JP6893104B2

JP6893104B2 - Hall element

Info

Publication number: JP6893104B2
Application number: JP2017058195A
Authority: JP
Inventors: 智也小路; 洋次片桐
Original assignee: Asahi Kasei EMD Corp
Current assignee: Asahi Kasei EMD Corp
Priority date: 2017-03-23
Filing date: 2017-03-23
Publication date: 2021-06-23
Anticipated expiration: 2037-03-23
Also published as: JP2018160632A

Description

本発明は、ホール素子に関する。 The present invention relates to a Hall element.

従来、感磁部と電極パッドとを接続するためのコンタクトを有するホール素子が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。 Conventionally, a Hall element having a contact for connecting a magnetically sensitive portion and an electrode pad is known (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

特開昭６０−１７５４７１号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 60-175471 特開昭６２−１２９７４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-12974

従来のホール素子にあっては、コンタクトの下端において電流が集中する。そのため、コンタクトの下端近傍において電流集中に起因する微小な抵抗変動等が生じ、特に、コンタクトと感磁部との接触面積が小さい場合には、電流集中に起因してノイズが生じる可能性がある。
そこで、本発明は、従来の未解決の問題に着目してなされたものであり、電流集中に起因するノイズの発生を抑制することの可能なホール素子を提供することを目的としている。 In a conventional Hall element, the current is concentrated at the lower end of the contact. Therefore, minute resistance fluctuations due to current concentration occur near the lower end of the contact, and noise may occur due to current concentration, especially when the contact area between the contact and the magnetically sensitive portion is small. ..
Therefore, the present invention has been made by paying attention to a conventional unsolved problem, and an object of the present invention is to provide a Hall element capable of suppressing the generation of noise due to current concentration.

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るホール素子は、基板と、当該基板上に形成された感磁部と、当該感磁部上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜を貫通して前記感磁部と電気的に接続された複数の導電部と、を備え、前記複数の導電部は互いに離間して配置され、前記導電部はそれぞれ、前記絶縁膜上に前記導電部同士が互いに近づく方向に延長して形成された電極部と、前記絶縁膜を貫通して前記電極部と前記感磁部とを電気的に接続するコンタクト部と、を有し、前記複数の電極部それぞれの外周は、上面視で、前記感磁部の外周で囲まれる領域の内側に位置し、前記複数の導電部それぞれが有する前記コンタクト部のうち少なくとも一つのコンタクト部は、前記感磁部の縁部の上面及び側面の両方に接することを特徴としている。 In order to achieve the above object, the Hall element according to one aspect of the present invention includes a substrate, a magnetically sensitive portion formed on the substrate, an insulating film formed on the magnetically sensitive portion, and the insulating film. is formed on a front Symbol insulating film through the sensing section and electrically connected to the plurality of conductive portions, wherein the plurality of conductive portions are arranged apart from each other, the conductive portion An electrode portion formed on the insulating film in a direction in which the conductive portions approach each other, and a contact portion that penetrates the insulating film and electrically connects the electrode portion and the magnetic sensitive portion. The outer periphery of each of the plurality of electrode portions is located inside the region surrounded by the outer periphery of the magnetically sensitive portion in a top view, and at least of the contact portions of the plurality of conductive portions. One contact portion is characterized in that it is in contact with both the upper surface and the side surface of the edge portion of the magnetically sensitive portion.

本発明の一態様によれば、電流集中に起因するノイズの発生を抑制することができる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to suppress the generation of noise due to current concentration.

本発明の一実施形態に係るホール素子の一例を示す上面図である。It is a top view which shows an example of the Hall element which concerns on one Embodiment of this invention. 図１ＡのＡ−Ａ′断面図の一例である。It is an example of the cross-sectional view taken along the line AA'of FIG. 1A. 図１Ｂのコンタクト部部分の拡大図である。It is an enlarged view of the contact part part of FIG. 1B. 図１ＡのＢ−Ｂ′断面図の一例である。It is an example of the BB'cross-sectional view of FIG. 1A. ホールセンサの一例を示す上面図である。It is a top view which shows an example of a hall sensor. ホールセンサの断面の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the cross section of a hall sensor. ホール素子の製造工程を説明するための断面図の一例である。This is an example of a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a Hall element. ホール素子の製造工程を説明するための断面図の一例である。This is an example of a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a Hall element. ホール素子の製造工程を説明するための断面図の一例である。This is an example of a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a Hall element. ホール素子の製造工程を説明するための断面図の一例である。This is an example of a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a Hall element. ホール素子の製造工程を説明するための断面図の一例である。This is an example of a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a Hall element. ホール素子の製造工程を説明するための断面図の一例である。This is an example of a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a Hall element. ホール素子のその他の例を示すコンタクト部部分の拡大図である。It is an enlarged view of the contact part part which shows the other example of a Hall element. ホール素子のその他の例を示すコンタクト部部分の拡大図である。It is an enlarged view of the contact part part which shows the other example of a Hall element.

以下の詳細な説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するように多くの特定の具体的な構成について記載されている。しかしながら、このような特定の具体的な構成に限定されることなく他の実施態様が実施できることは明らかである。また、以下の実施形態は、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、実施形態で説明されている特徴的な構成の組み合わせの全てを含むものである。
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一部分には同一符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。 The following detailed description describes many specific specific configurations to provide a complete understanding of embodiments of the present invention. However, it is clear that other embodiments can be implemented without being limited to such specific specific configurations. In addition, the following embodiments do not limit the invention according to the claims, but include all combinations of characteristic configurations described in the embodiments.
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the description of the drawings below, the same parts are designated by the same reference numerals. However, the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and the plane dimensions, the ratio of the thickness of each layer, etc. are different from the actual ones.

［実施形態］
図１Ａは、本発明の一実施形態に係るホール素子１００の一例を示す上面図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ′断面の断面図を示す。図１Ｃは、図１Ｂのコンタクト部５２部分の拡大図を示す。図１Ｄは、図１ＡのＢ−Ｂ′断面の断面図を示す。
本発明の一実施形態に係るホール素子１００は、基板１０、感磁部２０、電極部３１〜電極部３４、絶縁膜４０、及びコンタクト部５１〜コンタクト部５４を備える。感磁部２０は、導電層２１及び表面層２２を備える。電極部３１〜電極部３４及びコンタクト部５１〜コンタクト部５４は、導電部を構成する。 [Embodiment]
FIG. 1A is a top view showing an example of the Hall element 100 according to the embodiment of the present invention. FIG. 1B shows a cross-sectional view of the AA'cross section of FIG. 1A. FIG. 1C shows an enlarged view of the contact portion 52 portion of FIG. 1B. FIG. 1D shows a cross-sectional view of the BB'cross section of FIG. 1A.
The Hall element 100 according to the embodiment of the present invention includes a substrate 10, a magnetic sensitive portion 20, electrode portions 31 to electrode portions 34, an insulating film 40, and contact portions 51 to contact portions 54. The magnetic sensitive portion 20 includes a conductive layer 21 and a surface layer 22. The electrode portions 31 to 34 and the contact portions 51 to 54 form a conductive portion.

基板１０は、Ｓｉや化合物半導体等の半導体基板である。本発明の一実施形態に係る基板１０は、例えばＧａＡｓ基板である。基板（ＧａＡｓ基板）１０の抵抗率は１．０×１０^５Ω・ｃｍ以上である。基板１０の抵抗率の上限は１．０×１０^９Ω・ｃｍ以下であってよい。基板１０は、例えば略正方形の平面形状を有する。なお、基板１０の平面形状は略正方形に限るものではなく任意の設定可能であり、例えば、感磁部２０の平面形状と相似した、感磁部２０よりも大きい平面形状を有していてもよい。
感磁部２０は、基板１０上に形成される。感磁部２０は、基板１０上であり一部が基板１０に埋まって形成されていてもよい。感磁部２０は、略正方形の平面形状を有する。感磁部２０の側面は順テーパー状の断面を有している。 The substrate 10 is a semiconductor substrate such as Si or a compound semiconductor. The substrate 10 according to the embodiment of the present invention is, for example, a GaAs substrate. The resistivity of the substrate (GaAs substrate) 10 is 1.0 × 10 ⁵ Ω · cm or more. The upper limit of the resistivity of the substrate 10 may be less 1.0 × 10 ⁹ Ω · cm. The substrate 10 has, for example, a substantially square planar shape. The planar shape of the substrate 10 is not limited to a substantially square shape and can be set arbitrarily. For example, even if the substrate 10 has a planar shape larger than the magnetic sensitive portion 20, which is similar to the planar shape of the magnetic sensitive portion 20. Good.
The magnetic sensitive portion 20 is formed on the substrate 10. The magnetic sensitive portion 20 may be formed on the substrate 10 and partly buried in the substrate 10. The magnetically sensitive portion 20 has a substantially square planar shape. The side surface of the magnetic sensitive portion 20 has a forward tapered cross section.

感磁部２０は、基板１０よりも低抵抗の層である。感磁部２０は、例えばＧａＡｓ、ＩｎＳｂ及びＩｎＡｓ等の化合物半導体で形成される。本発明の一実施形態に係る感磁部２０は、ＧａＡｓで形成される。また、感磁部２０は、基板１０にＳｉ、Ｓｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｇｅ及びＣ等の不純物を注入し、加熱することにより活性化されてもよい。また、感磁部２０は、少なくとも１つの角が丸みを帯びた平面形状を有していてもよい。感磁部２０の端部では、ホール素子１００に流れる電流が集中する場合がある。感磁部２０の平面形状が丸みを有することにより、感磁部２０の端部における電流集中が緩和される。なお、感磁部２０を基板１０上に段差状（メサ状）に形成する際にこの効果は顕著となる。特に感磁部２０の角部が感磁部２０の厚みに対して１０％以上の曲率半径を有することにより、感磁部２０の端部での電流集中を緩和することができる点で好ましい。また、感磁部２０の厚みに対して１００００％以下の曲率半径を有することにより、ホール素子１００の出力電圧の揺らぎを抑制できる点で好ましい。これは、感磁部２０の側面ではダングリングボンドの一番小さな面（例えば、（１００）面）以外の面の露出を減らすことができ、キャリアの表面再結合が生じにくくなることによると推測される。 The magnetically sensitive portion 20 is a layer having a lower resistance than the substrate 10. The magnetically sensitive portion 20 is formed of, for example, a compound semiconductor such as GaAs, InSb, and InAs. The magnetically sensitive portion 20 according to the embodiment of the present invention is made of GaAs. Further, the magnetic sensitive portion 20 may be activated by injecting impurities such as Si, Sn, S, Se, Te, Ge and C into the substrate 10 and heating the substrate 10. Further, the magnetically sensitive portion 20 may have a planar shape in which at least one corner is rounded. At the end of the magnetic sensitive portion 20, the current flowing through the Hall element 100 may be concentrated. Since the planar shape of the magnetic sensitive portion 20 is rounded, the current concentration at the end portion of the magnetic sensitive portion 20 is relaxed. This effect becomes remarkable when the magnetic sensitive portion 20 is formed on the substrate 10 in a stepped shape (mesa shape). In particular, it is preferable that the corner portion of the magnetic sensitive portion 20 has a radius of curvature of 10% or more with respect to the thickness of the magnetic sensitive portion 20 so that the current concentration at the end portion of the magnetic sensitive portion 20 can be relaxed. Further, it is preferable to have a radius of curvature of 10000% or less with respect to the thickness of the magnetically sensitive portion 20 in that fluctuation of the output voltage of the Hall element 100 can be suppressed. It is presumed that this is because the exposure of surfaces other than the smallest surface (for example, (100) surface) of the dangling bond can be reduced on the side surface of the magnetic sensitive portion 20, and surface recombination of the carrier is less likely to occur. Will be done.

感磁部２０は、略正方形に限るものではない。四つのコンタクト部５１〜コンタクト部５４に囲まれた領域全てが感磁部２０に含まれていればよい。四つのコンタクト部に囲まれた領域全てが感磁部２０に含まれていれば、感磁部２０はこの四つのコンタクト部に囲まれた領域の外側に広がっていてもよい。例えば、感磁部２０の縁部は直線でなくともよく、また、感磁部２０の縁部に切欠き等が形成されていてもよい。 The magnetic sensitive portion 20 is not limited to a substantially square shape. It is sufficient that the magnetic sensing portion 20 includes all the regions surrounded by the four contact portions 51 to 54. If the magnetically sensitive portion 20 includes all the regions surrounded by the four contact portions, the magnetically sensitive portion 20 may extend outside the region surrounded by the four contact portions. For example, the edge portion of the magnetically sensitive portion 20 does not have to be a straight line, and a notch or the like may be formed at the edge portion of the magnetically sensitive portion 20.

四つのコンタクト部５１〜コンタクト部５４に囲まれた領域は、次のように決めることができる。まず、感磁部２０の上面視における重心を、感磁部２０の中心とする。次に、感磁部２０の中心と各コンタクト部５１〜コンタクト部５４との間の距離が最小となる点を各コンタクト部５１〜コンタクト部５４に描く。そして、これらの点間を結んで形成される領域を四つのコンタクト部５１〜コンタクト部５４に囲まれた領域とする。なお、感磁部２０の中心との間の距離が最小となる点が各コンタクト部に複数ある場合には、これら全ての点を結んだ領域を四つのコンタクト部５１〜コンタクト部５４に囲まれた領域とする。 The area surrounded by the four contact portions 51 to 54 can be determined as follows. First, the center of gravity of the magnetically sensitive portion 20 in the top view is set as the center of the magnetically sensitive portion 20. Next, a point at which the distance between the center of the magnetically sensitive portion 20 and each of the contact portions 51 to 54 is minimized is drawn on each of the contact portions 51 to 54. Then, the region formed by connecting these points is defined as a region surrounded by the four contact portions 51 to 54. When each contact portion has a plurality of points that minimize the distance from the center of the magnetic sensing portion 20, the region connecting all these points is surrounded by the four contact portions 51 to 54. Area.

導電層２１は、基板１０上に形成される。本発明の一実施形態に係る導電層２１は、ｎ型ＧａＡｓである。導電層２１の膜厚は特に限定されない。本発明の一実施形態に係る導電層２１の膜厚は、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である。導電層２１の膜厚は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であってもよい。
表面層２２は、導電層２１上に導電性の材料で形成される。表面層２２は、導電層２１よりも導電性の低いＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ又はＡｌＡｓ等の高抵抗な結晶からなる。本発明の一実施形態に係る表面層２２の膜厚は、１５０ｎｍ以上である。表面層２２の膜厚は、２００ｎｍ以上であってもよい。表面層２２の膜厚の上限は、８００ｎｍ以下であっても、６００ｎｍ以下であってもよい。なお、感磁部２０には、表面層２２が形成されなくてもよい。 The conductive layer 21 is formed on the substrate 10. The conductive layer 21 according to the embodiment of the present invention is n-type GaAs. The film thickness of the conductive layer 21 is not particularly limited. The film thickness of the conductive layer 21 according to the embodiment of the present invention is 50 nm or more and 2000 nm or less. The film thickness of the conductive layer 21 may be 100 nm or more and 1000 nm or less.
The surface layer 22 is formed of a conductive material on the conductive layer 21. The surface layer 22 is made of a GaAs layer having a lower conductivity than the conductive layer 21, a high resistance crystal such as AlGaAs or AlAs. The film thickness of the surface layer 22 according to the embodiment of the present invention is 150 nm or more. The film thickness of the surface layer 22 may be 200 nm or more. The upper limit of the film thickness of the surface layer 22 may be 800 nm or less or 600 nm or less. The surface layer 22 may not be formed on the magnetically sensitive portion 20.

絶縁膜４０は、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の上面及び側面と、感磁部２０とを覆うように、基板１０の上面に接して形成される。
絶縁膜４０には、コンタクト用の開口部４０ａが設けられている。絶縁膜４０の厚みは、例えば１００ｎｍ以上であるがこれに限るものではない。絶縁膜４０は、例えば、シリコン窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４膜）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）、アルミナ膜（Ａｌ_２Ｏ_３）、ポリイミド膜及びこれらの膜の少なくとも１つを積層した多層膜である。なお、図１Ａに示す上面図では、簡略化のため絶縁膜４０を省略している。 The insulating film 40 is formed in contact with the upper surface of the substrate 10 so as to cover the upper surfaces and side surfaces of the contact portions 51 to 54 and the magnetically sensitive portion 20.
The insulating film 40 is provided with an opening 40a for contact. The thickness of the insulating film 40 is, for example, 100 nm or more, but is not limited to this. The insulating film 40 is, for example, a silicon nitride film (Si ₃ N ₄ film), a silicon oxide film (SiO ₂ film), an alumina film (Al ₂ O ₃ ), a polyimide film, and a multilayer in which at least one of these films is laminated. It is a membrane. In the top view shown in FIG. 1A, the insulating film 40 is omitted for simplification.

電極部３１〜電極部３４は、絶縁膜４０上に形成される。例えば、電極部３１及び電極部３２は、感磁部２０に電流を流すための入力用の電極部であり、電極部３３及び電極部３４は、感磁部２０のホール電圧を検出するための出力用の電極部である。ここでは、電極部３１及び電極部３２を入力用の電極部として説明し、電極部３３及び電極部３４を出力用の電極部として説明するが、入力用の電極部と出力用の電極部とを入れ替えてもよい。また、入力用の電極部と出力用の電極部とを逐次入れ替えることにより、ホール素子１００をスピニングカレント動作させるようにしてもよい。なお、ホール素子１００は電極部３１〜電極部３４の他に電極部を備えていてもよい。 The electrode portions 31 to 34 are formed on the insulating film 40. For example, the electrode portion 31 and the electrode portion 32 are input electrode portions for passing a current through the magnetic sensitive portion 20, and the electrode portion 33 and the electrode portion 34 are for detecting the Hall voltage of the magnetic sensitive portion 20. It is an electrode part for output. Here, the electrode portion 31 and the electrode portion 32 will be described as an input electrode portion, and the electrode portion 33 and the electrode portion 34 will be described as an output electrode portion. May be replaced. Further, the Hall element 100 may be operated in a spinning current by sequentially replacing the input electrode portion and the output electrode portion. The Hall element 100 may include an electrode portion in addition to the electrode portions 31 to 34.

電極部３１〜電極部３４は、絶縁膜４０に設けられた開口部４０ａを通じてコンタクト部５１〜コンタクト部５４を介して感磁部２０と電気的に接続される。電極部３１〜電極部３４は、金属、ポリシリコン等の導電性材料により形成される。本発明の一実施形態に係る電極部３１〜電極部３４は、金を主成分として含有する。
電極部３１〜電極部３４は、それぞれ対応するコンタクト部５１〜コンタクト部５４上に形成される。後述のようにコンタクト部５１〜コンタクト部５４は略正方形の頂点となる位置に配置されるため、コンタクト部５１〜コンタクト部５４上に配置される電極部３１〜電極部３４も、略正方形の頂点となる位置に配置されることになる。 The electrode portions 31 to 34 are electrically connected to the magnetic sensitive portion 20 via the contact portions 51 to 54 through the opening 40a provided in the insulating film 40. The electrode portions 31 to 34 are formed of a conductive material such as metal or polysilicon. The electrode portions 31 to 34 according to the embodiment of the present invention contain gold as a main component.
The electrode portions 31 to 34 are formed on the corresponding contact portions 51 to 54, respectively. As will be described later, since the contact portions 51 to 54 are arranged at positions that are the vertices of the substantially square, the electrode portions 31 to the electrode portions 34 arranged on the contact portions 51 to 54 are also arranged at the vertices of the substantially square. It will be placed in the position where.

また、電極部３１〜電極部３４は、それぞれ対応するコンタクト部５１〜コンタクト部５４を基点として見た場合に対角線上の対向する電極部に近づく方向及び両隣の電極部のそれぞれに近づく方向に延出して形成される。本発明の一実施形態に係る電極部３１〜電極部３４は、例えば略正方形の平面形状を有し、電極部３１〜電極部３４の角部と感磁部２０の角部とがそれぞれ相似な形状を有している。さらに電極部３１〜電極部３４の各辺と感磁部２０の各辺とが平行となるように配置される。また、電極部３１〜電極部３４それぞれの外周は、上面視で、感磁部２０の外周で囲まれる領域の内側に位置する。電極部３１〜電極部３４は、コンタクト部５１〜コンタクト部５４に電気的に接続することができ、且つ、外部接続用のボンディングワイヤ等を電極部３１〜電極部３４に電気的に接続することが可能な大きさである。なお、電極部３１〜電極部３４は上記の条件を満たす大きさである限りできるだけ小さい面積となるように形成されることが好ましい。 Further, the electrode portions 31 to 34 extend in a direction approaching the opposing electrode portions on the diagonal line and in a direction approaching each of the adjacent electrode portions when viewed with the corresponding contact portions 51 to 54 as the base points. It is formed by putting it out. The electrode portions 31 to electrode portions 34 according to the embodiment of the present invention have, for example, a substantially square planar shape, and the corner portions of the electrode portions 31 to electrode portions 34 and the corner portions of the magnetic sensing portion 20 are similar to each other. It has a shape. Further, each side of the electrode portions 31 to 34 and each side of the magnetic sensing portion 20 are arranged so as to be parallel to each other. Further, the outer circumferences of the electrode portions 31 to 34 are located inside the region surrounded by the outer circumference of the magnetically sensitive portion 20 in a top view. The electrode portions 31 to 34 can be electrically connected to the contact portions 51 to 54, and a bonding wire or the like for external connection can be electrically connected to the electrode portions 31 to the electrode portion 34. Is a possible size. The electrode portions 31 to 34 are preferably formed so as to have an area as small as possible as long as the size satisfies the above conditions.

ここで、感磁部２０の上部に電極部３１〜電極部３４が形成される場合、感磁部２０は、少なくとも１つの角が丸みを帯びていることで、チッピングの影響を抑制することができる。
すなわち、基板１０を個片化する際にダイシングを行うが、基板１０の外周部と感磁部２０の外周部の間に電極部３１〜電極部３４が配置されていない場合、チッピングにより感磁部２０が欠け、当該欠けを原因とした電流集中を生じる場合がある。特に、感磁部２０の角が丸みを帯びていない場合、絶縁膜４０からの応力やダイシング時の応力が感磁部の角へ集中し、亀裂の起点となる場合がある。感磁部２０の少なくとも１つの角が丸みを帯びている場合、上記応力等を緩和し、チッピングによる感磁部２０の端の欠けを抑制することで、電流集中を緩和することができる。 Here, when the electrode portions 31 to 34 are formed on the magnetically sensitive portion 20, at least one corner of the magnetically sensitive portion 20 is rounded, so that the influence of chipping can be suppressed. it can.
That is, dicing is performed when the substrate 10 is separated into individual pieces, but when the electrode portions 31 to 34 are not arranged between the outer peripheral portion of the substrate 10 and the outer peripheral portion of the magnetic sensing portion 20, the magnetizing is performed by chipping. The portion 20 may be chipped, causing current concentration due to the chipping. In particular, when the corners of the magnetically sensitive portion 20 are not rounded, the stress from the insulating film 40 and the stress during dicing may be concentrated on the corners of the magnetically sensitive portion and become the starting point of cracks. When at least one corner of the magnetic sensitive portion 20 is rounded, the current concentration can be relaxed by relaxing the stress and the like and suppressing the chipping of the end of the magnetic sensitive portion 20 due to chipping.

なお、本発明の一実施形態に係る電極部３１〜電極部３４は、同一の平面形状を有しているが、異なる平面形状を有していてもよい。例えば、入力用の電極部の形状と出力用の電極部の形状とをそれぞれ異なる平面形状としてもよい。
また、本発明の一実施形態に係る電極部３１〜電極部３４は上面視で感磁部２０の領域内に形成されているが、これらの電極部の少なくとも一部が上面視で感磁部２０の領域の外側まで延出していてもよい。なお、上面視で感磁部２０の領域内に電極部３１〜電極部３４が形成されていると、ホール素子１００の出力電圧の揺らぎを小さくできる点で好ましい。これは、感磁部２０と電極部３１〜電極部３４との熱膨張係数の差による応力が感磁部２０にかかりにくくなるためである。 The electrode portions 31 to 34 according to the embodiment of the present invention have the same planar shape, but may have different planar shapes. For example, the shape of the input electrode portion and the shape of the output electrode portion may be different planar shapes.
Further, although the electrode portions 31 to 34 according to the embodiment of the present invention are formed in the region of the magnetically sensitive portion 20 in the top view, at least a part of these electrode portions is the magnetically sensitive portion in the top view. It may extend to the outside of the 20 regions. It is preferable that the electrode portions 31 to 34 are formed in the region of the magnetically sensitive portion 20 in the top view because the fluctuation of the output voltage of the Hall element 100 can be reduced. This is because the stress due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the magnetically sensitive portion 20 and the electrode portions 31 to 34 is less likely to be applied to the magnetically sensitive portion 20.

コンタクト部５１〜コンタクト部５４は、感磁部２０の平面形状に応じた平面形状を有し、感磁部２０と電極部３１〜電極部３４のそれぞれとを電気的に接続可能な大きさに形成される。コンタクト部５１〜コンタクト部５４の平面形状は、例えば、感磁部２０の角部部分と相似な略三角形状を有し、コンタクト部５１〜コンタクト部５４は、三つの頂点が感磁部２０の頂点の外側の領域と上下方向で対向し、三辺のうちの二辺が感磁部２０の二辺と平行となるように形成される。 The contact portions 51 to 54 have a planar shape corresponding to the planar shape of the magnetic sensitive portion 20, and have a size such that the magnetic sensitive portion 20 and the electrode portions 31 to the electrode portions 34 can be electrically connected to each other. It is formed. The planar shape of the contact portions 51 to 54 has, for example, a substantially triangular shape similar to the corner portion of the magnetically sensitive portion 20, and the contact portions 51 to contact portions 54 have three vertices of the magnetically sensitive portion 20. It is formed so as to face the region outside the apex in the vertical direction and two of the three sides are parallel to the two sides of the magnetizing portion 20.

また、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の平面形状は、感磁部２０の外周側に対応する外側領域の少なくとも一部に丸みを有していてもよい。また、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の平面形状は、感磁部２０の中心側の内側領域に丸みを有していてもよく、例えば全体として扇形を有していてもよい。これにより、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の端部における電流集中が緩和される。コンタクト部５１〜コンタクト部５４の平面形状は、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の端部における電流集中を緩和できるものであれば、扇形に限らず他の形状であってもよい。なお、ここでいう外側領域とは、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の外側であって、感磁部２０の外周と対向する領域を示す。一方、内側領域とは、外側領域以外の感磁部２０の中心側の領域を指す。また、四つのコンタクト部５１〜コンタクト部５４に囲まれた領域全てが感磁部２０に含まれている場合、特にコンタクト部５１〜コンタクト部５４の端部に流れる電流量が多くなるので、顕著に電流集中緩和効果が得られる。 Further, the planar shape of the contact portions 51 to 54 may have a rounded shape in at least a part of the outer region corresponding to the outer peripheral side of the magnetic sensitive portion 20. Further, the planar shape of the contact portions 51 to 54 may have a roundness in the inner region on the center side of the magnetic sensitive portion 20, for example, a fan shape as a whole. As a result, the current concentration at the ends of the contact portions 51 to 54 is relaxed. The planar shape of the contact portions 51 to 54 is not limited to a fan shape and may be any other shape as long as the current concentration at the ends of the contact portions 51 to 54 can be relaxed. The outer region referred to here refers to a region outside the contact portions 51 to 54 and facing the outer circumference of the magnetic sensing portion 20. On the other hand, the inner region refers to a region on the center side of the magnetically sensitive portion 20 other than the outer region. Further, when the magnetic sensing portion 20 includes all the regions surrounded by the four contact portions 51 to 54, the amount of current flowing through the ends of the contact portions 51 to 54 is particularly large, which is remarkable. The current concentration relaxation effect can be obtained.

以上の平面形状を有するコンタクト部５１〜コンタクト部５４は、感磁部２０上に形成され、感磁部２０（具体的には表面層２２）上の縁部、感磁部２０の側面（つまり、表面層２２及び導電層２１の側面）及び基板１０の上面のそれぞれに接する連続した形状に形成される。本発明の一実施形態に係るコンタクト部５１〜コンタクト部５４は、絶縁膜４０を貫通して、電極部３１〜電極部３４と感磁部２０とを電気的に接続する。本発明の一実施形態では、コンタクト部５１〜コンタクト部５４は略正方形の頂点となる位置に形成される。また、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の上には電極部３１〜電極部３４が形成される。なお、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の配置位置は略正方形の頂点となる位置に限るものではなく、四角形の頂点となる位置であればよい。 The contact portions 51 to 54 having the above-mentioned planar shape are formed on the magnetically sensitive portion 20, and the edge portion on the magnetically sensitive portion 20 (specifically, the surface layer 22) and the side surface of the magnetically sensitive portion 20 (that is, that is). , The side surface of the surface layer 22 and the conductive layer 21) and the upper surface of the substrate 10 are formed in a continuous shape in contact with each other. The contact portions 51 to 54 according to the embodiment of the present invention penetrate the insulating film 40 and electrically connect the electrode portions 31 to the electrode portions 34 and the magnetic sensitive portion 20. In one embodiment of the present invention, the contact portions 51 to 54 are formed at positions that are the vertices of a substantially square. Further, electrode portions 31 to electrode portions 34 are formed on the contact portions 51 to 54. The positions of the contact portions 51 to 54 are not limited to the positions that are the vertices of a substantially square, and may be any positions that are the vertices of a quadrangle.

コンタクト部５１〜コンタクト部５４の上には電極部３１〜電極部３４が形成される。
本発明の一実施形態に係るコンタクト部５１〜コンタクト部５４は、例えば、電極部３１〜電極部３４と同一の材料で形成される。電極部３１〜電極部３４及びコンタクト部５１〜コンタクト部５４は、導電部として同一のプロセスにより同時に一体に形成されてもよい。なお、コンタクト部５１〜コンタクト部５４は、電極部３１〜電極部３４とは異なる材料で形成されていてもよい。 Electrode portions 31 to electrode portions 34 are formed on the contact portions 51 to 54.
The contact portions 51 to 54 according to the embodiment of the present invention are formed of, for example, the same material as the electrode portions 31 to the electrode portions 34. The electrode portions 31 to 34 and the contact portions 51 to contact portions 54 may be integrally formed as conductive portions by the same process at the same time. The contact portions 51 to 54 may be made of a material different from that of the electrode portions 31 to the electrode portions 34.

図２Ａは、本発明の一実施形態に係るホール素子１００を用いたホールセンサ２００の一例を示す上面図である。図２Ｂは、ホールセンサ２００の断面の一例を示す概略図である。
ホールセンサ２００は、ホール素子１００、リード端子２１１〜リード端子２１４、保護層２２０、モールド部材２３０、外装めっき層２４０及びボンディングワイヤ２５１〜ボンディングワイヤ２５４を備える。なお、ホールセンサ２００の構成は一例であり、これに限るものではない。 FIG. 2A is a top view showing an example of a Hall sensor 200 using the Hall element 100 according to the embodiment of the present invention. FIG. 2B is a schematic view showing an example of a cross section of the Hall sensor 200.
The Hall sensor 200 includes a Hall element 100, lead terminals 211 to lead terminals 214, a protective layer 220, a mold member 230, an exterior plating layer 240, and bonding wires 251 to bonding wires 254. The configuration of the Hall sensor 200 is an example, and is not limited to this.

ホール素子１００は、ボンディングワイヤ２５１〜ボンディングワイヤ２５４によりリード端子２１１〜リード端子２１４に接続される。電極部３１は、ボンディングワイヤ２５１により、リード端子２１１と電気的に接続される。電極部３２は、ボンディングワイヤ２５２により、リード端子２１２と電気的に接続される。電極部３３は、ボンディングワイヤ２５３により、リード端子２１３と電気的に接続される。電極部３４は、ボンディングワイヤ２５４により、リード端子２１４と電気的に接続される。 The Hall element 100 is connected to the lead terminals 211 to the lead terminals 214 by the bonding wires 251 to 254. The electrode portion 31 is electrically connected to the lead terminal 211 by the bonding wire 251. The electrode portion 32 is electrically connected to the lead terminal 212 by the bonding wire 252. The electrode portion 33 is electrically connected to the lead terminal 213 by the bonding wire 253. The electrode portion 34 is electrically connected to the lead terminal 214 by the bonding wire 254.

ボンディングワイヤ２５１〜ボンディングワイヤ２５４は、導電性の材料で形成される。ボンディングワイヤ２５１〜ボンディングワイヤ２５４は、例えば金ワイヤを適用することができるが、これに限るものではない。ボンディングワイヤ２５１〜ボンディングワイヤ２５４は、モールド部材２３０により覆われている。これにより、ボンディングワイヤ２５１〜ボンディングワイヤ２５４が固定される。 The bonding wires 251 to 254 are formed of a conductive material. As the bonding wires 251 to 254, for example, a gold wire can be applied, but the bonding wire is not limited to this. The bonding wires 251 to 254 are covered with the mold member 230. As a result, the bonding wires 251 to 254 are fixed.

なお、電極部３１〜電極部３４と、ボンディングワイヤ２５１〜ボンディングワイヤ２５４とのそれぞれの間にボール部が設けられていてもよい。ボール部は、導電性の材料で形成される。ボール部は、ボンディングワイヤ２５１〜ボンディングワイヤ２５４と同一の材料で形成されてよい。ボール部は、例えば金ボール、またははんだボールである。一例において、ボール部は、上面視で１０μｍ以上、１００μｍ以下の直径を有し、例えば、６０μｍの直径を有する。なお、ボール部が上面視で真円でない場合には、上面視したボール部と同じ面積を有する楕円に近似し、当該楕円の長径を直径としてもよい。また、ボール部の厚みは応力緩和の観点から５μｍ以上であることが好ましい。また、製造容易性の観点からボール部の厚みは１００μｍ以下であることが好ましい。なお、ボール部の厚みとは、ボール部の一番高い部分とボール部が配置された電極部３１〜電極部３４との距離である。 A ball portion may be provided between the electrode portions 31 to the electrode portions 34 and the bonding wires 251 to 254. The ball portion is formed of a conductive material. The ball portion may be formed of the same material as the bonding wires 251 to 254. The ball portion is, for example, a gold ball or a solder ball. In one example, the ball portion has a diameter of 10 μm or more and 100 μm or less in top view, and has a diameter of, for example, 60 μm. When the ball portion is not a perfect circle when viewed from above, it may be approximated to an ellipse having the same area as the ball portion viewed from above, and the major axis of the ellipse may be used as the diameter. Further, the thickness of the ball portion is preferably 5 μm or more from the viewpoint of stress relaxation. Further, from the viewpoint of ease of manufacture, the thickness of the ball portion is preferably 100 μm or less. The thickness of the ball portion is the distance between the highest portion of the ball portion and the electrode portions 31 to 34 where the ball portion is arranged.

ここで、ホールセンサ２００のＸ線撮影にて得られた断面透過図を観察した際に、ボンディングワイヤ２５２をリード端子２１２側からホール素子１００側にたどった場合にボンディングワイヤの太さよりも幅が大きくなった部分をボール部と定義してもよい。
リード端子２１１〜リード端子２１４は、外装めっき層２４０を介して外部と電気的に接続される。リード端子２１１〜リード端子２１４は、ボンディングワイヤ２５１〜ボンディングワイヤ２５４と接続された面と反対側の面とに外装めっき層２４０が形成される。これにより、ホール素子１００は、ホールセンサ２００の外部と電気的に接続される。なお、外装めっき層２４０は、例えばスズ（Ｓｎ）で形成されているが、これに限るものではない。 Here, when observing the cross-sectional transmission diagram obtained by X-ray photography of the Hall sensor 200, when the bonding wire 252 is traced from the lead terminal 212 side to the Hall element 100 side, the width is wider than the thickness of the bonding wire. The enlarged portion may be defined as a ball portion.
The lead terminals 211 to 214 are electrically connected to the outside via the exterior plating layer 240. In the lead terminals 211 to the lead terminals 214, an exterior plating layer 240 is formed on a surface opposite to the surface connected to the bonding wires 251 to 254. As a result, the Hall element 100 is electrically connected to the outside of the Hall sensor 200. The exterior plating layer 240 is formed of, for example, tin (Sn), but is not limited thereto.

保護層２２０は、ホール素子１００のボンディングワイヤ２５１〜ボンディングワイヤ２５４と接続された面とは反対側の面を覆う。保護層２２０は、例えば基板１０を保護可能な材料であれば限定されない。保護層２２０は、導体、絶縁体、又は半導体の何れか１つからなる膜であってもよく、これらのうち２つ以上を含む膜であってもよい。導体の場合、保護層２２０は、銀ペースト等の導電性樹脂であってよい。絶縁体の場合、保護層２２０は、エポキシ系の熱硬化型樹脂とシリカ（ＳｉＯ_２）とを含む絶縁ペースト、窒化ケイ素及び二酸化ケイ素等であってよい。半導体の場合、保護層２２０は、Ｓｉ基板やＧｅ基板等の貼り合わせであってよい。 The protective layer 220 covers the surface of the Hall element 100 opposite to the surface connected to the bonding wires 251 to 254. The protective layer 220 is not limited as long as it is a material capable of protecting the substrate 10, for example. The protective layer 220 may be a film made of any one of a conductor, an insulator, or a semiconductor, or may be a film containing two or more of them. In the case of a conductor, the protective layer 220 may be a conductive resin such as silver paste. In the case of an insulator, the protective layer 220 may be an _{insulating paste containing an epoxy-based thermosetting resin and silica (SiO 2} ), silicon nitride, silicon dioxide, or the like. In the case of a semiconductor, the protective layer 220 may be a bonded Si substrate, Ge substrate, or the like.

モールド部材２３０は、ホール素子１００と、ボンディングワイヤ２５１〜ボンディングワイヤ２５４と、リード端子２１１〜リード端子２１４とをモールドする。モールド部材２３０は、リフロー時の高熱に耐えられる材料で形成される。例えば、モールド部材２３０は、エポキシ系の熱硬化型樹脂で形成される。 The mold member 230 molds the Hall element 100, the bonding wires 251 to 254, and the lead terminals 211 to the lead terminals 214. The mold member 230 is made of a material that can withstand high heat during reflow. For example, the mold member 230 is made of an epoxy-based thermosetting resin.

ここで、ホール素子１００は、図１Ｃに示すように、コンタクト部５１〜コンタクト部５４が、感磁部２０の上面、感磁部２０の側面及び基板１０の上面のそれぞれに接する連続した形状に形成されている。そのため、コンタクト部５１〜コンタクト部５４が感磁部２０の上面のみに形成されている場合に比較して、コンタクト部５１〜コンタクト部５４と感磁部２０との接触面積がより大きい。その結果、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の下端近傍における電流集中が抑制されることになり、結果的に、電流集中に起因する微小な抵抗変動を生じにくくすることができる。つまり、電流集中により生じる１／ｆノイズを抑制することができる。特に、四つのコンタクト部５１〜コンタクト部５４に囲まれた領域全てが感磁部２０に含まれている場合、コンタクト部５１〜５４の端部に流れる電流量が多くなるため、顕著に１／ｆノイズ抑制効果が得られる。 Here, as shown in FIG. 1C, the Hall element 100 has a continuous shape in which the contact portions 51 to 54 are in contact with the upper surface of the magnetic sensitive portion 20, the side surface of the magnetic sensitive portion 20, and the upper surface of the substrate 10. It is formed. Therefore, the contact area between the contact portions 51 to 54 and the magnetically sensitive portion 20 is larger than that in the case where the contact portions 51 to 54 are formed only on the upper surface of the magnetically sensitive portion 20. As a result, the current concentration in the vicinity of the lower ends of the contact portions 51 to 54 is suppressed, and as a result, minute resistance fluctuations due to the current concentration can be prevented from occurring. That is, 1 / f noise caused by current concentration can be suppressed. In particular, when the magnetic sensing portion 20 includes all the regions surrounded by the four contact portions 51 to 54, the amount of current flowing through the ends of the contact portions 51 to 54 increases, so that the amount of current flows remarkably 1 /. f Noise suppression effect can be obtained.

また、コンタクト部５１〜コンタクト部５４を、感磁部２０の上面及び感磁部２０の側面だけでなく、基板１０の上面にまで形成しているため、電極部３１〜電極部３４と基板１０との間、及び、感磁部２０と基板１０との間において生じる電位差それぞれを小さくすることができる。これにより感磁部２０の背面における寄生容量の電荷蓄積が抑制され、ホール出力の変動が抑制される。また、電極部３１〜電極部３４同士が互いに近づく方向に延出して形成されている場合には、電極部３１〜電極部３４と基板１０との間の電位差が大きくなるためその効果が大きい。
また、上述のように、ホール素子１００は、感磁部２０の電流集中を緩和することができる。これにより、感磁部２０の電流集中に起因する微小な抵抗変動が生じにくくなる。したがって、ホール素子１００は、電流集中により生じる１／ｆノイズを抑制できる。 Further, since the contact portions 51 to 54 are formed not only on the upper surface of the magnetically sensitive portion 20 and the side surface of the magnetically sensitive portion 20, but also on the upper surface of the substrate 10, the electrode portions 31 to the electrode portion 34 and the substrate 10 are formed. It is possible to reduce the potential difference between the two and the magnetically sensitive portion 20 and the substrate 10. As a result, the charge accumulation of the parasitic capacitance on the back surface of the magnetic sensing portion 20 is suppressed, and the fluctuation of the hall output is suppressed. Further, when the electrode portions 31 to 34 are formed so as to extend in a direction approaching each other, the potential difference between the electrode portions 31 to the electrode portions 34 and the substrate 10 becomes large, so that the effect is great.
Further, as described above, the Hall element 100 can relax the current concentration of the magnetically sensitive portion 20. As a result, minute resistance fluctuations due to the current concentration of the magnetic sensing portion 20 are less likely to occur. Therefore, the Hall element 100 can suppress 1 / f noise caused by current concentration.

［製造方法］
図３Ａ〜図３Ｆは、ホール素子１００の製造工程の一例を示す断面図である。なお、ホール素子１００の製造方法は、これに限るものではない。なお、ここでは、コンタクト部５１〜コンタクト部５４をコンタクト部５０として説明する。
まず、後に複数個に個片化されて基板１０となる大きな基板を用意する（図３Ａ）。個片化された基板１０の平面形状は、例えば略正方形である。 [Production method]
3A to 3F are cross-sectional views showing an example of a manufacturing process of the Hall element 100. The method for manufacturing the Hall element 100 is not limited to this. Here, the contact portions 51 to 54 will be described as the contact portion 50.
First, a large substrate that is later separated into a plurality of pieces to form the substrate 10 is prepared (FIG. 3A). The planar shape of the individualized substrate 10 is, for example, a substantially square shape.

次に、基板１０上に感磁部２０を形成する（図３Ｂ）。具体的には、基板１０上に導電層２１を形成し、導電層２１上に表面層２２を形成する。感磁部２０の成膜段階では、導電層２１及び表面層２２の平面形状は、基板１０の平面形状と同一であってよい。例えば、感磁部２０は、ＭＯＣＶＤ（ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、有機金属気相成長）法やＭＢＥ（分子線エピタキシー）法を用いて、基板１０上に化合物半導体をエピタキシャル成長することにより形成される。 Next, the magnetically sensitive portion 20 is formed on the substrate 10 (FIG. 3B). Specifically, the conductive layer 21 is formed on the substrate 10, and the surface layer 22 is formed on the conductive layer 21. At the film forming stage of the magnetic sensitive portion 20, the planar shapes of the conductive layer 21 and the surface layer 22 may be the same as the planar shape of the substrate 10. For example, the magnetically sensitive portion 20 is formed by epitaxially growing a compound semiconductor on a substrate 10 by using a MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method or an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method.

次に、図３Ｃにおいて、感磁部２０を予め定められた平面形状のパターンにエッチングする。これにより、感磁部２０の平面形状が略正方形に形成される。また、感磁部２０の平面形状の角部は、当該エッチング工程により丸められてよい。
次に、図３Ｄにおいて、感磁部２０上にコンタクト部５０を形成する。コンタクト部５０は、蒸着やスパッタ等の任意の半導体製造工程を用いて形成される。コンタクト部５０は、感磁部２０の角部近傍に形成され、さらに、感磁部２０上の縁部、感磁部２０の側面及び基板１０の上面のそれぞれに接する連続した形状に形成される。 Next, in FIG. 3C, the magnetically sensitive portion 20 is etched into a predetermined planar pattern. As a result, the planar shape of the magnetically sensitive portion 20 is formed into a substantially square shape. Further, the flat corners of the magnetic sensitive portion 20 may be rounded by the etching step.
Next, in FIG. 3D, the contact portion 50 is formed on the magnetically sensitive portion 20. The contact portion 50 is formed by using an arbitrary semiconductor manufacturing process such as vapor deposition or sputtering. The contact portion 50 is formed in the vicinity of the corner portion of the magnetic sensitive portion 20, and is further formed in a continuous shape in contact with the edge portion on the magnetic sensitive portion 20, the side surface of the magnetic sensitive portion 20, and the upper surface of the substrate 10. ..

次に、図３Ｅにおいて、基板１０、コンタクト部５０、及び感磁部２０を覆うように、絶縁膜４０を形成する。例えば絶縁膜４０として、厚みが３００ｎｍのＳｉＮ膜が形成される。また、絶縁膜４０には、コンタクト部５０と電極部３１〜電極部３４とが電気的に接続されるための開口部４０ａが形成される。開口部４０ａはエッチングプロセスにより形成されてもよい。 Next, in FIG. 3E, the insulating film 40 is formed so as to cover the substrate 10, the contact portion 50, and the magnetically sensitive portion 20. For example, as the insulating film 40, a SiN film having a thickness of 300 nm is formed. Further, the insulating film 40 is formed with an opening 40a for electrically connecting the contact portion 50 and the electrode portions 31 to 34. The opening 40a may be formed by an etching process.

次に、図３Ｆにおいて、絶縁膜４０上に電極部３１〜電極部３４が形成される。また、電極部３１〜電極部３４は、絶縁膜４０に形成された開口部４０ａを通じて、コンタクト部５０と電気的に接続される。一例において、電極部３１〜電極部３４の厚みは、０．５μｍであるがこれに限るものではない。以上により、ホール素子１００が形成される。
なお、上記実施形態においては、コンタクト部５１〜コンタクト部５４それぞれを、感磁部２０上の縁部、感磁部２０の側面及び基板１０の上面のそれぞれに接するように連続した形状に形成した場合について説明したがこれに限るものではない。例えば、いずれか一つ又は入力用のコンタクト部として動作する二つのコンタクト部のみを感磁部２０上の縁部、感磁部２０の側面及び基板１０の上面のそれぞれに接する連続した形状に形成するようにしてもよい。 Next, in FIG. 3F, the electrode portions 31 to 34 are formed on the insulating film 40. Further, the electrode portions 31 to 34 are electrically connected to the contact portion 50 through the opening 40a formed in the insulating film 40. In one example, the thickness of the electrode portions 31 to 34 is 0.5 μm, but the thickness is not limited to this. As a result, the Hall element 100 is formed.
In the above embodiment, each of the contact portions 51 to 54 is formed in a continuous shape so as to be in contact with the edge portion on the magnetically sensitive portion 20, the side surface of the magnetically sensitive portion 20, and the upper surface of the substrate 10. The case has been explained, but it is not limited to this. For example, only one of them or two contact portions that operate as input contact portions are formed in a continuous shape in contact with the edge portion on the magnetically sensitive portion 20, the side surface of the magnetically sensitive portion 20, and the upper surface of the substrate 10. You may try to do it.

また、上記実施形態においては、感磁部２０の角部にコンタクト部５１〜コンタクト部５４を配置した場合について説明したが、これに限るものではない。四つのコンタクト部５１〜コンタクト部５４で囲まれる領域全面が感磁部２０に含まれるように配置され、且つ、コンタクト部５１〜コンタクト部５４を、感磁部２０上の縁部、感磁部２０の側面及び基板１０の上面のそれぞれに接する形状に形成することができれば、どのような位置関係に配置されていてもよい。また、コンタクト部５１〜コンタクト部５４のうちの少なくとも一つが、感磁部２０上の縁部、感磁部２０の側面及び基板１０の上面のそれぞれに接する連続した形状に形成されていてもよい。 Further, in the above embodiment, the case where the contact portions 51 to 54 are arranged at the corners of the magnetic sensitive portion 20 has been described, but the present invention is not limited to this. The entire region surrounded by the four contact portions 51 to 54 is arranged so as to be included in the magnetically sensitive portion 20, and the contact portions 51 to 54 are included in the edge portion and the magnetically sensitive portion on the magnetically sensitive portion 20. It may be arranged in any positional relationship as long as it can be formed in a shape in contact with each of the side surface of 20 and the upper surface of the substrate 10. Further, at least one of the contact portions 51 to 54 may be formed in a continuous shape in contact with the edge portion on the magnetically sensitive portion 20, the side surface of the magnetically sensitive portion 20, and the upper surface of the substrate 10. ..

また、上記実施形態においては、図１Ｃに示すように、コンタクト部５１〜コンタクト部５４を、感磁部２０上の縁部、感磁部２０の側面及び基板１０の上面のそれぞれに接する連続した形状に形成した場合について説明したがこれに限るものではない。例えば、図４Ａに示すように、コンタクト部５１〜コンタクト部５４を、感磁部２０上の縁部と感磁部２０の側面との両方のみに接する連続した形状に形成してもよい。また、その際、図４Ａに示すように、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の上面及び側面、また感磁部２０の上面を覆うように絶縁膜４０を形成した後、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の上部と対向する位置にコンタクト用の開口部４０ａを設け、電極部３１〜電極部３４を、上面視で、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の上面全面及び基板１０の縁側に位置する側面と基板１０の上面と重なるように形成するようにしてもよい。また、この際、電極部３１〜電極部３４を、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の上面全面ではなく上面の一部のみと重なるように形成してもよい。 Further, in the above embodiment, as shown in FIG. 1C, the contact portions 51 to 54 are continuous in contact with the edge portion on the magnetic sensitive portion 20, the side surface of the magnetic sensitive portion 20, and the upper surface of the substrate 10. The case where the shape is formed has been described, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 4A, the contact portions 51 to 54 may be formed in a continuous shape in contact with only both the edge portion on the magnetically sensitive portion 20 and the side surface of the magnetically sensitive portion 20. At that time, as shown in FIG. 4A, after forming the insulating film 40 so as to cover the upper and side surfaces of the contact portions 51 to 54 and the upper surface of the magnetic sensitive portion 20, the contact portions 51 to 54 An opening 40a for contact is provided at a position facing the upper part of the contact portion, and the electrode portions 31 to 34 are viewed from above, and the entire upper surface of the contact portions 51 to 54 and the side surface and the substrate located on the edge side of the substrate 10. It may be formed so as to overlap the upper surface of 10. Further, at this time, the electrode portions 31 to 34 may be formed so as to overlap only a part of the upper surface of the contact portions 51 to 54 instead of the entire upper surface.

また、図４Ｂに示すように、コンタクト部５１〜コンタクト部５４を、感磁部２０上の縁部と感磁部２０の側面との両方のみに接するように連続した形状に形成し、さらに、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の上面及び側面、また感磁部２０の上面を覆うように絶縁膜４０を形成した後、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の上部と対向する位置にコンタクト用の開口部４０ａを設ける。そして、電極部３１〜電極部３４を、上面視で、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の上面全面及び基板１０の縁側とは逆側に位置する側面と感磁部２０の上面と重なるように形成するようにしてもよい。また、この際、電極部３１〜電極部３４を、コンタクト部５１〜コンタクト部５４の上面全面ではなく上面の一部のみと重なるように形成してもよい。 Further, as shown in FIG. 4B, the contact portions 51 to 54 are formed in a continuous shape so as to be in contact with only both the edge portion on the magnetically sensitive portion 20 and the side surface of the magnetically sensitive portion 20. After forming the insulating film 40 so as to cover the upper and side surfaces of the contact portions 51 to 54 and the upper surface of the magnetically sensitive portion 20, a contact opening is formed at a position facing the upper surface of the contact portions 51 to 54. 40a is provided. Then, the electrode portions 31 to 34 are formed so as to overlap the entire upper surface of the contact portions 51 to 54 and the side surface located on the side opposite to the edge side of the substrate 10 and the upper surface of the magnetic sensitive portion 20 in a top view. You may try to do it. Further, at this time, the electrode portions 31 to 34 may be formed so as to overlap only a part of the upper surface of the contact portions 51 to 54 instead of the entire upper surface.

以上、本発明の実施形態を説明したが、上記実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。 Although the embodiment of the present invention has been described above, the above-described embodiment illustrates an apparatus or method for embodying the technical idea of the present invention, and the technical idea of the present invention is a component component. It does not specify the material, shape, structure, arrangement, etc. of The technical idea of the present invention may be modified in various ways within the technical scope specified by the claims stated in the claims.

１０基板
２０感磁部
２１導電層
２２表面層
３１〜３４電極部
４０絶縁膜
５１〜５４コンタクト部
１００ホール素子
２００ホールセンサ
２１１〜２１４リード端子
２５１〜２５４ボンディングワイヤ
２３０モールド部材 10 Substrate 20 Magnetic part 21 Conductive layer 22 Surface layer 31-34 Electrode part 40 Insulating film 51-54 Contact part 100 Hall element 200 Hall sensor 211-214 Lead terminal 251 to 254 Bonding wire 230 Molding member

Claims

With the board
The magnetically sensitive part formed on the substrate and
The insulating film formed on the magnetically sensitive part and
Wherein formed on the insulating film, and through the pre-Symbol insulating film the magnetic sensitivity surfaces and electrically connected to the plurality of conductive portions,
With
The plurality of conductive portions are arranged so as to be separated from each other.
Each of the conductive parts
An electrode portion formed on the insulating film in a direction in which the conductive portions approach each other, and an electrode portion.
A contact portion that penetrates the insulating film and electrically connects the electrode portion and the magnetically sensitive portion.
Have,
The outer circumference of each of the plurality of electrode portions is located inside the region surrounded by the outer circumference of the magnetically sensitive portion in a top view.
At least one of the contact portions of each of the plurality of conductive portions is a Hall element that is in contact with both the upper surface and the side surface of the edge portion of the magnetically sensitive portion.

The Hall element according to claim 1, wherein the magnetically sensitive portion has a forward tapered cross section.

The Hall element according to claim 1 or 2 , wherein the contact portion is in contact with the upper surface and side surfaces of the edge portion of the magnetically sensitive portion and the upper surface of the substrate.

The Hall element according to any one of claims 1 to 3 , wherein the magnetically sensitive portion has a quadrangular shape.