JP2018050066A - 加工対象材料の切断方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】切断予定面にレーザ光を吸収させて改質領域を形成した後に切断する加工対象材料の切断方法であって、切断予定面の法線は所定の低指数面の法線と所定の角度をなしており、レーザ光の照射ライン10同士の距離を割れが伸展しない距離として複数のライン状の改質領域12を並べて形成し、各改質領域の間に追加のライン状の改質領域13を形成する。このとき、各改質領域を、隣接する各改質領域から所定の低指数面に沿った割れが到達可能な深さ寸法とする。
【選択図】図5
Description
図1に示すように、SiC材料1は、円筒状に形成され、所定の切断予定面100で切断されることにより、複数のSiC基板210に分割される。本実施形態においては、SiC材料1は6H型SiCからなり、直径を例えば3インチとすることができる。また、分割された各SiC基板210は、例えば半導体デバイスの基板として利用される。
図2に示すように、レーザ照射装置300は、レーザ光をパルス発振するレーザ発振器310と、発振されたレーザ光の方向を変えるミラー320と、レーザ光をフォーカシングする光学レンズ330と、レーザ光の照射対象であるSiC積層体1を支持するステージ340と、を備えている。尚、図2には特に細かい光学系は図示していないが、レーザ照射装置300は、焦点位置調整、ビーム形状調整、収差補正等が可能となっている。また、レーザ照射装置300は、レーザ光の経路を真空状態に維持するハウジング350を有している。本実施形態においては、このレーザ照射装置300を用い、6H型SiCのSiC材料1にレーザ光を照射して、SiC材料1の内部に改質領域を形成し、SiC材料1を切断する。
改質パターンの形成にあたり、まず、図3に示すように、レーザ光の集光点を直線的に移動させることで、レーザ光の照射ライン10に沿って先行改質領域12を形成する。先行改質領域12は、パルスレーザ光のワンパルスショットで形成される改質スポットの集合として形成されている。本実施形態においては、レーザ光のワンパルスショットの間隔は、隣接する集光点の一部が重なるように設定されており、レーザ光の照射ライン10は連続的に形成される。尚、図4に示すように、レーザ光のワンパルスショットの間隔を隣接する集光点が重ならないように設定し、レーザ光の照射ライン11を間欠的とすることもできる。各先行改質領域12の幅寸法は任意であるが、例えば10μm以上50μm以下とすることができる。本実施形態では、レーザ光の照射ライン10同士の距離をc面に沿った割れが伸展しない距離P1として、複数のライン状の先行改質領域12が並べて形成される(割れ抑制加工工程)。本実施形態においては、各先行改質領域12の並び方向は、オフ方向とほぼ直交する方向である。各先行改質領域12の並び方向は任意であるが、例えば、各先行改質領域12の並び方向と、オフ方向と直交する方向と、のなす角を30度以内とすることができる。c面に沿った割れが伸展しない距離P1は、例えば、各先行改質領域12の幅寸法の4倍以上である。
次いで、図5に示すように、割れ抑制加工工程にて形成された先行改質領域12の間に、ライン状の追加改質領域13を、隣接するレーザ光の照射ライン10同士の距離をc面に沿った割れが伸展する距離P2として形成する(割れ促進加工工程)。c面に沿った割れが伸展する距離P2は、例えば、各先行改質領域12の幅寸法の4倍未満である。本実施形態においては、追加改質領域13は、隣接する先行改質領域12の中間に形成される。追加改質領域13も先行改質領域12と同様に、パルスレーザ光のワンパルスショットで形成される改質スポットの集合として形成されている。本実施形態においては、レーザ光のワンパルスショットの間隔は、隣接する集光点の一部が重なるように設定されており、レーザ光の照射ライン10は連続的に形成される。尚、図6に示すように、レーザ光のワンパルスショットの間隔を隣接する集光点が重ならないように設定し、レーザ光の照射ライン11を間欠的とすることもできる。各追加改質領域13の幅寸法は任意であるが、例えば10μm以上50μm以下とすることができる。
図7に示すように、各先行改質領域12が形成された状態では、各先行改質領域12の近傍に、各先行改質領域12を起点としてc面に沿う方向へ割れ110は生じていない。尚、各先行改質領域12は、深さ方向(図7及び図8の上下方向)について所定の寸法で形成されている。この状態から追加改質領域13を形成すると、図8に示すように、各先行改質領域12及び各追加改質領域13の間に、各先行改質領域12及び各追加改質領域13を起点としてc面に沿う方向へ割れ110が独立して生じる。各割れ110は、切断予定面100に対してオフ角だけ傾斜している。ここで、各先行改質領域12及び各追加改質領域13は、図8に示すように、隣接する改質領域からc面に沿って延びる割れ110が到達可能な深さ寸法を有することが好ましい。各先行改質領域12及び各追加改質領域13の深さ寸法が短いと、c面に沿って延びる割れ110を、各改質領域間で適切に伸展させられないおそれがある。
12 先行改質領域
13 追加改質領域
100 切断予定面
110 割れ
210 SiC基板
300 レーザ照射装置
310 レーザ発振器
320 ミラー
330 光学レンズ
340 ステージ
350 ハウジング
410 割れ
412 改質領域
P1 c面に沿った割れが伸展しない距離
P2 c面に沿った割れが伸展する距離
Claims (3)
- 六方晶系のSiCからなる加工対象材料の切断予定面に対しレーザ光を吸収させて改質領域を形成した後、前記加工対象材料を前記切断予定面に沿って切断する加工対象材料の切断方法であって、
前記切断予定面の法線は、前記加工対象材料のc面の法線と所定の角度をなし、
前記レーザ光の照射ライン同士の距離をc面に沿った割れが伸展しない距離として、複数のライン状の改質領域を並べて形成する割れ抑制加工工程と、
前記割れ抑制加工工程にて形成されたライン状の各改質領域の間に、追加のライン状の改質領域を形成する割れ促進加工工程と、を含み、
前記各改質領域は、隣接する前記各改質領域からc面に沿って延びる割れが到達可能な深さ寸法に形成される加工対象材料の切断方法。 - 前記c面に沿った割れが伸展しない距離は、前記改質領域の幅寸法の4倍以上である請求項1に記載の加工対象材料の切断方法。
- 加工対象材料の切断予定面に対しレーザ光を吸収させて改質領域を形成した後、前記加工対象材料を前記切断予定面に沿って切断する加工対象材料の切断方法であって、
前記切断予定面の法線は、前記加工対象材料の所定の低指数面の法線と所定の角度をなし、
前記レーザ光の照射ライン同士の距離を前記所定の低指数面に沿った割れが伸展しない距離として、複数のライン状の改質領域を並べて形成する割れ抑制加工工程と、
前記割れ抑制加工工程にて形成されたライン状の各改質領域の間に、追加のライン状の改質領域を形成する割れ促進加工工程と、を含み、
前記各改質領域は、隣接する前記各改質領域から前記所定の低指数面に沿った割れが到達可能な深さ寸法に形成される加工対象材料の切断方法。
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