JP2018060132A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スペーサのサイズの縮小と、スペーサの密着力の低下の抑制とが可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、絶縁膜ＩＦと、絶縁膜ＩＦに形成され絶縁膜ＩＦの表面に開口した凹部ＲＥ１と、凹部ＲＥ１に充填され絶縁膜ＩＦから離れる側に突出した第１スペーサＳＰ１と、を備える。また前記スペーサは、前記絶縁膜に接する第１面と、平面視にて前記第１面の輪郭より小さい輪郭を有し前記絶縁膜から離れた側の第２面と、を備え、テーパ状に形成され、前記スペーサのテーパ面は、第１テーパ面と、第１テーパ面の傾斜角より大きい傾斜角を有し前記第１テーパ面より前記第１面側に位置する第２テーパ面と、を有する。【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

表示装置として、例えば液晶表示装置は、第１基板と第２基板との隙間（セルギャップ）を保持するため、両基板の間にスペーサを備えている。スペーサは、第１基板に設けられ第２基板側に突出している。又は、スペーサは、第２基板に設けられ第１基板側に突出している。
また、画素の高精細化、製造マージンなどに対応するため、スペーサの幅は小さい方が望ましい。しかしながら、スペーサの幅を小さくすると、スペーサの密着力の低下を招いてしまう。このため、スペーサのサイズの縮小と、スペーサの密着力の低下の抑制とは、トレードオフの関係にある。

特開２０１３−５４２６３号公報

本実施形態は、スペーサのサイズの縮小と、スペーサの密着力の低下の抑制とが可能な表示装置を提供する。

一実施形態に係る表示装置は、
絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され前記絶縁膜の表面に開口した凹部と、
前記凹部に充填され前記絶縁膜から離れる側に突出したスペーサと、を備える。
また、一実施形態に係る表示装置は、
絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成されたスペーサと、を備え、
前記スペーサは、前記絶縁膜に接する第１面と、平面視にて前記第１面の輪郭より小さい輪郭を有し前記絶縁膜から離れた側の第２面と、を備え、テーパ状に形成され、
前記スペーサのテーパ面は、第１テーパ面と、第１テーパ面の傾斜角より大きい傾斜角を有し前記第１テーパ面より前記第１面側に位置する第２テーパ面と、を有する。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置を示す斜視図である。 図２は、図１に示した表示パネルの表示領域を示す断面図である。 図３は、上記表示パネルの遮光層及びスペーサの配置例を示す平面図である。 図４は、図３の線ＩＶ−ＩＶに沿った表示パネルを示す断面図である。 図５は、図３の線Ｖ−Ｖに沿った表示パネルを示す断面図である。 図６は、図３乃至図５に示した第１スペーサを示す拡大平面図である。 図７は、第１スペーサと第２スペーサとの間に第１配向膜及び第２配向膜が介在した表示パネルの断面図である。 図８は、上記第１の実施形態の変形例１に係る表示装置の表示パネルの一部を示す拡大平面図であり、第１スペーサ及び凹部を示す図である。 図９は、図８の線ＩＸ−ＩＸに沿った表示パネルを示す断面図である。 図１０は、上記第１の実施形態の変形例２に係る表示装置の表示パネルの一部を示す拡大平面図であり、第１スペーサ及び凹部を示す図である。 図１１は、上記第１の実施形態の変形例３に係る表示装置の表示パネルの一部を示す拡大平面図であり、第１スペーサ及び凹部を示す図である。 図１２は、上記第１の実施形態の変形例４に係る表示装置の表示パネルの一部を示す拡大平面図であり、第１スペーサ及び凹部を示す図である。 図１３は、上記第１の実施形態の変形例５に係る表示装置の表示パネルの一部を示す拡大平面図であり、第１スペーサ、凹部、及び第２スペーサを示す図である。 図１４は、上記第１の実施形態の変形例６に係る表示装置の表示パネルの一部を示す拡大平面図であり、第１スペーサ及び凹部を示す図である。 図１５は、上記第１の実施形態の変形例７に係る表示装置の表示パネルの一部を示す拡大平面図であり、第１スペーサ及び凹部を示す図である。 図１６は、上記第１の実施形態の変形例８に係る表示装置の表示パネルの一部を示す断面図である。 図１７は、上記第１の実施形態の変形例９に係る表示装置の表示パネルの一部を示す断面図である。 図１８は、上記第１の実施形態の変形例１０に係る表示装置の表示パネルの一部を示す断面図である。 図１９は、上記第１の実施形態の変形例１１に係る表示装置の表示パネルの一部を示す断面図である。 図２０は、図１９に示した第１スペーサを示す拡大平面図である。 図２１は、上記第１の実施形態の変形例１２に係る表示装置の表示パネルの一部を示す回路図及び平面図であり、コンタクトホールとスペーサとの位置関係を示した図である。 図２２は、上記第１の実施形態の変形例１３に係る表示装置の表示パネルの一部を示す平面図であり、遮光層とスペーサとの位置関係を示した図である。 図２３は、上記第１の実施形態の変形例１４に係る表示装置の表示パネルの一部を示す平面図であり、遮光層とサブスペーサを含むスペーサとの位置関係を示した図である。 図２４は、図２３に示したＸＸＩＶ−ＸＸＩＶに沿った表示パネルを示す断面図である。 図２５は、第２の実施形態に係る表示装置の表示パネルの一部を示す断面図である。 図２６は、第３の実施形態に係る表示装置の表示パネルの一部を示す断面図である。 図２７は、第４の実施形態に係る表示装置の表示パネルの一部を示す断面図である。 図２８は、第５の実施形態に係る表示装置の表示パネルの一部を示す断面図である。 図２９は、第６の実施形態に係る表示装置の表示パネルの一部を示す断面図である。 図３０は、第７の実施形態に係る表示装置の表示パネルの一部を示す断面図である。 図３１は、第８の実施形態に係る表示装置の表示パネルを示す平面図である。 図３２は、図３１に示したＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩに沿った表示パネルを示す断面図である。 図３３は、第９の実施形態に係る表示装置の表示パネルの一部を示す断面図である。 図３４は、上記第９の実施形態に係る表示パネルの製造工程を説明するための断面図であり、２枚の基板がシール材を介して貼り合せられている状態を示す図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係る表示装置について説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置を示す斜視図である。
図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、表示パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣチップ１、表示パネルＰＮＬを照明する照明装置（バックライトユニット）ＢＬ、表示パネルＰＮＬ及び照明装置ＢＬの動作を制御する制御モジュールＣＭ、表示パネルＰＮＬ及び照明装置ＢＬへ制御信号を伝達する配線基板２，３などを備えている。

本実施形態において、表示パネルＰＮＬは、矩形状に形成されている。第１方向Ｘは、例えば表示パネルＰＮＬの短辺方向である。第２方向Ｙは、第１方向Ｘと交差する方向であり、表示パネルＰＮＬの長辺方向である。また、第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差する方向である。ここでは、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示パネルＰＮＬを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示パネルＰＮＬの厚さ方向に相当する。

表示パネルＰＮＬは、第１基板１００と、第１基板１００に対向配置された第２基板２００と、第１基板１００と第２基板２００との間に保持された液晶層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡ以外の領域である非表示領域ＮＤＡと、を備えている。図示した例では、表示領域ＤＡの形状は、四角形状であるが、他の多角形状であってもよいし、円形状あるいは楕円形状などの他の形状であってもよい。

照明装置ＢＬは、第１基板１００と対向し、表示パネルＰＮＬの背面側に配置されている。このような照明装置ＢＬとしては、種々の形態が適用可能であるが、詳細な構造については説明を省略する。駆動ＩＣチップ１は、第１基板１００の上に実装されている。配線基板１は、表示パネルＰＮＬと制御モジュールＣＭとを接続している。配線基板２は、照明装置ＢＬと制御モジュールＣＭとを接続している。

このような配線基板１，２は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態で適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えていればよい。例えば、本実施形態の配線基板１，２は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であってもよいし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であってもよい。

このような構成の表示装置ＤＳＰは、照明装置ＢＬから表示パネルＰＮＬに入射する光を各画素ＰＸで選択的に透過することによって画像を表示する透過表示機能を備えた、透過型の液晶表示装置に相当する。但し、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬに入射する外光を各画素ＰＸで選択的に反射することによって画像を表示する反射表示機能を備えた、反射型の液晶表示装置であってもよいし、透過型及び反射型の双方の機能を備えた半透過型の液晶表示装置であってもよい。反射型の液晶表示装置においては、照明装置を省略してもよいし、第２基板２００と対向する表示パネルＰＮＬの前面側に、照明装置（フロントライトユニット）を配置してもよい。なお、本実施形態は、液晶表示装置に限定されるものではなく、間隔を空けて対向する第１基板１００及び第２基板２００を備えた表示装置であれば、適宜適用することができる。

以下では、透過型の液晶表示装置を例に説明する。
図２は、表示パネルＰＮＬの表示領域を示す断面図である。このため、図２には、画素ＰＸの断面構造などを示している。
以下の説明において、第１基板１００から第２基板２００に向かう方向を上方（あるいは、単に上）とし、第２基板２００から第１基板１００に向かう方向を下方（あるいは、単に下）とする。また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。また、第２基板２００から第１基板１００に向かって見ることを平面視という。

図２に示すように、第１基板１００は、第１絶縁基板１０、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第５絶縁膜１５、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、シングルゲート構造のトップゲート型の薄膜トランジスタである。但し、スイッチング素子ＳＷは、２以上のゲート電極を有するものであってもよい。また、スイッチング素子ＳＷは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。

第１絶縁基板１０は、例えばガラスや樹脂などの光透過性を有する絶縁材料を用いて形成されている。第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に配置され、第１絶縁基板１０を覆っている。スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１の上に島状に配置されている。第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１及び半導体層ＳＣの上に配置されている。スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜１２の上に配置され、半導体層ＳＣと対向している。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２及びゲート電極ＷＧの上に配置されている。スイッチング素子ＰＳＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第３絶縁膜１３の上に配置されている。ソース電極ＷＳは、コンタクトホールＣＨ１を通って半導体層ＳＣに電気的に接続されている。ドレイン電極ＷＤは、コンタクトホールＣＨ２を通って半導体層ＳＣに電気的に接続されている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３、ソース電極ＷＳ、及びドレイン電極ＷＤの上に配置されている。

共通電極ＣＥは、第４絶縁膜１４の上に配置されている。第５絶縁膜１５は、第４絶縁膜１４及び共通電極ＣＥの上に配置されている。第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、及び第５絶縁膜１５は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮ）やシリコン酸化物（ＳｉＯ）などの無機絶縁材料によって形成されている。第４絶縁膜１４は、例えば有機絶縁材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第５絶縁膜１５の上に配置され、コンタクトホールＣＨ３を通ってドレイン電極ＷＤに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、後述する開口部ＡＰに対応する領域において、共通電極ＣＥと対向している。開口部ＡＰにおいて、画素電極ＰＥには、少なくとも１つのスリットＳＬが形成されている。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、例えば、インジウムチンオキサイド（ＩＴＯ）やインジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。第１配向膜ＡＬ１は、第５絶縁膜１５及び画素電極ＰＥの上に配置されている。

図示した例では、画素電極ＰＥが共通電極ＣＥより液晶層ＬＣ側に位置しているが、共通電極ＣＥが画素電極ＰＥより液晶層ＬＣ側に位置していてもよい。この場合、スリットＳＬは共通電極ＣＥに形成される。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、櫛歯状に形成され、同一層に配置されていてもよい。

第２基板２００は、第２絶縁基板２０、遮光層ＳＨ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、及び第２配向膜ＡＬ２を備えている。
第２絶縁基板２０は、例えばガラスや樹脂などの光透過性を有する絶縁材料を用いて形成されている。遮光層ＳＨは、第２絶縁基板２０の下面側に配置されている。画素ＰＸは、遮光層ＳＨに囲まれた領域に開口部ＡＰを有している。カラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０及び遮光層ＳＨの下面側に配置されている。カラーフィルタＣＦのそれぞれの端部は、遮光層ＳＨと重なっている。カラーフィルタＣＦは、例えば、赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタを有している。但し、カラーフィルタＣＦが有するフィルタの色は、特に限定されるものではなく種々変形可能である。例えば、カラーフィルタＣＦは、白色フィルタや透明フィルタなどの他の色のフィルタを有していてもよい。なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板１００に形成されてもよい。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの下面側に配置され、カラーフィルタＣＦを覆っている。

第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣの下面側に配置されている。この実施形態において、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、水平配向膜である。第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、例えばポリイミドなどの水平配向性を有する有機材料で形成されており、ラビング処理や光配向処理などの配向処理が施されている。

液晶層ＬＣは、第１基板１００と第２基板２００との隙間に保持されている。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていない状態では、液晶層ＬＣに含まれる液晶分子は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２から配向規制力を受け、第１基板１００及び第２基板２００の主面に平行な方向に初期配向している。

第１光学素子ＯＤ１は、表示パネルＰＮＬの背面側に配置され、第２光学素子ＯＤ２は、表示パネルＰＮＬの前面側に配置されている。第１光学素子ＯＤ１は第１偏光板ＰＬ１を備えており、第２光学素子ＯＤ２は第２偏光板ＰＬ２を備えている。第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、例えば、それぞれの吸収軸が互いに直交するように配置されている。なお、第２光学素子ＯＤ２は、位相差板などの他の機能層を備えていてもよい。

図示した例では、表示パネルＰＮＬは、第１基板１００に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた、主として基板主面に平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。但し、表示パネルＰＮＬの表示モードは、特に制限されるものではあない。表示パネルＰＮＬは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板１００に画素電極ＰＥが備えられ、第２基板２００に共通電極ＣＥが備えられる。

図３は、本実施形態の表示パネルＰＮＬの遮光層ＳＨ及びスペーサＳＰの配置例を示す平面図である。図３は、表示領域ＤＡの一部を示している。
図３に示すように、表示パネルＰＮＬは、遮光層ＳＨと対向する位置に、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２を備えている。第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２は、表示領域ＤＡに位置している。

遮光層ＳＨは、第１延在部ＳＨ１と、第１延在部ＳＨ１と交差する第２延在部ＳＨ２と、を備えている。図示した例では、第１延在部ＳＨ１は第１方向Ｘに延在し、第２延在部ＳＨ２は第２方向Ｙに延在している。各開口部ＡＰは、第１延在部ＳＨ１及び第２延在部ＳＨ２によって囲まれた領域に相当し、図示した例では、長方形状に形成されている。複数の開口部ＡＰは、マトリクス状に並んでいる。複数の第１延在部ＳＨ１は、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。複数の第２延在部ＳＨ２は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。例えば、複数の第１延在部ＳＨ１は同じ幅を有し、複数の第２延在部は同じ幅を有している。第１延在部ＳＨ１及び第２延在部ＳＨ２は、図示した例では直線状に形成されているが、これに限定されるものではなく、それぞれの少なくとも一部が屈曲していてもよい。図２に図示したスイッチング素子ＳＷや第３コンタクトホールＣＨ３が第１延在部ＳＨ１に対向配置されているため、第１延在部ＳＨ１の第２方向Ｙの幅は、第２延在部ＳＨ２の第１方向Ｘの幅よりも大きくなり得る。

本実施形態において、スペーサは、第１基板１００及び第２基板２００の両方に設けられている。第１スペーサＳＰ１は第１基板１００に設けられたスペーサであり、第２スペーサＳＰ２は第２基板２００に設けられたスペーサである。

第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２は、交差している。第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２は、第１延在部ＳＨ１と第２延在部ＳＨ２との交差位置に配置されている。例えば、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２の全体は、第１延在部ＳＨ１と対向し、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２の一部は、第２延在部ＳＨ２と対向している。また、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２は、開口部ＡＰに位置していない。これにより、例えば、開口率の低下を抑制することができる。

次に、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２の断面構造について説明するが、図中では説明に必要な構成のみを図示している。
図４は、図３の線ＩＶ−ＩＶに沿った表示パネルを示す断面図である。
図４に示すように、第１スペーサＳＰ１と第２スペーサＳＰ２との組は、第１基板１００と第２基板２００との隙間を保持している。セルギャップＧＰは、第１基板１００の第２基板２００側に位置する面と、第２基板２００の第１基板１００側に位置する面との間の第３方向Ｚ（法線方向）の距離である。言い換えると、セルギャップＧＰは、液晶層ＬＣの第３方向Ｚの厚さである。

絶縁膜ＩＦは、第４絶縁膜１４及び第５絶縁膜１５を備えている。絶縁膜ＩＦには、凹部ＲＥ１が形成されている。凹部ＲＥ１は、絶縁膜ＩＦの表面ＩＦａに開口している。本実施形態において、凹部ＲＥ１は、第５絶縁膜１５及び第４絶縁膜１４の両方を貫通している。凹部ＲＥ１の底は、第３絶縁膜１３によって構成されている。

第１スペーサＳＰ１は、第１基板１００に配置されている。第１スペーサＳＰ１は、フォトレジストを用いて形成されている。第１スペーサＳＰ１は、凹部ＲＥ１に充填され、絶縁膜ＩＦから離れる側（第２基板２００側）に突出している。第１スペーサＳＰ１は、凹部ＲＥ１における絶縁膜ＩＦの内面ＩＦｂと、第３絶縁膜１３の表面のうち凹部ＲＥ１により露出した部分と、に接触している。

このため、本実施形態では、第１スペーサＳＰ１を凹部ＲＥ１に充填すること無く表面ＩＦａのみに接触させた場合と比較して、第１スペーサＳＰ１と第１基板１００との接触面積を増大することができる。これにより、第１スペーサＳＰ１の幅を縮小しても、第１基板１００に対する第１スペーサＳＰ１の密着力の低下を抑制することができる。

なお、共通電極ＣＥは、凹部ＲＥ１を囲む開口を有している。共通電極ＣＥの開口は、遮光層ＳＨと対向している。共通電極ＣＥの形状は、凹部ＲＥ１を形成する領域に存在しないように調整されている。また、共通電極ＣＥの低抵抗化のため、共通電極ＣＥが透明導電層と金属線との組合せで形成されている場合、上記金属線を避けて凹部ＲＥ１を設けてもよく、上記金属線の一部を分断した個所に凹部ＲＥ１を設けてもよい。

本実施形態において、第１スペーサＳＰ１は、さらに、絶縁膜ＩＦの表面ＩＦａのうち凹部ＲＥ１の周りの領域に接触している。図６に示すように、第１スペーサＳＰ１は、表面ＩＦａのうち凹部ＲＥ１を囲む領域に接触している。第１スペーサＳＰ１が表面ＩＦａに接触する領域は、枠状である。第１スペーサＳＰ１のサイズを大きくすることができる場合、第１スペーサＳＰ１を表面ＩＦａの上に形成してもよい。これにより、第１基板１００に対する第１スペーサＳＰ１の密着力の向上を図ることができる。

第２スペーサＳＰ２は、第２基板２００に配置されている。第２スペーサＳＰ２は、例えば、オーバーコート層ＯＣの第１基板１００と対向する側にフォトレジストを用いて形成されている。なお、第２スペーサＳＰ２とオーバーコート層ＯＣとは、同じ材料を用いて同時に形成されていてもよい。第２スペーサＳＰ２は、第１基板１００側に突出している。第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２は、第３方向Ｚで互いに支持している。図示した例では、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２は、直接的に当接しているが、両者の間に他の部材（例えば、第１配向膜及び第２配向膜）が介在して間接的に当接していてもよい。

図４及び図６に示すように、第１スペーサＳＰ１は、絶縁膜ＩＦに接する第１面Ｓａ１と、平面視にて第１面Ｓａ１の輪郭より小さい輪郭を有し絶縁膜ＩＦから離れた側の第２面Ｓａ２と、を備えている。第２スペーサＳＰ２は、オーバーコート層ＯＣに接する第１面Ｓｂ１と、平面視にて第１面Ｓｂ１の輪郭より小さい輪郭を有しオーバーコート層ＯＣから離れた側の第２面Ｓｂ２と、を備えている。第１スペーサＳＰ１の第２面Ｓａ２と第２スペーサＳＰ２の第２面Ｓｂ２とは、互いに対向している。第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２は、それぞれテーパ状に形成されている。図４に示す例では、第１スペーサＳＰ１は順テーパ状に形成され、第２スペーサＳＰ２は逆テーパ状に形成されている。

第１スペーサＳＰ１は、高さＴ１を有している。第２スペーサＳＰ２は、高さＴ２を有している。なお、高さＴ１は、第１スペーサＳＰ１の第１面Ｓａ１（第１スペーサＳＰ１と表面ＩＦａとの界面）から、第１スペーサＳＰ１の第２面Ｓａ２までの第３方向Ｚの距離である。また、高さＴ２は、第２スペーサＳＰ２の第１面Ｓｂ１（第２スペーサＳＰ２とオーバーコート層ＯＣとの界面）から、第２スペーサＳＰ２の第２面Ｓｂ２までの第３方向Ｚの距離である。
高さＴ１及び高さＴ２は、同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。セルギャップＧＰは、高さＴ１と高さＴ２との和と、実質的に同一である。

図５は、図３の線Ｖ−Ｖに沿った表示パネルを示す断面図である。
図５に示すように、第２スペーサＳＰ２は、カラーフィルタＣＦの境界と第３方向Ｚで対向している。また、第２スペーサＳＰ２は、第１方向Ｘにて、隣合う画素電極ＰＥの間に位置している。

図４及び図５に示すように、第１スペーサＳＰ１の第２面Ｓａ２は、第１方向Ｘに幅Ｗ１を有し、第２方向Ｙに長さＬ１を有している。第２スペーサＳＰ２の第２面Ｓｂ２は、第２方向Ｙに幅Ｗ２を有し、第１方向Ｘに長さＬ２を有している。長さＬ１は、幅Ｗ２よりも大きい。また、長さＬ２は、幅Ｗ１よりも大きい。

図６は、図３乃至図５に示した第１スペーサＳＰ１を示す拡大平面図である。
図６に示すように、凹部ＲＥ１における、絶縁膜ＩＦの開口は、円形である。本実施形態において、絶縁膜ＩＦの開口は、真円である。但し、後述するが、絶縁膜ＩＦの開口は、真円以外の形状であってもよい。
また、本実施形態において、第１スペーサＳＰ１は、単個の凹部ＲＥ１に充填されている。但し、後述するが、第１スペーサＳＰ１は、複数の凹部ＲＥ１に充填されていてもよい。
さらに、本実施形態において、凹部ＲＥ１は、第１スペーサＳＰ１の中央に位置している。但し、後述するが、凹部ＲＥ１は、第１スペーサＳＰ１の周縁部に位置していてもよく、第１面Ｓａ１に重なる領域に位置していればよい。

図７は、第１スペーサＳＰ１と第２スペーサＳＰ２との間に第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が介在した表示パネルの断面図である。
図７に示すように、第１配向膜ＡＬ１は、表示領域ＤＡにおいて、第１基板１００の第２基板２００側の表面に連続的に形成されている。よって、第１配向膜ＡＬ１は、第１スペーサＳＰ１を覆っている。第１配向膜ＡＬ１は、図示しない画素電極ＰＥなども覆っている。また、第２配向膜ＡＬ２は、表示領域ＤＡにおいて、第２基板２００の第１基板１００側の表面に連続的に形成されている。よって、第２配向膜ＡＬ２は、第２スペーサＳＰ２などを覆っている。すなわち、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、第２面Ｓａ２と第２面Ｓｂ２との間に配置されている。

第１スペーサＳＰ１は第１配向膜ＡＬ１に覆われ、第２スペーサＳＰ２は第２配向膜ＡＬ２に覆われている。このとき、第１配向膜ＡＬ１を第１基板１００の表面に一様に配置すればよいため、第１配向膜ＡＬ１は容易に形成することができる。第２配向膜ＡＬ２も、第１配向膜ＡＬ１同様に、容易に形成することができる。

上記のように構成された第１の実施形態によれば、表示装置ＤＳＰは、絶縁膜ＩＦと、凹部ＲＥ１と、第１スペーサＳＰ１と、を備えている。凹部ＲＥ１は、絶縁膜ＩＦに形成され、絶縁膜ＩＦの表面ＩＦａに開口している。第１スペーサＳＰ１は、凹部ＲＥ１に充填され、絶縁膜ＩＦから離れる側に突出している。
これにより、第１スペーサＳＰ１のサイズを縮小しても、より詳しくは、平面的な第１面Ｓａ１の面積を縮小しても、第１基板１００に対する第１スペーサＳＰ１の密着力の低下を抑制することができる。このため、本実施形態によれば、スペーサのサイズの縮小と、スペーサの密着力の低下の抑制とが可能な表示装置ＤＳＰを得ることができる。

次に、上記第１の実施形態の変形例１乃至１４について、図８乃至２４を参照しながら説明する。なお、これらの変形例においても、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、各々の図には、説明に必要な構成のみを図示している。
（変形例１）
まず、上記第１の実施形態の変形例１に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図８及び図９に示すように、第１基板１００は、複数の凹部ＲＥ１をさらに有している。複数の凹部ＲＥ１は、互いに距離を置いて位置し、絶縁膜ＩＦに形成され、表面ＩＦａに開口している。第１スペーサＳＰ１は、複数の凹部ＲＥ１に充填されている。各凹部ＲＥ１における絶縁膜ＩＦの開口は、矩形である。また、第１スペーサＳＰ１は、２個の凹部ＲＥ１に充填されている。
本変形例１のように、第１スペーサＳＰ１を２個の凹部ＲＥ１に充填することが可能である場合、第１スペーサＳＰ１と第１基板１００との接触面積を、一層、増大することができる。そして、第１基板１００に対する第１スペーサＳＰ１の密着力の低下を、一層、抑制することができる。

（変形例２）
次に、上記第１の実施形態の変形例２に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図１０に示すように、凹部ＲＥ１における絶縁膜ＩＦの開口は、第１スペーサＳＰ１の絶縁膜ＩＦと対向する側の周縁部と対向し、環状の形状を有している。言い換えると、凹部ＲＥ１における絶縁膜ＩＦの開口は、第１スペーサＳＰ１の第１面Ｓａ１と対向している。第１面Ｓａ１は、矩形の形状を有している。このため、本変形例２において、凹部ＲＥ１における絶縁膜ＩＦの開口は、矩形枠状の形状を有している。第１スペーサＳＰ１は、凹部ＲＥ１に全周わたって充填されている。

第１スペーサＳＰ１が単個の凹部ＲＥ１に充填されるとしても、平面視において、凹部ＲＥ１が第１面Ｓａ１の中央部と対向している場合より、凹部ＲＥ１が第１面Ｓａ１の周縁部と対向している場合の方が、第１スペーサＳＰ１と第１基板１００との接触面積を、一層、増大することができる。

（変形例３）
次に、上記第１の実施形態の変形例３に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図１１に示すように、凹部ＲＥ１における絶縁膜ＩＦの開口は、長円（ovally rounded rectangle）である。上記長円は、同一の長さを持つ一対の平行な線と、同一の半径を持つ一対の半円と、を有している。なお、第１スペーサＳＰ１は、単個の凹部ＲＥ１に充填されている。

（変形例４）
次に、上記第１の実施形態の変形例４に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図１２に示すように、第１スペーサＳＰ１は、上記変形例１と異なり、３個以上の凹部ＲＥ１に充填されていてもよい。本変形例４において、第１スペーサＳＰ１は、８個の凹部ＲＥ１に充填されている。各凹部ＲＥ１における絶縁膜ＩＦの開口は、例えば、矩形である。

本変形例１のように、第１スペーサＳＰ１を３個以上の凹部ＲＥ１に充填することが可能である場合、第１スペーサＳＰ１と第１基板１００との接触面積を、一層、増大することができる。

（変形例５）
次に、上記第１の実施形態の変形例５に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図１３に示すように、平面視において、第１スペーサＳＰ１の形状は、円形であり、例えば真円である。第１スペーサＳＰ１のうち、少なくとも第２面Ｓａ２の全体は、第１スペーサＳＰ１（第２面Ｓｂ２）と対向している。凹部ＲＥ１は、第１面Ｓａ１の中央部に位置している。凹部ＲＥ１における絶縁膜ＩＦの開口は、例えば、円形である。

（変形例６）
次に、上記第１の実施形態の変形例６に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図１４に示すように、第１スペーサＳＰ１の形状は、上記変形例５と同様、円形である。凹部ＲＥ１における絶縁膜ＩＦの開口は、第１スペーサＳＰ１の絶縁膜ＩＦと対向する側の周縁部と対向し、環状の形状を有している。第１面Ｓａ１は、円形の形状を有している。このため、本変形例６において、凹部ＲＥ１における絶縁膜ＩＦの開口は、円環状の形状を有している。第１スペーサＳＰ１は、凹部ＲＥ１に全周わたって充填されている。

（変形例７）
次に、上記第１の実施形態の変形例７に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図１５に示すように、第１スペーサＳＰ１の形状は、上記変形例５と同様、円形である。第１スペーサＳＰ１は、複数の凹部ＲＥ１に充填されている。本変形例７において、第１スペーサＳＰ１は、５個の凹部ＲＥ１に充填されている。各凹部ＲＥ１における絶縁膜ＩＦの開口は、例えば、円形である。

（変形例８）
次に、上記第１の実施形態の変形例８に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図１６に示すように、凹部ＲＥ１は、第５絶縁膜１５を貫通しているが、第４絶縁膜１４を貫通していなくともよい。凹部ＲＥ１の底は、第４絶縁膜１４によって構成されている。

（変形例９）
次に、上記第１の実施形態の変形例９に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図１７に示すように、凹部ＲＥ１は、第５絶縁膜１５のみに形成されていてもよい。凹部ＲＥ１は、第５絶縁膜１５のみを貫通している。絶縁膜ＩＦは、第５絶縁膜１５のみで構成されている。

（変形例１０）
次に、上記第１の実施形態の変形例１０に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図１８に示すように、絶縁膜ＩＦには、深さが互いに異なる複数種類の凹部ＲＥ１が形成されていてもよい。例えば、絶縁膜ＩＦには、第５絶縁膜１５のみを貫通する凹部ＲＥ１と、第４絶縁膜１４及び第５絶縁膜１５の両方を貫通する凹部ＲＥ１と、が形成されている。

第１スペーサＳＰ１は、上記複数種類の凹部ＲＥ１に充填されている。平面視において、第１スペーサＳＰ１の周縁部は深い凹部ＲＥ１に充填され、第１スペーサＳＰ１の中央部は相対的に浅い凹部ＲＥ１に充填されている。

（変形例１１）
次に、上記第１の実施形態の変形例１１に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図１９及び図２０に示すように、第４絶縁膜１４及び第５絶縁膜１５に上述した凹部ＲＥ１は形成されていない。第１スペーサＳＰ１は、凹部ＲＥ１に充填されること無しに形成されている。

第１スペーサＳＰ１は、テーパ状に形成されている。第１スペーサＳＰ１のテーパ面は、第１テーパ面ＳＴ１と、第２テーパ面ＳＴ２と、を有している。第２テーパ面ＳＴ２は、第１テーパ面ＳＴ１の傾斜角より大きい傾斜角を有し、第１テーパ面ＳＴ１より第１面Ｓａ１側に位置している。第５絶縁膜１５に対する第１テーパ面ＳＴ１の傾斜角は、第５絶縁膜１５に対する第２テーパ面ＳＴ２の傾斜角より大きい。なお、図２０において、第１テーパ面ＳＴ１と第２テーパ面ＳＴ２との境界には破線を付している。

上記のような第１スペーサＳＰ１は、例えば、グレートーンマスクやハーフトーンマスクなどの多階調マスクを用いて一括に形成され得る。また、第２テーパ面ＳＴ２は、第１テーパ面ＳＴ１との境界から四方に一様に延びていてもよい。又は、本変形例１１のように、第２テーパ面ＳＴ２は、第１テーパ面ＳＴ１との境界から四方に一様に延びていなくともよい。図示した例では、遮光層ＳＨの形状に対応付けて、第２テーパ面ＳＴ２は、第１方向Ｘに延出する矩形状に形成されている。また、第１スペーサＳＰ１は、互いに傾斜角の異なる３以上のテーパ面を有していてもよい。

平面視にて第２面Ｓａ２のサイズが同一であっても、第１スペーサＳＰ１が第１テーパ面ＳＴ１及び第２テーパ面ＳＴ２の両方を有している場合の方が、第１スペーサＳＰ１が第１テーパ面ＳＴ１のみ有している場合の方より第１スペーサＳＰ１と第１基板１００との接触面積を増大することができる。これにより、第１スペーサＳＰ１のサイズを縮小しても、第１基板１００に対する第１スペーサＳＰ１の密着力の低下を抑制することができる。
また、平面視にて第１面Ｓａ１のサイズが同一であっても、第１スペーサＳＰ１が第１テーパ面ＳＴ１及び第２テーパ面ＳＴ２の両方を有している場合の方が、第１スペーサＳＰ１が第１テーパ面ＳＴ１のみ有している場合の方より、第１基板１００と第２基板２００の間にて専有する空間を低減することができる。これにより、例えば、上記液晶層ＬＣを形成する際の液晶材料を広がり易くすることができ、またテーパと画素開口部の距離を確保できることから、液晶の配向乱れに対する耐性も向上する。

（変形例１２）
次に、上記第１の実施形態の変形例１２に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図２１に示すように、第１基板１００は、走査線Ｇ、第１信号線Ｓ１、第２信号線Ｓ２、第１スイッチング素子ＳＷ１、第２スイッチング素子ＳＷ２、第１ドレイン電極ＷＤ１、第２ドレイン電極ＷＤ２、第１画素電極ＰＥ１、及び第２画素電極ＰＥ２を備えている。

第１延在部ＳＨ１は、第２延在部ＳＨ２よりも幅広に形成されている。走査線Ｇは、第１延在部ＳＨ１と対向している。第１信号線Ｓ１及び第２信号線Ｓ２は、それぞれ第２延在部ＳＨ２と対向している。第１スイッチング素子ＳＷ１及び第２スイッチング素子ＳＷ２は、第１延在部ＳＨ１と対向している。第１スイッチング素子ＳＷ１は、走査線Ｇ及び第１信号線Ｓ１と電気的に接続されている。第２スイッチング素子ＳＷ２は、走査線Ｇ及び第２信号線Ｓ２と電気的に接続されている。

第１ドレイン電極ＷＤ１及び第２ドレイン電極ＷＤ２は、第１延在部ＳＨ１と対向している。第１ドレイン電極ＷＤ１は、第１スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。第１画素電極ＰＥ１は、第１コンタクトホールＣ１を介して第１ドレイン電極ＷＤ１と電気的に接続されている。第２ドレイン電極ＷＤ２は、第２スイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続されている。第２画素電極ＰＥ２は、第２コンタクトホールＣ２を介して第２ドレイン電極ＷＤ２と電気的に接続されている。第１画素電極ＰＥ１及び第２画素電極ＰＥ２は、遮光層ＳＨに囲まれた領域に配置されている。

第１スペーサＳＰ１は、第１延在部ＳＨ１に沿って配置されている。第２スペーサＳＰ２は、第２延在部ＳＨ２に沿って配置されている。第２スペーサＳＰ２は、遮光層ＳＨが配置された第２基板２００に配置されている。第１延在部ＳＨ１より細い第２延在部ＳＨ２に沿って配置される第２スペーサＳＰ２を、遮光層ＳＨが配置された側の基板に形成することにより、貼合工程における第１基板１００と第２基板２００とのズレに対するマージンを大きくすることができる。

第１スペーサＳＰ１は、第１ドレイン電極ＷＤ１及び第２ドレイン電極ＷＤ２が配置された第１基板１００に配置されている。第１スペーサＳＰ１は、隣合う第１コンタクトホールＣ１と第２コンタクトホールＣ２との間に位置している。このため、表示装置ＤＳＰが高精細化してコンタクトホール間の距離が短くなったとしても、第１基板１００と第２基板２００との貼合せずれなどにより、第１スペーサＳＰ１又は第２スペーサＳＰ２のコンタクトホールへの落下を抑制することができる。したがって、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２によって所望のセルギャップを維持することが可能となる。

（変形例１３）
次に、上記第１の実施形態の変形例１３に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図２２に示すように、第１スペーサＳＰ１又は第２スペーサＳＰ２に対向する第２延在部ＳＨ２の第１方向Ｘの幅ＷＷ２は、第１スペーサＳＰ１又は第２スペーサＳＰ２に対向していない第２延在部ＳＨ２の第１方向Ｘの幅ＷＷ１より、広い。これにより、第２延在部ＳＨ２に対向配置された第１スペーサＳＰ１のサイズを大きくすることができる。
平面視にて、第１スペーサＳＰ１が延出する方向（第２方向Ｙ）と、第２スペーサＳＰ２が延出する方向（第１方向Ｘ）とは、互いに異なっている。第１スペーサＳＰ１と第２スペーサＳＰ２とは互いに交差している。

（変形例１４）
次に、上記第１の実施形態の変形例１４に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。
図２３に示すように、表示パネルＰＮＬが、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２で形成されるメインスペーサＭＳに加えて、さらに第３スペーサＳＰ３及び第４スペーサＳＰ４で形成されるサブスペーサＳＳを備えている点で、図２２に図示した変形例１３と相違している。なお、メインスペーサＭＳは、特に限定されるものではなく、本実施形態のどのような構成例に従って形成されていてもよい。メインスペーサＭＳは、表示パネルＰＮＬに外力が加わっていない状態で、セルギャップＧＰを支持するものであるとする。サブスペーサＳＳは、表示パネルＰＮＬに外力が加わっていない状態では、第３スペーサＳＰ３と第４スペーサＳＰ４とが第３方向Ｚに離れている。但し、サブスペーサＳＳは、表示パネルＰＮＬに外力が加わった状態では、第３スペーサＳＰ３と第４スペーサＳＰ４とが当接し、セルギャップＧＰを支持するものであるとする。

第３スペーサＳＰ３と第４スペーサＳＰ４とは、第１延在部ＳＨ１と第２延在部ＳＨ２との交差位置で交差している。例えば、第３スペーサＳＰ３は、第２延在部ＳＨ２に沿って対向配置され、第４スペーサＳＰ４は、第１延在部ＳＨ１に沿って対向配置されている。第３スペーサＳＰ３の第１方向Ｘに沿った幅は、第１スペーサＳＰ１の第１方向Ｘに沿った幅より小さいため、サブスペーサＳＳに対向する第２延在部ＳＨ２の第１方向Ｘの幅は、メインスペーサＭＳに対向する第２延在部ＳＨ２の第１方向Ｘの幅よりも狭くてもよい。

図２４に示すように、第３スペーサＳＰ３は、第１スペーサＳＰ１と同様に、第１基板１００に配置され、第２基板２００側に突出している。また、第４スペーサＳＰ４は、第２スペーサＳＰ２と同様に、第２基板２００に配置され、第１基板１００側に突出している。

第３スペーサＳＰ３と第４スペーサＳＰ４とは、表示パネルＰＮＬに外力が加わっていない状態では、第３方向Ｚに離れている。表示パネルＰＮＬに外力が加わった状態では、第３スペーサＳＰ３と第４スペーサＳＰ４とが、第３方向Ｚに接近、若しくは当接する。図示した例では、第３スペーサＳＰ３は、第３方向Ｚの高さＴ３と、第１面Ｓｃ１と、第２面Ｓｃ２と、第２面Ｓｃ２の第２方向Ｙの長さＬ３と、を有している。第４スペーサＳＰ４は、第３方向Ｚの高さＴ４と、第１面Ｓｄ１と、第２面Ｓｄ２と、第２面Ｓｄ２の第２方向Ｙの幅Ｗ４と、を有している。長さＬ３は、幅Ｗ４より長い。このようなサブスペーサＳＳを備えた構成では、表示パネルＰＮＬに外力が加わった際に、メインスペーサＭＳへの衝撃の集中を緩和することができる。

なお、第３スペーサＳＰ３は、第１スペーサＳＰ１と同様に、絶縁膜ＩＦに形成された図示しない凹部に充填されていてもよい。又は、第３スペーサＳＰ３は、第１スペーサＳＰ１と同様に、互いに傾斜角の異なる複数のテーパ面を有していてもよい。上記のことは、第３スペーサＳＰ３に限らず、第４スペーサＳＰ４にも適用することができ得る。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る表示装置について説明する。
図２５に示すように、上述した第１の実施形態及びその変形例と異なり、第２スペーサＳＰ２が凹部に充填されていてもよい。なお、本実施形態において、表示パネルＰＮＬは、凹部ＲＥ１無しに形成されている。

絶縁膜ＦＦは、オーバーコート層ＯＣを備えている。凹部ＲＥ２は、絶縁膜ＦＦ（オーバーコート層ＯＣ）に形成され、絶縁膜ＦＦの表面ＦＦａに開口している。第２スペーサＳＰ２は、凹部ＲＥ２に充填され、絶縁膜ＦＦから離れる側（第１基板１００側）に突出している。第２スペーサＳＰ２は、凹部ＲＥ２における絶縁膜ＦＦの内面ＦＦｂと、カラーフィルタＣＦの表面のうち凹部ＲＥ２により露出した部分と、に接触している。

このため、本実施形態では、第２スペーサＳＰ２のサイズを縮小しても、第２基板２００に対する第２スペーサＳＰ２の密着力の低下を抑制することができる。
本実施形態において、第２スペーサＳＰ２は、さらに、絶縁膜ＦＦの表面ＦＦａのうち凹部ＲＥ２の周りの領域に接触している。例えば、第２スペーサＳＰ２は、表面ＦＦａのうち凹部ＲＥ２を囲む領域に接触している。これにより、第２基板２００に対する第２スペーサＳＰ２の密着力の向上を図ることができる。

また、第２の実施形態の表示装置ＤＳＰは、上述した変形例１乃至１０、及び１２乃至１４の技術を適用して種々変形可能である。例えば、表示装置ＤＳＰに変形例１０（図１８）の技術を適用する場合、絶縁膜ＦＦは、カラーフィルタＣＦをさらに備えている。例えば、絶縁膜ＦＦには、オーバーコート層ＯＣのみを貫通する凹部ＲＥ２と、オーバーコート層ＯＣ及びカラーフィルタＣＦの両方を貫通する凹部ＲＥ２と、が形成されている。

上記のように構成された第２の実施形態によれば、第２スペーサＳＰ２は、凹部ＲＥ２に充填され、絶縁膜ＦＦから離れる側に突出している。このため、第２の実施形態の表示装置ＤＳＰは、上述した第１の実施形態の表示装置ＤＳＰと同様の効果を得ることができる。
上記のことから、スペーサのサイズの縮小と、スペーサの密着力の低下の抑制とが可能な表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る表示装置について説明する。
図２６に示すように、上述した変形例１１（図１９及び図２０）と異なり、第２スペーサＳＰ２が複数種類のテーパ面を有していてもよい。第３の実施形態の表示装置ＤＳＰには、上述した変形例１１の技術を適用可能である。なお、本実施形態において、第１スペーサＳＰ１は複数種類のテーパ面を有していない。

第２スペーサＳＰ２は、テーパ状に形成されている。第２スペーサＳＰ２のテーパ面は、第１テーパ面ＴＴ１と、第２テーパ面ＴＴ２と、を有している。第２テーパ面ＴＴ２は、第１テーパ面ＴＴ１の傾斜角より大きい傾斜角を有し、第１テーパ面ＴＴ１より第１面Ｓｂ１側に位置している。オーバーコート層ＯＣに対する第１テーパ面ＴＴ１の傾斜角は、オーバーコート層ＯＣに対する第２テーパ面ＴＴ２の傾斜角より大きい。

上記のように構成された第３の実施形態によれば、第２スペーサＳＰ２は、第１テーパ面ＴＴ１と、第２テーパ面ＴＴ２と、を有している。このため、第３の実施形態の表示装置ＤＳＰは、上述した変形例１１の表示装置ＤＳＰと同様の効果を得ることができる。
上記のことから、スペーサのサイズの縮小と、スペーサの密着力の低下の抑制とが可能な表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る表示装置について説明する。
図２７に示すように、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２のそれぞれが、凹部に充填されていてもよい。また、第４の実施形態の表示装置ＤＳＰは、上述した変形例１乃至１０、及び１２乃至１４の技術を適用して種々変形可能である。

上記のように構成された第４の実施形態によれば、第１スペーサＳＰ１は、凹部ＲＥ１に充填され、絶縁膜ＩＦから離れる側に突出している。第２スペーサＳＰ２は、凹部ＲＥ２に充填され、絶縁膜ＦＦから離れる側に突出している。このため、第４の実施形態の表示装置ＤＳＰは、上述した第１の実施形態の表示装置ＤＳＰと同様の効果を得ることができる。
上記のことから、スペーサのサイズの縮小と、スペーサの密着力の低下の抑制とが可能な表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態に係る表示装置について説明する。
図２８に示すように、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２のそれぞれが、複数種類のテーパ面を有していてもよい。また、第５の実施形態の表示装置ＤＳＰは、上述した変形例１１の技術を適用して種々変形可能である。

上記のように構成された第５の実施形態によれば、第１スペーサＳＰ１は、第１テーパ面ＳＴ１と、第２テーパ面ＳＴ２と、を有している。第２スペーサＳＰ２は、第１テーパ面ＴＴ１と、第２テーパ面ＴＴ２と、を有している。
このため、第４の実施形態の表示装置ＤＳＰは、上述した変形例１１の表示装置ＤＳＰと同様の効果を得ることができる。
上記のことから、スペーサのサイズの縮小と、スペーサの密着力の低下の抑制とが可能な表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第４及び第５の実施形態の変形例）
次に、上記第４及び第５の実施形態の変形例に係る表示装置について説明する。
図示しないが、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２のうち、一方が凹部に充填され、他方が複数種類のテーパ面を有していてもよい。
上記のような変形例に係る表示装置ＤＳＰにおいても、上記第４及び第５の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態に係る表示装置について説明する。
図２９に示すように、表示装置ＤＳＰは、第２スペーサＳＰ２無しに形成されていてもよい。第１スペーサＳＰ１は、第２基板２００に接触している。第１スペーサＳＰ１のみで、第１基板１００と第２基板２００との隙間を保持している。セルギャップＧＰは、高さＴ１と実質的に同一である。なお、第１スペーサＳＰ１とオーバーコート層ＯＣとの間には、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が介在し得る。

上記のように構成された第６の実施形態によれば、第１スペーサＳＰ１は、凹部ＲＥ１に充填され、絶縁膜ＩＦから離れる側に突出している。このため、第６の実施形態の表示装置ＤＳＰは、上述した第１の実施形態の表示装置ＤＳＰと同様の効果を得ることができる。
上記のことから、スペーサのサイズの縮小と、スペーサの密着力の低下の抑制とが可能な表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第７の実施形態）
次に、第７の実施形態に係る表示装置について説明する。
図３０に示すように、表示装置ＤＳＰは、第１スペーサＳＰ１無しに形成されていてもよい。第２スペーサＳＰ２は、第１基板１００に接触している。第２スペーサＳＰ２のみで、第１基板１００と第２基板２００との隙間を保持している。セルギャップＧＰは、高さＴ２と実質的に同一である。なお、第２スペーサＳＰ２と第５絶縁膜１５との間には、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が介在し得る。

上記のように構成された第７の実施形態によれば、第２スペーサＳＰ２は、凹部ＲＥ２に充填され、絶縁膜ＦＦから離れる側に突出している。このため、第７の実施形態の表示装置ＤＳＰは、上述した第２の実施形態の表示装置ＤＳＰと同様の効果を得ることができる。
上記のことから、スペーサのサイズの縮小と、スペーサの密着力の低下の抑制とが可能な表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第８の実施形態）
次に、第８の実施形態に係る表示装置について説明する。なお、図３１及び図３２では説明に必要な構成のみを図示している。例えば、図３２において、第３絶縁膜１３などの図示は、省略されている。
図３１及び図３２に示すように、凹部ＲＥ５及び第５スペーサＳＰ５は、非表示領域ＮＤＡに位置している。第５スペーサＳＰ５は、矩形枠状の非表示領域ＮＤＡのうち少なくとも１辺に設けられている。図３１を参照すると、本実施形態において、第５スペーサＳＰ５は、非表示領域ＮＤＡの左側の領域と右側の領域とに設けられている。各々の第５スペーサＳＰ５は、第２方向Ｙに延出している。第５スペーサＳＰ５は、壁状の突起である。

この実施形態において、第５スペーサＳＰ５は、受止め部５０を構成している。第５スペーサＳＰ５は、表示領域ＤＡに間隔を置いて設けられている。また、第５スペーサＳＰ５は、第２基板２００に設けられ、第１基板１００に隙間を置いて設けられている。第５スペーサＳＰ５は、第１基板１００及び第２基板２００の周縁側へのシール材ＳＥの広がりを抑制するものである。なお、本実施形態の第５スペーサＳＰ５は、第１基板１００と第２基板２００との隙間を保持することを意図していない。このため、第５スペーサＳＰ５を突起と称した方が適当な場合があり得る。ここで、シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡに設けられ、第１基板１００と第２基板２００とを接合している。このため、液晶層ＬＣは、第１基板１００、第２基板２００、及びシール材ＳＥで囲まれた空間に形成されている。

第２基板２００に第５スペーサＳＰ５の他に第２スペーサＳＰ２も設けられている場合、第５スペーサＳＰ５は、第２スペーサＳＰ２と同一材料で同時に形成することが可能である。第５スペーサＳＰ５は、第２スペーサＳＰ２より低く形成されている。但し、第５スペーサＳＰ５は、第２スペーサＳＰ２と同じ高さを有していてもよい。

なお、第５スペーサＳＰ５は、非表示領域ＮＤＡの上側の領域や、非表示領域ＮＤＡの下側の領域に設けられていてもよい。また、第５スペーサＳＰ５は、直線上に延出していなくともよく、湾曲したり、一部が屈曲したり、していてもよい。さらに、非表示領域ＮＤＡの上記領域に、複数の第５スペーサＳＰ５を千鳥状に配置してもよい。

凹部ＲＥ５は、非表示領域ＮＤＡにて絶縁膜ＦＦに形成されている。第５スペーサＳＰ５は、凹部ＲＥ５に充填され、第１基板１００側に突出している。凹部ＲＥ５の位置、形状、サイズ、個数などは、第５スペーサＳＰ５に対応付けられていればよい。

上記のように構成された第８の実施形態によれば、第５スペーサＳＰ５は、凹部ＲＥ５に充填され、絶縁膜ＦＦから離れる側に突出している。このため、第８の実施形態の表示装置ＤＳＰは、上述した第２の実施形態の表示装置ＤＳＰと同様の効果を得ることができる。上記の効果は、第１基板１００及び第２基板２００の何れか一方が、非表示領域ＮＤＡにて、絶縁膜（絶縁膜ＩＦ又は絶縁膜ＦＦ）、凹部ＲＥ、及び第５スペーサＳＰ５をさらに有していれば得ることができる。
上記のことから、スペーサのサイズの縮小と、スペーサの密着力の低下の抑制とが可能な表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第９の実施形態）
次に、第９の実施形態に係る表示装置について説明する。なお、図３３及び図３４では説明に必要な構成のみを図示している。例えば、図３３及び図３４において、第３絶縁膜１３などの図示は、省略されている。
図３３に示すように、凹部ＲＥ５及び第５スペーサＳＰ５は、非表示領域Ｎに位置している。第１絶縁基板１０の端Ｅ１（第１基板１００の端）と、第２絶縁基板２０の端Ｅ２（第２基板２００の端）と、第５スペーサＳＰ５の端Ｅ３とは、実質的に同一平面上に位置している。

第５スペーサＳＰ５は、第２基板２００に設けられている。第５スペーサＳＰ５は、凹部ＲＥ５に充填され、第１基板１００側に突出している。第５スペーサＳＰ５は、第１基板１００に直接又は間接に当接している。凹部ＲＥ５の位置、形状、サイズ、個数などは、第５スペーサＳＰ５に対応付けられていればよい。

第５スペーサＳＰ５は、表示パネルの製造工程において、基板にスクライブラインを引く際の台座として利用される。
次に表示パネルの製造工程について説明する。

図３４に示すように、第１絶縁基板１０の基になる基板１０ａと、第２絶縁基板２０の基になる基板２０ａとを、シール材ＳＥを利用して貼り合せられている。基板１０ａは第１絶縁基板１０より大きいサイズを有し、基板２０ａは、第２絶縁基板２０より大きいサイズを有している。基板１０ａ及び基板２０ａは、マザー基板と称される場合があり、ガラス製であるとマザーガラスと称される場合がある。

次いで、シール材ＳＥを硬化させることにより、シール材ＳＥを利用して基板１０ａ及び基板２０ａが接合される。続いて、基板１０ａを第１分断予定線ｅａに沿って分割するとともに、基板２０ａを第２分断予定線ｅｂに沿って分割する。分割する際、例えば、第１分断予定線ｅａ及び第２分断予定線ｅｂに沿ってスクライブラインを引いて分割する。これにより、基板１０ａから第１基板１００が、基板２０ａから第２基板２００がそれぞれ切出される。これにより、表示パネルＰＮＬが取出される。
第１分断予定線ｅａ及び第２分断予定線ｅｂは、第５スペーサＳＰ５と対向する領域を通っている。このため、第５スペーサＳＰ５が台座として存在することにより、基板１０ａ及び基板２０ａのそれぞれを良好に分割することができる。

なお、本実施形態では、凹部ＲＥ５は、第１分断予定線ｅａ及び第２分断予定線ｅｂと対向している。しかしながら、凹部ＲＥ５は、第１分断予定線ｅａ及び第２分断予定線ｅｂと対向していなくともよい。この場合、オーバーコート層ＯＣの端は、第５スペーサＳＰ５の端Ｅ３などと、実質的に同一平面上に位置している。

上記のように構成された第９の実施形態によれば、第５スペーサＳＰ５は、凹部ＲＥ５に充填され、絶縁膜ＦＦから離れる側に突出している。このため、第９の実施形態の表示装置ＤＳＰは、上述した第２の実施形態の表示装置ＤＳＰと同様の効果を得ることができる。上記の効果は、第１基板１００及び第２基板２００の何れか一方が、非表示領域ＮＤＡにて、絶縁膜（絶縁膜ＩＦ又は絶縁膜ＦＦ）、凹部ＲＥ、及び第５スペーサＳＰ５をさらに有していれば得ることができる。
上記のことから、スペーサのサイズの縮小と、スペーサの密着力の低下の抑制とが可能な表示装置ＤＳＰを得ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＬＣ…液晶層、
１００…第１基板、１４…絶縁膜、１５…絶縁膜、
２００…第２基板、ＣＦ…カラーフィルタ、ＯＣ…オーバーコート層、ＳＨ…遮光層、
ＩＦ，ＦＦ…絶縁膜、ＩＦａ，ＦＦａ…表面、ＩＦｂ，ＦＦｂ…内面、
ＲＥ１，ＲＥ２，ＲＥ５…凹部、
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４，ＳＰ５…スペーサ、
Ｓａ１，Ｓｂ１，Ｓｃ１，Ｓｄ１…第１面、Ｓａ２，Ｓｂ２，Ｓｃ２，Ｓｄ２…第２面、
ＳＴ１，ＴＴ１…第１テーパ面、ＳＴ２，ＴＴ２…第２テーパ面
ＧＰ…セルギャップ、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域。

Claims (19)

1. 絶縁膜と、
   前記絶縁膜に形成され前記絶縁膜の表面に開口した凹部と、
   前記凹部に充填され前記絶縁膜から離れる側に突出したスペーサと、を備える、表示装置。
2. 前記スペーサは、前記表面のうち前記凹部を囲む領域に接触している、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記スペーサは、画像を表示する表示領域に位置している、請求項１に記載の表示装置。
4. スイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、を有する第１基板と、
   前記第１基板に対向配置された第２基板と、を備え、
   前記第１基板は、前記絶縁膜、前記凹部、及び前記スペーサをさらに有する、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記スペーサは、前記第１基板に設けられ、前記第２基板に接触し、前記第１基板と前記第２基板との隙間を保持する、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層をさらに備え、
   前記スペーサは、前記第１基板に設けられた第１スペーサであり、
   前記第２基板は、前記第１スペーサに対向した第２スペーサを有し、
   前記第１スペーサ及び前記第２スペーサの組は、前記第１基板と前記第２基板との隙間を保持する、請求項４に記載の表示装置。
7. 平面視にて、
   前記第１スペーサが延出する方向と前記第２スペーサが延出する方向とは互いに異なり、
   前記第１スペーサと前記第２スペーサとは互いに交差している、請求項６に記載の表示装置。
8. 前記スペーサは、単個の前記凹部に充填されている、請求項４に記載の表示装置。
9. 前記第１基板は、前記凹部を含む複数の凹部をさらに有し、
   前記複数の凹部は、互いに距離を置いて位置し、前記絶縁膜に形成され、前記表面に開口し、
   前記スペーサは、前記複数の凹部に充填されている、請求項４に記載の表示装置。
10. 前記凹部の前記開口は、前記スペーサの前記絶縁膜と対向する側の周縁部と対向し、環状の形状を有し、
    前記スペーサは、前記凹部に全周わたって充填されている、請求項４に記載の表示装置。
11. スイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、を有する第１基板と、
    前記第１基板に対向配置された第２基板と、を備え、
    前記第２基板は、前記絶縁膜、前記凹部、及び前記スペーサをさらに有する、請求項３に記載の表示装置。
12. 前記スペーサは、前記第２基板に設けられ、前記第１基板に接触し、前記第１基板と前記第２基板との隙間を保持する、請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層をさらに備え、
    前記スペーサは、前記第２基板に設けられた第２スペーサであり、
    前記第１基板は、前記第２スペーサに対向した第１スペーサを有し、
    前記第１スペーサ及び前記第２スペーサの組は、前記第１基板と前記第２基板との隙間を保持する、請求項１１に記載の表示装置。
14. 平面視にて、
    前記第１スペーサが延出する方向と前記第２スペーサが延出する方向とは互いに異なり、
    前記第１スペーサと前記第２スペーサとは互いに交差している、請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記スペーサは、単個の前記凹部に充填されている、請求項１１に記載の表示装置。
16. 前記第２基板は、前記凹部を含む複数の凹部をさらに有し、
    前記複数の凹部は、互いに距離を置いて位置し、前記絶縁膜に形成され、前記表面に開口し、
    前記スペーサは、前記複数の凹部に充填されている、請求項１１に記載の表示装置。
17. 前記凹部の前記開口は、前記スペーサの前記絶縁膜と対向する側の周縁部と対向し、環状の形状を有し、
    前記スペーサは、前記凹部に全周わたって充填されている、請求項１１に記載の表示装置。
18. 第１基板と、
    前記第１基板に対向配置された第２基板と、を備え、
    前記第１基板及び前記第２基板の何れか一方は、前記絶縁膜、前記凹部、及び前記スペーサをさらに有し、
    前記凹部、及び前記スペーサは、画像を表示する表示領域以外の非表示領域に位置している、請求項１に記載の表示装置。
19. 絶縁膜と、
    前記絶縁膜の上に形成されたスペーサと、を備え、
    前記スペーサは、前記絶縁膜に接する第１面と、平面視にて前記第１面の輪郭より小さい輪郭を有し前記絶縁膜から離れた側の第２面と、を備え、テーパ状に形成され、
    前記スペーサのテーパ面は、第１テーパ面と、第１テーパ面の傾斜角より大きい傾斜角を有し前記第１テーパ面より前記第１面側に位置する第２テーパ面と、を有する、表示装置。

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