JP2018064044A - シールドキャップ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】天井部の変形を抑えることができるシールドキャップ及びその製造方法の提供。【解決手段】第１実施形態の電子部品９２を保護するためのシールドキャップ１０は、側壁部１３と天井部１２と仕切り壁１４とからなるキャップ部材１１と、キャップ部材１１上に形成されている導電膜３０とからなる。天井部１２と側壁部１３と仕切り壁１４とで電子部品９２を収容する空間Ｒ１，Ｒ２が形成される。天井部１２は外側領域１２Ｓと内側領域１２Ｎとを有し、外側領域１２Ｓは内側領域１２Ｎを囲んでいる。側壁部１３は天井部１２の外側領域１２Ｓを支えている。仕切り壁１４は天井部１２の内側領域１２Ｎを支えている。天井部１２は側壁部１３及び仕切壁部１４と対向する第１面１１Ｃと反対側の第２面１１Ｂを有していると共に、第１面１１Ｃと第２面１１Ｂとの間に補強材１６を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、基板上の電子部品を保護するシールドキャップに関する。

特許文献１は金属箔テープとその金属箔テープ上に塗布されているポリアミドイミドからなる金属キャップを開示している。

特開２００２−２３７５４２号公報

特許文献１の１８段落と１９段落によれば、金属箔テープの厚みは０．１ｍｍであり、ポリアミドイミドの厚みは１０μｍである。従って、特許文献１の金属キャップの天井部は変形しやすいと考えられる。

本発明の電子部品を保護するためのシールドキャップは、内側領域と前記内側領域を囲む外側領域で形成される天井部と前記外側領域を支える側壁部と前記内側領域を支える仕切り壁とで形成されるキャップ部材と、前記キャップ部材上に形成されている導電膜と、を有する。そして、前記天井部は前記側壁部及び前記仕切り壁と対向する第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有すると共に前記第１面と前記第２面との間に補強材を備え、前記電子部品は、前記天井部と前記側壁部と前記仕切り壁で形成される空間内に収容される。

本発明の電子部品を保護するためのシールドキャップの製造方法は、第１面を有する天井部を形成するための第１プリプレグを準備することと、第３面を有する側壁部及び仕切り壁を形成するための第２プリプレグを準備することと、前記第１面と前記第３面が向かい合うように、前記第２プリプレグ上に前記第１プリプレグを積層することで積層体を形成することと、前記積層体に電子部品を収容するための空間を形成することで、前記側壁部と前記仕切り壁と前記天井部とからなるキャップ部材を形成することと、前記キャップ部材上に導電膜を形成すること、とを有する前記電子部品を保護するためのシールドキャップの製造方法であって、前記天井部は補強材を有する。

（Ａ）本発明の第１実施形態に係るシールドキャップの斜視図（Ｂ）天井部の平面図 シールドキャップの拡大断面図 キャップ部材の拡大断面図 シールドキャップの応用例 シールドキャップの製造工程を示す断面図 シールドキャップの製造工程を示す断面図 シールドキャップの製造工程を示す断面図 シールドキャップの製造工程を示す断面図 シールドキャップの製造工程を示す断面図 （Ａ）導体部の位置関係を示す図（Ｂ）導体部の平面図 導体部の平面図 シールドキャップの変形例

［第１実施形態］
図１（Ａ）に示されるように、第１実施形態のシールドキャップ１０は、キャップ部材１１と、キャップ部材１１上に形成されている導電膜３０とを有する。キャップ部材１１は、天井部１２と側壁部１３と仕切り壁１４とを有する。キャップ部材１１は、ＩＣチップ等の電子部品を保護するための筐体である。従って、キャップ部材１１は電子部品を収容するための空間１１Ａを有している。そして、側壁部１３は空間１１Ａを囲んでいて、天井部１２は空間１１Ａを覆っている。図１では、側壁部１３は空間１１Ａを完全に囲んでいて、天井部１２は空間１１Ａを完全に覆っている。そして、仕切り壁１４は空間１１Ａを第１空間Ｒ１と第２空間Ｒ２に分けている。天井部１２と側壁部１３と仕切り壁１４で空間Ｒ１，Ｒ２が形成されている。図２に示されるように、第１空間Ｒ１と第２空間Ｒ２の少なくとも１つの空間に電子部品９２が収容される。全ての空間Ｒ１，Ｒ２内に電子部品９２を収容することができる。

図２に示されるように、天井部１２は空間１１Ａ，Ｒ１，Ｒ２や電子部品９２の上面ＵＳと対向する第１面１１Ｃと第２面１１Ｂとを有する。第２面１１Ｂは第１面１１Ｃの反対側の面である。第１面１１Ｃと第２面１１Ｂは略平行に形成されている。また、図１（Ｂ）に示されるように、天井部１２は内側領域１２Ｎと外側領域１２Ｓを有し、外側領域１２Ｓは内側領域１２Ｎを囲んでいる。

側壁部１３は第１面１１Ｃと対向する第３面１１Ｄと第３面１１Ｄと反対側の第４面１１Ｅとを有する。側壁部１３は、第３面１１Ｄと第４面１１Ｅとの間に第５面１１Ｆと第５面１１Ｆと反対側の第６面１１Ｇを有している。第５面１１Ｆは空間１１Ａと対向している。第１面１１Ｃと第３面１１Ｄは略平行な関係を有している。そして、側壁部１３は天井部１２の第１面１１Ｃ下に形成されている。また、側壁部１３は天井部１２の外側領域１２Ｓを支えている。側壁部１３は天井部１２の外周に繋がっている。

仕切り壁１４は第１面１１Ｃと対向する第３面１１Ｄと第３面１１Ｄと反対側の第４面１１Ｅとを有する。仕切り壁１４は、第３面１１Ｄと第４面１１Ｅとの間に第７面１１Ｈと第７面１１Ｈと反対側の第８面１１Ｊを有している。第７面１１Ｈは第１空間Ｒ１を向いていて、第８面１１Ｊは第２空間Ｒ２を向いている。第１面１１Ｃと第３面１１Ｄは略平行な関係を有している。そして、仕切り壁１４は天井部１２の第１面１１Ｃ下に形成されている。また、仕切り壁１４は天井部１２の内側領域１２Ｎを支えている。仕切り壁１４は対向する側壁部１３の第５面１１Ｆ，１１Ｆ間を連絡している。これにより、仕切り壁１４は空間１１Ａを第１空間Ｒ１と第２空間Ｒ２に分離している。

天井部１２は厚みｔ１を有する。例えば、厚みｔ１は５０μｍ以上、３００μｍ以下である。

図２に示されるように、天井部１２は樹脂１７と補強材１６で形成されている。天井部１２は第１面１１Ｃと第２面１１Ｂとの間に補強材１６を有している。天井部１２が補強材１６を有しているので、天井部１２の強度が高い。従って、天井部１２の変形を抑えることができる。

天井部１２の樹脂１７は、例えばエポキシである。エポキシ以外の樹脂の例は、ポリイミドやフェノールである。天井部１２の補強材１６の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維である。ガラスクロスが好ましい。

図２では、補強材１６は１枚のガラスクロスである。しかしながら、天井部１２は複数のガラスクロスを有しても良い。補強材１６が１枚の場合、補強材１６は天井部１２の厚さ方向の略中央に配置される。

図３に示されるように、側壁部１３は厚みｔ２を有する。側壁部１３の厚みｔ２は、天井部１２の厚みｔ１と略同一である。また、側壁部１３の厚みｔ２は、側壁部１３の高さｈ１（第３面１１Ｄと第４面１１Ｅとの間の距離）の１／５倍以下である。

側壁部１３は、天井部１２と同様に、樹脂１７と補強材１６で形成される。側壁部１３の樹脂１７の例は、天井部１２の樹脂１７の例と同様である。側壁部１３の補強材１６の例は、天井部１２の補強材１６の例と同様である。なお、側壁部１３の樹脂１７は、天井部１２の樹脂１７と異なっていてもよい。側壁部１３の補強材１６は、天井部１２の補強材１６と異なっていてもよい。

図３に示されるように、仕切り壁１４は厚みｔ３を有する。図３では、厚みｔ３は、天井部１２の厚みｔ１と略同一である。また、厚みｔ３は、側壁部１３の厚みｔ２と略同一である。仕切り壁１４の高さｈ２（第３面１１Ｄと第４面１１Ｅとの間の距離）は側壁部１３の高さｈ１と略同一である。

図２に示されるように、仕切り壁１４は側壁部１３と同様の構造であり、樹脂１７と補強材１６で形成される。

キャップ部材１１の面１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇ，１１Ｈ，１１Ｊのうち、外を向いている第２面１１Ｂと第６面１１Ｇ上に導電膜３０が形成されていることが好ましい。また、仕切り壁１４の第７面１１Ｈ上又は第８面１１Ｊ上の少なくともどちらか一方に導電膜３０が形成されていることが好ましい。なお、導電膜３０は第７面１１Ｈ上と第８面１１Ｊ上の両方に形成されてもよい。導電膜３０はめっきで形成され、第２面１１Ｂ上の導電膜３０と第６面１１Ｇ上の導電膜３０は同時に形成されることが好ましい。導電膜３０は、さらに、空間１１Ａを向いている第１面１１Ｃと第５面１１Ｆ上に形成されてもよい。さらに、導電膜３０は第４面１１Ｅ上に形成されてもよい。導電膜３０は各面１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇ，１１Ｈ，１１Ｊを完全に覆うことが好ましい。その場合、各面１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇ，１１Ｈ，１１Ｊ上の導電膜３０は同時に形成される。導電膜３０を形成することで、シールドキャップ１０内に収容される電子部品９２のシールド効果を高くすることができる。導電膜３０は開口を有しても良い。

天井部１２の第２面１１Ｂ上に第２金属層２０を形成することができる。第２面１１Ｂの略全面が第２金属層２０で覆われる。例えば、第２金属層２０は第２金属箔から形成される。導電膜３０は第２金属層２０上に形成され、第２金属層２０は第２面１１Ｂと導電膜３０で挟まれる。

側壁部１３及び仕切り壁１４の第４面１１Ｅ上に第３金属層２１を形成することができる。第４面１１Ｅの略全面が第３金属層２１で覆われる。例えば、第３金属層２１は第３金属箔から形成される。導電膜３０は第３金属層２１上に形成され、第３金属層２１は第４面１１Ｅと導電膜３０で挟まれる。

天井部１２の第１面１１Ｃのうち、空間１１Ａを覆う部分に第１金属層２２が形成されている。例えば、第１金属層２２は第１金属箔から形成される。第１金属層２２は、天井部１２の第１面１１Ｃと側壁部１３の第３面１１Ｄとの間まで延びても良い。図２では第１金属層２２は仕切り壁１４の第３面１１Ｄを完全に覆っている。第１金属層２２は第１面１１Ｃと第３面１１Ｄで挟まれている部分（第１金属層２２の第１部分２２Ａ）と第１空間Ｒ１及び第２空間Ｒ２上の第１面１１Ｃ上に形成されている部分（第１金属層２２の第２部分２２Ｂ）で形成される。第１金属層２２の第１部分２２Ａと第１金属層２２の第２部分２２Ｂは連続している。第１金属層２２は側壁部１３の第３面１１Ｄを部分的に覆うことが好ましい。それにより、天井部１２の第１面１１Ｃと側壁部１３の第３面１１Ｄが天井部１２の樹脂１７と側壁部１３の樹脂１７を介して接合される。これにより、天井部１２と側壁部１３が強く接合される。また、第１金属層２２は仕切り壁１４の第３面１１Ｄを部分的に覆うことが好ましい。その場合、天井部１２の第１面１１Ｃと仕切り壁１４の第３面１１Ｄが、天井部１２の樹脂１７と仕切り壁１４の樹脂１７を介して接合される。これにより、天井部１２と仕切り壁１４が強く接合される。第１金属層２２は第１面１１Ｃと導電膜３０で挟まれる。なお、第１金属層２２の第１部分２２Ａは側壁部１３の第３面１１Ｄを完全に覆っても良い。第１金属層２２の第１部分２２Ａは仕切り壁１４の第３面１１Ｄを完全に覆っても良い。各金属層２０、２１、２２を形成するための金属箔の例は、銅箔やニッケル箔やアルミニウム箔である。銅箔が好ましい。

第５面１１Ｆ上に導電膜３０が形成される場合、導電膜３０は第５面１１Ｆの直上に形成される。第６面１１Ｇ上に導電膜３０が形成される場合、導電膜３０は第６面１１Ｇの直上に形成される。第７面１１Ｈ上に導電膜３０が形成される場合、導電膜３０は第７面１１Ｈの直上に形成される。第８面１１Ｊ上に導電膜３０が形成される場合、導電膜３０は第８面１１Ｊの直上に形成される。導電膜３０は無電解めっき膜３１と無電解めっき膜３１上の電解めっき膜３２で形成される。無電解めっき膜３１と電解めっき膜３２は、例えば、銅めっき膜で形成される。なお、導電膜３０は無電解めっき膜３１のみで形成することができる。

第２面１１Ｂに垂直な光で第３金属層２１が第２面１１Ｂに投影されると、側壁部１３の第４面１１Ｅ上の第３金属層２１の形はフレーム形状である。仕切り壁１４の第４面１１Ｅ上の第３金属層２１の形は例えば矩形である。第２面１１Ｂに垂直な光で第１金属層２２が第２面１１Ｂに投影されると、第１金属層２２の形は例えば四角形である。

図２に示されるように、導電膜３０は、厚みｔ３を有する。各金属層２０、２１、２２は厚みｔ４を有する。各金属層２０、２１、２２の厚みは異なっても良い。天井部１２の第１面１１Ｃ上に形成されている導電膜３０の厚みｔ３と第１金属層２２の厚みｔ４との合計は厚みｔ５である。天井部１２の第２面１１Ｂ上に形成されている導電膜３０の厚みｔ３と第２金属層２０の厚みｔ４との合計は厚みｔ６である。厚みｔ５と厚みｔ６との和は和ｔ７である。和ｔ７は天井部１２の厚みｔ１より小さい。和ｔ７を小さくすることで、シールドキャップ１０の高さを小さくすることができる。和ｔ７と厚みｔ１との比（ｔ７／ｔ１）は０．０５以上、０．４以下であることが好ましい。天井部１２の比重が小さくなる。天井部１２の重さが軽くなる。天井部１２の撓みを抑えることができる。厚みｔ１は天井部１２を挟む導体間の距離である。図２では、厚みｔ１は第１金属層２２と第２金属層２０との間の距離である。

第１実施形態のシールドキャップ１０の応用例１１０が図４に示される。応用例１１０は、プリント配線板９０とプリント配線板９０上に実装されている半導体チップ等の電子部品９２，９２と電子部品９２，９２を保護する第１実施形態のシールドキャップ１０で形成されている。電子部品９２の例はＣＰＵやメモリである。シールドキャップ１０は、電子部品９２，９２が各空間Ｒ１，Ｒ２内に収容されるように、プリント配線板９０に固定される。側壁部１３の第４面１１Ｅが接着剤でプリント配線板９０に固定される。また、仕切り壁１４の第４面１１Ｅを接着剤でプリント配線板９０に固定することができる。接着剤の例は、半田や樹脂製の接着剤、導電性ペーストである。

第１実施形態のシールドキャップ１０は、図２に示されるように、第１導電膜３０１（第１面１１Ｃと第５面１１Ｆと第７面１１Ｈと第８面１１Ｊ上に形成されている導電膜３０）と第２導電膜３０２（第２面１１Ｂと第６面１１Ｇ上に形成されている導電膜３０）とを有する。それによって、電子部品９２が二重に覆われている。高いシールド効果が期待される。また、天井部１２の第１面１１Ｃ上に第１金属層２２が形成されていることによって、さらにシールド効果を高めることができる。シールドキャップ１０内の電子部品９２は、天井部１２に至る電磁波から大きな影響を受けると考えられる。例えば、天井部１２の第２面１１Ｂ上に第２金属層２０と導電膜３０が形成される。これにより、導電性材料からなる層の厚みｔ６が厚くなる。従って、天井部１２を通り抜ける電磁波の量を小さくすることができる。なお、放熱性も高くなる。

第１導電膜３０１と第２導電膜３０２は、側壁部１３の第４面１１Ｅ上の導電膜３０、または、第３金属層２１で繋げられる。それらは両方で繋げられても良い。そのため、シールド性や放熱性が改善される。

第３金属層２１は金属箔から形成される。キャップ部材１１の第４面１１Ｅに金属箔からなる第３金属層２１が形成されると、プリント配線板９０に接合される面（シールドキャップ１０の下面）１０Ｂの平坦度を高くすることができる。これにより、プリント配線板９０とシールドキャップ１０の下面１０Ｂとの間に隙間が生じ難い。下面１０Ｂは図２に示されている。また、シールドキャップ１０が半田でプリント配線板に固定されると、第４面１１Ｅ上の導電膜３０が半田内に拡散することがある。しかしながら、第４面１１Ｅ上に第３金属層２１が存在すると、半田でシールドキャップ１０をプリント配線板９０に確実に接合することができる。

シールドキャップ１０は仕切り壁１４を有している。そのため、１つのシールドキャップ１０内に複数の電子部品９２，９２が収容されても、電子部品９２，９２同士の干渉を防ぐことができる。このとき第７面１１Ｈと第８面１１Ｊ上の両方に導電膜３０が形成されていると、シールド効果を高くすることができる。第１実施形態では、仕切り壁１４により、空間１１Ａが完全に第１空間Ｒ１と第２空間Ｒ２に分けられている。そのため、シールド効果を高くすることができる。シールドキャップ１０は仕切り壁１４を有する。そのため、シールドキャップ１０の天井部１２が側壁部１３と仕切り壁１４で支えられる。それにより、天井部１２の撓みを抑えることができる。また、第１実施形態の仕切り壁１４は天井部１２の略中央部分に配置されている。天井部１２の中央部分の変形量が最も大きくなると考えられる。第１実施形態では、中央部分を仕切り壁１４で支えることができる。天井部１２の全体の変形量を小さくすることができる。

さらに、天井部１２と側壁部１３と仕切り壁１４が補強材１６を有するので、天井部１２と側壁部１３と仕切り壁１４の強度が高い。これにより、天井部１２の撓みをより抑えることができる。

第１実施形態のシールドキャップ１０の製造方法の例が以下に示される。
（１）図５に示されるように、両面銅張積層板１００が準備される。両面銅張積層板１００は、第１絶縁層１０１と、第１絶縁層１０１を挟む第１金属箔としての銅箔１０２Ａと、銅箔１０２Ｂと、を有する。第１絶縁層１０１は、第３面１１Ｄと第３面１１Ｄと反対側の第９面１０１Ｂと、を有する。銅箔１０２Ａは、第１絶縁層１０１の第３面１１Ｄ上に積層されている。銅箔１０２Ｂは、第１絶縁層１０１の第９面１０１Ｂ上に積層されている。第１絶縁層１０１は複数の補強材１６と樹脂１７で形成されている。第１絶縁層１０１は第２プリプレグから形成されている。

（２）次いで、図６に示されるように、サブトラクティブ法で銅箔１０２Ａから第３面１１Ｄ上に第１金属層２２が形成される。また、銅箔１０２Ｂは全て除去される。

（３）次いで、図７に示されるように、第３面１１Ｄと第１金属層２２上に第１プリプレグが重ねられる。さらに、第２金属箔としての銅箔１０４Ａが第１プリプレグ上に重ねられる。第９面１０１Ｂ上に第３プリプレグが重ねられる。さらに、第３金属箔としての銅箔１０４Ｂが第３プリプレグ上に重ねられる。その後、加熱プレスで第３面１１Ｄ上の第１プリプレグから第２面１１Ｂと第２面１１Ｂと反対側の第１面１１Ｃを有する第２絶縁層１０３Ａが形成される。第１面１１Ｃと第３面１１Ｄが対向する。第９面１０１Ｂ上の第３プリプレグから第１０面１０６Ｂと第１０面１０６Ｂと反対側の第４面１１Ｅとを有する第３絶縁層１０３Ｂが形成される。第１０面１０６Ｂと第９面１０１Ｂが対向する。これにより、第３面１１Ｄと第１金属層２２上に第２絶縁層１０３Ａと銅箔１０４Ａが順に形成される。第９面１０１Ｂ上に第３絶縁層１０３Ｂと銅箔１０４Ｂが順に形成される。第１絶縁層１０１と第２絶縁層１０３Ａと第３絶縁層１０３Ｂと第１金属層２２と銅箔１０４Ａ、１０４Ｂで形成される積層体が得られる。第３絶縁層１０３Ｂは必須でない。その場合、第９面１０１Ｂは第４面１１Ｅである。そして、銅箔１０４Ｂは第４面１１Ｅ上に直接形成される。第２絶縁層１０３Ａと第３絶縁層１０３Ｂは、１枚の補強材１６と樹脂１７で形成されている。

（４）次いで、図８に示されるように、サブトラクティブ法で銅箔１０４Ａから第２面１１Ｂ上に第１導体部２０１と第２導体部２０２が形成される。また、図８に示されるように、サブトラクティブ法で銅箔１０４Ｂから第４面１１Ｅ上に第４導体部２１４と第５導体部２１５と第６導体部２１６が形成される。図１１（Ｂ）に第２面１１Ｂ上に形成されている第１導体部２０１と第２導体部２０２の平面形状が示される。例えば、第１導体部２０１は四角形であり、第２導体部２０２で囲まれる。第１導体部２０１と第２導体部２０２の間にスペースＳＰ１が存在している。第１導体部２０１の形と天井部１２の形は略同じである。第１導体部２０１が第２金属層２０に相当する。図１０（Ｂ）に第１金属層２２の平面形状が示される。第１金属層２２は例えば四角形の第３導体部２２３を含む。図１１（Ａ）に第４面１１Ｅ上に形成されている第４導体部２１４と第５導体部２１５と第６導体部２１６の平面形状が示される。例えば、第４導体部２１４の形は矩形であり、第５導体部２１５は枠形状である。第４導体部２１４及び第５導体部２１５が第３金属層２１に相当する。図１１（Ａ）に示されるように、第４導体部２１４は第５導体部２１５の１辺から他の辺に延びている。第４導体部２１４により、第５導体部２１５で囲まれる領域が２つに分けられる。第４導体部２１４と第５導体部２１５により、スペースＳＰ２Ａ（図１１（Ａ）中の左側のスペース）とをスペースＳＰ２Ｂ（図１１（Ａ）中の右側のスペース）が形成される。第５導体部２１５と第６導体部２１６の間にスペースＳＰ３が存在している。スペースＳＰ２Ａから第１空間Ｒ１が形成され、スペースＳＰ２Ｂから第２空間Ｒ２が形成される。図１０（Ａ）は各導体部２０１，２０２，２２３，２１４，２１５，２１６の位置関係を模式的に表している。図１０（Ａ）に示されるように、第４導体部２１４と第５導体部２１５が第３面１１Ｄに垂直な光で、第３面１１Ｄに投影されると、第４導体部２１４は第３導体部２２３に重なる。また、第５導体部２１５は第３導体部２２３に部分的に重なる。第４導体部２１４と第５導体部２１５の間のスペースＳＰ２Ａ，ＳＰ２Ｂは第３導体部２２３と重なる。即ち、第３導体部２２３は、スペースＳＰ２Ａ，ＳＰ２Ｂの上に位置していて、スペースＳＰ２Ａ，ＳＰ２Ｂを完全に覆っている。そして、第３導体部２２３の外周部分は第５導体部２１５上に位置する。図１０（Ａ）に示されるように、第５導体部２１５と第６導体部２１６の間のスペースＳＰ３が第２面１１Ｂに垂直な光で第２面１１Ｂに投影されると、スペースＳＰ３と第１導体部２０１と第２導体部２０２の間のスペースＳＰ１はほぼ重なる。なお、図１０（Ａ）は断面の簡略図である。

（５）次いで、図８に示される矢印の方向から積層体にブラスト処理が行われる。これにより、図９に示されるように、第３絶縁層１０３Ｂ及び第１絶縁層１０１が除去される。第１金属層２２が露出する。仕切り壁１４と第１空間Ｒ１と第２空間Ｒ２が形成される。また、同時に、第１絶縁層１０１と第２絶縁層１０３Ａと第３絶縁層１０３Ｂのうち、スペースＳＰ３とスペースＳＰ１に挟まれている部分が除去される。積層体が切断される。側壁部１３と天井部１２が形成される。これにより、１つのキャップ部材１１が得られる。このとき、第４導体部２１４と第５導体部２１５と第６導体部２１６はマスクとして用いられる。第３導体部２２３はストッパーとして用いられる。これにより、図９に示されるように、各絶縁層１０３Ｂ，１０１，１０３Ａのうち、各導体部２１４，２１５，２１６から露出する各絶縁層１０３Ｂ、１０１、１０３Ａが除去される。一方、各絶縁層１０３Ｂ，１０１，１０３Ａのうち、各導体部２１４，２１５，２１６で覆われている部分は、除去されない。また、スペースＳＰ２Ａ，ＳＰ２Ｂ上に第３導体部２２３が存在している。そのため、第３導体部２２３上の第２絶縁層１０３Ａは除去されない。一方、スペースＳＰ３上に第３導体部２２３が存在しないので、第２絶縁層１０３Ａも除去される。そのため、積層体から１つのキャップ部材１１が得られる。また、第４導体部２１４と第５導体部２１５と第６導体部２１６を形成するためのエッチングレジストは、ブラスト処理後に除去されることが好ましい。これにより、第４導体部２１４と第５導体部２１５と第６導体部２１６がエッチングレジストによって保護されるため、ブラスト処理によって第４導体部２１４と第５導体部２１５と第６導体部２１６の厚みが薄くなることが抑制される。ブラスト処理は、例えばウェットブラスト処理である。なお、レーザーによって積層体が切断されてもよい。この場合、スペースＳＰ１にレーザーが照射される。第１実施形態では積層体の切断はブラスト処理で行われている。そのため、空間Ｒ１，Ｒ２の形成と切断が同時に行われる。工程が簡単である。

（６）次いで、無電解めっき処理が行われ、キャップ部材１１に無電解めっき膜３１が形成される。次いで、電解めっき処理が行われ、キャップ部材１１に電解めっき膜３２が形成される。無電解めっき膜３１と無電解めっき膜３１上の電解めっき膜３２からなる導電膜３０がキャップ部材１１を覆う。図１に示されるシールドキャップ１０が完成する。

キャップ部材１１は積層体の一部を除去することで製造される。そのため、第１実施形態の製造方法によれば、射出成形法やプレス成型法で用いられる金型が不要である。これにより、高い金型費を抑えることができる。製造コストを抑えることができる。製造が簡単になる。なお、図８では、第１導体部２０１と第２導体部２０２との間の領域がスペースＳＰ１に用いられている。しかしながら、第２導体部２０２を削除することができる。その場合、例えば、隣り合うキャップ部材１１，１１の第２金属層２０と第２金属層２０との間をスペースＳＰ１に用いることができる。また、第５導体部２１５と第６導体部２１６との間のスペースＳＰ３を削除することができる。隣り合うキャップ部材１１，１１の第５導体部２１５と第５導体部２１５との間をスペースＳＰ３に用いることができる。

第１実施形態では、シールドキャップ１０が樹脂１７を含む。そして、樹脂１７を含むキャップ部材１１がシールドキャップ１０の主要部分を占める。シールドキャップ１０の主要部分が金属で形成されるとシールドキャップの重さが重くなりやすい。それに対し、第１実施形態では、シールドキャップ１０の重さを小さくすることができる。さらに、第１実施形態では、シールドキャップ１０が補強材を含むので天井部１２の強度が高い。従って、天井部１２の変形を抑えることができる。そして、天井部１２の厚みを小さくすることができる。これにより、さらに、シールドキャップ１０の重さを小さくすることができる。また、シールドキャップ１０が仕切り壁１４を有することで、天井部１２の変形を抑えることができる。そして、天井部１２の厚みを小さくすることができる。これにより、シールドキャップ１０の重さを小さくすることができる。

なお、仕切り壁１４の形状は第１実施形態に限られない。例えば、図１２（Ａ）に示されるように、仕切り壁１４Ｖで空間１１Ａが完全に分離されなくてもよい。また、図１２（Ｂ）に示されるように、仕切り壁１４Ｗの形状が枠形状でもよい。図１２（Ｃ）に示されるように、仕切り壁１４Ｘにより、空間１１Ａが３つ以上の空間に分けられても良い。尚、空間１１Ａは側壁部１３と天井部１２で形成される空間である。

１０，１０Ｖ，１０Ｗ，１０Ｘ シールドキャップ
１１ キャップ部材
１１Ａ，Ｒ１，Ｒ２ 空間
１２ 天井部
１３ 側壁部
１４，１４Ｖ，１４Ｗ，１４Ｘ 仕切り壁
１６ 補強材
１７ 樹脂
２０ 第２金属層
２１ 第３金属層
２２ 第１金属層
３０ 導電膜

Claims (13)

1. 内側領域と前記内側領域を囲む外側領域で形成される天井部と前記外側領域を支える側壁部と前記内側領域を支える仕切り壁とで形成されるキャップ部材と、
   前記キャップ部材上に形成されている導電膜と、を有する電子部品を保護するためのシールドキャップであって、
   前記天井部は前記側壁部及び前記仕切り壁と対向する第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有すると共に、前記第１面と前記第２面との間に補強材を備え、
   前記電子部品は、前記天井部と前記側壁部と前記仕切り壁で形成される空間内に収容される。
2. 請求項１に記載のシールドキャップであって、さらに、前記第１面上に形成されている第１金属層を有し、前記第１金属層は前記空間を覆っている。
3. 請求項１に記載のシールドキャップであって、前記仕切り壁は前記天井部と前記側壁部で形成される空間を第１空間と第２空間に分離している。
4. 請求項２に記載のシールドキャップであって、前記仕切り壁は、対向する前記側壁部を連絡している。
5. 請求項１に記載のシールドキャップであって、前記天井部と前記側壁部と前記仕切り壁は、それぞれ、樹脂と補強材で形成されている。
6. 請求項１に記載のシールドキャップであって、前記側壁部及び前記仕切り壁は、前記天井部と対向する第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有し、さらに、前記第４面上に第３金属層が形成されている。
7. 第１面を有する天井部を形成するための第１プリプレグを準備することと、
   第３面を有する側壁部及び仕切り壁を形成するための第２プリプレグを準備することと、
   前記第１面と前記第３面が向かい合うように、前記第２プリプレグ上に前記第１プリプレグを積層することで積層体を形成することと、
   前記積層体に電子部品を収容するための空間を形成することで、前記側壁部と前記仕切り壁と前記天井部とからなるキャップ部材を形成することと、
   前記キャップ部材上に導電膜を形成することと、を有する前記電子部品を保護するためのシールドキャップの製造方法であって、
   前記天井部は補強材を有する。
8. 請求項７に記載のシールドキャップの製造方法であって、さらに、第１金属箔を準備することと、前記第３面上に前記第１金属箔を積層することと、前記第１金属箔から前記空間を覆う第１金属層を形成することを含む。
9. 請求項８に記載のシールドキャップの製造方法であって、前記第２プリプレグは前記第３面の反対側の第９面を有し、さらに、第１０面と前記第１０面の反対側の第４面とを有する第３プリプレグを準備し、前記第９面と前記第１０面とが向かい合うように前記第２プリプレグ上に前記第３プリプレグを積層することと、第３金属箔を準備することと、前記第４面上に前記第３金属箔を積層することと、前記第３金属箔から前記空間を囲う第３金属層を形成することを含む。
10. 請求項８に記載のシールドキャップの製造方法であって、前記第２プリプレグは前記第３面の反対側の第４面を有し、さらに、第３金属箔を準備することと、前記第４面上に前記第３金属箔を積層することと、前記第３金属箔から前記空間を囲う第３金属層を形成することを含む。
11. 請求項９又は１０に記載のシールドキャップの製造方法であって、前記空間を形成することは、ブラスト処理で行われる。
12. 請求項１１に記載のシールドキャップの製造方法であって、前記ブラスト処理は前記第３金属層の形成後に行われる。
13. 請求項１２に記載のシールドキャップの製造方法であって、前記側壁部を形成することは、前記ブラスト処理で前記積層体を切断することを含む。

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