JP2018056460A

JP2018056460A - トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子

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Publication number: JP2018056460A
Application number: JP2016193011A
Authority: JP
Inventors: 山田　浩之; Hiroyuki Yamada; 浩之山田; 彰仁澤; Akihito Sawa
Original assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Current assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 2016-09-30
Filing date: 2016-09-30
Publication date: 2018-04-05
Anticipated expiration: 2036-09-30
Also published as: JP6813844B2

Abstract

【課題】電圧印加による抵抗スイッチング動作とその繰返しに対する高い耐性を有し、かつスイッチング毎の特性バラつきが小である、酸化物強誘電体薄膜を用いたトンネル接合素子及び抵抗変化型不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】トンネル接合素子において、酸化物強誘電体のバリア層を導電性の金属酸化物の電極で挟んだトンネル接合構造とすることにより、抵抗スイッチング動作とその繰返しに対する高い耐性等を向上させる。電極のうち、基板に近い側の電極を第１の電極とし、基板から遠い側の電極を第２の電極とするとき、第２の電極を、例えば、ルテニウム及びイリジウムのうちのいずれか１以上の金属酸化物で構成し、結晶性薄膜又はアモルファス膜で構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子に関し、特に、酸化物強誘電体のバリア層を有する抵抗変化型のものに関する。

近年、酸化物強誘電体を利用した抵抗変化型の不揮発性メモリ素子の研究開発が進められている。

本発明者らは、既に、導電性を有する酸化物強誘電体の厚膜（膜厚１００ｎｍ）と金属の界面に形成されるショットキー型の障壁高さが強誘電分極に依存することを利用した不揮発性メモリ素子を提案した（特許文献１参照）。

一方、バリア層に酸化物強誘電体の超薄膜を用いたトンネル接合型素子において、トンネル障壁高さが強誘電分極に依存することを利用した不揮発性メモリ素子が、提案されている（非特許文献１、２参照）。例えば、上部電極にＣｏ、バリア層に膜厚３ｎｍのＢａＴｉＯ₃、下部電極にＬａ_0.67Ｓｒ_0.33ＭｎＯ₃、基板にＮｄＧａＯ₃単結晶を用いたトンネル接合型素子が報告されている。

本発明者らは、酸化物強誘電体（ＢｉＦｅＯ₃）と、下部電極（ペロブスカイト型のマンガン酸化物（ＣＣＭＯ（Ｃａ_0.96Ｃｅ_0.04ＭｎＯ₃）））と、上部電極（金属コバルト）とからなるトンネル接合構造を示した（非特許文献３参照）。

図７に、従来技術のトンネル接合素子１０を模式的に図示する。トンネル接合素子１０は、基板２と、金属酸化物からなる下部電極３と、酸化物強誘電体のバリア層４と、Ｃｏ等の金属からなる上部電極５０と、上部電極上に積層される配線用等の導電層６とを備える。

非特許文献１で報告されている素子では、強誘電の分極と対応した抵抗状態の制御が困難であるため、本発明者らは、一定に制御することが可能なトンネル接合を有する抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を開発した（特許文献２参照）。特許文献２では、酸化物強誘電体のバリア層と金属電極との間に、常誘電酸化物であるアルカリ土類金属の酸化物の単原子膜を挿入する構造を提案した。例えば、基板にＳｒＴｉＯ₃、下部電極にＬａ_0.6Ｓｒ_0.4ＭｎＯ₃、バリア層にＢａＴｉＯ₃、単原子膜にＢａＯ膜、上部電極にＣｏ、配線用等の導電層にＡｕを用いた積層構造が示されている。

また、本発明者らは、トンネル接合を有する抵抗変化型の素子において、強誘電体のバリア層をＢａＴｉＯ₃として、その終端表面をＴｉＯ₂又はＢａＯに作り分けた構造を提案した（非特許文献４参照）。例えば、下部電極にＬＳＭＯ（例、Ｌａ_0.6Ｓｒ_0.4ＭｎＯ₃）又はＳｒＲｕＯ₃、バリア層にＢａＴｉＯ₃（終端表面はＴｉＯ₂又はＢａＯ）、上部電極にＣｏ、配線用等の導電層にＡｕを用いた積層構造が示されている。

先行文献調査をしたところ、次の特許文献が公知であった。
特許文献３には、強誘電体の下部電極と上部電極を酸化イリジウム層で構成したキャパシター構造が示されている。なお、特許文献３は、強誘電体のキャパシター構造に、分極電荷を記憶し、記憶された分極電荷の符号と量を、分極反転時に回路を流れる電流の時間積分により検出する不揮発性メモリ素子（ＦｅＲＡＭ）に関する技術であり、トンネル接合構造の技術ではない。

特開２０１３−００８８８４号公報特開２０１６−０２５２５８号公報特開２００７−１９４６５５号公報

Ａ. Chanthbouala, et al. Nature Nanotech. vol 7, 101-104 (2012). S. Boyn et al. Appl. Phys. Lett. vol 104, 052909 (2014). H. Yamada et al., ACS Nano, vol. 7, 5385-5390 (2013). H.Yamada et al., Advanced Functional Materials, vol 25, 2708-2714 (2015).

従来の、絶縁体または半導体の金属酸化物を金属電極で挟んだ接合で発現する、接合抵抗の可逆かつ不揮発なスイッチング現象を利用した抵抗変化型不揮発性メモリ（ＲｅＲＡＭ）は、電場による酸素欠陥または酸素イオンの移動が動作原理となっている。そのため.スイッチングの繰返しにともなう材料の劣化が起こり、スイッチングの繰返し耐性やスイッチング毎の抵抗値のばらつきが問題であった。この問題の解決策として、導電性を有する酸化物強誘電体を用いた抵抗変化型メモリ、すなわち、電子的な効果である強誘電電気分極反転を利用して、素子抵抗（リーク電流）をスイッチングさせることを動作原理とした強誘電抵抗変化型不揮発性メモリが知られていた（特許文献１参照）。

しかし、電極材料として白金やコバルトといった金属結合を有する材料を電極として用いた従来技術の強誘電抵抗変化型不揮発性メモリでは、スイッチングを繰返し行うと、電極の金属材料が酸化し、界面のバンド構造が変化してしまうため、実用レベルのスイッチングの繰返し耐性の確保、また繰返しに伴う抵抗値の変動の抑制ができないという問題がある。

従来技術の特許文献１では、文献記載の構造のショットキー型の抵抗変化型不揮発性メモリ素子において、抵抗変化動作の繰返し特性が１００万回可能であったことが示されている。また、トンネル接合型の素子である非特許文献２では、４００万サイクルという値が示されている。しかし、抵抗スイッチング動作の繰返しに対する耐性としては、１００万回や４００万回では十分ではないという問題がある。

本発明は、これらの問題を解決しようとするものであり、電圧印加による抵抗スイッチング動作とその繰返しに対する高い耐性を有し、かつスイッチング毎の特性バラつきが小である、酸化物強誘電体薄膜を用いたトンネル接合素子及びこれを用いた抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を提供することを目的とする。

本発明は、前記目的を達成するために、以下の特徴を有する。
（１）酸化物強誘電体のバリア層を導電性の金属酸化物の電極で挟んだトンネル接合を有することを特徴とするトンネル接合素子。
（２）前記電極のうち、基板に近い側の電極を第１の電極とし、基板から遠い側の電極を第２の電極とするとき、前記第２の電極はアモルファス膜であることを特徴とする（１）記載のトンネル接合素子。
（３）前記第２の電極は、ルテニウム及びイリジウムのうちのいずれか１以上の金属酸化物であることを特徴とする（２）記載のトンネル接合素子。
（４）前記第２の電極は、酸化ルテニウム及び酸化イリジウムのうちのいずれか１以上の金属酸化物であることを特徴とする、（３）記載のトンネル接合素子。
（５）前記第１の電極が結晶性薄膜であり、前記第２の電極が酸化ルテニウムのアモルファス膜であることを特徴とする（２）記載のトンネル接合素子。
（６）前記第１の電極が導電性のペロブスカイト型金属酸化物の結晶性薄膜であることを特徴とする、（２）乃至（５）のいずれか１項記載のトンネル接合素子。
（７）前記酸化物強誘電体は、ペロブスカイト型構造を有する強誘電体であることを特徴とする（１）乃至（６）のいずれか１項記載のトンネル接合素子。
（８）（１）乃至（７）のいずれか１項記載のトンネル接合素子を備える抵抗変化型の不揮発性メモリ素子。

本発明のトンネル接合素子は、電圧印加の繰返しに対する耐性が高く、かつスイッチング毎の抵抗値のバラつきが小さいので、安定な抵抗スイッチング動作を実現できる。

本発明のトンネル接合素子では、上部電極にも金属酸化物の電極を用いることにより、トンネル電流の量を強く支配する界面バンド構造の、高度な均一性及び安定性を確保することができたため、安定な抵抗スイッチング動作を実現できる。従来の上部電極に金属電極を用いたトンネル接合素子の場合では、スイッチング動作の繰返しに伴う金属電極の酸化反応の進行によって、意図しない界面バリア層（常誘電性）の生成が上部電極側界面の一部に発生し、接合抵抗も大きく変化することになり、抵抗スイッチング動作は不安定になり、その繰返し耐性も劣化してしまっていた。これに対して、本発明のトンネル接合素子では、従来の金属電極による意図しない界面層の発生がなく、安定な抵抗スイッチング動作が実現できる。このように、本発明のトンネル接合素子は、トンネル接合を構成する構成材料が全て酸化物であるために、スイッチング動作の繰返しに伴う電極の劣化（酸化）等の問題が発生しない。

本発明のトンネル接合素子を備える不揮発性メモリ素子は、電圧印加による抵抗スイッチング動作とその繰返しに対する高い耐性が優れ、メモリ素子として実用レベルの安定な抵抗スイッチング繰返し特性を実現できる。

本発明の実施形態の基本構造を説明する図である。本発明の第１の実施形態のトンネル接合素子の特性評価を説明する図である。本発明の第１の実施形態のトンネル接合素子の特性評価を説明する図である。本発明のトンネル接合素子の特性評価を説明する図である。（ａ）（ｂ）（ｃ）は、それぞれ実施例１、実施例２、比較例における、スイッチング動作の繰返し耐性についての測定結果を示す図である。本発明の第１の実施形態のトンネル接合素子の電流−電圧特性を示す図である。本発明のトンネル接合素子のバンド構造及び抵抗スイッチング動作を説明する図である。（ａ）は第１の実施形態、（ｂ）は比較例の場合である。従来のトンネル接合素子の積層構造を説明する図である。

本発明の実施形態について以下説明する。

本発明者は、酸化物強誘電体をバリア層とするトンネル接合素子の技術開発を進める研究過程で、上部電極に着目して、本発明に到った。本発明の実施形態は、酸化物強誘電体のバリア層を導電性の金属酸化物の電極で挟んだトンネル接合を有するものである。

図１を参照して、本発明の実施形態におけるトンネル接合素子の基本構造を説明する。図１のように、本実施形態のトンネル接合素子１は、基板２と、基板に近い方の第１の電極３（下部電極３とも呼ぶ。）と、酸化物強誘電体のバリア層４と、基板から遠い方の第２の電極５（上部電極５とも呼ぶ。）と、上部電極上に積層される配線用等の導電層６とを備える。バリア層４を挟む第１の電極３と第２の電極５は、超薄膜のトンネルバリア層とトンネル接合を形成する金属酸化物である。

本実施形態におけるトンネル接合素子の酸化物強誘電体のバリア層は、第１及び第２の電極とトンネル接合しうる層であれば、材料及び膜厚等は、特に制限されない。例えば、ペロブスカイト構造を有する強誘電体が好ましく、ＢａＴｉＯ₃、ＢｉＦｅＯ₃、ＰＺＴを挙げることができる。なお、特許文献１の技術で使用されるＢｉ欠損により導電性を持たせたＢｉ_1-xＦｅＯ₃のような強誘電体では、トンネルバリア層を形成できない。トンネル接合素子は、電荷ドープされていない、高い絶縁性を有する強誘電体と電極とで構成される接合である。また、絶縁体である強誘電体バリア層の膜厚は、トンネル接合にトンネル電流を流すことが可能な超薄膜の薄さ（２ｎｍ以上５ｎｍ以下程度）である。

本実施形態における上部電極（第２の電極）は、酸化物強誘電体のバリア層とトンネル接合を形成する導電性の金属酸化物であれば、特に制限されない。例えば、ルテニウム及びイリジウムのうちのいずれか１以上の金属酸化物が挙げられる。より具体的には、ＲｕＯ₂、ＩｒＯ₂、又はＩｒＯ₂とＲｕＯ₂からなる金属酸化物が挙げられる。

本実施形態における上部電極（第２の電極）は、結晶膜でもアモルファス膜でもよい。上部電極の膜は、化学的・構造的安定性が高いものが望ましい。上部電極の膜として、例えば、ＲｕＯ₂、ＩｒＯ₂、またはＩｒＯ₂とＲｕＯ₂の固溶体の、アモルファス膜が挙げられ、これに限らず、アモルファス膜であっても再現性良く高い伝導性を示すものであればよい。

本実施形態における下部電極（第１の電極）は、酸化物強誘電体のバリア層がその上にエピタキシャル成長することが可能で、酸化物強誘電体とトンネル接合を形成する導電性の金属酸化物であれば、特に制限されない。例えば、下部電極の上の強誘電バリア層に、ＢａＴｉＯ₃等のペロブスカイト型のエピタキシャル膜を用いる際には、下部電極（第１の電極）としては、ＢａＴｉＯ₃等と同じペロブスカイト型構造をもち、電気抵抗率が室温で１０ｍΩｃｍ未満の金属性酸化物、例えば、Ｌａ_1-xＳｒ_xＭｎＯ₃（０.２＜ｘ＜０.５）、ＳｒＲｕＯ₃、ＬａＮｉＯ₃、Ｌａ_1-xＳｒ_xＣｏＯ₃（０.３＜ｘ＜０.５）等のエピタキシャル単結晶薄膜等が望ましい。

第１又は第２の電極の電極材料として列挙した材料は、いずれも仕事関数が深い（４.５ｅＶ以上）ため、前述した強誘電体バリア層材料とどの組合せでもトンネル接合となる。

本実施形態の素子は、従来の強誘電体のバリア層を備えるトンネル接合素子と同様、該素子への、正負のパルス電圧印加により、抵抗値（リーク電流）の大きさを可逆的に変化させることができるものである。本実施形態の素子では、構成材料が全て酸化物であるため、スイッチング動作の繰返しに伴う電極の劣化（酸化）等、従来技術で用いられる金属膜特有の問題が発生しない。このため電圧印加の繰返しに対する耐性が高く、かつスイッチング毎の抵抗値のバラつきが小さいことを特徴とする、安定な抵抗スイッチング動作が実現できる。

（第１の実施形態）
本実施形態を、図１乃至６を参照して以下説明する。本実施形態のトンネル接合素子は、図１のように酸化物強誘電体の超薄膜をバリア層４として用いたトンネル接合構造を有し、バリア層４を挟む２つの電極は、下部電極３がエピタキシャル（単結晶）のペロブスカイト型酸化物薄膜で、上部電極５が結晶性又はアモルファスの導電性酸化物薄膜である。

本実施形態の素子は、下部電極３層として、例えば、Ｌａ_1-xＳｒ_xＭｎＯ₃（０.２＜ｘ＜０.５）のようなペロブスカイト型酸化物のエピタキシャル薄膜を堆積し、その上に、膜厚２〜５ｎｍのＢａＴｉＯ₃のようなペロブスカイト型酸化物のエピタキシャル薄膜を強誘電トンネルバリア層として堆積し、その上に、上部電極層として結晶性又はアモルファスの酸化ルテニウム等の金属酸化物薄膜を堆積したものである。トンネル接合素子は、基板上に形成されるので、１例として、基板２としてＳｒＴｉＯ₃、下部電極としてＬａ_0.7Ｓｒ_0.3ＭｎＯ₃、バリア層４としてＢａＴｉＯ₃、上部電極としてＲｕＯ₂、上部電極上の配線用等の導電層としてＡｕの積層順で形成された積層構造を備える。

本実施形態の素子の特性を評価するために、実施例１、実施例２、比較例及び実施例３について説明する。

［実施例１］
ペロブスカイト構造の単結晶基板（（００１）配向したＳｒＴｉＯ₃）を準備した。該基板の上に、導電性を有するペロブスカイト構造の酸化物（Ｌａ_0.7Ｓｒ_0.3ＭｎＯ₃）の薄膜を、基板温度７５０℃、酸素圧力１ｍＴｏｒｒの作製条件で、パルスレーザー堆積法により３０ｎｍ厚に堆積した。続いてその上に、基板温度６３０℃、酸素圧力３５ｍＴｏｒｒの作製条件で、強誘電バリア層となるＢａＴｉＯ₃（以下、ＢＴＯともいう。）を４ｎｍ厚に形成した。さらに基板温度を室温まで冷却した後、上部電極となるＲｕＯ₂のアモルファス薄膜を酸素圧力４０ｍＴｏｒｒの作製条件で１０ｎｍ厚に形成し試料を作製した。
次に、作製された試料を微細な素子形状に加工し、抵抗スイッチング動作等のメモリ特性の評価が可能な形態にする。まずフォトリソグラフィーにより、３μｍ×３μｍの大きさのフォトレジストパターンを作製し、アルゴンイオンミリングにより、レジストで覆われていないＲｕＯ₂薄膜を完全に除去し、トンネル接合の上部電極を微細化する。引き続いてスパッタリング法によりＳｉＯ₂薄膜を２５０ｎｍ厚に堆積し、その後にフォトレジストをリフトオフにより除去する。これにより、微細に加工されたトンネル接合は、ＳｉＯ₂薄膜に囲まれたような形態となる。次に、トンネル接合の電気的特性及びメモリ特性を評価するために、上部電極と下部電極への配線層を作製する。なお、前記ＳｉＯ₂薄膜は、両者のショートを防ぐための層間絶縁膜である。上部電極と下部電極の配線層は、フォトリソグラフィーにより反転レジストパターンを作製し、Ａｕ薄膜を４００ｎｍ厚に堆積した後、リフトオフして作製する。

［実施例２］
実施例２は、上部電極をＲｕＯ₂の結晶性膜にした以外は、実施例１と同様に作製した。

［比較例］
比較例は、上部電極をＣｏ金属膜で形成した点以外は、実施例１と同様に作製した。

〈トンネル接合の電気的特性及び抵抗変化型メモリ特性の評価〉
微細化された素子の上部・下部電極の間に、配線層を通じてパルス電圧を印加して評価した。具体的には、上部電極に＋３Ｖ（または＋２Ｖ）の正の電圧を１０μｓ印加する。このパルス電圧により、トンネル接合におけるＢａＴｉＯ₃の分極の向きは、下向き（下部電極の方向）が安定となる。かつ、強誘電性は不揮発であるので、パルス電圧印加を解除しても分極方向は記憶される。その後、−０.２Ｖの低電圧を印加し、接合を通過する電流を測定する。測定された電流値の逆数に−０.２Ｖを乗じた数値を、「分極が下向きの時の接合抵抗」として評価する。次に−３Ｖ（または−２Ｖ）の負電圧パルスを１０μｓ印加する。これによりＢａＴｉＯ₃の分極は上方向（ＲｕＯ₂の方向）に反転される。パルス電圧印加後、上述と同様に−０.２Ｖの電圧を印加して電流値を測定し、分極が上向きの時の接合抵抗を評価する。印加パルス電圧が正（分極が下向き）のとき接合抵抗は低くなり、負（分極が上向き）とすると増加するので、それぞれを低抵抗状態（ＬＲＳ）、高抵抗状態（ＨＲＳ）と定義する。以上の操作を繰返して抵抗変化型メモリ特性の繰返し耐性を評価した。

図２は、スイッチング動作の繰返し耐性についての測定結果である。図２の横軸は繰返し回数で、縦軸は抵抗値である。（ａ）は、Ｖｐ＝±３Ｖの場合、（ｂ）は、Ｖｐ＝±２Ｖの場合の測定結果である。なお、ＨＲＳおよびＬＲＳの抵抗値は、それぞれ図の黒塗りおよび白抜きの四角で示されている。
図２（ａ）に示すように、本実施形態の実施例１の素子では、大きさ±３Ｖ、幅１０μｓのパルス電圧印加による抵抗スイッチング動作を１０００万回繰返しても、抵抗値はほぼ一定で、ばらつきは殆ど発生せず、ほぼ一定のスイッチング比（約７、読出し電圧は−０.２Ｖ）を維持していることがわかる。
図２（ｂ）に示すように、印加パルスを±２Ｖに低減した場合、スイッチング比は約３に減少するものの、特性バラつきの小さいスイッチング動作を１０億サイクル繰返すことが可能である。

図３は、抵抗スイッチング動作における、特性（抵抗値）のばらつきについての結果を表示したものである。図３の横軸は抵抗値特性であり、縦軸はＣｕｍｕｌａｔｉｖｅＰｒｏｂａｂｉｌｉｔｙ（％）を示す。低抵抗状態（ＬＲＳ）の場合も、高抵抗状態（ＨＲＳ）の場合も、分布曲線がほぼ垂直に立った直線状であることから、ばらつきが極めて小であることが分かる。各抵抗状態の抵抗値の分布幅は、初期の数十万サイクル以内においては特に小さく、標準偏差は低抵抗状態において約２％、高抵抗状態において約３％である。

図４（ａ）（ｂ）（ｃ）は、それぞれ実施例１、実施例２、比較例における、スイッチング動作の繰返し耐性についての測定結果をまとめて図示したものである。比較例において、金属コバルト膜を上部電極に用いたトンネル接合型素子で、同一のパルス電圧印加をおこなった場合、約１００サイクルから抵抗値のバラつきが発生することがわかる（図４（ｃ）参照）。

また、従来型のトンネル接合型素子の繰返し耐性に関しては、非特許文献２に記載されている４００万サイクルという値が、先行技術の最高値として公表されているが、このときの抵抗値の分布幅は、抵抗値の大きさと同程度であり、特性バラつきが非常に大きい。これに比べると、実施例１及び２のばらつきは極めて小さいことが分かる。

〈電流−電圧特性〉
図５は、ＲｕＯ₂（多結晶の場合、アモルファスの場合）の上部電極に対して、０Ｖ→＋３Ｖ→−３Ｖ→０Ｖのように電圧掃引して測定した電流−電圧特性である。トンネル接合特有の非線形な電流−電圧特性が観測されている。アモルファスの場合及び多結晶の場合においては、−３Ｖから電圧を上昇させた時と＋３Ｖから電圧を降下させた時で特性が一致せず、ヒステリシスが観測されている。数Ｖのパルス電圧で分極方向を書込んで、微小電圧における電流値として読み出される抵抗値が、パルスの極性に依存して変化するというメモリ特性と対応している。

〈バンド構造による抵抗スイッチング動作説明〉
図６は、バンド構造による抵抗スイッチング動作を説明する図である。（ａ）は、本実施形態の場合（ＬＳＭＯ／ＢＴＯ／ＲｕＯ₂の積層構造）のバンド構造であり、（ｂ）は、比較例の場合（ＬＳＭＯ／ＢＴＯ／Ｃｏの積層構造）のバンド構造である。強誘電バリア層を有するトンネル接合で観測される抵抗変化型メモリ特性における、強誘電性と接合抵抗の相関関係は、図６（ａ）のような界面バンド構造の非対称性により説明される。エピタキシャルのＬＳＭＯ／ＢａＴｉＯ₃界面では、強誘電性が低減することが知られており、その界面層は、常誘電性のバリア層として機能する。その結果、分極電荷を保持する強誘電性のバリア層と、その電荷を遮蔽する上部および下部電極のうち、下部電極側の界面に電位分布の大きな勾配が発生する。強誘電バリア層の分極方向が反転すると、電荷の符号が反転するので、その電位勾配も変化する（図６（ａ）右参照）。この電位分布の変化によって、電子電気伝導の障壁高さ、すなわち接合抵抗が変化する。このようにして、分極方向に依存した抵抗状態が発現する。比較例のように金属電極を上部電極に用いた場合、スイッチング動作の繰返しに伴う電極の酸化反応の進行によって、意図しない界面バリア層（常誘電性）の生成が、上部電極側界面の一部に発生し得る。その結果、電位分布は図６（ｂ）のように変化すると考えられる。それに伴って電子電気伝導の障壁高さ、接合抵抗も大きく変化するので、抵抗スイッチング動作は不安定になり、その繰返し耐性も劣化する。このような問題は、安定な導電性の金属酸化物を電極に用いれば生じない。

例えば約３００℃、４０ｍＴｏｒｒの条件で堆積したような、多結晶のＲｕＯ₂膜を上部電極に用いた場合は、金属膜を用いたときのような抵抗値の不安定化は起こらない。しかしながら、多結晶の場合はアモルファスの場合と比べて、抵抗スイッチング比自体が小さく、電流−電圧特性のヒステリシスの大きさも小さい（図４（ｂ）、図５参照）。これは、多結晶膜では、様々な結晶配向性を有する結晶膜やそれらのドメイン境界などが混在しているため、界面状態が一様でなく、異なる電位分布を形成する部分が混在し、抵抗スイッチング比が低減していると考えられる。そこで、結晶性膜であるより、アモルファス膜である方がより好ましい。アモルファス膜のような構造的均一性のある構造であれば、界面バンド構造を一様にして抵抗スイッチング動作をより顕著に発現させる効果を有する。

よって、酸化ルテニウムのような酸化物のアモルファス膜は、構造の均一性・化学的安定性・導電性に優れているため、抵抗変化型の不揮発性メモリ素子の上部電極として最適である。一方、多結晶の酸化物ルテニウム膜では、電圧印加耐性は優れるが、構造の均一性が劣ることから抵抗スイッチング比（電流−電圧特性のヒステリシス）が小さい。

［実施例３］
実施例１、２とは異なる材料の積層構造ＳｒＲｕＯ₃／ＢａＴｉＯ₃／アモルファスＲｕＯ₂を作製して、トンネル接合素子を作製した。本実施例３のトンネル接合素子においても抵抗スイッチング現象を観測した。本実施例においても、上部電極として用いるＲｕＯ₂は、多結晶よりアモルファスである方が大きな抵抗スイッチングを示した。上部電極は、多結晶よりアモルファスの導電性酸化物の方が、より好ましい。

上記実施の形態等で示した例は、発明を理解しやすくするために記載したものであり、この形態に限定されるものではない。

本発明のトンネル接合素子は、抵抗変化型の不揮発性メモリ素子として、繰返し耐性等のメモリ特性に優れるので、メモリ装置に広く適用でき、産業上有用である。

１本発明のトンネル接合素子
２基板
３下部電極（第１の電極）
４酸化物強誘電体のバリア層
５、５０上部電極（第２の電極）
６配線用等の導電層
１０従来のトンネル接合素子
ｈ障壁高さ

Claims

酸化物強誘電体のバリア層を導電性の金属酸化物の電極で挟んだトンネル接合を有することを特徴とするトンネル接合素子。
前記電極のうち、基板に近い側の電極を第１の電極とし、基板から遠い側の電極を第２の電極とするとき、前記第２の電極はアモルファス膜であることを特徴とする請求項１記載のトンネル接合素子。
前記第２の電極は、ルテニウム及びイリジウムのうちのいずれか１以上の金属酸化物であることを特徴とする請求項２記載のトンネル接合素子。
前記第２の電極は、酸化ルテニウム及び酸化イリジウムのうちのいずれか１以上の金属酸化物であることを特徴とする、請求項３記載のトンネル接合素子。
前記第１の電極が結晶性薄膜であり、前記第２の電極が酸化ルテニウムのアモルファス膜であることを特徴とする請求項２記載のトンネル接合素子。
前記第１の電極が導電性のペロブスカイト型金属酸化物の結晶性薄膜であることを特徴とする、請求項２乃至５のいずれか１項記載のトンネル接合素子。
前記酸化物強誘電体は、ペロブスカイト型構造を有する強誘電体であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載のトンネル接合素子。
請求項１乃至７のいずれか１項記載のトンネル接合素子を備える抵抗変化型の不揮発性メモリ素子。