JP2018074067A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2018074067A
JP2018074067A JP2016214615A JP2016214615A JP2018074067A JP 2018074067 A JP2018074067 A JP 2018074067A JP 2016214615 A JP2016214615 A JP 2016214615A JP 2016214615 A JP2016214615 A JP 2016214615A JP 2018074067 A JP2018074067 A JP 2018074067A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
lead
lead terminals
sealing body
opposite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016214615A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
拓也 石田
Takuya Ishida
拓也 石田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Original Assignee
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Electronics Co Ltd filed Critical Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority to JP2016214615A priority Critical patent/JP2018074067A/en
Publication of JP2018074067A publication Critical patent/JP2018074067A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18165—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a wire bonded chip

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device in which generation of a bur on an end of a lead terminal is inhibited.SOLUTION: A semiconductor device 100 comprises an element 10, lead terminals 21-24, a plurality of metallic thin lines and an encapsulation body 50. The element 10 is an element having an electromagnetic conversion function or a photoelectric conversion function and has a plurality of electrodes. The lead terminals are arranged around a Hall element 10 in plan view. The encapsulation body 50 is composed of a synthetic resin and encapsulated the element 10, the lead terminals and the plurality of metallic thin lines. The lead terminals have terminal bottom faces 21e-24e lying in the same plane with a bottom face 52 of the encapsulation body 50, terminal lateral faces 21c-24c lying in the same plane with a first lateral face 53 and terminal opposite surfaces 21a-24a opposite to the terminal bottom faces. A length E of a straight line forming the terminal bottom face of each terminal lateral face is shorter than a length A of a straight line forming the terminal opposite surface of each terminal lateral face. The minimum value of a distance between two neighboring lead terminals on the bottom face 52 of the encapsulation body 50 is equal to or less than 300 μm.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

この発明は半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device.

近年、電子機器の小型化に伴い、電子部品の小型・薄型化が進展している。その中で、センサなどの半導体装置では、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）やＱＦＮ（Quad flat no lead package ）と称されるノンリードタイプのパッケージが採用されている。
ＳＯＮやＱＦＮによるパッケージの製造方法（特許文献１などを参照）では、先ず、リードフレーム上の複数位置に複数の素子を搭載した後、合成樹脂で複数の素子を含むリードフレーム全体を一括して封止する。次に、ダイシングブレードにより、合成樹脂からなる封止体とリードフレームを一体に切断して個片化することで、一つの素子と複数のリード端子とを含む半導体装置を、複数個得る。 In recent years, with the miniaturization of electronic devices, electronic components have become smaller and thinner. Among them, semiconductor devices such as sensors employ non-lead type packages called SON (Small Outline Non-leaded Package) and QFN (Quad flat no lead package).
In a package manufacturing method using SON or QFN (see Patent Document 1, etc.), first, a plurality of elements are mounted at a plurality of positions on a lead frame, and then the entire lead frame including the plurality of elements is collectively made of synthetic resin. Seal. Next, a sealing body made of synthetic resin and a lead frame are integrally cut and separated into pieces by a dicing blade, thereby obtaining a plurality of semiconductor devices including one element and a plurality of lead terminals.

特開２００７−２４２６４３号公報JP 2007-242643 A

しかしながら、上述の方法で製造された半導体装置では、ダイシングブレードによる個片化工程でリードフレームの切断面（リード端子の封止体側面からの露出面）に半導体装置の厚さ方向に延びるバリが生じるため、パッケージの厚さが設計値より厚くなるなどの問題が生じる。特に、薄型化が求められているセンサでは、例えば２００μｍ以下の厚さのセンサの場合、厚さ方向に延びるバリの許容値は例えば数１０μｍ以下となる。
この発明の課題は、ダイシングブレードにより合成樹脂からなる封止体とリードフレームを一体に切断して個片化する工程を含む方法で製造される半導体装置において、個片化工程でリードフレームの切断面に生じるバリの発生量を抑制することである。 However, in the semiconductor device manufactured by the above-described method, burrs extending in the thickness direction of the semiconductor device are formed on the cut surface of the lead frame (exposed surface from the side surface of the sealing body of the lead terminal) in the singulation process by the dicing blade. As a result, there arises a problem that the thickness of the package becomes thicker than the design value. In particular, in a sensor that is required to be thin, for example, in the case of a sensor having a thickness of 200 μm or less, the allowable value of a burr extending in the thickness direction is, for example, several tens of μm or less.
An object of the present invention is to cut a lead frame in a singulation process in a semiconductor device manufactured by a method including a process of cutting a sealing body made of a synthetic resin and a lead frame together with a dicing blade into a piece. This is to suppress the amount of burrs generated on the surface.

上記課題を解決するために、この発明の一態様の半導体装置は、下記の構成要件(1) 〜(6) を有する。
(1) 磁電変換機能または光電変換機能を有し、複数の電極を備えた素子を備えている。
(2) 平面視で素子の周囲に配置された複数のリード端子を備えている。
(3) 素子の複数の電極と複数のリード端子とを、それぞれ電気的に接続する複数の金属細線を備えている。 In order to solve the above problems, a semiconductor device according to one embodiment of the present invention has the following structural requirements (1) to (6).
(1) An element having a magnetoelectric conversion function or a photoelectric conversion function and having a plurality of electrodes is provided.
(2) It has a plurality of lead terminals arranged around the element in plan view.
(3) A plurality of fine metal wires are provided to electrically connect the plurality of electrodes of the element and the plurality of lead terminals, respectively.

(4) 合成樹脂を主成分とする材料（合成樹脂以外に、必要に応じて添加されるフィラーや不可避的に混在する不純物などを含む場合がある）からなる封止体を備えている。この封止体は、底面と、底面とは反対側の面と、底面から立ち上がって反対側の面に至る側面と、を有する。この封止体は、素子とリード端子と複数の金属細線とを封止する。
(5) 複数のリード端子は、それぞれ、封止体の底面と同一面内にある端子底面と、封止体の側面と同一面内にある端子側面と、を有する。端子側面の端子底面をなす直線の長さは、端子側面の端子反面をなす直線の長さよりも短い。
(6) 封止体の底面において隣り合う二つのリード端子間の距離の最小値が３００μｍ以下である。 (4) It is provided with a sealing body made of a material mainly composed of a synthetic resin (in addition to the synthetic resin, it may contain a filler added as necessary or an inevitably mixed impurity). The sealing body has a bottom surface, a surface opposite to the bottom surface, and a side surface that rises from the bottom surface and reaches the surface on the opposite side. This sealing body seals an element, a lead terminal, and a plurality of fine metal wires.
(5) Each of the plurality of lead terminals has a terminal bottom surface that is in the same plane as the bottom surface of the sealing body, and a terminal side surface that is in the same plane as the side surface of the sealing body. The length of the straight line that forms the terminal bottom surface of the terminal side surface is shorter than the length of the straight line that forms the terminal opposite surface of the terminal side surface.
(6) The minimum distance between two adjacent lead terminals on the bottom surface of the sealing body is 300 μm or less.

この発明の一態様の半導体装置によれば、リード端子の形状を特定することにより、ダイシングブレードにより合成樹脂からなる封止体とリードフレームを一体に切断して個片化する工程を含む方法で製造される際に、個片化工程でリードフレームの切断面に生じるバリの発生量を抑制できる。   According to the semiconductor device of one aspect of the present invention, by specifying the shape of the lead terminal, the sealing body made of synthetic resin and the lead frame are integrally cut by a dicing blade and separated into individual pieces. When manufactured, the amount of burrs generated on the cut surface of the lead frame in the singulation process can be suppressed.

第一実施形態の磁気センサを示す斜視図（ａ）と、平面図（ｂ）と、（ｂ）のＣ−Ｃ断面に対応する断面図（ｃ）である。It is the perspective view (a) which shows the magnetic sensor of 1st embodiment, a top view (b), and sectional drawing (c) corresponding to CC cross section of (b). 第一実施形態の磁気センサの第一側面を示す側面図（ａ）と、底面図（ｂ）と、（ａ）のＣ−Ｃ断面図（ｃ）である。They are the side view (a) which shows the 1st side surface of the magnetic sensor of 1st embodiment, a bottom view (b), and CC sectional drawing (c) of (a). 第一実施形態の磁気センサの製造方法を工程順に説明する平面図である。It is a top view explaining the manufacturing method of the magnetic sensor of a first embodiment in order of a process. 第一実施形態の磁気センサの製造方法で、リードフレームの形成工程を説明する断面図（ａ）と側面図（ｂ）である。FIG. 6 is a cross-sectional view (a) and a side view (b) for explaining a lead frame forming process in the magnetic sensor manufacturing method of the first embodiment. 第一実施形態の磁気センサの製造方法の樹脂封止工程以降を工程順に説明する断面図（ａ）〜（ｄ）と側面図（ｅ）である。It is sectional drawing (a)-(d) and the side view (e) explaining the resin sealing process after the manufacturing method of the magnetic sensor of 1st embodiment after process order. 第二実施形態の磁気センサを示す斜視図（ａ）と、平面図（ｂ）と、（ｂ）のＣ−Ｃ断面に対応する断面図（ｃ）である。It is the perspective view (a) which shows the magnetic sensor of 2nd embodiment, a top view (b), and sectional drawing (c) corresponding to CC cross section of (b). 第二実施形態の磁気センサの第一側面を示す側面図（ａ）と、底面図（ｂ）と、（ａ）のＣ−Ｃ断面図（ｃ）である。They are the side view (a) which shows the 1st side surface of the magnetic sensor of 2nd embodiment, bottom view (b), and CC sectional drawing (c) of (a). 第二実施形態の磁気センサの製造方法を工程順に説明する平面図である。It is a top view explaining the manufacturing method of the magnetic sensor of 2nd embodiment in order of a process. 第三実施形態の磁気センサを示す斜視図（ａ）と、平面図（ｂ）と、（ｂ）のＣ−Ｃ断面に対応する断面図（ｃ）である。It is the perspective view (a) which shows the magnetic sensor of 3rd embodiment, a top view (b), and sectional drawing (c) corresponding to CC cross section of (b). 第三実施形態の磁気センサの第一側面を示す側面図（ａ）と、底面図（ｂ）と、（ａ）のＣ−Ｃ断面図（ｃ）である。It is the side view (a) which shows the 1st side surface of the magnetic sensor of 3rd embodiment, a bottom view (b), and CC sectional drawing (c) of (a). 第四実施形態の磁気センサの第一側面を示す側面図である。It is a side view which shows the 1st side surface of the magnetic sensor of 4th embodiment. 第五実施形態の赤外線センサを示す斜視図（ａ）と、平面図（ｂ）と、（ｂ）のＣ−Ｃ断面に対応する断面図（ｃ）である。It is the perspective view (a) which shows the infrared sensor of 5th embodiment, a top view (b), and sectional drawing (c) corresponding to CC cross section of (b). 第五実施形態の赤外線センサの第一側面を示す側面図（ａ）と、底面図（ｂ）と、（ａ）のＣ−Ｃ断面図（ｃ）である。It is the side view (a) which shows the 1st side surface of the infrared sensor of 5th embodiment, bottom view (b), and CC sectional drawing (c) of (a).

以下、この発明の実施形態について説明するが、この発明は以下に示す実施形態に限定されない。以下に示す実施形態では、この発明を実施するために技術的に好ましい限定がなされているが、この限定はこの発明の必須要件ではない。
なお、以下の説明で使用する図において、図示されている各部の寸法関係は、実際の寸法関係と異なる場合がある。 Hereinafter, although embodiment of this invention is described, this invention is not limited to embodiment shown below. In the embodiment described below, a technically preferable limitation is made for carrying out the present invention, but this limitation is not an essential requirement of the present invention.
Note that in the drawings used in the following description, the dimensional relationships of the respective parts illustrated may be different from the actual dimensional relationships.

〔第一実施形態〕
第一実施形態として、磁電変換機能を有する素子としてホール素子を用いた磁気センサ（半導体装置）について説明する。
［構成］
図１（ａ）〜図１（ｃ）および図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すように、この実施形態の磁気センサ１００は、ホール素子１０と、四個（複数）のリード端子２１〜２４と、四本（複数）の金属細線３１〜３４と、絶縁層４０と、合成樹脂製の封止体５０と、外装メッキ層６０とを有する。磁気センサ１００は、ホール素子１０を載置するためのアイランド部を有さない。つまり、磁気センサ１００はアイランドレス構造を有する。なお、図１（ａ）では外装メッキ層６０が省略されている。 [First embodiment]
As a first embodiment, a magnetic sensor (semiconductor device) using a Hall element as an element having a magnetoelectric conversion function will be described.
[Constitution]
As shown in FIGS. 1 (a) to 1 (c) and FIGS. 2 (a) to 2 (c), the magnetic sensor 100 of this embodiment includes a hall element 10 and four (a plurality of) lead terminals. 21 to 24, four (plural) fine metal wires 31 to 34, an insulating layer 40, a sealing body 50 made of synthetic resin, and an exterior plating layer 60. The magnetic sensor 100 does not have an island portion on which the hall element 10 is placed. That is, the magnetic sensor 100 has an islandless structure. In FIG. 1A, the exterior plating layer 60 is omitted.

図１（ａ）に示すように、磁気センサ１００は直方体の外観形状を有する。この直方体の内部に、ホール素子１０と、リード端子２１〜２４と、金属細線３１〜３４と、絶縁層４０が配置されている。封止体５０をなす合成樹脂は、これらの部品と直方体をなす六個の面との間を埋めるとともに、六個の面を形成している。つまり、封止体５０は、第一面（ホール素子１０の基板側を下側とした時に最上面となる面、底面とは反対側の面）５１と、第二面（底面、ホール素子１０の基板側を下側とした時に最下面となる面）５２と、一対の第一側面５３と、一対の第二側面５４を有する。図１（ｂ）では、封止体５０の第一面５１と内部を埋めている部分が省略されている。   As shown in FIG. 1A, the magnetic sensor 100 has a rectangular parallelepiped appearance. Inside the rectangular parallelepiped, the Hall element 10, the lead terminals 21 to 24, the fine metal wires 31 to 34, and the insulating layer 40 are arranged. The synthetic resin forming the sealing body 50 fills the space between these parts and the six surfaces forming the rectangular parallelepiped, and forms six surfaces. That is, the sealing body 50 includes a first surface (a surface that is the uppermost surface when the substrate side of the Hall element 10 is the lower side, a surface opposite to the bottom surface) 51 and a second surface (the bottom surface, the Hall element 10). ) 52, a pair of first side surfaces 53, and a pair of second side surfaces 54. In FIG.1 (b), the part which has filled the 1st surface 51 and the inside of the sealing body 50 is abbreviate | omitted.

＜ホール素子＞
図１（ｂ）に示すように、ホール素子１０は、基板１１上に形成された半導体薄膜からなる活性層（磁気感受部）１２と、活性層１２と電気的に接続された四個（複数）の電極１３ａ〜１３ｄとを有する。
図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すように、ホール素子１０の基板１１の平面形状は正方形である。基板１１は、例えば、半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）からなる。また、基板１１としては、シリコン（Ｓｉ）などからなる半導体基板や、フェライト基板などの磁気を収束する効果のある基板を用いることもできる。
活性層１２は、例えば、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）やガリウムヒ素などの化合物半導体からなる薄膜である。
ホール素子１０の厚さは、例えば１００μｍ以下である。 <Hall element>
As shown in FIG. 1B, the Hall element 10 includes an active layer (magnetic sensing portion) 12 made of a semiconductor thin film formed on a substrate 11 and four (a plurality of) electrically connected to the active layer 12. ) Electrodes 13a to 13d.
As shown in FIGS. 1B and 2B, the planar shape of the substrate 11 of the Hall element 10 is a square. The substrate 11 is made of, for example, semi-insulating gallium arsenide (GaAs). The substrate 11 may be a semiconductor substrate made of silicon (Si) or the like, or a substrate having an effect of converging magnetism such as a ferrite substrate.
The active layer 12 is a thin film made of a compound semiconductor such as indium antimony (InSb) or gallium arsenide.
The thickness of the Hall element 10 is, for example, 100 μm or less.

＜リード端子＞
リード端子２１〜２４は、磁気センサ１００と外部との電気的接続を得るための端子である。図１（ｂ）に示すように、リード端子２１〜２４は、平面視でホール素子１０の周囲に配置されている。
図１および図２に示すように、リード端子２１〜２４は、封止体５０の第一面（底面とは反対側の面）５１側の面である上面２１ａ〜２４ａと、ホール素子１０側の面２１ｂ〜２４ｂと、封止体５０の第一側面５３と平行で隣のリード端子との対向面２１ｇ〜２４ｇと、第一側面５３と同一面となる外側面２１ｃ〜２４ｃと、ホール素子とは反対側の面２１ｄ〜２４ｄと、封止体５０の第二面（底面）５２と同一面となる下面２１ｅ〜２４ｅを有する。 <Lead terminal>
The lead terminals 21 to 24 are terminals for obtaining an electrical connection between the magnetic sensor 100 and the outside. As shown in FIG. 1B, the lead terminals 21 to 24 are arranged around the Hall element 10 in a plan view.
As shown in FIGS. 1 and 2, the lead terminals 21 to 24 include upper surfaces 21 a to 24 a that are surfaces on the first surface (surface opposite to the bottom surface) 51 side of the sealing body 50, and the Hall element 10 side. Surfaces 21b to 24b, opposing surfaces 21g to 24g that are parallel to the first side surface 53 of the sealing body 50 and adjacent to the lead terminals, outer surfaces 21c to 24c that are flush with the first side surface 53, and a Hall element And opposite surfaces 21d to 24d and lower surfaces 21e to 24e that are the same surface as the second surface (bottom surface) 52 of the sealing body 50.

つまり、リード端子２１〜２４は、封止体５０の底面５２と同一面内にある端子底面（下面）２１ｅ〜２４ｅと、第一側面５３と同一面内にある端子側面（外側面）２１ｃ〜２４ｃと、端子端面とは反対側の端子反面（上面）２１ａ〜２４ａを有する。
この実施形態の磁気センサ１００では、リード端子２１〜２４の形状が等脚台形柱である。つまり、図２（ａ）に示すように、リード端子２１〜２４の端子側面２１ｃ〜２４ｃの形状は等脚台形であり、図２（ｃ）に示すように、第二側面５４と平行な面でのリード端子２１〜２４の断面形状は長方形である。そして、図２（ａ）に示すように、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅをなす直線の長さＥは、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子反面２１ａ〜２４ａをなす直線の長さＡよりも短い。 That is, the lead terminals 21 to 24 have terminal bottom surfaces (lower surfaces) 21e to 24e in the same plane as the bottom surface 52 of the sealing body 50 and terminal side surfaces (outer surfaces) 21c to 21c in the same plane as the first side surface 53. 24c and terminal opposite surfaces (upper surfaces) 21a to 24a opposite to the terminal end surfaces.
In the magnetic sensor 100 of this embodiment, the shape of the lead terminals 21 to 24 is an isosceles trapezoidal column. In other words, as shown in FIG. 2A, the terminal side surfaces 21c to 24c of the lead terminals 21 to 24 are isosceles trapezoidal, and the surface parallel to the second side surface 54 as shown in FIG. The cross-sectional shape of the lead terminals 21 to 24 is rectangular. And as shown to Fig.2 (a), the length E of the straight line which forms the terminal bottom surfaces 21e-24e of the terminal side surfaces 21c-24c is the length A of the straight line which forms the terminal opposite surfaces 21a-24a of the terminal side surfaces 21c-24c. Shorter than.

これらの長さは、例えば、Ａ＝０．１５ｍｍ且つＥ＝０．０７５ｍｍとする。基板実装時の強度を確保するためには、０．０５ｍｍ≦Ｅ≦Ａ／２であることが好ましい。また、端子反面２１ａ〜２４ａの端子側面２１ｃ〜２４ｃをなす直線と、端子反面２１ａ〜２４ａの対向面２１ｇ〜２４ｇをなす直線との距離Ｆは、例えば０．０９５ｍｍとする。
また、図２（ｂ）に示すように、封止体５０の第二面５２において隣り合う二つのリード端子２１，２３間の距離と二つのリード端子２２，２４間の距離は同じであり、その距離Ｔは３００μｍ以下である。封止体５０の第二面５２において隣り合う二つのリード端子２１，２４間の距離と二つのリード端子２２，２３間の距離は同じであり、その距離はＴより大きい。つまり、封止体５０の第二面（底面）５２において隣り合う二つのリード端子間距離の最小値は３００μｍ以下である。 These lengths are, for example, A = 0.15 mm and E = 0.075 mm. In order to ensure the strength when mounted on the substrate, it is preferable that 0.05 mm ≦ E ≦ A / 2. A distance F between a straight line that forms the terminal side surfaces 21c to 24c of the terminal opposite surfaces 21a to 24a and a straight line that forms the opposing surfaces 21g to 24g of the terminal opposite surfaces 21a to 24a is, for example, 0.095 mm.
2B, the distance between the two lead terminals 21 and 23 adjacent to each other on the second surface 52 of the sealing body 50 is the same as the distance between the two lead terminals 22 and 24. The distance T is 300 μm or less. The distance between the two lead terminals 21 and 24 adjacent to each other on the second surface 52 of the sealing body 50 is the same as the distance between the two lead terminals 22 and 23, and the distance is larger than T. That is, the minimum value of the distance between two adjacent lead terminals on the second surface (bottom surface) 52 of the sealing body 50 is 300 μm or less.

リード端子２１〜２４は、例えば、銅（Ｃｕ）または銅合金、鉄（Ｆｅ）または鉄を含む合金等の金属材料からなり、特に銅製であることが好ましい。また、リード端子２１〜２４の上面２１ａ〜２４ａに、銀（Ａｇ）めっき、またはニッケル（Ｎｉ）−パラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）めっきが施されていてもよい。また、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅに、ニッケル（Ｎｉ）−パラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）めっきが施されていてもよい。   The lead terminals 21 to 24 are made of a metal material such as copper (Cu) or a copper alloy, iron (Fe) or an alloy containing iron, and are particularly preferably made of copper. Moreover, silver (Ag) plating or nickel (Ni) -palladium (Pd) -gold (Au) plating may be applied to the upper surfaces 21a-24a of the lead terminals 21-24. Further, nickel (Ni) -palladium (Pd) -gold (Au) plating may be applied to the lower surfaces 21e-24e of the lead terminals 21-24.

＜金属細線＞
図１（ｂ）に示すように、金属細線３１〜３４は、ホール素子１０が有する電極１３ａ〜１３ｄと、リード端子２１〜２４とを、それぞれ電気的に接続している。具体的には、金属細線３１がリード端子２１と電極１３ａとを接続し、金属細線３２がリード端子２２と電極１３ｂとを接続し、金属細線３３がリード端子２３と電極１３ｃとを接続し、金属細線３４がリード端子２４と電極１３ｄとを接続している。
金属細線３１〜３４は、例えば、金、銀、または銅からなる。 <Metallic wire>
As shown in FIG.1 (b), the metal fine wires 31-34 electrically connect the electrodes 13a-13d which the Hall element 10 has, and the lead terminals 21-24, respectively. Specifically, the fine metal wire 31 connects the lead terminal 21 and the electrode 13a, the fine metal wire 32 connects the lead terminal 22 and the electrode 13b, the fine metal wire 33 connects the lead terminal 23 and the electrode 13c, A thin metal wire 34 connects the lead terminal 24 and the electrode 13d.
The thin metal wires 31 to 34 are made of, for example, gold, silver, or copper.

＜絶縁層＞
絶縁層４０は、ホール素子１０の裏面に接触状態で配置されている。
絶縁層４０は、磁気センサ１００を実装する実装基板の電極等と磁気センサ１００との絶縁を図るとともに、ホール素子１０を保護する保護膜の役割を果たす層であるが、必ずしも設けられていなくてもよい。 <Insulating layer>
The insulating layer 40 is disposed in contact with the back surface of the Hall element 10.
The insulating layer 40 is a layer that serves as a protective film that protects the Hall element 10 and also insulates the magnetic sensor 100 from the electrodes of the mounting substrate on which the magnetic sensor 100 is mounted, but is not necessarily provided. Also good.

絶縁層４０をなす材料としては、合成樹脂や金属酸化物が挙げられる。絶縁層４０は、合成樹脂からなる層と金属酸化物からなる層のいずれか一層で構成されていてもよいし、これらの層の二層構造であってもよい。
合成樹脂の例としては、フォトレジスト材（ネガ型でもポジ型でも可）や、エポキシ樹脂などの熱硬化型樹脂にフィラーを含む材料が挙げられる。フィラーの材質としては、シリ力（ＳｉＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、チタニア（ＴｉＯ2）などのセラミックスや金属酸化物が好ましい。 Examples of the material forming the insulating layer 40 include synthetic resins and metal oxides. The insulating layer 40 may be composed of any one of a layer made of a synthetic resin and a layer made of a metal oxide, or may have a two-layer structure of these layers.
Examples of the synthetic resin include a photoresist material (which can be negative or positive) and a material containing a filler in a thermosetting resin such as an epoxy resin. As the material of the filler, ceramics and metal oxides such as silli force (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and titania (TiO 2 ) are preferable.

金属酸化物としては、酸化チタン（ＴｉＯ2）などが使用できる。
絶縁層４０がフィラー入りの合成樹脂からなる場合、絶縁層４０の厚さはフィラーの寸法で決まる。この厚さは例えば２μｍ以上とするが、ホール素子１０の保護の観点から１０μｍ以上３０μｍ以下とすることが好ましい。絶縁層４０が金属酸化物の場合は、製法上、膜厚を厚くすると生産コスト高くなるため、例えば、１μｍ程度にすることが好ましい。
なお、「フィラーの寸法」とは、球状のフィラーの場合は球の直径であり、球体が破砕された形状を有するフィラーの場合は、元の球体の径方向で最も大きい部分の寸法であり、繊維状のフィラーの場合は繊維断面の長径である。 As the metal oxide, titanium oxide (TiO 2 ) or the like can be used.
When the insulating layer 40 is made of a synthetic resin containing a filler, the thickness of the insulating layer 40 is determined by the size of the filler. The thickness is, for example, 2 μm or more, but is preferably 10 μm or more and 30 μm or less from the viewpoint of protecting the Hall element 10. In the case where the insulating layer 40 is a metal oxide, it is preferable to set the thickness to about 1 μm, for example, because the production cost increases when the film thickness is increased due to the manufacturing method.
The “filler dimension” is the diameter of a sphere in the case of a spherical filler, and the dimension of the largest part in the radial direction of the original sphere in the case of a filler having a crushed shape. In the case of a fibrous filler, the major axis is the fiber cross section.

＜封止体＞
図１（ｃ）に示すように、封止体５０は、ホール素子１０と電極１３ａ〜１３ｄとリード端子２１〜２４と金属細線３１〜３４とを封止する。図１（ａ）、図１（ｂ）および図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すように、リード端子２１〜２４の外側面２１ｃ〜２４ｃは、封止体５０の第一側面５３と同一面内にある。図１（ｃ）および図２（ａ）、図２（ｃ）に示すように、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅおよび絶縁層４０の下面は、封止体５０の第二面５２と同一面内にある。 <Sealing body>
As shown in FIG. 1C, the sealing body 50 seals the Hall element 10, the electrodes 13a to 13d, the lead terminals 21 to 24, and the fine metal wires 31 to 34. As shown in FIG. 1A, FIG. 1B, and FIG. 2A to FIG. 2C, the outer surfaces 21 c to 24 c of the lead terminals 21 to 24 are the first side surfaces 53 of the sealing body 50. Are in the same plane. As shown in FIGS. 1C, 2A, and 2C, the lower surfaces 21e to 24e of the lead terminals 21 to 24 and the lower surface of the insulating layer 40 are connected to the second surface 52 of the sealing body 50. In the same plane.

封止体５０の厚さ（つまり、磁気センサ１００の厚さ）は、例えば２００μｍ以下である。
封止体５０をなす合成樹脂には、絶縁性、線膨張係数がリード端子と近い値であること、耐衝撃性、耐熱性（磁気センサ１００をリフローハンダ付けする時の高熱に耐えられること）、および耐吸湿性が求められる。 The thickness of the sealing body 50 (that is, the thickness of the magnetic sensor 100) is, for example, 200 μm or less.
The synthetic resin that forms the sealing body 50 has insulating properties and linear expansion coefficients that are close to those of the lead terminals, impact resistance, and heat resistance (can withstand high heat when reflow soldering the magnetic sensor 100). And moisture absorption resistance is required.

封止体５０をなす合成樹脂の線膨張係数がリード端子の線膨張係数に近い値であると、熱ストレスで磁気センサ１００のパッケージに生じる応力が抑制されるため、パッケージに割れが生じにくくなる。そのため、例えば、リード端子が銅製である場合、封止体５０の材料として、銅の線膨張係数（１６．８×１０8／℃）に近い線膨張係数を有する合成樹脂を用いることが好ましい。 When the linear expansion coefficient of the synthetic resin forming the sealing body 50 is a value close to the linear expansion coefficient of the lead terminal, stress generated in the package of the magnetic sensor 100 due to thermal stress is suppressed, so that the package is less likely to be cracked. . Therefore, for example, when the lead terminal is made of copper, it is preferable to use a synthetic resin having a linear expansion coefficient close to that of copper (16.8 × 10 8 / ° C.) as the material of the sealing body 50.

耐衝撃性に関しては、封止体５０の材料として、弾性率の高い合成樹脂を用いることが好ましい。
封止体５０をなす合成樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、テフロン（登録商標）が挙げられる。封止体５０は、１種類の合成樹脂で形成されていてもよいし、２種類以上の合成樹脂で形成されていてもよい。また、後述のシートを用いた成形法を採用して封止体５０を形成する場合は、封止体５０の第一面５１側の部分に、このシートを構成する合成樹脂が存在していてもよい。 Regarding impact resistance, it is preferable to use a synthetic resin having a high elastic modulus as the material of the sealing body 50.
As a synthetic resin which makes the sealing body 50, thermosetting resins, such as an epoxy resin, and Teflon (trademark) are mentioned, for example. The sealing body 50 may be formed of one type of synthetic resin or may be formed of two or more types of synthetic resins. Further, when the sealing body 50 is formed by adopting a molding method using a sheet described later, the synthetic resin constituting the sheet exists in the portion on the first surface 51 side of the sealing body 50. Also good.

＜外装メッキ層＞
外装メッキ層６０は、封止体５０の第二面５２と同一面内にあるリード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅに形成されている。外装めっき層６０の平面形状は、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅの平面形状と同じである。外装めっき層６０は、例えば、スズ（Ｓｎ）からなる。なお、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅに、予めニッケル（Ｎｉ）−パラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）めっきが施されている場合には、外装メッキ層６０を設ける必要はない。 <Exterior plating layer>
The exterior plating layer 60 is formed on the lower surfaces 21 e to 24 e of the lead terminals 21 to 24 that are in the same plane as the second surface 52 of the sealing body 50. The planar shape of the exterior plating layer 60 is the same as the planar shape of the lower surfaces 21e to 24e of the lead terminals 21 to 24. The exterior plating layer 60 is made of, for example, tin (Sn). When nickel (Ni) -palladium (Pd) -gold (Au) plating is applied in advance to the lower surfaces 21e-24e of the lead terminals 21-24, it is not necessary to provide the exterior plating layer 60.

［動作］
この実施形態の磁気センサ１００を用いて磁気（磁界）を検出する場合には、例えば、リード端子２１を電源電位（＋）に接続すると共に、リード端子２２を接地電位（ＧＮＤ）に接続して、リード端子２１からリード端子２２に電流を流す。そして、リード端子２３，２４間の電位差Ｖ１−Ｖ２（＝ホール出力電圧ＶＨ）を測定する。また、測定されたホール出力電圧ＶＨの大きさから磁界の大きさを検出し、ホール出力電圧ＶＨの正負から磁界の向きを検出する。 [Operation]
In the case of detecting magnetism (magnetic field) using the magnetic sensor 100 of this embodiment, for example, the lead terminal 21 is connected to the power supply potential (+) and the lead terminal 22 is connected to the ground potential (GND). A current is passed from the lead terminal 21 to the lead terminal 22. Then, the potential difference V1−V2 (= Hall output voltage VH) between the lead terminals 23 and 24 is measured. Further, the magnitude of the magnetic field is detected from the measured magnitude of the Hall output voltage VH, and the direction of the magnetic field is detected from the positive / negative of the Hall output voltage VH.

［製法］
図３および図４を用いて、実施形態の磁気センサ１００の製造方法を説明する。
先ず、表面に複数のホール素子１０のパターンが形成されたウエハの裏面の各ホール素子１０の位置に、平面形状がホール素子１０とほぼ同じ絶縁層４０を形成する。次に、ウエハをダイシングラインに沿って切断することで個片化する。これにより、裏面に絶縁層４０が形成されたホール素子１０が得られる。 [Production method]
A method for manufacturing the magnetic sensor 100 according to the embodiment will be described with reference to FIGS.
First, the insulating layer 40 having the same planar shape as that of the Hall element 10 is formed at the position of each Hall element 10 on the back surface of the wafer on which the pattern of the plurality of Hall elements 10 is formed on the front surface. Next, the wafer is cut into individual pieces by cutting along the dicing line. Thereby, the Hall element 10 in which the insulating layer 40 is formed on the back surface is obtained.

次に、図３（ａ）に示すリードフレーム１２０を用意する。リードフレーム１２０は、リード部１２１〜１２４を有する。リード部１２１〜１２３は、平面視で隣り合う磁気センサ１００の二個または四個のリード端子を含む形状を有する。リード部１２４は、磁気センサ１００の一つのリード端子を含む形状を有する。   Next, the lead frame 120 shown in FIG. The lead frame 120 has lead portions 121 to 124. The lead parts 121 to 123 have a shape including two or four lead terminals of the magnetic sensor 100 adjacent in plan view. The lead part 124 has a shape including one lead terminal of the magnetic sensor 100.

なお、リード部１２２とリード部１２４をリードフレーム１２０の外縁に沿って接続する接続部と、各リード部１２１〜１２４をダイシングラインＬ１，Ｌ２に沿って接続する接続部は図示されていない。
リード端子２１〜２４を等脚台形柱状に形成するために、図４（ａ）に示すように、リードフレーム１２０の作製時に、金属板１２７の上面（端子反面２１ａ〜２４ａとなる面）１２７ａと下面（端子底面２１ｅ〜２４ｅとなる面）１２７ｅに、エッチング用のマスク１３１，１３２をそれぞれ配置して、両側からエッチングを行う。金属板１２７の上面に配置するマスク１３１は、端子反面２１ａ〜２４ａとする部分に閉塞部１３１Ｈを有する。金属板１２７の下面に配置するマスク１３２は、端子底面２１ｅ〜２４ｅとする部分に閉塞部１３２Ｈを有する。 Note that a connection part that connects the lead part 122 and the lead part 124 along the outer edge of the lead frame 120 and a connection part that connects the lead parts 121 to 124 along the dicing lines L1 and L2 are not shown.
In order to form the lead terminals 21 to 24 in the shape of an isosceles trapezoidal column, as shown in FIG. 4A, when the lead frame 120 is manufactured, the upper surface (surface that becomes the terminal opposite surfaces 21a to 24a) 127a Etching masks 131 and 132 are disposed on the lower surface (surfaces to be the terminal bottom surfaces 21e to 24e) 127e, and etching is performed from both sides. The mask 131 disposed on the upper surface of the metal plate 127 has a blocking portion 131H in the portions to be the terminal opposite surfaces 21a to 24a. The mask 132 disposed on the lower surface of the metal plate 127 has a blocking portion 132H at portions to be terminal bottom surfaces 21e to 24e.

これにより、金属板１２７の厚さ方向両側から、マスク１３１，１３２の開口部１３１Ｋ，１３２Ｋに位置する部分がエッチングされて、リード端子２１〜２４が等脚台形柱状に形成される。図４（ｂ）はこの状態を示す。図４（ｂ）では、リード端子２２，２３の奥にリード端子２４，２１が存在する。なお、実際のエッチングでは、リード端子２１〜２４の形状は厳密な等脚台形柱状とはならない可能性が高い。   As a result, the portions located in the openings 131K and 132K of the masks 131 and 132 are etched from both sides in the thickness direction of the metal plate 127, and the lead terminals 21 to 24 are formed in an isosceles trapezoidal column shape. FIG. 4B shows this state. In FIG. 4B, the lead terminals 24 and 21 exist behind the lead terminals 22 and 23. In actual etching, there is a high possibility that the shape of the lead terminals 21 to 24 will not be a strict isosceles trapezoidal columnar shape.

次に、リードフレーム１２０の裏面に、例えばポリイミド製の耐熱性フィルム８０を貼り付けて、リードフレーム１２０のリード部１２１〜１２４がない部分（貫通領域）を裏面側から耐熱性フィルム８０で塞ぐ。耐熱性フィルム８０として、一方の面に絶縁性の粘着層を有するものを使用し、この粘着層で耐熱性フィルム８０とリードフレーム１２０を接合する。つまり、耐熱性フィルム８０とリードフレーム１２０との接合体８１を得る。図３（ｂ）はこの工程後の状態を示す。   Next, a heat resistant film 80 made of, for example, polyimide is attached to the back surface of the lead frame 120, and a portion (penetrating region) where the lead portions 121 to 124 of the lead frame 120 are not provided is covered with the heat resistant film 80 from the back surface side. As the heat resistant film 80, a film having an insulating adhesive layer on one surface is used, and the heat resistant film 80 and the lead frame 120 are joined by this adhesive layer. That is, a joined body 81 of the heat resistant film 80 and the lead frame 120 is obtained. FIG. 3B shows the state after this step.

次に、裏面に絶縁層４０が形成されたホール素子１０を、接合体８１の上面（耐熱性フィルム８０の粘着層）のホール素子配置領域（リード端子２１〜２４で囲まれた領域）に配置する（即ち、ダイボンディングを行う）。図３（ｃ）はこの工程後の状態を示す。
なお、ホール素子配置領域に絶縁ペーストを塗布し、その上に絶縁層４０が形成されていないホール素子１０を配置して絶縁ペーストを硬化させることで、絶縁層４０を形成してもよい。その場合は、完成後の磁気センサ１００において、ホール素子１０の裏面の一部が封止体５０から露出することがないように、絶縁ペーストの塗布条件（例えば、塗布する範囲、塗布する厚さ等）を調整する。 Next, the Hall element 10 having the insulating layer 40 formed on the back surface is disposed in the Hall element arrangement area (area surrounded by the lead terminals 21 to 24) on the upper surface of the bonded body 81 (adhesive layer of the heat resistant film 80). (Ie, die bonding is performed). FIG. 3C shows the state after this step.
The insulating layer 40 may be formed by applying an insulating paste to the hall element arrangement region, placing the hall element 10 on which the insulating layer 40 is not formed thereon, and curing the insulating paste. In that case, in the completed magnetic sensor 100, the application conditions of the insulating paste (for example, the application range, the application thickness, etc.) are set so that a part of the back surface of the Hall element 10 is not exposed from the sealing body 50. Etc.).

そして、ダイボンディングを行った後に熱処理（即ち、キュア）を行い、耐熱性フィルム８０と絶縁層４０の密着性を向上させる。
次に、金属細線３１〜３４の一端を各リード端子２１〜２４にそれぞれ接続し、金属細線３１〜３４の他端を電極１３ａ〜１３ｄにそれぞれ接続する（即ち、ワイヤーボンディングを行う）。図３（ｄ）は、この工程後の状態を示す。 Then, after performing die bonding, heat treatment (that is, curing) is performed to improve the adhesion between the heat resistant film 80 and the insulating layer 40.
Next, one end of the fine metal wires 31 to 34 is connected to the lead terminals 21 to 24, respectively, and the other end of the fine metal wires 31 to 34 is connected to the electrodes 13a to 13d (that is, wire bonding is performed). FIG. 3D shows the state after this step.

次に、図３（ｄ）の状態の接合体８１を金型内に入れて、接合体８１の上面側に封止体５０を形成する。具体的には、先ず、図５（ａ）に示すように、下型９１と上型９２を備えた金型９０およびシート９４を用意し、シート９４を、上型９２の下面（下型９１と対向する面）の全面を覆うように配置する。シート９４は、例えばテフロン（登録商標）製である。   Next, the bonded body 81 in the state of FIG. 3D is put in a mold, and the sealing body 50 is formed on the upper surface side of the bonded body 81. Specifically, first, as shown in FIG. 5A, a mold 90 and a sheet 94 having a lower mold 91 and an upper mold 92 are prepared, and the sheet 94 is attached to the lower surface (lower mold 91). It is arranged so as to cover the entire surface facing the surface. The sheet 94 is made of, for example, Teflon (registered trademark).

次に、金型９０内に図３（ｄ）の状態の接合体８１を配置する。具体的には、金属細線３１〜３４側を上に向けて、接合体８１を下型９１の上に載せ、金属細線３１〜３４の上側に所定の間隔を開けて上型９２を配置し、シート９４を上型９２の下面に吸着させる。図５（ａ）はこの状態を示す。
次に、図５（ａ）の状態の上型９２と下型９１との空間に溶融樹脂を流し込んだ後に、上型９２を下降させて溶融樹脂に圧縮力を加えることにより、シート９４の下面と下型９１の上面との間隔を設定値に合わせた後、冷却する。これにより、封止体５０が形成される。図５（ｂ）はこの状態を示す。 Next, the joined body 81 in the state of FIG. Specifically, with the metal thin wires 31 to 34 facing upward, the joined body 81 is placed on the lower die 91, and the upper die 92 is disposed above the metal thin wires 31 to 34 with a predetermined interval therebetween. The sheet 94 is adsorbed on the lower surface of the upper mold 92. FIG. 5A shows this state.
Next, after pouring the molten resin into the space between the upper die 92 and the lower die 91 in the state shown in FIG. 5A, the upper die 92 is lowered to apply a compressive force to the molten resin, thereby lowering the lower surface of the sheet 94. After the distance between the upper surface of the lower mold 91 and the upper surface of the lower mold 91 is set to the set value, the cooling is performed. Thereby, the sealing body 50 is formed. FIG. 5B shows this state.

次に、封止体５０が形成された接合体８１を金型９０から取り出した後、接合体８１から耐熱性フィルム８０を剥離する。これにより、複数のセンサ前躯体（外装メッキ層６０を形成する前の磁気センサ１００）が結合された結合体１０００が得られる。図５（ｃ）および図３（ｅ）はこの状態を示す。
次に、封止体５０の第二面５２と同一面内にあるリードフレーム１２０の面に、外装めっきを施す。これにより、リード端子２１〜２４の下面２１ｅ〜２４ｅに外装めっき層６０が形成され、複数の磁気センサ１００が結合された結合体１００１が得られる。図５（ｄ）はこの状態を示す。 Next, after taking out the joined body 81 on which the sealing body 50 is formed from the mold 90, the heat resistant film 80 is peeled from the joined body 81. As a result, a combined body 1000 in which a plurality of sensor precursor bodies (the magnetic sensor 100 before forming the exterior plating layer 60) is combined is obtained. FIG. 5C and FIG. 3E show this state.
Next, exterior plating is applied to the surface of the lead frame 120 that is in the same plane as the second surface 52 of the sealing body 50. Thereby, the exterior plating layer 60 is formed on the lower surfaces 21e to 24e of the lead terminals 21 to 24, and a combined body 1001 in which a plurality of magnetic sensors 100 are combined is obtained. FIG. 5D shows this state.

次に、封止体５０の第一面５１にダイシングテープ９３を貼り付けた後、ダイシングテープ９３を下側にして結合体１００１をダイシング装置に設置し、図３（ｅ）に示すダイシングラインＬ１，Ｌ２に沿って、結合体１００１をダイシングブレードを用いて切断する。ダイシングラインＬ１に沿った切断により第一側面５３が生じ、ダイシングラインＬ２に沿った切断により第二側面５４が生じる。図５（ｅ）はこの状態を示す。最後にダイシングテープ９３を除去することにより、複数の磁気センサ１００が得られる。   Next, after the dicing tape 93 is attached to the first surface 51 of the sealing body 50, the combined body 1001 is installed in the dicing apparatus with the dicing tape 93 facing down, and the dicing line L1 shown in FIG. , L2 is cut using a dicing blade. The first side surface 53 is generated by cutting along the dicing line L1, and the second side surface 54 is generated by cutting along the dicing line L2. FIG. 5 (e) shows this state. Finally, by removing the dicing tape 93, a plurality of magnetic sensors 100 are obtained.

なお、図５（ｂ）〜図５（ｄ）の状態で封止体５０は切断されていないが、封止体５０の部分にハッチングを施している。また、図５（ｅ）の状態で、リード端子２１〜２４の端子側面および封止体５０の第一側面５３は切断面であるが、図５（ｅ）ではハッチングを省略している。   In addition, although the sealing body 50 is not cut | disconnected in the state of FIG.5 (b)-FIG.5 (d), the part of the sealing body 50 is hatched. Moreover, in the state of FIG.5 (e), although the terminal side surface of the lead terminals 21-24 and the 1st side surface 53 of the sealing body 50 are a cut surface, hatching is abbreviate | omitted in FIG.5 (e).

［作用、効果］
上述のように、この実施形態の磁気センサ１００を構成するリード端子２１〜２４は、図２（ａ）に示すように、封止体５０の第一側面５３と同一面内にある端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅをなす直線の長さＥが、端子反面２１ａ〜２４ａをなす直線の長さＡよりも短い。そのため、 図２（ａ）で長さＥを長さＡと同じにした場合（つまり、長さＡが同じで、端子側面２１ｃ〜２４ｃの形状が長方形または平行四辺形の場合）と比較して、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保しつつ、ダイシングブレードによる図３（ｅ）に示すダイシングラインＬ１に沿った切断の際に、リードフレーム１２０の切断面積が小さくなるとともに、端子底面２１ｅ〜２４ｅの位置での切断線が短くなる。 [Action, effect]
As described above, the lead terminals 21 to 24 constituting the magnetic sensor 100 of this embodiment have the terminal side surface 21c in the same plane as the first side surface 53 of the sealing body 50, as shown in FIG. The length E of the straight line that forms the terminal bottom surfaces 21e to 24e of .about.24c is shorter than the length A of the straight line that forms the terminal opposite surfaces 21a to 24a. Therefore, in comparison with the case where the length E is the same as the length A in FIG. 2A (that is, the length A is the same and the terminal side surfaces 21c to 24c are rectangular or parallelogram). When cutting along the dicing line L1 shown in FIG. 3 (e) with the dicing blade while securing the area of the terminal opposite surfaces 21a to 24a, the cutting area of the lead frame 120 is reduced and the terminal bottom surfaces 21e to 24e are used. The cutting line at the position becomes shorter.

つまり、封止体５０の第一側面５３と同一面内にある端子側面２１ｃ〜２４ｃの面積が従来品よりも小さくなる分だけ、端子側面２１ｃ〜２４ｃに発生するバリの量が少なくなる。さらに、端子底面２１ｅ〜２４ｅの位置での切断線が短くなることで、端子側面２１ｃ〜２４ｃから封止体５０の第二面５２側（つまり、端子底面側）に延びるバリの発生量が少なくなる。その結果、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保することで、ワイヤーボンディングに支障を来すことなく、磁気センサ１００の厚さを設計値に近い状態とすることができる。   That is, the amount of burrs generated on the terminal side surfaces 21c to 24c is reduced by the amount that the area of the terminal side surfaces 21c to 24c in the same plane as the first side surface 53 of the sealing body 50 is smaller than that of the conventional product. Furthermore, since the cutting lines at the positions of the terminal bottom surfaces 21e to 24e are shortened, the amount of burrs extending from the terminal side surfaces 21c to 24c to the second surface 52 side (that is, the terminal bottom surface side) of the sealing body 50 is small. Become. As a result, by securing the areas of the terminal opposite surfaces 21a to 24a, the thickness of the magnetic sensor 100 can be brought close to the design value without causing any trouble in wire bonding.

また、磁気センサ１００の端子側面２１ｃ〜２４ｃに、封止体５０の第二面５２側に延びるバリが生じると、実装面である端子底面２１ｅ〜２４ｅ（外装メッキ層６０）に付着するなどの問題が生じるが、バリの発生が抑制されることでこの問題も改善できる。
さらに、封止体５０の第二面５２において隣り合う二つのリード端子間の距離が３００μｍ以下であるため、バリが落下した場合に端子間が短絡する可能性が高くなるが、バリの発生が抑制されることでこの問題も改善できる。 Further, if burrs extending toward the second surface 52 side of the sealing body 50 are generated on the terminal side surfaces 21c to 24c of the magnetic sensor 100, they adhere to the terminal bottom surfaces 21e to 24e (exterior plating layer 60) that are mounting surfaces. Although a problem arises, this problem can also be improved by suppressing the occurrence of burrs.
Furthermore, since the distance between two lead terminals adjacent to each other on the second surface 52 of the sealing body 50 is 300 μm or less, there is a high possibility that the terminals will be short-circuited when the burrs are dropped. This problem can be improved by being suppressed.

〔第二実施形態〕
第二実施形態として、磁電変換機能を有する素子としてホール素子を用いた磁気センサ（半導体装置）について説明する。
［構成］
第二実施形態の磁気センサ１０１の構成は、リード端子２１〜２４の形状を除いて第一実施形態の磁気センサ１００と同じである。
図６および図７に示すように、磁気センサ１０１のリード端子２１〜２４は、互いに平行な端子底面２１ｅ〜２４ｅおよび端子反面２１ａ〜２４ａと、互いに平行なホール素子１０側の面２１ｂ〜２４ｂおよび対向面２１ｇ〜２４ｇと、互いに平行な端子側面２１ｃ〜２４ｃおよびホール素子１０とは反対側の面２１ｄ〜２４ｄと、からなる直方体形状を有する。つまり、図７（ａ）に示すように、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅをなす長さＥは、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子反面２１ａ〜２４ａをなす長さＡと同じである。 [Second Embodiment]
As a second embodiment, a magnetic sensor (semiconductor device) using a Hall element as an element having a magnetoelectric conversion function will be described.
[Constitution]
The configuration of the magnetic sensor 101 of the second embodiment is the same as that of the magnetic sensor 100 of the first embodiment except for the shape of the lead terminals 21 to 24.
As shown in FIGS. 6 and 7, the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 101 include terminal bottom surfaces 21e to 24e and terminal opposite surfaces 21a to 24a that are parallel to each other, and surfaces 21b to 24b that are parallel to each other on the Hall element 10 side. It has a rectangular parallelepiped shape including opposing surfaces 21g to 24g, terminal side surfaces 21c to 24c parallel to each other, and surfaces 21d to 24d opposite to the Hall element 10. That is, as shown to Fig.7 (a), the length E which makes the terminal bottom surfaces 21e-24e of the terminal side surfaces 21c-24c is the same as the length A which makes the terminal opposite surfaces 21a-24a of the terminal side surfaces 21c-24c. .

例えば、Ａ＝Ｅ＝０．１５ｍｍとし、基板実装時の強度を確保するためには、Ａ＝Ｅ≧０．０５ｍｍであることが好ましい。
また、図６（ａ）および図７に示すように、磁気センサ１０１のリード端子２１〜２４は、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅ側に、切欠き部２１ｈ〜２４ｈを有する。切欠き部２１ｈ〜２４ｈは、封止体５０の第一側面５３と同一面から凹み、端子底面２１ｅ〜２４ｅ至っている。 For example, it is preferable that A = E = 0.15 mm, and A = E ≧ 0.05 mm in order to ensure the strength when mounted on the board.
6A and 7, the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 101 have notches 21h to 24h on the terminal bottom surfaces 21e to 24e side of the terminal side surfaces 21c to 24c. The notches 21h to 24h are recessed from the same surface as the first side surface 53 of the sealing body 50 and reach the terminal bottom surfaces 21e to 24e.

具体的に、切欠き部２１ｈ〜２４ｈは、端子側面２１ｃ〜２４ｃの幅方向中央部にＵ字状に形成され、Ｕ字の開口端が端子底面２１ｅ〜２４ｅに至っている。つまり、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅに沿った線分（端子側面２１ｃ〜２４ｃをなす長方形の一辺）Ｌ３の中央部が分断されている。
切欠き部２１ｈ〜２４ｈの端子底面２１ｅ〜２４ｅ位置での第一側面５３と同一面からからの凹み寸法Ｈは、例えば０．０２５ｍｍとする。切欠き部２１ｈ〜２４ｈの開口幅ｈは、例えば０．０７５ｍｍとする。 Specifically, the notches 21h to 24h are formed in a U shape in the center in the width direction of the terminal side surfaces 21c to 24c, and the U-shaped open ends reach the terminal bottom surfaces 21e to 24e. That is, the central portion of the line segment L3 (one side of the rectangle forming the terminal side surfaces 21c to 24c) L3 along the terminal bottom surfaces 21e to 24e of the terminal side surfaces 21c to 24c is divided.
The recess dimension H from the same side as the first side surface 53 at the positions of the terminal bottom surfaces 21e to 24e of the notches 21h to 24h is, for example, 0.025 mm. The opening width h of the notches 21h to 24h is, for example, 0.075 mm.

また、端子反面２１ａ〜２４ａの端子側面２１ｃ〜２４ｃをなす直線と、端子反面２１ａ〜２４ａの対向面２１ｇ〜２４ｇをなす直線との距離（端子反面ａの奥行き寸法）Ｆは、例えば０．０９５ｍｍとする。この場合、基板実装時の強度を確保するためには、Ｈ≦０．０５ｍｍであることが好ましい。
これ以外の点は、第一実施形態の磁気センサ１００のリード端子２１〜２４と同じである。 Moreover, the distance (depth dimension of the terminal opposite surface a) F of the straight line which forms the terminal side surfaces 21c-24c of the terminal opposite surfaces 21a-24a and the straight line which forms the opposing surfaces 21g-24g of the terminal opposite surfaces 21a-24a is 0.095 mm, for example. And In this case, in order to ensure the strength at the time of mounting on the board, it is preferable that H ≦ 0.05 mm.
The other points are the same as the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 100 of the first embodiment.

［製法］
第二実施形態の磁気センサ１０１は、リード端子２１〜２４の形状が異なることに起因して、用意するリードフレームの形状が異なることを除いて、第一実施形態の磁気センサ１００と同じ方法で製造することができる。
具体的には、図８（ａ）に示すリードフレーム１２０ａを用意する。リードフレーム１２０ａは、リード部１２１ａ〜１２４ａを有する。リード部１２１ａ〜１２３ａは、平面視で隣り合う磁気センサ１０１の二個または四個のリード端子を含む形状を有する。リード部１２４ａは、磁気センサ１０１の一つのリード端子を含む形状を有する。 [Production method]
The magnetic sensor 101 of the second embodiment is the same as the magnetic sensor 100 of the first embodiment except that the shape of the lead frame to be prepared is different due to the difference in the shape of the lead terminals 21 to 24. Can be manufactured.
Specifically, a lead frame 120a shown in FIG. 8A is prepared. The lead frame 120a has lead portions 121a to 124a. The lead parts 121a to 123a have a shape including two or four lead terminals of the magnetic sensors 101 adjacent in plan view. The lead part 124 a has a shape including one lead terminal of the magnetic sensor 101.

リード部１２１ａは、リード端子２１〜２４を有し、ダイシングラインＬ１の位置に、ダイシングによって切欠き部２１ｈと切欠き部２３ｈに分割される前の凹部２５と、切欠き部２２ｈと切欠き部２４ｈに分割される前の凹部２６を有する。リード部１２２ａは、切欠き部２１ｈが形成されたリード端子２１と、切欠き部２４ｈが形成されたリード端子２４を有する。リード部１２３ａは、リード端子２１，２３またはリード端子２２，２４を有し、凹部２５または凹部２６を有する。   The lead part 121a has lead terminals 21 to 24. At the position of the dicing line L1, the lead part 121a is divided into a notch part 21h and a notch part 23h by dicing, a notch part 22h and a notch part. It has a recess 26 before being divided into 24h. The lead part 122a includes a lead terminal 21 in which a notch part 21h is formed and a lead terminal 24 in which a notch part 24h is formed. The lead portion 123 a has lead terminals 21 and 23 or lead terminals 22 and 24, and has a recess 25 or a recess 26.

なお、リード部１２２ａとリード部１２４ａをリードフレーム１２０の外縁に沿って接続する接続部と、各リード部１２１ａ〜１２４ａをダイシングラインＬ１，Ｌ２に沿って接続する接続部は図示されていない。
切欠き部２１ｈ〜２４ｈと凹部２５，２６は、第一実施形態と同様に図４に示す方法でリードフレーム１２０を作製する際に、マスク１３２として切欠き部２１ｈ〜２４ｈと凹部２５，２６に対応する開口部をさらに有するものを使用し、金属板１２７の下面１２７ｅ側からのエッチングを行うことで形成できる。 It should be noted that a connecting portion that connects the lead portion 122a and the lead portion 124a along the outer edge of the lead frame 120 and a connecting portion that connects the lead portions 121a to 124a along the dicing lines L1 and L2 are not shown.
The notches 21h to 24h and the recesses 25 and 26 are formed in the notches 21h to 24h and the recesses 25 and 26 as the mask 132 when the lead frame 120 is manufactured by the method shown in FIG. It can be formed by performing etching from the lower surface 127e side of the metal plate 127 using a material having a corresponding opening.

また、第二実施形態の磁気センサ１０１は、図８（ｂ）〜図８（ｅ）に示すように、リードフレーム１２０ａを使用する以外は第一実施形態と同じ工程を行うことにより製造することができるが、ダイシングラインＬ１に沿ったダイシング工程で、封止体５０の切欠き部２１ｈ〜２４ｈ内に存在していた部分は脱落する。なお、この落下を促進するために、図７（ｃ）に示す切欠き部２１ｈ〜２４ｈの凹み寸法Ｈは、端子反面ａの奥行き寸法Ｆの１／３以下であることが好ましい。   In addition, as shown in FIGS. 8B to 8E, the magnetic sensor 101 of the second embodiment is manufactured by performing the same process as that of the first embodiment except that the lead frame 120a is used. However, in the dicing process along the dicing line L1, the portions existing in the notches 21h to 24h of the sealing body 50 are dropped off. In addition, in order to promote this fall, it is preferable that the recessed dimension H of the notch parts 21h-24h shown in FIG.7 (c) is 1/3 or less of the depth dimension F of the terminal opposite surface a.

［作用、効果］
上述のように、この実施形態の磁気センサ１０１を構成するリード端子２１〜２４は、図７（ａ）に示すように、封止体５０の第一側面５３と同一面内にある端子側面２１ｃ〜２４ｃが、長方形であって、切欠き部２１ｈ〜２４ｈを有する。そのため、同じ長方形であるが切欠き部２１ｈ〜２４ｈを有さない場合と比較して、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保しつつ、ダイシングブレードによる図８（ｅ）に示すダイシングラインＬ１に沿った切断の際に、切欠き部２１ｈ〜２４ｈの分だけリードフレーム１２０ａの切断面積が小さくなるとともに、端子底面２１ｅ〜２４ｅの位置での切断線が短くなる。 [Action, effect]
As described above, the lead terminals 21 to 24 constituting the magnetic sensor 101 of this embodiment are, as shown in FIG. 7A, the terminal side surface 21c that is in the same plane as the first side surface 53 of the sealing body 50. -24c is rectangular and has notches 21h-24h. Therefore, as compared with the case of the same rectangle but not having the notches 21h to 24h, the area of the terminal opposite surfaces 21a to 24a is ensured along the dicing line L1 shown in FIG. At the time of cutting, the cutting area of the lead frame 120a is reduced by the notches 21h to 24h, and the cutting lines at the positions of the terminal bottom surfaces 21e to 24e are shortened.

つまり、封止体５０の第一側面５３と同一面内にある端子側面２１ｃ〜２４ｃの面積が従来品よりも小さくなる分だけ、端子側面２１ｃ〜２４ｃに発生するバリの量が少なくなる。さらに、端子底面２１ｅ〜２４ｅの位置での切断線が短くなることで、端子側面２１ｃ〜２４ｃから封止体５０の第二面５２側（つまり、端子底面側）に延びるバリの発生量が少なくなる。その結果、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保することで、ワイヤーボンディングに支障を来すことなく、磁気センサ１００の厚さを設計値に近い状態とすることができる。   That is, the amount of burrs generated on the terminal side surfaces 21c to 24c is reduced by the amount that the area of the terminal side surfaces 21c to 24c in the same plane as the first side surface 53 of the sealing body 50 is smaller than that of the conventional product. Furthermore, since the cutting lines at the positions of the terminal bottom surfaces 21e to 24e are shortened, the amount of burrs extending from the terminal side surfaces 21c to 24c to the second surface 52 side (that is, the terminal bottom surface side) of the sealing body 50 is small. Become. As a result, by securing the areas of the terminal opposite surfaces 21a to 24a, the thickness of the magnetic sensor 100 can be brought close to the design value without causing any trouble in wire bonding.

また、磁気センサ１０１の端子側面２１ｃ〜２４ｃに、封止体５０の第二面５２側に延びるバリが生じると、実装面である端子底面２１ｅ〜２４ｅ（外装メッキ層６０）に付着するなどの問題が生じるが、バリの発生が抑制されることでこの問題も改善できる。
さらに、封止体５０の第二面５２において隣り合う二つのリード端子間の距離が３００μｍ以下であるため、バリが落下した場合に端子間が短絡する可能性が高くなるが、バリの発生が抑制されることでこの問題も改善できる。 Further, when burrs extending toward the second surface 52 side of the sealing body 50 are generated on the terminal side surfaces 21c to 24c of the magnetic sensor 101, they adhere to the terminal bottom surfaces 21e to 24e (exterior plating layer 60) which are mounting surfaces. Although a problem arises, this problem can also be improved by suppressing the occurrence of burrs.
Furthermore, since the distance between two lead terminals adjacent to each other on the second surface 52 of the sealing body 50 is 300 μm or less, there is a high possibility that the terminals will be short-circuited when the burrs are dropped. This problem can be improved by being suppressed.

また、第一実施形態の磁気センサ１００とは異なり、ダイシングラインＬ１に沿った切断の際に凹部２５，２６が切断されて生じたバリが、切欠き部２１ｈ〜２４ｈ内に入る。つまり、第二実施形態では、バリが切欠き部２１ｈ〜２４ｈ内に入ることによっても、磁気センサ１０１の厚さを設計値に近い状態とする効果および端子間が短絡する可能性を低減できる効果が得られる。   Further, unlike the magnetic sensor 100 of the first embodiment, burrs generated by cutting the recesses 25 and 26 at the time of cutting along the dicing line L1 enter the notches 21h to 24h. That is, in the second embodiment, the effect that the thickness of the magnetic sensor 101 is close to the design value and the possibility that the terminals are short-circuited can be reduced even if the burr enters the notches 21h to 24h. Is obtained.

〔第三実施形態〕
第三実施形態として、磁電変換機能を有する素子としてホール素子を用いた磁気センサ（半導体装置）について説明する。
第三実施形態の磁気センサ１０２の構成は、リード端子２１〜２４の形状を除いて第一実施形態の磁気センサ１００と同じである。 [Third embodiment]
As a third embodiment, a magnetic sensor (semiconductor device) using a Hall element as an element having a magnetoelectric conversion function will be described.
The configuration of the magnetic sensor 102 of the third embodiment is the same as that of the magnetic sensor 100 of the first embodiment except for the shape of the lead terminals 21 to 24.

図９（ａ）および図１０に示すように、磁気センサ１０２のリード端子２１〜２４は、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅ側に、封止体５０の第一側面５３から凹む切欠き部２１ｈ〜２４ｈを有する。切欠き部２１ｈ〜２４ｈは、端子側面２１ｃ〜２４ｃの幅方向中央部にＵ字状に形成され、Ｕ字の開口端が端子底面２１ｅ〜２４ｅに至っている。つまり、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅに沿った線分（端子側面２１ｃ〜２４ｃをなす長方形の一辺）Ｌ３の中央部が分断されている。   As shown in FIGS. 9A and 10, the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 102 are cut from the first side surface 53 of the sealing body 50 on the terminal bottom surfaces 21e to 24e side of the terminal side surfaces 21c to 24c. It has the notch parts 21h-24h. The notches 21h to 24h are formed in a U-shape at the center in the width direction of the terminal side surfaces 21c to 24c, and the U-shaped open ends reach the terminal bottom surfaces 21e to 24e. That is, the central portion of the line segment L3 (one side of the rectangle forming the terminal side surfaces 21c to 24c) L3 along the terminal bottom surfaces 21e to 24e of the terminal side surfaces 21c to 24c is divided.

切欠き部２１ｈ〜２４ｈの端子底面２１ｅ〜２４ｅ位置での第一側面５３と同一面からからの凹み寸法Ｈは、例えば０．０２５ｍｍとする。切欠き部２１ｈ〜２４ｈの開口幅ｈは、例えば０．０７５ｍｍとする。
また、端子反面２１ａ〜２４ａの端子側面２１ｃ〜２４ｃをなす直線と、端子反面２１ａ〜２４ａの対向面２１ｇ〜２４ｇをなす直線との距離（端子反面ａの奥行き寸法）Ｆは、例えば０．０９５ｍｍとする。この場合、基板実装時の強度を確保するためには、Ｈ≦０．０５ｍｍであることが好ましい。 The recess dimension H from the same side as the first side surface 53 at the positions of the terminal bottom surfaces 21e to 24e of the notches 21h to 24h is, for example, 0.025 mm. The opening width h of the notches 21h to 24h is, for example, 0.075 mm.
Moreover, the distance (depth dimension of the terminal opposite surface a) F of the straight line which forms the terminal side surfaces 21c-24c of the terminal opposite surfaces 21a-24a and the straight line which forms the opposing surfaces 21g-24g of the terminal opposite surfaces 21a-24a is 0.095 mm, for example. And In this case, in order to ensure the strength at the time of mounting on the board, it is preferable that H ≦ 0.05 mm.

これ以外の点は、第一実施形態の磁気センサ１００のリード端子２１〜２４と同じである。
第三実施形態の磁気センサ１０２は、第一実施形態の磁気センサ１００および第二実施形態の磁気センサ１０１よりも、端子側面２１ｃ〜２４ｃを露出させる切断時のリードフレームの切断面積が小さくなるとともに、端子底面２１ｅ〜２４ｅの位置での切断線が短くなる。よって、第一実施形態の磁気センサ１００および第二実施形態の磁気センサ１０１よりも、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保することでワイヤーボンディングに支障を来すことなく、磁気センサ１０２の厚さを設計値に近い状態とする効果、および端子間が短絡する可能性を低減できる効果が高い。 The other points are the same as the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 100 of the first embodiment.
The magnetic sensor 102 of the third embodiment has a smaller cutting area of the lead frame when cutting to expose the terminal side surfaces 21c to 24c than the magnetic sensor 100 of the first embodiment and the magnetic sensor 101 of the second embodiment. The cutting lines at the positions of the terminal bottom surfaces 21e to 24e are shortened. Therefore, the thickness of the magnetic sensor 102 does not hinder wire bonding by securing the area of the terminal opposite surfaces 21a to 24a as compared with the magnetic sensor 100 of the first embodiment and the magnetic sensor 101 of the second embodiment. Is highly effective in reducing the possibility of short-circuiting between terminals and the effect of making the state close to the design value.

〔第四実施形態〕
第四実施形態として、磁電変換機能を有する素子としてホール素子を用いた磁気センサ（半導体装置）について説明する。
第四実施形態の磁気センサ１０３の構成は、リード端子２１〜２４の形状を除いて第二実施形態の磁気センサ１０１と同じである。 [Fourth embodiment]
As a fourth embodiment, a magnetic sensor (semiconductor device) using a Hall element as an element having a magnetoelectric conversion function will be described.
The configuration of the magnetic sensor 103 of the fourth embodiment is the same as that of the magnetic sensor 101 of the second embodiment except for the shape of the lead terminals 21 to 24.

図１１に示すように、磁気センサ１０３を構成するリード端子２１〜２４は、端子側面２１ｃ〜２４ｃの端子底面２１ｅ〜２４ｅをなす長さＥが、端子反面２１ａ〜２４ａをなす長さＡより大きい。例えば、Ａ＝０．１５ｍｍ且つＥ＝０．２０ｍｍとする。
これ以外の点は、第二実施形態の磁気センサ１０１のリード端子２１〜２４と同じである。 As shown in FIG. 11, in the lead terminals 21 to 24 constituting the magnetic sensor 103, the length E forming the terminal bottom surfaces 21e to 24e of the terminal side surfaces 21c to 24c is larger than the length A forming the terminal opposite surfaces 21a to 24a. . For example, A = 0.15 mm and E = 0.20 mm.
The other points are the same as the lead terminals 21 to 24 of the magnetic sensor 101 of the second embodiment.

第四実施形態の磁気センサ１０３はリード端子２１〜２４が切欠き部２１ｈ〜２４ｈを有することで、切欠き部２１ｈ〜２４ｈを有さない以外は同じに形成された磁気センサと比較して、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保しつつ、切欠き部２１ｈ〜２４ｈの分だけ、端子側面２１ｃ〜２４ｃを露出させる切断時のリードフレームの切断面積が小さくなるとともに、端子底面２１ｅ〜２４ｅの位置での切断線が短くなる。よって、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保することでワイヤーボンディングに支障を来すことなく、磁気センサ１０３の厚さを設計値に近い状態とする効果、および端子間が短絡する可能性を低減できる効果が得られる。   In the magnetic sensor 103 of the fourth embodiment, the lead terminals 21 to 24 have notches 21h to 24h, compared to a magnetic sensor formed in the same manner except that the lead terminals 21 to 24 have no notches 21h to 24h. While securing the area of the terminal opposite surfaces 21a to 24a, the cutting area of the lead frame at the time of cutting to expose the terminal side surfaces 21c to 24c is reduced by the notches 21h to 24h, and the positions of the terminal bottom surfaces 21e to 24e The cutting line at becomes shorter. Therefore, by securing the area of the terminal opposite surfaces 21a to 24a, the effect of making the thickness of the magnetic sensor 103 close to the design value without causing trouble in wire bonding and the possibility of short-circuiting between terminals are reduced. The effect that can be obtained.

〔第五実施形態〕
第五実施形態として、磁電変換機能を有する素子として赤外線検出素子を用いた赤外線センサ（半導体装置）について説明する。
［構成］
図１２および図１３に示すように、この実施形態の赤外線センサ７００は、赤外線検出素子７０と、四個（複数）のリード端子２１〜２４と、二本（複数）の金属細線３１，３２と、合成樹脂製の封止体５０を有する。赤外線センサ７００は赤外線検出素子７０を載置するためのアイランド部を有さない。つまり、この実施形態の赤外線センサ７００はアイランドレス構造を有する。 [Fifth embodiment]
As a fifth embodiment, an infrared sensor (semiconductor device) using an infrared detection element as an element having a magnetoelectric conversion function will be described.
[Constitution]
As shown in FIGS. 12 and 13, the infrared sensor 700 of this embodiment includes an infrared detection element 70, four (plural) lead terminals 21 to 24, and two (plural) fine metal wires 31 and 32. And a sealing body 50 made of synthetic resin. The infrared sensor 700 does not have an island part for mounting the infrared detection element 70. That is, the infrared sensor 700 of this embodiment has an islandless structure.

この実施形態の赤外線センサ７００は、ホール素子１０に代えて赤外線検出素子７０を有し、絶縁層４０の代わりに透光層１４０を備え、外装メッキ層６０を備えていないが、これら以外の点は第一実施形態の磁気センサ１００と同じである。そのため、磁気センサ１００との相違点についてのみ説明する。
図１２および図１３に示すように、赤外線検出素子７０は、赤外線透過性の基板７１と、基板７１上に形成された半導体薄膜からなる活性層（赤外線感受部）７２と、活性層７２と電気的に接続された二個（複数）の電極７３ａ，７３ｂとを有する。電極７３ａは、活性層７２のｎ型層と接続され、電極７３ｂは活性層７２のｐ型層と接続される。 The infrared sensor 700 of this embodiment has an infrared detection element 70 instead of the Hall element 10, includes a light-transmitting layer 140 instead of the insulating layer 40, and does not include the exterior plating layer 60. Is the same as the magnetic sensor 100 of the first embodiment. Therefore, only differences from the magnetic sensor 100 will be described.
As shown in FIGS. 12 and 13, the infrared detection element 70 includes an infrared transmissive substrate 71, an active layer (infrared sensing part) 72 made of a semiconductor thin film formed on the substrate 71, an active layer 72, And two (a plurality of) electrodes 73a and 73b connected to each other. The electrode 73 a is connected to the n-type layer of the active layer 72, and the electrode 73 b is connected to the p-type layer of the active layer 72.

基板７１は、例えば、半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）からなる。
活性層７２は、例えば、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）やガリウムヒ素などの化合物半導体からなる薄膜である。
赤外線検出素子７０の厚さは、例えば２５０μｍ以下である。
また、図１１（ｃ）に示すように、封止体５０は、赤外線検出素子７０と電極７３ａ，７３ｂとリード端子２１〜２４と金属細線３１，３２とを封止する。 The substrate 71 is made of, for example, semi-insulating gallium arsenide (GaAs).
The active layer 72 is a thin film made of a compound semiconductor such as indium antimony (InSb) or gallium arsenide.
The thickness of the infrared detection element 70 is, for example, 250 μm or less.
11C, the sealing body 50 seals the infrared detection element 70, the electrodes 73a and 73b, the lead terminals 21 to 24, and the metal thin wires 31 and 32.

また、基板７１の裏面は赤外線の受光面であり、赤外線を透過する透光層１４０で覆われている。基板７１の裏面を透光層１４０で覆うことで、赤外線検出素子７０の損傷を抑制できる一方、受光感度は低下する。よって、基板７１の裏面は透光層１４０で覆われていなくてもよい。   The back surface of the substrate 71 is an infrared light receiving surface and is covered with a light transmitting layer 140 that transmits infrared light. By covering the back surface of the substrate 71 with the light transmissive layer 140, damage to the infrared detection element 70 can be suppressed, while the light receiving sensitivity is reduced. Therefore, the back surface of the substrate 71 may not be covered with the light transmitting layer 140.

［動作］
この実施形態の赤外線センサ７００を用いて赤外線量を検出する場合には、基板７１の裏面を受光面とし、例えば、リード端子２１，２２間の電位差Ｖ１−Ｖ２（＝光起電力）を測定する。また、測定された光起電力の大きさから受光した赤外線量を検出する。 [Operation]
When detecting the amount of infrared rays using the infrared sensor 700 of this embodiment, the back surface of the substrate 71 is used as a light receiving surface, and, for example, a potential difference V1-V2 (= photoelectromotive force) between the lead terminals 21 and 22 is measured. . Further, the amount of received infrared light is detected from the magnitude of the measured photovoltaic power.

［製法］
赤外線センサ７００の製造方法は、一部を除いて磁気センサ１００の製造方法とほぼ同じであるため、磁気センサ１００の製造方法との相違点についてのみ説明する。
ホール素子１０が形成されたウエハ１５０に代えて、赤外線検出素子７０が形成されたガリウムヒ素ウエハを用意し、その裏面の各赤外線検出素子の位置に、例えば酸化チタン等からなる金属酸化物膜を含む透光層１４０を形成する。
ダイボンディング工程では、図３（ｃ）に示すホール素子１０に代えて、赤外線検出素子７０を接合体８１の上面に配置する。
また、外装メッキ層６０の形成工程を行わない。 [Production method]
Since the manufacturing method of the infrared sensor 700 is almost the same as the manufacturing method of the magnetic sensor 100 except for a part, only differences from the manufacturing method of the magnetic sensor 100 will be described.
Instead of the wafer 150 on which the Hall element 10 is formed, a gallium arsenide wafer on which the infrared detection element 70 is formed is prepared, and a metal oxide film made of, for example, titanium oxide is provided at the position of each infrared detection element on the back surface thereof. The translucent layer 140 is formed.
In the die bonding step, an infrared detection element 70 is disposed on the upper surface of the bonded body 81 instead of the Hall element 10 shown in FIG.
Moreover, the formation process of the exterior plating layer 60 is not performed.

［作用効果］
第一実施形態の磁気センサ１００と同様に、端子反面２１ａ〜２４ａの面積を確保することでワイヤーボンディングに支障を来すことなく、赤外線センサ７００の厚さを設計値に近い状態とする効果と、端子間が短絡する可能性を低減できる効果が得られる。 [Function and effect]
Similar to the magnetic sensor 100 of the first embodiment, by securing the area of the terminal opposite surfaces 21a to 24a, the thickness of the infrared sensor 700 is brought close to the design value without hindering wire bonding. The effect which can reduce the possibility of short-circuiting between terminals is acquired.

〔変形例〕
上述の磁気センサ１００〜１０３のホール素子１０に代えて、光電変換機能を有する素子である赤外線発光素子を用いることで、赤外線発光ダイオードを得ることができる。赤外線発光素子が有する光電変換機能は電気信号を光信号に変換する機能である。赤外線発光素子の厚さは２５０μｍ以下であることが好ましい。このような赤外線発光ダイオードでは、磁気センサ１００〜１０３と同様に、赤外線発光ダイオードの厚さを設計値に近い状態とする効果と、端子間が短絡する可能性を低減できる効果が得られる。 [Modification]
An infrared light emitting diode can be obtained by using an infrared light emitting element which is an element having a photoelectric conversion function instead of the Hall element 10 of the magnetic sensors 100 to 103 described above. The photoelectric conversion function of the infrared light emitting element is a function of converting an electrical signal into an optical signal. The thickness of the infrared light emitting element is preferably 250 μm or less. In such an infrared light emitting diode, as in the case of the magnetic sensors 100 to 103, an effect of making the thickness of the infrared light emitting diode close to a design value and an effect of reducing the possibility of short-circuiting between terminals are obtained.

〔備考〕
第一実施形態で説明した封止体５０の形成方法では、上型９２の下面をシート９４で覆うとともに、金型９０内に溶融樹脂を流し込んだ後で上型９２を下降させる圧縮成形を行っているが、これに代えてトランスファー成形を行ってもよいし、シート９４を用いなくてもよい。 [Remarks]
In the method of forming the sealing body 50 described in the first embodiment, the lower surface of the upper mold 92 is covered with the sheet 94, and the upper mold 92 is lowered after pouring molten resin into the mold 90. However, instead of this, transfer molding may be performed, or the sheet 94 may not be used.

以下、この発明の実施例および比較例について説明する。
＜実施例１＞
第一実施形態の磁気センサ１００を第一実施形態に記載された方法で作製した。
リードフレーム１２０の作製時には、図４（ａ）の金属板１２７として、厚さ１．０ｍｍのＣｕ板を用いた。そして、図２（ａ）のＡが０．１５ｍｍ、Ｅが０．０７５ｍｍ、図２（ｂ）のＴが０．１６ｍｍ、図２（ｃ）のＦが０．０９５ｍｍとなるように、金属板１２７の両側からエッチングすることで、図３（ａ）に示すリード部１２１〜１２４の形状にした。次に、リードフレーム１２０の全面にＮｉ−Ｐｄ−Ａｕめっきを施した。つまり、リードフレーム１２０の作製時にリード端子２１ｅ〜２４ｅの下面にめっき層を形成した。よって、外装メッキ層６０の形成は行わなかった。 Examples of the present invention and comparative examples will be described below.
<Example 1>
The magnetic sensor 100 of the first embodiment was manufactured by the method described in the first embodiment.
When producing the lead frame 120, a 1.0 mm thick Cu plate was used as the metal plate 127 in FIG. 2 (a) is 0.15 mm, E is 0.075 mm, T in FIG. 2 (b) is 0.16 mm, and F in FIG. 2 (c) is 0.095 mm. By etching from both sides of 127, the lead parts 121 to 124 shown in FIG. Next, Ni—Pd—Au plating was applied to the entire surface of the lead frame 120. That is, a plating layer was formed on the lower surfaces of the lead terminals 21e to 24e when the lead frame 120 was manufactured. Therefore, the exterior plating layer 60 was not formed.

耐熱性フィルム８０としてはポリイミドフィルムを用いた。
絶縁層４０の厚さは１０μｍとした。厚さが９０μｍで基板１１がＧａＡｓ基板であるホール素子１０を用いた。金属細線３１〜３４としてはＡｕ線を用いた。封止体５０用の合成樹脂としては、日立化成（株）製の「ＣＥＬ９２２１」を用いた。この樹脂は、球体のフィラーを８７体積％以上９９体積％以下含有する。また、含有するフィラーの最大直径は２０μｍである。
シート９４としては、旭硝子（株）製の「５０ＭＷ」を用いた。このシート９４の厚さは５０μｍであった。封止体５０の形成は、磁気センサ１００の厚さが１８５μｍとなるように設定して行った。 A polyimide film was used as the heat resistant film 80.
The thickness of the insulating layer 40 was 10 μm. The Hall element 10 having a thickness of 90 μm and the substrate 11 being a GaAs substrate was used. Au wires were used as the thin metal wires 31-34. As a synthetic resin for the sealing body 50, “CEL9221” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. was used. This resin contains 87 volume% or more and 99 volume% or less of spherical fillers. Moreover, the maximum diameter of the filler to contain is 20 micrometers.
As the sheet 94, “50 MW” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. was used. The thickness of the sheet 94 was 50 μm. The sealed body 50 was formed by setting the thickness of the magnetic sensor 100 to be 185 μm.

＜実施例２＞
第二実施形態の磁気センサ１０１を第二実施形態に記載された方法で作製した。
図４（ａ）に示す金属板１２７に対する両側からのエッチングで、図８（ａ）に示すリード部１２１ａ〜１２４ａを有するリードフレーム１２０ａを作製した。その際に、図７（ａ）のＡが０．１５ｍｍ、Ｅが０．０７５ｍｍ、ｈが０．０７５ｍｍ、図７（ｂ）のＴが０．１６ｍｍ、図７（ｃ）のＦが０．０９５ｍｍ、Ｈが０．０２５ｍｍとなるようにした。
これ以外の点は実施例１と同じ方法で磁気センサ１０１を作製した。 <Example 2>
The magnetic sensor 101 of the second embodiment was produced by the method described in the second embodiment.
A lead frame 120a having lead portions 121a to 124a shown in FIG. 8A was manufactured by etching from both sides of the metal plate 127 shown in FIG. At that time, A in FIG. 7A is 0.15 mm, E is 0.075 mm, h is 0.075 mm, T in FIG. 7B is 0.16 mm, and F in FIG. 095 mm and H were set to 0.025 mm.
Except for this point, the magnetic sensor 101 was manufactured in the same manner as in Example 1.

＜比較例１＞
リード端子２１〜２４を、第一実施形態の磁気センサ１００のような等脚台形柱状ではなく、直方体状に形成し、Ａ＝Ｅ＝０．１５ｍｍとした。Ｔは０．１６ｍｍおよびＦは０．０９５ｍｍで実施例１と同じにした。これ以外の点は実施例１と同じ方法で磁気センサを作製した。 <Comparative Example 1>
The lead terminals 21 to 24 were formed in a rectangular parallelepiped shape instead of the isosceles trapezoidal column shape as in the magnetic sensor 100 of the first embodiment, and A = E = 0.15 mm. T was 0.16 mm and F was 0.095 mm, which was the same as in Example 1. Except for this point, a magnetic sensor was fabricated in the same manner as in Example 1.

＜評価試験＞
実施例１、実施例２、比較例１の磁気センサを、１５個（同じ結合体１０００から切断されたものの中からランダムに選定されたもの）ずつ用意した。測長顕微鏡（オリンパス製：ＳＴＭ−ΜＭ）を用いて、全ての磁気センサについて、リード端子２１〜２４の端子側面２１ｃ〜２４ｃと端子底面２４ｅ〜２４ｅとがなす角部（全６０箇所）に、バリが発生しているかどうかを調べた。また、同じ測長顕微鏡で、発生したバリの高さを測定し、それぞれ１５個の平均値を算出した。その結果を下記の表１に示す。 <Evaluation test>
Fifteen magnetic sensors of Example 1, Example 2, and Comparative Example 1 (selected at random from those cut from the same combined body 1000) were prepared. Using a length measuring microscope (manufactured by Olympus: STM-ΜM), for all magnetic sensors, at the corners (total of 60 locations) formed by the terminal side surfaces 21c to 24c of the lead terminals 21 to 24 and the terminal bottom surfaces 24e to 24e It was investigated whether or not burrs had occurred. Moreover, the height of the burr | flash which generate | occur | produced with the same length measuring microscope was measured, and the average value of 15 each was calculated. The results are shown in Table 1 below.

Figure 2018074067
Figure 2018074067

表１に示すように、比較例１では、全てのリード端子の角部（６０箇所全部）にバリが発生していたのに対し、実施例１、２では４箇所のみにバリが発生しており、バリの発生個数は大きく減少している。さらに、発生したバリの高さも、実施例１、２では比較例１に比べて低かった。このように、バリの発生数やバリ高さに関しては、実施例１、２のどちらでも同程度の効果が認められた。   As shown in Table 1, in Comparative Example 1, burrs were generated at the corners (all 60 locations) of all lead terminals, whereas in Examples 1 and 2, burrs were generated only at 4 locations. In addition, the number of burrs is greatly reduced. Furthermore, the height of the generated burr was lower in Examples 1 and 2 than in Comparative Example 1. Thus, with respect to the number of burrs and the height of burrs, similar effects were observed in both Examples 1 and 2.

１００ 磁気センサ（半導体装置）
１０１ 磁気センサ（半導体装置）
１０２ 磁気センサ（半導体装置）
１０ ホール素子
１２ 活性層
１３ａ〜１３ｄ 電極
２１〜２４ リード端子
２１ａ〜２４ａ リード端子の上面（端子反面）
２１ｂ〜２４ｂ リード端子の素子側の面
２１ｃ〜２４ｃ リード端子の外側面（端子側面）
２１ｄ〜２４ｄ リード端子の素子とは反対側の面
２１ｅ〜２４ｅ リード端子の下面（端子底面）
２１ｇ〜２４ｇ リード端子の対向面
２１ｈ〜２４ｈ リード端子の切欠き部
１２０，１２０ａ リードフレーム
２５ リードフレームの凹部
２６ リードフレームの凹部
３１〜３４ 金属細線
４０ 絶縁層
５０ 封止体
５１ 封止体の第一面（底面とは反対側の面）
５２ 封止体の第二面（底面）
５３ 封止体の第一側面
５４ 封止体の第二側面
６０ 外装メッキ層
７００ 赤外線センサ（半導体装置）
７０ 赤外線検出素子
７１ 基板
７２ 活性層
７３ａ，７３ｂ 電極 100 Magnetic sensor (semiconductor device)
101 Magnetic sensor (semiconductor device)
102 Magnetic sensor (semiconductor device)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Hall element 12 Active layer 13a-13d Electrode 21-24 Lead terminal 21a-24a The upper surface (terminal opposite surface) of lead terminal
21b-24b Element side surface of lead terminal 21c-24c Outer surface (terminal side surface) of lead terminal
21d to 24d Surface opposite to the lead terminal element 21e to 24e Bottom surface of the lead terminal (terminal bottom surface)
21g to 24g Lead terminal facing surface 21h to 24h Lead terminal notch 120, 120a Lead frame 25 Lead frame recess 26 Lead frame recess 31 to 34 Metal wire 40 Insulating layer 50 Sealing body 51 Sealing body 51 One side (surface opposite to the bottom)
52 Second surface (bottom surface) of sealing body
53 1st side surface of sealing body 54 2nd side surface of sealing body 60 exterior plating layer 700 Infrared sensor (semiconductor device)
70 Infrared detector 71 Substrate 72 Active layer 73a, 73b Electrode

Claims (7)

磁電変換機能または光電変換機能を有し、複数の電極を備えた素子と、
平面視で前記素子の周囲に配置された複数のリード端子と、
前記素子の前記複数の電極と前記複数のリード端子とを、それぞれ電気的に接続する複数の金属細線と、
合成樹脂を主成分とする材料からなり、底面と、前記底面とは反対側の面と、前記底面から立ち上がって前記反対側の面に至る側面と、を有する封止体であって、前記素子と前記リード端子と前記複数の金属細線とを封止する封止体と、
を備え、
前記複数のリード端子は、それぞれ、前記底面と同一面内にある端子底面と、前記側面と同一面内にある端子側面と、前記端子底面とは反対側の端子反面と、を有し、
前記端子側面の前記端子底面をなす直線の長さは、前記端子側面の前記端子反面をなす直線の長さよりも短く、
前記封止体の前記底面において隣り合う二つの前記リード端子間の距離の最小値が３００μｍ以下である半導体装置。 An element having a magnetoelectric conversion function or a photoelectric conversion function and having a plurality of electrodes;
A plurality of lead terminals arranged around the element in plan view;
A plurality of fine metal wires that electrically connect the plurality of electrodes of the element and the plurality of lead terminals, respectively;
A sealing body made of a material mainly composed of a synthetic resin, having a bottom surface, a surface opposite to the bottom surface, and a side surface rising from the bottom surface and reaching the surface on the opposite side, And a sealing body that seals the lead terminal and the plurality of fine metal wires,
With
Each of the plurality of lead terminals has a terminal bottom surface in the same plane as the bottom surface, a terminal side surface in the same plane as the side surface, and a terminal opposite surface opposite to the terminal bottom surface,
The length of the straight line forming the terminal bottom surface of the terminal side surface is shorter than the length of the straight line forming the terminal opposite surface of the terminal side surface,
A semiconductor device in which a minimum value of a distance between two lead terminals adjacent to each other on the bottom surface of the sealing body is 300 μm or less. 前記リード端子は、前記端子側面の前記端子底面側の一部に、前記封止体の前記側面と同一面から凹み前記端子底面に至る切欠き部を有する請求項１記載の半導体装置。   2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the lead terminal has a notch part that is recessed from the same surface as the side surface of the sealing body to reach the terminal bottom surface in a part of the terminal side surface on the terminal bottom surface side. 磁電変換機能または光電変換機能を有し、複数の電極を備えた素子と、
平面視で前記素子の周囲に配置された複数のリード端子と、
前記素子の前記複数の電極と前記複数のリード端子とを、それぞれ電気的に接続する複数の金属細線と、
合成樹脂を主成分とする材料からなり、底面と、前記底面とは反対側の面と、前記底面から立ち上がって前記反対側の面に至る側面と、を有する封止体であって、前記素子と前記リード端子と前記複数の金属細線とを封止する封止体と、
を備え、
前記複数のリード端子は、それぞれ、前記底面と同一面内にある端子底面と、前記側面と同一面内にある端子側面と、前記端子底面とは反対側の端子反面と、を有し、
前記リード端子は、前記端子側面の前記端子底面側の一部に、前記封止体の前記側面と同一面から凹み前記端子底面に至る切欠き部を有し、
前記封止体の前記底面において隣り合う二つの前記リード端子間の距離の最小値が３００μｍ以下である半導体装置。 An element having a magnetoelectric conversion function or a photoelectric conversion function and having a plurality of electrodes;
A plurality of lead terminals arranged around the element in plan view;
A plurality of fine metal wires that electrically connect the plurality of electrodes of the element and the plurality of lead terminals, respectively;
A sealing body made of a material mainly composed of a synthetic resin, having a bottom surface, a surface opposite to the bottom surface, and a side surface rising from the bottom surface and reaching the surface on the opposite side, And a sealing body that seals the lead terminal and the plurality of fine metal wires,
With
Each of the plurality of lead terminals has a terminal bottom surface in the same plane as the bottom surface, a terminal side surface in the same plane as the side surface, and a terminal opposite surface opposite to the terminal bottom surface,
The lead terminal has a notch part that is recessed from the same surface as the side surface of the sealing body to the terminal bottom surface in a part of the terminal bottom surface side of the terminal side surface,
A semiconductor device in which a minimum value of a distance between two lead terminals adjacent to each other on the bottom surface of the sealing body is 300 μm or less. 前記端子側面の前記切欠き部を含む前記端子底面をなす直線の長さは、前記端子側面の前記端子反面をなす直線の長さ以下である請求項３記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 3, wherein a length of a straight line that forms the bottom surface of the terminal including the cutout portion on the side surface of the terminal is equal to or less than a length of a straight line that forms the opposite surface of the terminal side surface. 前記素子は厚さが１００μｍ以下のホール素子である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the element is a Hall element having a thickness of 100 μm or less. 前記素子は厚さが２５０μｍ以下の赤外線検出素子である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the element is an infrared detection element having a thickness of 250 μm or less. 前記素子は厚さが２５０μｍ以下の赤外線発光素子である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the element is an infrared light emitting element having a thickness of 250 μm or less.
JP2016214615A 2016-11-01 2016-11-01 Semiconductor device Pending JP2018074067A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016214615A JP2018074067A (en) 2016-11-01 2016-11-01 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016214615A JP2018074067A (en) 2016-11-01 2016-11-01 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018074067A true JP2018074067A (en) 2018-05-10

Family

ID=62115440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016214615A Pending JP2018074067A (en) 2016-11-01 2016-11-01 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2018074067A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020065045A (en) * 2018-10-11 2020-04-23 旭化成エレクトロニクス株式会社 Semiconductor element

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000077687A (en) * 1998-08-31 2000-03-14 Sanyo Electric Co Ltd Optical semiconductor device
JP2001015668A (en) * 1999-07-02 2001-01-19 Mitsubishi Electric Corp Resin-sealed semiconductor package
JP2004319577A (en) * 2003-04-11 2004-11-11 Dainippon Printing Co Ltd Resin sealed semiconductor device, its manufacturing process, and stacked resin sealed semiconductor device
JP2005123383A (en) * 2003-10-16 2005-05-12 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Electromagnetic transducer element
JP2005191240A (en) * 2003-12-25 2005-07-14 Renesas Technology Corp Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2013084858A (en) * 2011-10-12 2013-05-09 Hitachi Cable Ltd Lead frame and manufacturing method of the same
JP2013187231A (en) * 2012-03-06 2013-09-19 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Semiconductor sensor and manufacturing method of the same
WO2014091714A1 (en) * 2012-12-14 2014-06-19 旭化成エレクトロニクス株式会社 Magnetic sensor and magnetic sensor device, and magnetic sensor manufacturing method
JP2014225643A (en) * 2013-04-16 2014-12-04 ローム株式会社 Semiconductor device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000077687A (en) * 1998-08-31 2000-03-14 Sanyo Electric Co Ltd Optical semiconductor device
JP2001015668A (en) * 1999-07-02 2001-01-19 Mitsubishi Electric Corp Resin-sealed semiconductor package
JP2004319577A (en) * 2003-04-11 2004-11-11 Dainippon Printing Co Ltd Resin sealed semiconductor device, its manufacturing process, and stacked resin sealed semiconductor device
JP2005123383A (en) * 2003-10-16 2005-05-12 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Electromagnetic transducer element
JP2005191240A (en) * 2003-12-25 2005-07-14 Renesas Technology Corp Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2013084858A (en) * 2011-10-12 2013-05-09 Hitachi Cable Ltd Lead frame and manufacturing method of the same
JP2013187231A (en) * 2012-03-06 2013-09-19 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Semiconductor sensor and manufacturing method of the same
WO2014091714A1 (en) * 2012-12-14 2014-06-19 旭化成エレクトロニクス株式会社 Magnetic sensor and magnetic sensor device, and magnetic sensor manufacturing method
JP2014225643A (en) * 2013-04-16 2014-12-04 ローム株式会社 Semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020065045A (en) * 2018-10-11 2020-04-23 旭化成エレクトロニクス株式会社 Semiconductor element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI392066B (en) Package structure and fabrication method thereof
US8184453B1 (en) Increased capacity semiconductor package
TWI565012B (en) A stack frame for electrical connections and the method to fabricate thereof
TWI469289B (en) Semiconductor package structure and fabrication method thereof
US20130277817A1 (en) Lead frame, semiconductor package, and manufacturing method of the same
JP6149072B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10741415B2 (en) Thermosonically bonded connection for flip chip packages
JP2018061018A (en) Semiconductor device
KR102000348B1 (en) Magnetic sensor
JP6392882B2 (en) Hall sensor and lens module
JP2016149386A (en) Semiconductor device, electronic device and semiconductor device manufacturing method
TWI555995B (en) Hall sensor manufacturing method and Hall sensor and lens module
TWI533419B (en) A package structure and the method to fabricate thereof
JP2018074067A (en) Semiconductor device
US20150084171A1 (en) No-lead semiconductor package and method of manufacturing the same
US9935030B2 (en) Resin-encapsulated semiconductor device
TW201432865A (en) Chip scale package structure and manufacturing method thereof
JP6837314B2 (en) Semiconductor device
JP2019201121A (en) Premold substrate and manufacturing method thereof, and hollow semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2020008550A (en) Strain sensor and strain detection module
JP2018066722A (en) Semiconductor device
TWI750988B (en) Leadframe strip and its manufacturing method applied to semiconductor package structure
TWI761105B (en) Semiconductor package structure and leadframe
CN207250569U (en) Semiconductor device
TW201017846A (en) Leadframe and package structure having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200818

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200820

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201015

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20201117