JP2018072812A - 光電子システムおよびその製作のための方法 - Google Patents
光電子システムおよびその製作のための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018072812A JP2018072812A JP2017158539A JP2017158539A JP2018072812A JP 2018072812 A JP2018072812 A JP 2018072812A JP 2017158539 A JP2017158539 A JP 2017158539A JP 2017158539 A JP2017158539 A JP 2017158539A JP 2018072812 A JP2018072812 A JP 2018072812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- void
- light
- layer
- optoelectronic
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 5
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
- G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/4245—Mounting of the opto-electronic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】第1の部材101および第2の部材103は複数の層を備え、各部材は形状化合せ面を有し、第1の部材は、第1の部材の層の成長方向が第2の部材の層の成長方向に対して直角となり、形状化合せ面が一緒に嵌合するように第2の部材に接続され、第1の部材は、導波路を備える導波路回路を備え、第2の部材は、第1の部材の導波路に接続されるそれ自体の光出力部をもつ光電子デバイス411を備え、第1の部材と第2の部材とはさらに電気的に接続される。
【選択図】図5
Description
第1の部材を用意することと、前記第1の部材が、導波路回路と、第1の部材の縁部で終端する光チャネルとを備える層状構造を有する、前記第1の部材が形状化合せ面を有する、
第2の部材を用意することと、前記第2の部材が、光出力部をもつ光電子デバイスを備える層状構造を備える、前記第2の部材が形状化合せ面を有する、
を備え、
この方法は、
第1の部材の層の成長方向が第2の部材の層の成長方向に対して直角となり、形状化合せ面が一緒に嵌合するように第1の部材と第2の部材とを接続すること、ここにおいて、第2の部材の光出力部が第1の部材の光チャネルに接続される、第1の部材と第2の部材とが電気的に接続される、
をさらに備える。
第1の部材の縁部に前記形状化合せ面を形成すること、形状化面が第1の部材のボイドを備える、前記ボイドが光チャネルから分離される、
を備え、
前記第2の部材を用意することは、電気接触部が第2の部材の表面から突き出るように前記形状化合せ面を形成することを備え、
第1の部材と第2の部材とを接続することは、第2の部材の電気接触部が第1の部材のボイド中に延びるように第1の部材と第2の部材とを位置合わせすることと、導電性で流動性の材料でボイドを充填することとを備える。
Claims (20)
- 第1の部材と第2の部材とを備える光電子システムであって、前記第1の部材および前記第2の部材が複数の層を備え、各部材が形状化合せ面を有し、前記第1の部材の前記層の成長方向が前記第2の部材の前記層の成長方向に対して直角となり、前記形状化合せ面が一緒に嵌合するように前記第1の部材が前記第2の部材に接続され、前記第1の部材が、導波路を備える導波路回路を備え、前記第2の部材が、前記第1の部材の前記導波路に接続されるそれ自体の光出力部をもつ光電子デバイスを備え、前記第1の部材と前記第2の部材とがさらに電気的に接続される、光電子システム。
- 前記第2の部材が半導体構造体である、請求項1に記載の光電子システム。
- 前記第1の部材が、少なくとも1つのボイドを有し前記導波路から離れたところに配置された形状化縁部面を備え、前記少なくとも1つのボイドが導電性材料で充填され、前記導電性材料が、前記ボイド中に延びる前記第2の部材からの導電性突起に接続される、請求項1または2のいずれかに記載の光電子システム。
- 前記第2の部材が複数の光電子デバイスを備え、前記第1の部材が複数の対応する導波路を備え、前記光電子デバイスの各々に属する前記光出力部が導波路に接続される、請求項1または2のいずれかに記載の光電子システム。
- 前記第1の部材が、前記導波路間に配置された複数のボイドを有する形状化縁部面を備え、前記複数のボイドが導電性材料で充填され、前記導電性材料が、少なくとも1つのボイド中に延びる前記第2の部材からの導電性突起に接続される、請求項4に記載の光電子システム。
- 前記第1の部材の前記導波路回路が、光透過性接合媒体を介して前記第2の部材の光出力部に接続される、請求項1から5のいずれかに記載の光電子システム。
- 前記導波路回路が、シリコン基板に酸窒化ケイ素の層を備える、請求項1から6のいずれかに記載の光電子システム。
- 前記第2の部材が量子光源のアレイを備え、各々が単一の活性半導体量子ドットを含む、請求項1から7のいずれかに記載の光電子システム。
- 光電子システムを製作する方法であって、前記方法が、
第1の部材を用意することと、前記第1の部材が、導波路回路と、前記第1の部材の縁部で終端する光チャネルとを備える層状構造を有する、前記第1の部材が形状化合せ面を有する、
第2の部材を用意することと、前記第2の部材が、光出力部を有する光電子デバイスを備える層状構造を備える、前記第2の部材が形状化合せ面を有する、
を備え、
前記方法が、
前記第1の部材の層の成長方向が前記第2の部材の層の成長方向に対して直角となり、前記形状化合せ面が一緒に嵌合するように前記第1の部材と前記第2の部材とを接続すること、ここにおいて、前記第2の部材の前記光出力部が前記第1の部材の前記光チャネルに接続される、前記第1の部材と前記第2の部材とが電気的に接続される、
をさらに備える、方法。 - 前記導波路回路が複数の光チャネルを備え、前記第2の部材が、各々それ自体の光出力部を有する複数の光電子デバイスを備え、前記方法が、前記複数の光出力部を前記複数の光チャネルに接続する、請求項9に記載の方法。
- 前記第1の部材を用意することが、
前記第1の部材の縁部に前記形状化合せ面を形成すること、前記形状化面が前記第1の部材にボイドを備える、前記ボイドが前記光チャネルから分離される、
を備え、
前記第2の部材を用意することは、電気接触部が前記第2の部材の表面から突き出るように前記形状化合せ面を形成することを備え、
前記第1の部材と前記第2の部材とを接続することは、前記第2の部材の前記電気接触部が前記第1の部材の前記ボイド中に延びるように前記第1の部材と前記第2の部材とを位置合わせすることと、導電性で流動性の材料で前記ボイドを充填することとを備える、請求項10に記載の方法。 - 前記第1の部材と前記第2の部材とを位置合わせする前に前記ボイドの内側を被覆するように金属層を形成することをさらに備える、請求項11に記載の方法。
- 前記ボイドがトレンチである、請求項11または12のいずれかに記載の方法。
- 前記第2の部材の前記電気接触部が、前記表面から突き出る導電性材料のマウンド部を備える、請求項11から13のいずれかに記載の方法。
- 前記第2の部材の形状化面を形成することが、突出し要素を形成するために光電子要素の表面をエッチングすることと、引き続いて、前記第1の部材と前記第2の部材とが接続されるとき前記突出し要素が前記第1の部材のボイド中に延びることができるように、前記突出し要素を金属膜で覆うこととを備える、請求項11から13のいずれかに記載の方法。
- 前記導電性で流動性の材料が、導電性2液型エポキシである、請求項11から15のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の部材の前記合せ面および前記第2の部材の前記合せ面の一方または両方に光透過性接合層を形成することと、前記光透過性接合層を使用して前記第1の部材と前記第2の部材とを接続することとをさらに備える、請求項10から16のいずれかに記載の方法。
- 前記光透過性接合層が、UV硬化光学接着剤を備える、請求項17に記載の方法。
- 連続な層または接着剤が、前記第1の部材と前記第2の部材との間の接続に沿って設けられる、請求項10から18に記載の方法。
- 紫外線を使用して前記光透過性接合層を硬化させることをさらに備える、請求項17または18のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1617922.8A GB2555398B (en) | 2016-10-24 | 2016-10-24 | An optoelectronic system and method for its fabrication |
GB1617922.8 | 2016-10-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018072812A true JP2018072812A (ja) | 2018-05-10 |
JP6545762B2 JP6545762B2 (ja) | 2019-07-17 |
Family
ID=57738314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017158539A Active JP6545762B2 (ja) | 2016-10-24 | 2017-08-21 | 光電子システムおよびその製作のための方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10403786B2 (ja) |
JP (1) | JP6545762B2 (ja) |
GB (1) | GB2555398B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2601172A (en) | 2020-11-20 | 2022-05-25 | Toshiba Kk | An optical module, a system, a sending unit, a receiving unit, and a quantum communication system |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6917056B2 (en) * | 2001-01-31 | 2005-07-12 | Shipley Company, L.L.C. | Optoelectronic submount having an on-edge optoelectronic device |
JP2015191054A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 日本電気株式会社 | 光導波路型モジュール装置および製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2208943B (en) * | 1987-08-19 | 1991-07-31 | Plessey Co Plc | Alignment of fibre arrays |
GB2356463B (en) * | 1999-11-16 | 2003-06-25 | Marconi Electronic Syst Ltd | Method of alignment in an optoelectronic assembly |
US6665476B2 (en) * | 2000-09-29 | 2003-12-16 | Sarnoff Corporation | Wavelength selective optical add/drop multiplexer and method of manufacture |
JP3712934B2 (ja) * | 2000-11-01 | 2005-11-02 | 株式会社日立製作所 | 光導波路部材、その製造方法及び光モジュール |
JP2003209324A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子及びその製造方法 |
JP2008015336A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Fujitsu Ltd | 回路基板及び半導体デバイスの光結合方法 |
JP4503064B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2010-07-14 | 日東電工株式会社 | 光導波路デバイスの製法およびそれによって得られる光導波路デバイス、並びにそれに用いられる光導波路接続構造 |
US8791405B2 (en) * | 2009-12-03 | 2014-07-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical waveguide and coupler apparatus and method of manufacturing the same |
GB2478602B (en) * | 2010-03-12 | 2014-09-03 | Toshiba Res Europ Ltd | A semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device |
US8818144B2 (en) * | 2011-01-25 | 2014-08-26 | Tyco Electronics Corporation | Process for preparing an optical interposer for waveguides |
JP5957856B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2016-07-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体集積素子 |
GB2539017B (en) | 2015-06-03 | 2019-12-18 | Toshiba Res Europe Limited | An optical measuring device |
GB2555100B (en) * | 2016-10-14 | 2020-07-08 | Toshiba Res Europe Limited | A photon source and a method of fabricating a photon source |
-
2016
- 2016-10-24 GB GB1617922.8A patent/GB2555398B/en active Active
-
2017
- 2017-08-21 JP JP2017158539A patent/JP6545762B2/ja active Active
- 2017-08-22 US US15/682,695 patent/US10403786B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6917056B2 (en) * | 2001-01-31 | 2005-07-12 | Shipley Company, L.L.C. | Optoelectronic submount having an on-edge optoelectronic device |
JP2015191054A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 日本電気株式会社 | 光導波路型モジュール装置および製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
BHATTACHARYA ET AL.: "Quantum-Dot Optoelectronic Devices", PROCEEDINGS OF THE IEEE, vol. 95, no. 9, JPN6018029320, 5 September 2007 (2007-09-05), US, pages 1723 - 1740, XP011196527, ISSN: 0003950257, DOI: 10.1109/JPROC.2007.900897 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB201617922D0 (en) | 2016-12-07 |
GB2555398B (en) | 2020-04-08 |
GB2555398A (en) | 2018-05-02 |
US10403786B2 (en) | 2019-09-03 |
US20180114877A1 (en) | 2018-04-26 |
JP6545762B2 (ja) | 2019-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10439720B2 (en) | FPC-based optical interconnect module on glass interposer | |
US10761279B2 (en) | Method of producing a device for adiabatic coupling between waveguide arrays, corresponding device, and system | |
KR102497074B1 (ko) | 자가-테스트 기능성을 가진 수직 입사 광검출기 | |
US8358892B2 (en) | Connection structure of two-dimensional array optical element and optical circuit | |
JP7130001B2 (ja) | 一体型コリメーション構造を備えたフォトニックチップ | |
JP6295762B2 (ja) | 光集積回路とその製造方法 | |
JP7293348B2 (ja) | 位相結合されたレーザ装置、および位相結合されたレーザ装置を製造するための方法 | |
US8971678B2 (en) | Spacer resin pattern helping to reduce optical coupling loss in optical waveguide for light-emitting element or light-receiving element on semiconductor | |
JP2018189875A (ja) | 光接続構造およびその形成方法 | |
JP6015340B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP6545762B2 (ja) | 光電子システムおよびその製作のための方法 | |
JP2002374045A (ja) | 異なる波長に対応する複数の異なる長さの共振空洞を有する光学装置 | |
CN111103658A (zh) | 用于光学耦合的设备及用于通信的系统 | |
JP6730583B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
US11119280B2 (en) | Grating couplers and methods of making same | |
JP6033770B2 (ja) | ナノチューブ電気−光学部品、該部品を組み込んだ光電子または光リンクベースのハイブリッド集積回路、および作成方法 | |
JP5750132B2 (ja) | 集積型光回路素子および集積型光回路素子の作製方法 | |
JP2006332253A (ja) | 光電変換素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190307 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190619 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6545762 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |