JP2018052805A

JP2018052805A - ガラス板

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Publication number: JP2018052805A
Application number: JP2017178952A
Authority: JP
Inventors: 啓史佐藤; Hiroshi Sato; 佑輔似内; Yusuke NITANAI; 嘉孝中谷; Yoshitaka Nakatani; 兼士山田; Kenji Yamada; 龍富永; Ryu TOMINAGA; 友広米道; Tomohiro Yonemichi
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2016-09-21
Filing date: 2017-09-19
Publication date: 2018-04-05
Anticipated expiration: 2037-09-19
Also published as: JP6836699B2; TW201813935A; KR102420687B1; KR20180032202A; TWI731167B

Abstract

【課題】吸着面となる面は粗くしつつ、かつガラス板の向き判別性を向上させたガラス板を提供する。【解決手段】吸着面となる面は粗くしつつ、ガラス板の向き判別性を向上させたガラス板を提供する。ガラス板１は、第１主面１０と、第２主面２０と、第１端面３０と、第２端面４０と、第３端面５０と、第４端面６０とを備える。第２主面２０を反応ガスであるフッ化水素ガスでエッチングすると共に滞留ガスＧにより第１端面３０もエッチングする。その結果、第１主面１０の第１表面粗さが、第２主面２０の第２表面粗さよりも小さくなり、第１端面３０の第１カレット剥離率は、第２端面４０の第２カレット剥離率よりも大きいなることにより、ステージに吸着される第２主面２０の剥離帯電を防止し、第１端面３０の粗面化によるガラス板１の方向性判別を容易にする。【選択図】図１

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ等に使用されるガラス板に関する。

フラットパネルディスプレイ等の製造プロセスにおいて、ガラス板を真空吸着でステージ（台座）に保持して回路等を実装し、ステージからガラス板を外す際に剥離帯電が起こりガラス板に亀裂や割れが発生するため、剥離帯電防止のため、吸着面を粗面化することが知られている（特許文献１参照）。

特許文献１は、半導体素子またはカラーフィルムが形成される表面である第１表面と、第１表面と反対側の第２表面とを備え、第２表面は、−１．５より大きく、かつ、−０．５より小さいＲｓｋを有し、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３およびＢ_２Ｏ_３を含む組成を有するポロアルミノシリケートガラスを用いた基板であるガラス板であって、ガラス板を載置するテーブル（ステージ）表面と接触する第２表面の面積が表面処理によって低減され、ガラス基板の帯電がより効果的に抑制されることを開示している。

特開２０１４−６９９９９号公報

特許文献１では、第２表面の剥離帯電を防止して割れを低減させているが、ガラス板をパレットに詰める際の向き等を判別させて作業性を向上させることが困難であるという課題がある。

本発明は、吸着面となる面は粗くしつつ、かつガラス板の向き判別性を向上させたガラス板を提供する。

本発明のガラス板は、第１主面と、前記第１主面と対向する第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とを繋ぐ端面と、を有し、前記端面は、第１端面を備え、前記第１主面の第１表面粗さが、前記第２主面の第２表面粗さよりも小さく、前記第１端面の第１カレット剥離率は、他の端面のカレット剥離率とは異なる。

本発明によれば、反応ガスにより第２主面を粗面化して、ステージに吸着させてステージから剥離する際の剥離帯電を防止し、同時に第１端面の第１カレット剥離率を他の端面のカレット剥離率と異ならせることで方向性を容易に判別可能としたガラス板を提供できる。

図１（ａ）〜（ｂ）は本発明に係るガラス板の一例を示し、図１（ａ）正面斜視図、図１（ｂ）搬送装置内の搬送状態の概念図である。図２（ａ）〜（ｃ）は本発明に係るガラス板の一例を示し、図２（ａ）正面図、図２（ｂ）右側面図、図２（ｃ）底面図である。図３は本発明に係るガラス板の搬送状態の一例を示す概念図である。図４（ａ）〜（ｂ）は本発明に係るガラス板の第１主面のフッ素量とＡｌ／Ｓｉ比を測定した結果を示し、図４（ａ）測定ポイントの正面図、図４（ｂ）フッ素量の測定結果とＡｌ／Ｓｉ測定結果の表である。図５（ａ）〜（ｂ）は本発明に係るガラス板の各端面に於けるカレット剥離率を測定した表であり、図５（ａ）第１サンプル、図５（ｂ）第２サンプルである。図６（ａ）〜（ｂ）は本発明に係るガラス板のカレットの電子顕微鏡による写真、図６（ａ）第１端面、図６（ｂ）第２端面である。図７は本発明に係るガラス板の各端面における粗さを測定した表である。図８は本発明に係るガラス板の種々の粗さを示す指標で測定した値を示す表である。

以下、図面を用いて、本発明に係るガラス板の具体的な実施の形態について詳述する。

図１（ａ）〜（ｂ）は、本発明に係るガラス板の一例を示し、図１（ａ）は正面斜視図、図１（ｂ）は搬送装置内の搬送状態の概念図である。図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係るガラス板の一例を示し、図２（ａ）は正面図、図２（ｂ）は右側面図、図２（ｃ）は底面図である。ガラス板の図１（ａ）〜図２（ｃ）を用いてガラス板の一例を詳述する。

本実施形態のガラス板１は、略矩形状をなし、第１主面１０と、第１主面１０と対向する第２主面２０と、第１主面１０と第２主面２０とを繋ぐ４つの端面を備え、４つの端面は、第１端面３０と、第１端面３０と対向する第２端面４０と、第１端面３０の一端と第２端面４０の一端とを繋ぐ第３端面５０と、第１端面３０の他端と第２端面４０の他端とを繋ぎ、第３端面５０に対向する第４端面６０とを有する。

ガラス板１を搬送する搬送装置１００において、上面が第１主面１０であり、回転ローラ１０１と接触し反応ガスであるフッ化水素ガス（ＨＦ）でエッチングされる面が第２主面２０であり、搬送方向（図中矢印方向参照）の先端面が第１端面３０であり、第１端面３０と反対側の端面が第２端面４０であり、ガラス板１の第１主面１０側から見て、右側が第３端面５０、左側が第４端面６０である。

また、ガラス板１の第１主面１０は、図２（ａ）に示す通り、第１、第２、第３、第４端面３０、４０、５０、６０のいずれかからガラス板１の中央側に所定の幅（例えば約２０ｍｍ）を占める縁領域１１と、縁領域１１よりも中央側を占める中央領域１２とを備えている。

ガラス板１の第１端面３０は、図２（ｂ）に示す通り、第１主面１０側を占める第１領域３１と第２主面２０側を占める第２領域３２とを備えている。そして、本実施形態では、第１領域３１と第２領域３２の境界は、ガラス板１が撓むため波形形状となっている場合がある。

ガラス板の第３端面５０は、図２（ｃ）に示す通り、第１端面３０側の第３領域５１と、第２端面４０側の第４領域５２とを備える。即ち、第３領域５１は、ガラス板１の搬送方向に対して上流側にある。

本実施形態のガラス板１は、例えば液晶ディスプレイおよび有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造に用いられる。ガラス板１は、例えば、板厚約０.２ｍｍ〜０.８ｍｍ、縦横約６００ｍｍ〜３０００ｍｍの矩形状である。なお、ガラス板のことをガラス基板とも表現する。

ガラス板１の第１主面１０は、ＦＰＤの製造工程において、ＴＦＴ等の半導体素子、カラーフィルタ、および、ブラックマトリックス（ＢＭ）等を含む複数層の薄膜が形成される面である。

ガラス板１は、ケイ酸塩ガラスであれば組成は特に限定されないが、例えばＦＰＤ用のガラス基板の場合、ＳｉＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３とＢ_２Ｏ_３およびアルカリ土類金属の酸化物を含む組成を有するアルミノケイ酸ガラスが好ましい。また、形成される素子の密着性及び不具合を抑制する観点から、アルミノケイ酸ガラスの中でも、アルカリ金属成分を実質的に含まない、いわゆる無アルカリガラスがより好ましい。なお、アルカリ金属成分を実質的に含まないとは、アルカリ金属成分を全く含まないことの他に、製造上の不可避成分の含有を許容するものである。具体的には、ガラス組成におけるアルカリ金属酸化物の含有量が、０．１質量％以下であることが好ましい。

図３は、本実施形態のガラス板１の搬送状態を示す概念図である。図３を用いて、本発明の目的を詳述する。

搬送装置１００は、ガラス板１を製造する工程内において、所定の寸法に切断済みのガラス板を１枚１枚連続して所定の方向に搬送するもので、図示しない駆動装置等で回転する複数の回転ローラ１０１と、回転ローラ１０１の下方に設置されたノズル１０２と、を備えている。

ノズル１０２は、搬送装置１００によって搬送されるガラス板１に対し、ガラス板１の搬送方向に対して略垂直方向でガラス板１の下側から反応ガスを吹き付ける。これにより、ガラス板１の第２主面２０をエッチング（粗面化）する。また、ノズル１０２は、反応ガスを供給するガス供給路１０３と、反応ガスを吸引するガス吸引路１０４とを有している。

ガス供給路１０３は、外部に設けられた、例えば図示しない原料ガスを供給する原料ガス供給装置と接続される。原料ガスは、例えば、フッ素系原料ガスと、キャリアガスとを含む。

フッ素系原料ガスは、ガラス板１の表面と反応するフッ素系反応成分を生成するために用いられる。フッ素系反応成分は、フッ素系原料ガスをプラズマ化（分解、冷気、活性化、イオン化等を含む）することにより生成できる。キャリアガスは、フッ素系原料ガスの搬送および希釈や、プラズマ放電を行うために用いられる。本実施形態では、フッ素系原料ガスとしてＣＦ_４が、キャリアガスとしてアルゴンが用いられる。

なお、フッ素系原料ガスはこれに限られず、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８といったその他のパーフルオロカーボン、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨ_３Ｆといったハイドロフルオロカーボン、ＳＦ_６、ＮＦ_３、ＸｅＦ_２といったその他のフッ素含有化合物を用いてもよい。また、キャリアガスはこれに限られず、Ｎ_２、ヘリウム、ネオン、キセノンといったその他の不活性ガスを用いてもよい。

本実施形態では、ガラス板１を１枚１枚、反応ガス中に突入させて第２主面２０をエッチングしているが、搬送装置１００内に滞留したガスＧを利用して第１端面３０側もエッチングしている。第１端面３０側を粗面化することによりガラス板１の向き（方向）を判別することが可能となる。滞留ガスＧをあえて存在させて利用するため、搬送されてくるガラス板１毎に反応ガスを除去したり、フローを止めたりする必要がなくなる。本実施形態においては、ガス吸引路１０４を通して反応ガスを搬送装置１００内から吸引している。本実施形態では、搬送方向に対して先端側に位置する端面である第１端面３０も同時に粗面化するためにあえて反応ガスを搬送装置１００内に滞留させてよい。滞留ガスＧの量は粗面化の程度を考慮して制御することが可能である。また、ガラス板１の搬送方向後ろ側に向かうにつれて、反応ガスの密度・濃度が小さくなるように、あえてコントロールしてもよい。
このようにすることで、第２主面２０及び縁領域１１のうち、第１端面３０に沿った領域がガスによって処理される。

反応ガスは第２主面２０をエッチングするために用いられ、ガラス板１の第１主面１０の特に中央領域１２は粗面化しないことが好ましい。第１主面１０の第１表面粗さが、第２主面２０の第２表面粗さよりも小さい。ここで、第１表面粗さとは、中央領域１２内から無作為に６点抽出して測定した値の平均であり、第２表面粗さとは、後述する図４（ａ）の（１）〜（６）に対応する第２主面２０上の位置における測定値の平均とする。第１主面が半導体素子等の形成に適した面となる。

製造ラインを完了したガラス板１を工場内でパレットに詰める際の向きや、納品先工程での搬送上で確認したいガラス板１の向きを、判別する作業が必要な場合があり、ガラス板１の向きが容易に分かると作業効率の向上を図ることができる。また、例えばガラス板１を５度程度傾斜させて立たせた状態で、搬送することがあるが、この際、下側のコンベアと接触する辺の表面粗さが小さすぎると、コンベアとの摩擦が小さすぎて、ガラス板１が滑ってしまう場合がある。

本実施形態では、あえて粗らした端面（第１端面３０）を１つ作ることで、ガラス板１の向きが容易に判別できる。また、当該端面を下にしてガラス板１を配置すれば、載置面（コンベア）に対して滑る問題を容易に解消することができる。

図４（ａ）〜（ｂ）は、第１主面１０のフッ素量とＡｌ／Ｓｉ比とを測定した結果を示し、図４（ａ）は測定ポイントの正面図、図４（ｂ）はフッ素量の測定結果とＡｌ／Ｓｉ測定結果の表である。尚、フッ素は簡易的な洗浄を追加で実施すると検出がほとんどなくなるので、洗浄前の値を図４（ｂ）に示しているが、Ａｌ／Ｓｉの値は、洗浄しても変わらないため洗浄前のどちらの値も有効である。

尚、Ａｌ／Ｓｉ比は、Ｘ線光電子分光法を用いて測定したガラス板１の表面（第１主面１０）のＡｌ濃度およびＳｉ濃度の比、すなわち、Ａｌのａｔｍ％およびＳｉのａｔｍ％の比である。測定装置には、アルバツク・ファイ社製のＥＳＣＡ５５００を使用し、Ｓｉ（２ｐ）およびＡｌ（２ｐ）のピークを用い、パスエネルギー１１７．４ｅＶ、エネルギーステップ０．５ｅＶ／ｓｔｅｐ、取り出し角（試料表面と検出器のなす角度）１５０の条件で測定を行った。スペク卜ルの解析には、解析ソフトＭｕｌｔｉＰａｋＶｅｒ．８．２を使用した。フッ素量（フッ素の含有量）も同じ方法にて測定した。

測定ポイントは６つでガラス板１の第１主面１０上で（１）〜（６）で示してある（図４（ａ）参照）。（１）は第１端面３０と第４端面６０に近い第１主面１０の角側近傍、（２）は第１端面３０と第３端面５０に近い第１主面１０の角側近傍、（３）は第２端面４０と第３端面５０に近い第１主面１０の角側近傍、（４）は第２端面４０と第４端面６０に近い第１主面１０の角側近傍、（５）は第１主面１０の中央近傍、（６）は第１端面３０近傍で（１）と（２）の中間である。また、測定ポイント（１）〜（４）および（６）は、第１主面１０の縁領域１１にある。

第１主面１０のフッ素量（ａｔｍ％）測定結果（図４（ｂ）参照）によると、第１端面３０に近い測定ポイント（１）、（２）、（６）において、他の測定ポイント（３）、（４）、（５）と比較してフッ素量が多く、反応ガスであるフッ化水素ガスの影響がでていることが理解される。表から第２主面２０又は縁領域１１は、フッ素の含有量が、０．３５ａｔｍ％以上の領域を有することが言える。また、好ましくは最大値が０．５０ａｔｍ％以上であり、さらに好ましくは０．７０ａｔｍ％以上である。

このような値範囲とすることで、第１端面３０が充分に粗れてガラス板１の向きの判別がし易くなり、第２主面２０が充分に粗れてステージへのガラス板１の吸着、ステージからのガラス板１の剥離がし易くなる。

第１主面１０のＡｌ／Ｓｉ比の測定結果（図４（ｂ）参照）によると、第１端面３０に近い測定ポイント（１）、（２）、（６）において、他の測定ポイント（３）、（４）、（５）と比較してＡｌ／Ｓｉ比が低くなっており、反応ガスであるフッ化水素ガスでＡｌがリーチングされており、反応ガスの影響がでていることが理解される。本実施形態において、ガラス板１は化学強化ガラスの一種であるアルミノシリケートガラス（アルミノケイ酸ガラス）であり、反応ガスであるフッ化水素ガスに暴露された部分はＡｌがリーチングされるためＡｌ／Ｓｉの値が小さくなっている。なお、本実施形態で用いたガラスの組成は、Ａｌ／Ｓｉの値が約０．３のものである。なお、本実施形態において、ガラス成分からＡｌがリーチングされ、Ｆに置換される場合が考えられる。

また、表から第２主面２０又は縁領域１１は、Ａｌ／Ｓｉが、０．１７以下の領域を有することが好ましいと言える。そして、より好ましくは０．１５以下であり、さらに好ましくは０．１３以下である。また、特に限定されないが、例えば第２主面２０又は縁領域１１のいずれの領域においても、Ａｌ／Ｓｉが０．０１以上でよい。
また、第２主面２０又は縁領域１１は、好ましくはＡｌ／Ｓｉの平均値が０．２０未満であり、さらに好ましくは０．１８未満の領域を有する。また、特に限定されないが、下限値としては例えば０．０１以上である。

ガラス板１の向きの判別がし易くなり、ステージへのガラス板１の吸着、ステージからのガラス板１の剥離がし易くなる。

本実施形態によって、第２主面２０を十分に粗らしつつ、第１端面３０も粗面化したガラス板１を提供できる。

図５（ａ）〜図８を用いて、第２主面２０および第１端面３０の粗面化が行われている状態を、粗さを示す幾つかの測定値に基づいて詳述する。

図５（ａ）〜（ｂ）は、第１端面３０、第２端面４０、第３端面５０、第４端面６０に於けるカレット剥離率を測定した表で、図５（ａ）は第１サンプル、図５（ｂ）は第２サンプルである。カレットとは、ガラス板１から剥がれ落ちる微少なガラスの粒を指す。また、カレット剥離率（単位：％）は、テープ試験によってテープの粘着面に貼りついたカレットの専有面積の割合（カレット占有率）として求めた。テープ試験とは、ガラス板１の端面にテープを貼り付けた後、テープを引き剥がし、「どれだけガラス板１の端面からカレットが剥がれてテープの粘着面に付着しているか」を顕微鏡で測定する試験である。顕微鏡の測定では、テープの粘着面内から無作為に抽出した１２５μｍ×１２５μｍの面積内に存在するカレットが占める面積を二値化処理により抽出し、１２５μｍ×１２５μｍの面積内における存在率を示した。このようにして単位面積当たりのカレット占有面積を求め、パーセント表記したものをカレット剥離率（カレット占有率）とした。
尚、テープ試験で用いるテープは、例えば、ＪＩＳＺ０２３７：２００９で規定される１８０°引き剥がし粘着力が、１０Ｎ／２５ｍｍのものでよく、引き剥がし方法はＪＩＳＺ０２３７：２００９に準じたものでよい。

また、以下、第１端面３０のカレット剥離率を第１カレット剥離率、第２端面４０のカレット剥離率を第２カレット剥離率、第３端面５０のカレット剥離率を第３カレット剥離率、第４端面６０のカレット剥離率を第４カレット剥離率、と述べる。

図５（ａ）〜（ｂ）の表から、第１端面３０の第１カレット剥離率は、第２端面の第２カレット剥離率よりも大きく、第３端面５０の第３カレット剥離率よりも大きく、第４端面６０の第４カレット剥離率よりも大きいことがそれぞれ好ましいと言える。即ち、第１端面３０は、全ての端面４０、５０、６０のうちで、カレット剥離率が最も高いことが好ましいと言える。従って、ガラス板１の向き（方向）の判別性がさらに高まる。

また、図５（ａ）〜（ｂ）の表から、第２カレット剥離率と、第３カレット剥離率と、第４カレット剥離率とが、第２カレット剥離率と、第３カレット剥離率と、第４カレット剥離率との平均値の０．５倍以上１．５倍以下であることが好ましいと言える。このことから、第２端面４０と第３端面５０と第４端面６０には明確な傾向が表れておらず、それぞれに対してあまり差がなく、第１端面３０だけが大きいと理解できる。従って、ガラス板１の向き（方向）の判別性がさらに高まる。

さらに、図５（ａ）の（第１端面３０のカレット剥離率）／（第２端面のカレット剥離率）≒３．７８、図５（ｂ）の（第１端面３０のカレット剥離率）／（第２端面のカレット剥離率）≒５．２４から、第１カレット剥離率は、第２カレット剥離率の３倍以上であることが好ましいと言える。即ち、第１端面３０だけ他の端面４０、５０、６０と比べて飛び抜けて大きいことが理解できる。従って、第１端面３０の粗面化が目立つことで、ガラス板１の向き（方向）の判別性がさらに高まる。また上限値は特に限定されないが、例えば２０倍以下である。
また、テープ試験において、第１サンプルでは長径６μｍ以上のカレットは発生しなかった。また第２サンプルでは長径９μｍ以上のカレットは発生しなかった。また第２サンプルはガラス基板として十分な強度を有し、第１サンプルは第２サンプルよりも強度が高かった。これより、第１端面３０から剥離するカレットの大きさが好ましくは長径１０μｍ以下、より好ましくは長径９μｍ未満、さらに好ましくは長径６μｍ未満であることが言える。即ち、第１端面３０はカレットが剥離し易いが、大きすぎるカレットは剥離していないことが理解できる。上記範囲であることで、滞留ガスＧの濃度を制御することで第１端面３０を粗らしつつ、かつ第１端面３０の端面強度の低下を抑制することができる。また、下限値は特に限定されないが、例えば長径０．１μｍ以上である。

また、第１端面３０のうち第２主面側が、エッチングされやすいため、第１カレット剥離率は、第１領域３１よりも第２領域３２の方が大きいことも言える。そして、第１領域３１と第２領域３２の境界は、ガラス板が撓む場合があるため波形形状である場合があることを上述した。従って、ガラス板１の向きを確認する作業において、容易にガラス板１の向き（方向）を判別できる。

第３端面５０の第３カレット剥離率では、第４領域５２よりも第３領域５１の方が大きいと言える。即ち、第３端面５０の側辺のうち、滞留ガスＧに触れやすい搬送方向上流の方が、カレット剥離率が高くなり、ガラス板１の向き（方向）の判別性がさらに高まる。

図６（ａ）〜（ｂ）は、カレットの電子顕微鏡による写真で、図６（ａ）は第１端面３０、図６（ｂ）は第２端面４０である。黒い部分がカレットで、他の部分はテープである。第２端面４０に比較して第１端面３０のカレットが多いことが理解できる。

図７は、第１端面３０、第２端面４０、第３端面５０、第４端面６０に於ける粗さを測定した表である。表中の各粗さを示す指標（ＲａおよびＲδｃ）は以下の定義である。なお、これらの値はＪＩＳＢ０６０１：２０１３に規定される。尚、これらの値は各端面において無作為に５点測定して、その値を平均したものである。
Ｒａ：「算術平均粗さ」であり、基準長さにおいて、Ｚ（ｘ）（１つの曲線の集合体）の絶対値の平均を表す値である。
Ｒδｃ：「粗さ曲線の切断レベル差」であり、二つの負荷長さ率に一致する高さ方向の切断レベルｃの差を表す値である。

図７の表から、第１端面３０のＲａおよびＲδｃの値は、他の端面４０、５０、６０の値よりも大きいことが理解できる。即ち、第１端面３０の表面粗さは、第２端面４０の表面粗さよりも大きいことが好ましいと言える。

そして、図５（ａ）〜（ｂ）および図７の表から、第１主面１０の第１表面粗さが、第２主面２０の第２表面粗さよりも小さく、第１端面３０の第１カレット剥離率は、第２端面４０の第２カレット剥離率よりも大きいと理解できる。

従って、ステージに吸着して剥離する側の第２主面２０の粗面化により剥離帯電が防止でき、真空吸着からガラス板１が外し易くなり、第１端面３０の粗面化によりガラス板１の方向性が容易に理解され、例えば納品先での搬送時に載置する側の判別作業の効率向上を図ることができる。

また、縁領域１１は、中央領域１２よりも表面粗さが大きい領域を有することが好ましい。図４（ａ）〜（ｂ）において、反応ガスの影響を第１主面の縁領域１１の搬送方向下流側については確認できるため、第１主面の縁領域１１も第２主面２０と同様の表面特性であると考えられる。縁領域１１に中央領域１２よりも表面粗さが大きい領域を備えれば、その部位から空気が入りやすいため、ガラス板１を積層させる際の合紙を剥がし易くなる。即ち、ガラス板１の周縁の一部が粗れているため、合紙をめくりやすいと言える。なお、縁領域１１は、半導体素子の形成に適さなければ、後の工程で切り落としてよく、中央領域１２のみを半導体素子の形成に用いればよい。

搬送装置１００内で搬送されるガラス板１の最初に突入する第１端面３０は、反応ガスにより他の端面４０、５０、６０に比べ粗くなり、カレット剥離率が大きくなるため、第１端面３０が判別できる。この結果、ガラス板１の向き（方向）の判別性を付与することができ、ガラス板１の向きを容易に判別できる。

図８は、第２主面２０を種々の粗さを示す指標で測定した値を示す表であり、サンプル数Ｎは５個（Ｎ＝５）である。

表中の各粗さを示す指標（Ｒｋｕ、Ｒｓｋ、等）は以下の定義である。なお、これらの指標はＪＩＳＢ０６０１：２０１３に規定される。

Ｒｋｕ：「粗さ曲線のクルトシス」であり、二乗平均平方根高さＲｑの四乗によって無次元した基準長さにおいて、Ｚ（ｘ）の四乗平均を表す値である。

Ｒｓｋ：「粗さ曲線のスキューネス」であり、二乗平均平方根高さＲｑの三乗によって無次元化した基準長さにおいて、Ｚ（ｘ）の三乗平均を表す。歪度を意味し、平均線を中心としたときの山部と谷部の対称性を表す値である。また、原子間力顕微鏡により測定される表面の凹凸形状を表すパラメータの一種でもある。

Ｒｓｍ：「粗さ曲線要素の平均長さ」であり、基準長さにおいて、輪郭曲線要素の長さＸｓの平均を表す値である。
Ｒｖ：「粗さ曲線の最大谷深さ」であり、基準長さにおいて、輪郭曲線の谷深さＺｖの最大値である。
Ｒｚ：「最大高さ粗さ」であり、基準長さにおいて、輪郭曲線の山高さＺｐの最大値Ｒｐと谷深さＺｖの最大値Ｒｖの和を表す値である（Ｒｚ＝Ｒｐ＋Ｒｖ）。

比表面積率の増加分とは、基準平面の表面積を１とした際の、第１主面１０又は第２主面２０の比表面積を測定し、それらの値と基準平面の表面積との差分（すなわち第１主面１０又は第２主面２０の比表面積の値から１を引いた値）を示す（単位は％）。

図８の表において、第２主面２０又は第１主面１０の縁領域１１が所望の粗面化をしていることを示す事実としてＲｓｋの値が正であることと、比表面積率の増加分の値が高いことが重要である。

当該表から、第２主面２０又は第１主面１０の縁領域１１は、Ｒｓｋ（粗さ曲線のスキューネス）が正の領域を含むと言える。そして、Ｒｓｋの最大値が好ましくは０．２以上であり、より好ましくは０．４以上、さらに好ましくは０．６以上である。また、Ｒｓｋの最小値が好ましくは０．１以下であり、より好ましくは０．０５以下である。さらに、第２主面２０全体ではＲｓｋが正でもよく、その場合、第２主面２０全体的に、好ましくは０．００５以上であり、より好ましくは０．００８以上、さらに好ましくは０．０１０以上である。

粗面化することで剥離帯電が抑制され、ステージへのガラス板１の吸着、ステージからのガラス板１の剥離がしやすくなり、ガラス板１の方向性も容易に判別することができる。

また、図８の表から第２主面２０又は第１主面１０の縁領域１１は、比表面積率の増加分が好ましくは０．０１％以上の領域を備えると言える。そして、比表面積率の増加分が、より好ましくは０．０２％以上であり、さらに好ましくは０．０３％以上である。また、比表面積率の増加分の最大値は好ましくは０．０５％以上であり、より好ましくは０．０７％以上、さらに好ましくは０．１０％以上である。

本実施形態の説明において第１、第２等を使用したが、特に位置や方向性を限定する用語ではない。また、第１端面３０の粗面化を説明したが、製造ラインによっては第３端面５０や第４端面６０を粗面化する方が有利な場合もあり、方向性の判別は一端面の粗面化であればよく、特に限定されない。

尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。その他、上述した実施形態における各構成要素の材質、形状、寸法、数値、形態、数、配置箇所、等は本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。

特に、本実施形態では略矩形状のガラス板と表現したが、コーナーカットと呼ばれる、矩形のガラス板の角を切り落としたガラス板であってもよい。

以上の事項より、本明細書は以下の内容を開示する。
［１］
第１主面と、前記第１主面と対向する第２主面と、前記第１主面と前記第２主面とを繋ぐ端面と、を有し、前記端面は、第１端面を備え、前記第１主面の第１表面粗さが、前記第２主面の第２表面粗さよりも小さく、前記第１端面の第１カレット剥離率は、他の端面のカレット剥離率とは異なることを特徴とするガラス板。
［２］
前記端面は、前記第１端面と対向する第２端面、を備え、前記第１端面の前記第１カレット剥離率は、前記第２端面の第２カレット剥離率よりもおおきい［１］に記載のガラス板。
［３］
前記端面は、前記第１端面の一端と前記第２端面の一端とを繋ぐ第３端面と、前記第１端面の他端と前記第２端面の他端とを繋ぎ、前記第３端面に対向する第４端面と、を備え、前記第１カレット剥離率は、前記第３端面の第３カレット剥離率よりも大きく、前記第１カレット剥離率は、前記第４端面の第４カレット剥離率よりも大きい、［１］または［２］に記載のガラス板。
［４］
前記第２カレット剥離率と、前記第３カレット剥離率と、前記第４カレット剥離率とが、前記第２カレット剥離率と、前記第３カレット剥離率と、前記第４カレット剥離率との平均値の０．５倍以上１．５倍以下である、［３］に記載のガラス板。
［５］
前記第１カレット剥離率は、前記第２カレット剥離率の３倍以上である、［２］から［４］のいずれか１項に記載のガラス板。
［６］
前記第１端面から剥離するカレットの大きさが長径１０μｍ以下である、［１］から［５］のいずれか１項に記載のガラス板。
［７］
前記第１端面の表面粗さは、前記第２端面の表面粗さよりも大きい、［２］に記載のガラス板。
［８］
前記第１端面は、前記第１主面側を占める第１領域と、前記２主面側を占める第２領域と、を備え、前記第１カレット剥離率は、前記第１領域よりも前記第２領域の方が大きい、［１］から［７］のいずれか１項に記載のガラス板。
［９］
前記第１領域と前記第２領域の境界は、波形形状である、［８］に記載のガラス板。
［１０］
前記第３端面は、前記第１端面側の第３領域と、第２端面側の第４領域とを備え、前記第３カレット剥離率は、前記第４領域よりも前記第３領域の方が大きい、［３］に記載のガラス板。
［１１］
前記第１主面は、前記第１、第２、第３、第４端面のいずれかから前記ガラス板の中央側に所定の幅占める縁領域と、前記縁領域よりも中央側を占める中央領域と、を備え、前記縁領域は、前記中央領域よりも表面粗さが大きい領域を有する、［３］に記載のガラス板。
［１２］
前記第２主面又は前記縁領域は、粗さ曲線のスキューネス（Ｒｓｋ）が正の領域を有する、［１１］に記載のガラス板。
［１３］
前記第２主面又は前記縁領域は、比表面積率の増加分が０．０１％以上の領域を有する、［１１］に記載のガラス板。
［１４］
前記第２主面又は前記縁領域は、フッ素含有量が、０．３５ａｔｍ％以上の領域を有する、［１１］に記載のガラス板。
［１５］
前記第２主面又は前記縁領域は、Ａｌ／Ｓｉが０．１７以下である領域を有する、［１１］に記載のガラス板。
［１６］
前記縁領域は、前記第１端面から前記ガラス板の中央側に所定の幅占める領域である、［１１］に記載のガラス板。

本発明のガラス板は、ステージと接触する面の剥離帯電を防止し、端面側の方向判別を必要とするガラス板に好適に用いられる。

本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは、当業者にとって明らかである。

１ガラス板（ガラス基板）
１０第１主面
１１縁領域
１２中央領域
２０第２主面
３０第１端面
３１第１領域
３２第２領域
４０第２端面
５０第３端面
５１第３領域
５２第４領域
６０第４端面
１００搬送装置
１０１回転ローラ
１０２ノズル
Ｇ滞留ガス

Claims

第１主面と、
前記第１主面と対向する第２主面と、
前記第１主面と前記第２主面とを繋ぐ端面と、を有し、
前記端面は、第１端面を備え、
前記第１主面の第１表面粗さが、前記第２主面の第２表面粗さよりも小さく、
前記第１端面の第１カレット剥離率は、他の端面のカレット剥離率とは異なることを特徴とするガラス板。
前記端面は、前記第１端面と対向する第２端面、を備え、
前記第１端面の前記第１カレット剥離率は、前記第２端面の第２カレット剥離率よりも大きい請求項１に記載のガラス板。
前記端面は、
前記第１端面の一端と前記第２端面の一端とを繋ぐ第３端面と、
前記第１端面の他端と前記第２端面の他端とを繋ぎ、前記第３端面に対向する第４端面と、を備え、
前記第１カレット剥離率は、前記第３端面の第３カレット剥離率よりも大きく、
前記第１カレット剥離率は、前記第４端面の第４カレット剥離率よりも大きい、請求項２に記載のガラス板。
前記第２カレット剥離率と、前記第３カレット剥離率と、前記第４カレット剥離率とが、
前記第２カレット剥離率と、前記第３カレット剥離率と、前記第４カレット剥離率との平均値の０．５倍以上１．５倍以下である、請求項３に記載のガラス板。
前記第１カレット剥離率は、前記第２カレット剥離率の３倍以上である、請求項２から４のいずれか１項に記載のガラス板。
前記第１端面から剥離するカレットの大きさが長径１０μｍ以下である、請求項１から５のいずれか１項に記載のガラス板。
前記第１端面の表面粗さは、前記第２端面の表面粗さよりも大きい、請求項２に記載のガラス板。
前記第１端面は、
前記第１主面側を占める第１領域と、前記２主面側を占める第２領域と、を備え、
前記第１カレット剥離率は、前記第１領域よりも前記第２領域の方が大きい、請求項１から７のいずれか１項に記載のガラス板。
前記第１領域と前記第２領域の境界は、波形形状である、請求項８に記載のガラス板。
前記第３端面は、
前記第１端面側の第３領域と、第２端面側の第４領域とを備え、
前記第３カレット剥離率は、前記第４領域よりも前記第３領域の方が大きい、請求項３に記載のガラス板。
前記第１主面は、
前記第１、第２、第３、第４端面のいずれかから前記ガラス板の中央側に所定の幅占める縁領域と、
前記縁領域よりも中央側を占める中央領域と、を備え、
前記縁領域は、前記中央領域よりも表面粗さが大きい領域を有する、請求項３に記載のガラス板。
前記第２主面又は前記縁領域は、粗さ曲線のスキューネス（Ｒｓｋ）が正の領域を有する、請求項１１に記載のガラス板。
前記第２主面又は前記縁領域は、比表面積率の増加分が０．０１％以上の領域を有する、請求項１１に記載のガラス板。
前記第２主面又は前記縁領域は、フッ素含有量が、０．３５ａｔｍ％以上の領域を有する、請求項１１に記載のガラス板。
前記第２主面又は前記縁領域は、Ａｌ／Ｓｉが０．１７以下である領域を有する、請求項１１に記載のガラス板。
前記縁領域は、前記第１端面から前記ガラス板の中央側に所定の幅占める領域である、請求項１１に記載のガラス板。