除去された形状を有する。仮想角部２５０は、平面視で、端子側面２１ｃ〜２４ｃに沿った直線２０５と、ホール素子１０とは反対側で端子底面２１ｅ〜２４ｅから立ち上がる外側立ち上がり面２１ｄ１〜２４ｄ１に沿った直線２０４ｂと、で形成される角部である。 That is, the lead terminals 21 to 24 constituting the magnetic sensor 101 of the third embodiment further include the concave curved surfaces 21k to 24k in plan view and the concave curved surfaces 21m to 24m formed on the bottom surface side of the surfaces 21d1 to 24d1. Have. Other points are the same as the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 100 of the first embodiment.
As shown in FIG. 10, the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 102 have a shape in which the virtual corners 250 are removed in plan view. The virtual corner portion 250 has a straight line 205 along the terminal side surfaces 21c to 24c in a plan view, a straight line 204b along the outer rising surfaces 21d1 to 24d1 rising from the terminal bottom surfaces 21e to 24e on the opposite side to the Hall element 10, and It is the corner | angular part formed by.

また、磁気センサ１０２を構成する端子側面２１ｃ〜２４ｃは、図８の第四辺２０４ａの代わりに図９（ｂ）に示す第四辺２０４ｃを有する仮想四角形の四つの仮想角部のうち、第二辺２０２と第三辺２０３とで形成される仮想角部２１０のみが除去された形状を有する。つまり、第三実施形態の磁気センサ１０２の仮想四角形は、第二実施形態の磁気センサ１００の仮想四角形２００よりも小さい。また、仮想角部２１０の除去により、第二実施形態の磁気センサ１０１と同じ凹状の円弧面２１ｆ〜２４ｆが形成されている。よって、端子側面２１ｃ〜２４ｃの面積は第二実施形態の磁気センサ１０１よりも小さい。   Further, the terminal side surfaces 21c to 24c constituting the magnetic sensor 102 are, among the four virtual corners of the virtual quadrangle having the fourth side 204c shown in FIG. 9B instead of the fourth side 204a of FIG. Only the virtual corner portion 210 formed by the two sides 202 and the third side 203 is removed. That is, the virtual quadrangle of the magnetic sensor 102 of the third embodiment is smaller than the virtual quadrangle 200 of the magnetic sensor 100 of the second embodiment. Further, by removing the virtual corner portion 210, the same concave circular arc surfaces 21f to 24f as the magnetic sensor 101 of the second embodiment are formed. Therefore, the area of the terminal side surfaces 21c to 24c is smaller than that of the magnetic sensor 101 of the second embodiment.

第三実施形態の磁気センサ１０２は、リード端子２１〜２４の形状が異なることに起因して、用意するリードフレームの形状が異なる点を除いて、第一実施形態の磁気センサ１００と同じ方法で製造することができる。リード端子２１〜２４の曲面２１ｍ〜２４ｍは、リードフレームの作製時に、金属板の下面（端子底面２２ｅ〜２４ｅ）側からエッチングを行うことで形成する。
第三実施形態の磁気センサ１０２によれば、封止体５０の第一側面５３から露出する端子側面２１ｃ〜２４ｃの面積が第二実施形態の磁気センサ１０１よりも小さいため、バリ発生の抑制効果が第二実施形態の磁気センサ１０１よりも高くなる。 The magnetic sensor 102 of the third embodiment is the same method as the magnetic sensor 100 of the first embodiment, except that the shape of the lead frame to be prepared is different due to the different shapes of the lead terminals 21 to 24. Can be manufactured. The curved surfaces 21m to 24m of the lead terminals 21 to 24 are formed by etching from the lower surface (terminal bottom surfaces 22e to 24e) side of the metal plate when the lead frame is manufactured.
According to the magnetic sensor 102 of the third embodiment, since the area of the terminal side surfaces 21c to 24c exposed from the first side surface 53 of the sealing body 50 is smaller than that of the magnetic sensor 101 of the second embodiment, the effect of suppressing the generation of burrs. Becomes higher than the magnetic sensor 101 of the second embodiment.

〔変形例〕
上述の磁気センサ１００〜１０２のホール素子１０に代えて、光電変換機能を有する素子である赤外線検出素子を用いることで、赤外線センサ（半導体装置）を得ることができる。赤外線検出素子が有する光電変換機能は、光信号を電気信号に変換する機能である。赤外線検出素子の厚さは２５０μｍ以下であることが好ましい。このような赤外線センサでは、磁気センサ１００〜１０２と同様のバリ低減効果を得ることができる。 [Modification]
An infrared sensor (semiconductor device) can be obtained by using an infrared detection element which is an element having a photoelectric conversion function instead of the Hall element 10 of the magnetic sensors 100 to 102 described above. The photoelectric conversion function of the infrared detection element is a function of converting an optical signal into an electric signal. The thickness of the infrared detection element is preferably 250 μm or less. With such an infrared sensor, the same burr reduction effect as that of the magnetic sensors 100 to 102 can be obtained.

上述の磁気センサ１００〜１０２のホール素子１０に代えて、光電変換機能を有する素子である赤外線発光素子を用いることで、赤外線発光ダイオード（半導体装置）を得ることができる。赤外線発光素子が有する光電変換機能は、電気信号を光信号に変換する機能である。赤外線発光素子の厚さは２５０μｍ以下であることが好ましい。このような赤外線発光ダイオードでは、磁気センサ１００〜１０２と同様のバリ低減効果を得ることができる。   An infrared light emitting diode (semiconductor device) can be obtained by using an infrared light emitting element which is an element having a photoelectric conversion function instead of the Hall element 10 of the magnetic sensors 100 to 102 described above. The photoelectric conversion function of the infrared light emitting element is a function of converting an electrical signal into an optical signal. The thickness of the infrared light emitting element is preferably 250 μm or less. In such an infrared light emitting diode, the same burr reduction effect as that of the magnetic sensors 100 to 102 can be obtained.

〔備考〕
上記各実施形態の磁気センサ１００〜１０２では、端子側面２１ｃ〜２４ｃが、仮想四角形の一つの仮想角部２１０または二つの仮想角部２１０，２３０が除去された形状を有しているが、これに加えて、仮想角部２２０および仮想角部２４０のいずれかまたは両方が除去された形状を有していてもよい。つまり、仮想角部２１０〜２４０のいずれか一つ以上が除去された形状を有していればよい。 [Remarks]
In the magnetic sensors 100 to 102 of the above-described embodiments, the terminal side surfaces 21c to 24c have a shape in which one virtual corner 210 or two virtual corners 210 and 230 of the virtual quadrangle are removed. In addition, one or both of the virtual corner portion 220 and the virtual corner portion 240 may be removed. That is, it is only necessary to have a shape in which any one or more of the virtual corner portions 210 to 240 are removed.

仮想角部２１０が除去された形状を有することで、端子底面２１ｅ〜２４ｅ側で隣り合うリード端子間距離を短くしながら、端子反面２１ａ〜２４ａ側でホール素子１０と各リード端子との間に比較的大きな空間を確保することができる。
第一実施形態で説明した封止体５０の形成方法では、上型９２の下面をシート９４で覆うとともに、金型９０内に溶融樹脂を流し込んだ後で上型９２を下降させる圧縮成形を行っているが、これに代えてトランスファー成形を行ってもよいし、シート９４を用いなくてもよい。 By having the shape in which the imaginary corner portion 210 is removed, the distance between the adjacent lead terminals on the terminal bottom surface 21e to 24e side is shortened, while the Hall element 10 and each lead terminal are located on the terminal opposite surface 21a to 24a side. A relatively large space can be secured.
In the method of forming the sealing body 50 described in the first embodiment, the lower surface of the upper mold 92 is covered with the sheet 94, and the upper mold 92 is lowered after pouring molten resin into the mold 90. However, instead of this, transfer molding may be performed, or the sheet 94 may not be used.

１００ 磁気センサ
１０１ 磁気センサ
１０２ 磁気センサ
１０ ホール素子
１２ 活性層
１３ａ〜１３ｄ 電極
２１〜２４ リード端子
２１ａ〜２４ａ リード端子の上面（端子反面）
２１ｂ〜２４ｂ リード端子の素子側の面
２１ｃ〜２４ｃ リード端子の外側面（端子側面）
２１ｄ１〜２４ｄ１ リード端子の素子とは反面側の面（外側立ち上がり面）
２１ｄ２〜２４ｄ２ リード端子の素子とは反面側の面（第四辺に含まれる面）
２１ｅ〜２４ｅ リード端子の下面（端子底面）
２１ｆ〜２４ｆ リード端子の凹状の円弧面（仮想角部の除去で生じた面）
２１ｊ〜２４ｊ リード端子の凹状の曲面（仮想角部の除去で生じた面）
２１ｋ〜２４ｋ リード端子の凹状の曲面（仮想角部の除去で生じた面）
２００ 端子側面の仮想四角形
２０１ 仮想四角形の第一辺
２０２ 仮想四角形の第二辺
２０３ 仮想四角形の第三辺
２０４ａ 仮想四角形の第四辺
２０４ｂ 外側立ち上がり面に沿った直線
２０４ｃ 仮想四角形の第四辺
２０５ 端子側面に沿った直線
２１０〜２４０ 仮想四角形の四つの仮想角部
２５０ 平面視での仮想角部
３１〜３４ 金属細線
４０ 絶縁層（保護層）
５０ 封止体
５１ 封止体の第一面（底面とは反対側の面）
５２ 封止体の第二面（底面）
５３ 封止体の第一側面
５４ 封止体の第二側面
６０ 外装メッキ層
Ｔ リード端子間の距離 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Magnetic sensor 101 Magnetic sensor 102 Magnetic sensor 10 Hall element 12 Active layer 13a-13d Electrode 21-24 Lead terminal 21a-24a The upper surface (terminal opposite surface) of lead terminal
21b-24b Element side surface of lead terminal 21c-24c Outer surface (terminal side surface) of lead terminal
21d1 to 24d1 Lead terminal element is opposite surface (outer rising surface)
21d2 to 24d2 Lead terminal element is opposite to the surface (surface included in the fourth side)
21e to 24e Lead terminal bottom surface (terminal bottom surface)
21f-24f Concave arc surface of lead terminal (surface generated by removal of virtual corner)
21j-24j Concave curved surface of lead terminal (surface generated by removal of virtual corner)
21k-24k Concave curved surface of lead terminal (surface generated by removing virtual corners)
200 Virtual rectangle on terminal side 201 First side of virtual rectangle 202 Second side of virtual rectangle 203 Third side of virtual rectangle 204a Fourth side of virtual rectangle 204b Straight line along outer rising surface 204c Fourth side of virtual rectangle 205 Straight lines along terminal side surfaces 210 to 240 Four virtual corners of virtual quadrangle 250 Virtual corners in plan view 31 to 34 Metal fine wire 40 Insulating layer (protective layer)
50 Sealing body 51 First surface of sealing body (surface opposite to bottom surface)
52 Second surface (bottom surface) of sealing body
53 First side surface of sealing body 54 Second side surface of sealing body 60 Exterior plating layer T Distance between lead terminals

Claims (8)

磁電変換機能または光電変換機能を有し、複数の電極を備えた素子と、
平面視で前記素子の周囲に配置された複数のリード端子と、
前記素子の前記複数の電極と前記複数のリード端子とを、それぞれ電気的に接続する複数の金属細線と、
合成樹脂を主成分とする材料からなり、底面と、前記底面とは反対側の面と、前記底面から立ち上がって前記反対側の面に至る側面と、を有する封止体であって、前記素子と前記リード端子と前記複数の金属細線とを封止する封止体と、
を備え、
前記複数のリード端子は、それぞれ、前記底面から露出する端子底面と、前記側面から露出する端子側面と、を有し、
前記端子側面は、前記封止体の前記底面に沿った直線を第一辺とする仮想四角形のいずれかの角部が除去された形状を有する半導体装置。 An element having a magnetoelectric conversion function or a photoelectric conversion function and having a plurality of electrodes;
A plurality of lead terminals arranged around the element in plan view;
A plurality of fine metal wires that electrically connect the plurality of electrodes of the element and the plurality of lead terminals, respectively;
A sealing body made of a material mainly composed of a synthetic resin, having a bottom surface, a surface opposite to the bottom surface, and a side surface rising from the bottom surface and reaching the surface on the opposite side, And a sealing body that seals the lead terminal and the plurality of fine metal wires,
With
Each of the plurality of lead terminals has a terminal bottom surface exposed from the bottom surface and a terminal side surface exposed from the side surface,
The terminal side surface is a semiconductor device having a shape in which any corner of a virtual quadrangle having a straight line along the bottom surface of the sealing body as a first side is removed. 前記端子側面は、前記仮想四角形の四つの角部のうち、前記端子底面とは反対側の端子反面に沿った第二辺と、前記素子側で前記第一辺から前記第二辺に至る第三辺と、で形成される角部が除去された形状を有する請求項１記載の半導体装置。   The terminal side surface includes a second side along a terminal opposite surface opposite to the terminal bottom surface of the four corners of the virtual quadrangle, and a second side from the first side to the second side on the element side. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device has a shape in which a corner formed by three sides is removed. 前記端子側面は、前記仮想四角形の四つの角部のうち、前記第一辺と、前記素子とは反対側で前記第一辺から前記第二辺に至る第四辺と、で形成される角部が、さらに除去された形状を有する請求項２記載の半導体装置。   The terminal side surface is an angle formed by the first side and the fourth side from the first side to the second side on the side opposite to the element among the four corners of the virtual quadrangle. The semiconductor device according to claim 2, wherein the portion has a shape further removed. 前記端子は、平面視で、前記端子側面に沿った直線と、前記素子とは反対側で前記端子底面から立ち上がる外側立ち上がり面に沿った直線と、で形成される仮想角部が、さらに除去された形状を有する請求項１または２記載の半導体装置。   In the plan view, the virtual corner portion formed by a straight line along the side surface of the terminal and a straight line along the outer rising surface rising from the terminal bottom surface on the side opposite to the element is further removed in plan view. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device has a different shape. 前記封止体の前記底面において隣り合う二つの前記リード端子間の距離の最小値が２００μｍ以下である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein a minimum value of a distance between two lead terminals adjacent to each other on the bottom surface of the sealing body is 200 μm or less. 前記素子は厚さが１００μｍ以下のホール素子である請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the element is a Hall element having a thickness of 100 μm or less. 前記素子は厚さが２５０μｍ以下の赤外線検出素子である請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the element is an infrared detection element having a thickness of 250 μm or less. 前記素子は厚さが２５０μｍ以下の赤外線発光素子である請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the element is an infrared light emitting element having a thickness of 250 μm or less.
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