JP2018072411A - 光偏向器及びこれを用いた光偏向パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】光学窓を有する光偏向パッケージに実装した場合、光学窓の上面からの反射光によるミラーからの偏向光の投射映像への妨害を少なくすることができる光偏向器を提供する。
【解決手段】アウタ圧電アクチュエータ6bの各圧電カンチレバー6b−1、6b−2、6b−3、6b−4は、非駆動時においても、屈曲している。従って、非駆動時においてミラー1は基準面を構成するアウタフレーム5に対して傾斜している。非駆動時にアウタ圧電アクチュエータ6bを屈曲状態にするために、奇数番目圧電カンチレバー6b−1、6b−3の残留応力と偶数番目圧電カンチレバー6b−2、6b−4の残留応力とを相異ならせる。たとえば、奇数番目圧電カンチレバー6b−1、6b−3の層間絶縁層を圧縮応力発生用の酸化シリコン(SiO2)で形成し、偶数番目圧電カンチレバー6b−2、6b−4の層間絶縁層を引張応力発生用の窒化シリコン(Si3N4)で形成する。
【選択図】 図4
【解決手段】アウタ圧電アクチュエータ6bの各圧電カンチレバー6b−1、6b−2、6b−3、6b−4は、非駆動時においても、屈曲している。従って、非駆動時においてミラー1は基準面を構成するアウタフレーム5に対して傾斜している。非駆動時にアウタ圧電アクチュエータ6bを屈曲状態にするために、奇数番目圧電カンチレバー6b−1、6b−3の残留応力と偶数番目圧電カンチレバー6b−2、6b−4の残留応力とを相異ならせる。たとえば、奇数番目圧電カンチレバー6b−1、6b−3の層間絶縁層を圧縮応力発生用の酸化シリコン(SiO2)で形成し、偶数番目圧電カンチレバー6b−2、6b−4の層間絶縁層を引張応力発生用の窒化シリコン(Si3N4)で形成する。
【選択図】 図4
Description
本発明はたとえば映像投射装置用の光偏向器及びこれを用いた光偏向パッケージに関する。
近年、ピコプロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ(HMD)ユニット、ヘッドアップディスプレイ(HUD)ユニット等の映像投射装置として光源からの光を光偏向パッケージを用いて偏向させてスクリーン上に映像を投射するものがある。
図9は、従来の光偏向パッケージの分解斜視図(参照:特許文献1の図7の(b))、図10は図9の光偏向パッケージを用いた映像投射装置の斜視図である。
図9において、光偏向パッケージ100は、凹部101aが形成された基板101と、基板101の凹部101aに実装されたマイクロエレクトニクロメカニカルシステム(MEMS)光偏向器102と、光偏向器102上の基板101の凹部101aを封止する平面状ガラスよりなる光学窓103とによって構成される。この場合、光学窓103は光偏向器102の信頼性向上のために存在する。また、光偏向器102のミラー102aは非駆動状態(静止状態)で光学窓103と平行となっている。
図10において、光偏向パッケージ100は光源200からの光Lを偏向してその偏向光L1をスクリーン300上で2次元的に走査する。従って、光利用効率が高い。詳細には、光源200からの光Lのうち偏向光L1は光学窓103を通過して光偏向器102のミラー102aによって反射され再び光学窓103を通過してスクリーン300上に投射映像Fを投射する。尚、図10の光偏向パッケージ100において、基板101は省略してある。
しかしながら、上述の図10の映像投射装置においては、光偏向器102の非駆動状態(静止状態)のミラー102aと光学窓103とは平行とされているので、図10に示すごとく、光源200からの光Lのうち光学窓103の上面での反射光L2がスクリーン300の投射映像Fのほぼ中心位置に輝点Bとして現れ、この結果、この輝点Bによって投射画像Fが妨害されるという課題がある。
尚、光学窓を基板に対してつまり光偏向器の非駆動状態(静止状態)のミラーに対して傾斜させる光偏向パッケージがある(参照:特許文献2)。これにより、光源からの光のうち偏向光による投射映像から光学窓の上面での反射光を分離させ、従って、投射映像から反射光による輝点を排除し、この結果、反射光の輝点による投射映像への妨害を防止できる。しかしながら、この場合には、光学窓の加工工程及び基板への実装工程が複雑化して製造コストの上昇を招く。
上述の課題を解決するために、本発明に係る光偏向器は、ミラーと、ミラーを囲む可動インナフレームと、可動インナフレームとミラーとの間に結合され、ミラーを第1の軸回りに揺動させるための第1のアクチュエータと、可動インナフレームを囲む固定アウタフレームと、固定アウタフレームと可動インナフレームとの間に結合され、可動インナフレームを介してミラーを第2の軸回りに揺動させるための第2のアクチュエータとを具備し、非駆動時のミラーは固定アウタフレームに対して傾斜状態となっているものである。
また、本発明に係る光偏向パッケージは、凹部が形成された基板と、基板の凹部に実装された上述の光偏向器と、光偏向器上の基板の凹部を封止するための光学窓とを具備し、光学窓の上面は基板の凹部の底面に対して平行であるものである。
本発明によれば、非駆動時のミラーは固定アウタフレームに対して傾斜しているので、光偏向パッケージに実装した場合には、非駆動時のミラーは光学窓に対して傾斜することになる。従って、映像投射装置に適用した場合、光学窓の上面での反射光は偏向光の投射映像から外れるので、投射映像が上記反射光によって妨害されることはなくなる。
図1は本発明に係る光偏向器の実施の形態を示す斜視図である。
図1において、2次元光偏向器10は、表面に光源(図示せず)からのたとえばレーザ光を反射する反射層1aを有する円形ミラー1と、ミラー1のX軸方向に沿って結合された1対のトーションバー2a、2bと、ミラー1及びトーションバー2a、2bを囲む可動のインナフレーム(可動支持フレーム)3と、トーションバー2a、2b間に結合されインナフレーム3の内側結合部3aによって支持された半リング状のインナ圧電アクチュエータ4aと、トーションバー2a、2b間に結合されインナフレーム3の内側結合部3bによって支持された半リング状のインナ圧電アクチュエータ4bとによって構成される。この場合、インナフレーム3はインナ圧電アクチュエータ4a、4bに沿った円状の内周及び矩形状の外周を有する。インナ圧電アクチュエータ4aの屈曲方向とインナ圧電アクチュエータ4bの屈曲方向とは反対方向であり、この結果、インナ圧電アクチュエータ4a、4bはミラー1をX軸回りに揺動させるためのカンチレバーの作用をする。
また、光偏向器10は、光偏向器10の基準面を構成する固定のアウタフレーム(固定支持フレーム)5及びアウタフレーム5の結合部5a、5bとインナフレーム3の外側結合部3c、3dとの間に結合された1対のミアンダ状(蛇腹状)のアウタ圧電アクチュエータ6a、6bを含む。アウタ圧電アクチュエータ6aの屈曲方向とアウタ圧電アクチュエータ6bの屈曲方向とは同一方向であり、この結果、アウタ圧電アクチュエータ6a、6bはミラー1をY軸回りに揺動させるためのカンチレバーの作用をする。
詳細には、アウタ圧電アクチュエータ6aはアウタフレーム5の結合部5aからインナフレーム3の外側結合部3cに向って直列にミアンダ状(蛇腹状)に接続されX軸方向に並列に配列された圧電カンチレバー6a−1、6a−2、6a−3、6a−4を有する。同様に、アウタ圧電アクチュエータ6bはアウタフレーム5の結合部5bからインナフレーム3の外側結合部3dに向って直列にミアンダ状(蛇腹状)に接続されX軸方向に並列に配列された圧電カンチレバー6b−1、6b−2、6b−3、6b−4を有する。
インナ圧電アクチュエータ4a、4bには、図2の(A)、(B)に示すたとえば共振周波数fxの互いに逆位相の正弦波電圧Vxa、Vxbが電極パッドPを介して印加される。これにより、ミラー1はX軸回りに揺動する。
他方、アウタ圧電アクチュエータ6a、6bには、図2の(C)、(D)に示す非共振周波数fyの互いに逆位相の鋸歯波電圧Vy1、Vy2が電極パッドPを介して印加される。具体的には、鋸歯波電圧Vy1はアウタ圧電アクチュエータ6a、6bの奇数番目圧電カンチレバー6a−1、6a−3;6b−1、6b−3に印加され、鋸歯波電圧Vy2はアウタ圧電アクチュエータ6a、6bの偶数番目圧電カンチレバー6a−2、6a−4;6b−2、6b−4に印加される。たとえば図3のアウタ圧電アクチュエータ6bに示すごとく、奇数番目圧電カンチレバー6b−1、6b−3は下方向Dに屈曲し、偶数番目圧電カンチレバー6b−2、6b−4は上方向Uに屈曲する。図示しないアウタ圧電アクチュエータ6aも同様である。この結果、ミラー1がY軸回りに揺動する。
アウタ圧電アクチュエータ6bの各圧電カンチレバー6b−1、6b−2、6b−3、6b−4は、非駆動時においても、図4の(A)に示すごとく、屈曲している。尚、アウタ圧電アクチュエータ6aの圧電カンチレバー6a−1、6a−2、6a−3、6a−4も同様である。従って、非駆動時においてミラー1は基準面を構成するアウタフレーム5に対して傾斜している。これにより、後述のごとく、光偏向パッケージに実装されたときに、光偏向器10からの偏向光による投射映像を光学窓からの反射光から分離できる。これに対し、従来は、図4の(B)に示すごとく、各圧電カンチレバー6b−1、6b−2、6b−3、6b−4は屈曲していない。このため、光偏向パッケージに実装されたとき、上述のごとく、光偏向器からの偏向光による投射映像と光学窓からの反射光とを分離できない。
非駆動時にアウタ圧電アクチュエータ6bを屈曲状態にするために、奇数番目圧電カンチレバー6b−1、6b−3の残留応力と偶数番目圧電カンチレバー6b−2、6b−4の残留応力とを相異ならせる。たとえば、奇数番目圧電カンチレバー6b−1、6b−3の層間絶縁層を圧縮応力発生用の酸化シリコン(SiO2)で形成し、偶数番目圧電カンチレバー6b−2、6b−4の層間絶縁層を引張応力発生用の窒化シリコン(Si3N4)で形成する。尚、酸化シリコンと窒化シリコンとを逆にしてもよい。
図1の光偏向器10の製造方法を図5を参照して説明する。
始めに、単結晶シリコンサポート層(ハンドル層ともいう)501、酸化シリコン中間層(埋込層、ボックス層ともいう)502及び単結晶シリコン活性層(デバイス層ともいう)503よりなるSOI(Silicon−On−Insulator)構造を準備する。次いで、単結晶シリコンサポート層501及び単結晶シリコン活性層503を熱酸化して酸化シリコン層504及び酸化シリコン層505を形成する。
次に、酸化シリコン層505上に、インナ圧電アクチュエータ4a、4b、圧電カンチレバー6a−1、6a−2、6a−3、6a−4;6b−1、6b−2、6b−3、6b−4を形成する。すなわち、スパッタリング法による約50nmのTi及びその上の約150nmのPtよりなるTi/Pt下部電極層506、アーク放電反応性イオンプレーティング(ADRIP)法による約3μmのチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)層507、及びスパッタリング法による約150nmのTi上部電極層508を形成する。
次に、上部電極層508、PZT層507をフォトリソグラフィ及びエッチング法によってパターン化し、次いで、下部電極層506及び酸化シリコン層505をフォトリソグラフィ及びエッチング法によってパターン化する。
次に、プラズマ化学的気相析出(PCVD)法により約500nmの層間酸化シリコン層509を形成する。次いで、層間酸化シリコン層509のうち偶数番目圧電カンチレバー6a−2、6a−4;6b−2、6b−4の領域をフォトリソグラフィ及びドライエッチング法により除去し、当該領域にPCVD法により約500nmの層間窒化シリコン層509’を形成する。
次に、フォトリソグラフィ及びドライエッチング法により層間酸化シリコン層509及び層間窒化シリコン層509’にコンタクトホールを開孔する。このコンタクトホールはインナ圧電アクチュエータ4a、4b、圧電カンチレバー6a−1、6a−2、6a−3、6a−4;6b−1、6b−2、6b−3、6b−4及び電極パッドPに相当する。
次に、フォトリソグラフィ、スパッタリング及びソフトオフ法によりAlCu(1%Cu)よりなる配線層510を形成する。配線層510はインナ圧電アクチュエータ4a、4b及び圧電カンチレバー6a−1、6a−2、6a−3、6a−4;6b−1、6b−2、6b−3、6b−4並びにこれらの電極パッドPの上部電極層308間を電気的に接続する。
次に、フォトリソグラフィ及びドライエッチング法により酸化シリコン層504をエッチングし、インナフレーム3、アウタフレーム5及び補強リブ7の領域のみに酸化シリコン層504を残す。
次に、酸化シリコン層504をエッチングマスクとしてドライエッチング法により単結晶シリコンサポート層501をエッチングする。次いで、単結晶シリコンサポート層501をエッチングマスクとしてウェットエッチング法により酸化シリコン層502をエッチングする。
最後に、蒸着法によりAl反射層511を単結晶シリコン活性層503上に形成し、フォトリソグラフィ及びエッチング法によりAl反射層511をパターン化し、これにより、光偏向器は完成する。
図6は図1の光偏向器の非駆動時のシミュレーション結果を示し、(A)は斜視図、(B)はアウタ圧電アクチュエータ6b側からの右側面図である。シミュレーションソフトはOpen EngineeringのOofelie-Multiphysics V4.4(商標)である。
図6に示すように、奇数番目圧電カンチレバー6a−1、6a−3;6b−1、6b−3はその上部の層間酸化シリコン層509の圧縮応力のために上側へ屈曲し、他方、偶数番目圧電カンチレバー6a−2、6a−4;6b−2、6b−4はその上部の層間窒化シリコン層509’の引張応力のために下側へ屈曲する。この結果、ミラー1は非駆動時に基準面を構成するアウタフレーム5に対して傾斜状態となる。従って、ミラー1を揺動させると、ミラー1の揺動中心は非駆動時の傾斜位置となる。
尚、上述の実施の形態においては、奇数番目圧電カンチレバー6a−1、6a−3;6b−1、6b−3の残留応力たとえば圧縮応力と偶数番目圧電カンチレバー6a−2、6a−4;6b−2、6b−4の残留応力たとえば引張応力とを使用目的に応じて反対にしてもよい。また、異なる材料の層間絶縁層によって形成して非駆動時のミラー1の傾斜状態を実現しているが、同一材料の層間絶縁層でも製造条件を異ならせることによって実現できる。また、奇数番目圧電カンチレバー6a−1、6a−3;6b−1、6b−3又は偶数番目圧電カンチレバー6a−2、6a−4;6b−2、6b−4のいずれか一方のPZT層を削除し、他方のPZT層に残留応力を持たせることによっても、ミラー1の非駆動時の傾斜状態を実現できる。但し、この場合、ミラー1の駆動は小さくなる。
図7は図1の光偏向器10を実装した光偏向パッケージを示す断面図である。
図7の光偏向パッケージ40においては、たとえば低温同時焼成セラミクス(LTCC)基板20の凹部20aに図1の光偏向器10をAuSn共晶接合層等を用いて実装し、光偏向器10上のLTCC基板20の凹部20aを樹脂接着層等を用いて平面状ガラスよりなる光学窓30で封止する。光学窓30の上面はLTCC基板20の凹部20aの底面つまり基準面を構成するアウタフレーム(図示せず)と平行となっている。従って、非駆動時において、ミラー1はLTCC基板20の凹部20aの底面に対して傾斜状態となる。尚、図7においては、光偏向器10についてミラー1及び圧電カンチレバーのみを図示してある。
図8は図7の光偏向パッケージ40を用いた映像投射装置を示す斜視図である。
図8においては、光偏向パッケージ40は光源50からの光Lを偏向してその偏向光L1をスクリーン60上で2次元的に走査する。このとき、非駆動状態(静止状態)のミラー1は光学窓30に対して傾斜しているので、スクリーン60の投射映像Fの位置は相対的に移動する。図8においては、スクリーン60の投射映像Fの位置は下方へ移動する。他方、光源50からの光Lのうち光学窓30の上面で反射された反射光L2はスクリーン60の投射映像Fから相対的上方に存在する。従って、投射画像Fから反射光L2による輝点Bは排除され、輝点Bによる投射映像Fへの妨害はなくなる。
尚、上述の実施の形態においては、光偏向器のY軸回りのミラーにミアンダ型圧電アクチュエータを用いているが、X軸回りのミラー揺動にミアンダ形状圧電アクチュエータを用いることもできる。つまり、図1のトーションバー2a、2b及びインナ圧電アクチュエータ4a、4bの代わりに、インナフレーム3からミラー1に向かって直列にミアンダ状(蛇腹状)に接続されY軸方向に並列に配列されたX軸回りの複数の圧電カンチレバーを設ける。この場合には、Y軸回りのミアンダ型圧電アクチュエータの代わりに、非駆動時のミラーの傾斜状態をX軸回りのミアンダ型圧電アクチュエータで実現することもできる。また、この場合には、スクリーンの投射映像は相対的に光学窓の上面からの反射光に対して左方向又は右方向へ移動する。
また、本発明は上述の実施の形態の自明の範囲のいかなる変更にも適用できる。
本発明は、映像投射装置以外に、レーザプリンタ、レーザレーダ、バーコードリーダ、エリアセンサ、タッチパネル等にも利用できる。
1:ミラー
2a、2b:トーションバー
3:インナフレーム
3a、3b:内側結合部
3c、3d:外側結合部
4a、4b:インナ圧電アクチュエータ
5:アウタフレーム
5a、5b:結合部
6a、6b:アウタ圧電アクチュエータ
6a−1、6a−3;6b−1、6b−3:奇数番目圧電カンチレバー
6a−2、6a−4;6b−2、6b−4:偶数番目圧電カンチレバー
7:補強リブ
10:光偏向器
20:LTCC基板
30:光学窓
40:光偏向パッケージ
50:光源
60:スクリーン
100:光偏向パッケージ
101:基板
101a:凹部
102:光偏向器
102a:ミラー
103:光学窓
200:光源
300:スクリーン
501:単結晶シリコンサポート層
502:酸化シリコン中間層
503:単結晶シリコン活性層
504:酸化シリコン層
505:酸化シリコン層
506:Ti/Pt下部電極層
507:PZT層
508:Ti上部電極層
509:層間酸化シリコン層
509':層間窒化シリコン層
510:配線層
L:光
L1:偏向光
L2:反射光
F:投射映像
B:輝点
2a、2b:トーションバー
3:インナフレーム
3a、3b:内側結合部
3c、3d:外側結合部
4a、4b:インナ圧電アクチュエータ
5:アウタフレーム
5a、5b:結合部
6a、6b:アウタ圧電アクチュエータ
6a−1、6a−3;6b−1、6b−3:奇数番目圧電カンチレバー
6a−2、6a−4;6b−2、6b−4:偶数番目圧電カンチレバー
7:補強リブ
10:光偏向器
20:LTCC基板
30:光学窓
40:光偏向パッケージ
50:光源
60:スクリーン
100:光偏向パッケージ
101:基板
101a:凹部
102:光偏向器
102a:ミラー
103:光学窓
200:光源
300:スクリーン
501:単結晶シリコンサポート層
502:酸化シリコン中間層
503:単結晶シリコン活性層
504:酸化シリコン層
505:酸化シリコン層
506:Ti/Pt下部電極層
507:PZT層
508:Ti上部電極層
509:層間酸化シリコン層
509':層間窒化シリコン層
510:配線層
L:光
L1:偏向光
L2:反射光
F:投射映像
B:輝点
Claims (9)
- ミラーと、
前記ミラーを囲む可動インナフレームと、
前記可動インナフレームと前記ミラーとの間に結合され、前記ミラーを第1の軸回りに揺動させるための第1のアクチュエータと、
前記可動インナフレームを囲む固定アウタフレームと、
前記固定アウタフレームと前記可動インナフレームとの間に結合され、前記可動インナフレームを介して前記ミラーを第2の軸回りに揺動させるための第2のアクチュエータと
を具備し、
非駆動時の前記ミラーは前記固定アウタフレームに対して傾斜状態となっている光偏向器。 - 前記第1、第2のアクチュエータの少なくとも一方はミアンダ形状で直列に接続された複数のカンチレバーを具備し、
前記複数のカンチレバーを一方端から他方端へ奇数番目カンチレバーと該奇数番目カンチレバー間の偶数番目カンチレバーとに分類し、
前記奇数番目カンチレバーの残留応力と前記偶数番目カンチレバーの残留応力とは相異なる請求項1に記載の光偏向器。 - 前記奇数番目カンチレバーの層間絶縁層の材料と前記偶数番目カンチレバーの材料とは相異なる請求項2に記載の光偏向器。
- 前記奇数番目カンチレバーの層間絶縁層は酸化シリコンよりなり、前記偶数番目カンチレバーの層間絶縁層は窒化シリコンよりなる請求項3に記載の光偏向器。
- 前記奇数番目カンチレバーの層間絶縁層は窒化シリコンよりなり、前記偶数番目カンチレバーの層間絶縁層は酸化シリコンよりなる請求項3に記載の光偏向器。
- 前記奇数番目カンチレバーの層間絶縁層と前記偶数番目カンチレバーの層間絶縁層とは製造条件の異なる同一材料よりなる請求項2に記載の光偏向器。
- 前記奇数番目カンチレバーは圧電層を有する圧電カンチレバーであり、前記偶数番目カンチレバーは圧電層を有しない非圧電カンチレバーである請求項2に記載の光偏向器。
- 前記奇数番目カンチレバーは圧電層を有しない非圧電カンチレバーであり、前記偶数番目カンチレバーは圧電層を有する圧電カンチレバーである請求項2に記載の光偏向器。
- 凹部が形成された基板と、
前記基板の凹部に実装された請求項1〜8のいずれかに記載の光偏向器と、
前記光偏向器上の前記基板の凹部を封止するための光学窓と
を具備し、
前記光学窓の上面は前記基板の凹部の底面に対して平行である光偏向パッケージ。
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