JP2018046214A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
そこで、例えば、パワー半導体素子とダイパッドとの間のハンダの厚さを厚くすることが行われる。これにより、温度変化に応じてパワー半導体素子とダイパッドとの熱膨張係数差によりハンダに熱応力が発生しても、厚いハンダは熱応力に対して持ちこたえることができる。したがって、ハンダに対するクラックの発生等を抑制することができ、パワー半導体素子とダイパッドとの接合箇所の信頼性の向上が図られている。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、ハンダの濡れ広がりを防止して、信頼性の低下を抑制することができる半導体装置を提供することを目的とする。
半導体装置について、図1及び図2を用いて説明する。
図1は、実施の形態の半導体装置の上面図であり、図2は、実施の形態の半導体装置の断面図である。
半導体装置1は、半導体素子50と、半導体素子50がハンダ40を介して設置される設置領域10aを備えるダイパッド10と、ダイパッド10に一体的に形成されるリードフレーム20a〜20dと、を有している。そして、半導体装置1は、半導体素子50の主電極とワイヤ60a〜60dで電気的にそれぞれ接続されたリードフレーム30a〜30dを有している。このような半導体装置1は、これらの構成が封止樹脂70で封止されている。
図3は、実施の形態のプレス加工された半導体装置のダイパッド及びリードフレームを示す図である。
図5は、実施の形態の半導体装置の切り起こし部が形成されたダイパッド及びリードフレームの断面図である。
まず、金、銀、銅、アルミニウム等の金属で構成された平板材を用意する。この平板材の厚さtは、0.1mm以上、0.2mm以下であり、例えば、0.15mmである。
次いで、ダイパッド10の切り起こし部11a〜11dが形成された設置領域10aにハンダ40を塗布して、ハンダ40上に半導体素子50を設置して、ダイパッド10上に半導体素子50を固着する。
リードフレーム20a〜20dが一体的に形成され、半導体素子50が固着されたダイパッド10と、半導体素子50とワイヤ60a〜60dで電気的に接続されたリードフレーム30a〜30dとを所定の金型にセットする。そして、トランスファー成型により半導体素子50、ダイパッド10、ワイヤ60a〜60d等を封止樹脂70で封止する。
ここで、半導体装置1に対する参考例の半導体装置について、図6を用いて説明する。
図6は、参考例の半導体装置の上面図である。
半導体装置2は、半導体素子50と、半導体素子50がハンダ40を介して設置されるダイパッド10と、ダイパッド10に一体的に形成されるリードフレーム20a〜20dと、を有している。そして、半導体装置2は、半導体素子50の主電極とワイヤ60a〜60dで電気的にそれぞれ接続されるリードフレーム30a〜30dを有している。このような半導体装置2は、これらの構成が封止樹脂70で封止されている。
このような半導体装置2では、ダイパッド10に塗布されたハンダ40が、図6に示されるように、ダイパッド10上で濡れ広がってしまう。このため、ハンダ40上の半導体素子50の位置がずれてしまうおそれがある。半導体素子50の主電極にワイヤ60a〜60dをワイヤボンディングするボンディング装置は、半導体素子50の位置がずれてしまうと、半導体素子50に対するボンディング位置を適切に認識することができなくなってしまう。このため、半導体素子50に対するワイヤボンディングの位置の精度が低下してしまい、適切にワイヤボンディングを行うことができなくなるおそれがある。
10 ダイパッド
10a 設置領域
11a〜11d 切り起こし部
12a〜12d 切り欠き部
13a〜13d 開口部
20a〜20d,30a〜30d リードフレーム
40 ハンダ
50 半導体素子
60a〜60d ワイヤ
70 封止樹脂
Claims (8)
- 半導体素子と、
前記半導体素子が接合材を介して設置される設置領域を備えるダイパッドと、
を有し、
前記ダイパッドは前記設置領域の周囲に、切り起こした切り起こし部が形成されている、
半導体装置。 - 前記半導体素子と前記ダイパッドとを封止する封止部材、
を有する請求項1に記載の半導体装置。 - 前記切り起こし部は、方形状の前記設置領域の辺に沿って形成されている、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記切り起こし部は、前記設置領域の前記辺に連結して、連結部分を支点にして立ち上げられている、
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記配置領域の角部から、前記切り起こし部の形成により得られる切り欠き部の、前記角部から近い方の端部までの第1距離は、前記ダイパッドの厚さ以上である、
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記切り欠き部の前記端部から、前記切り欠き部内の前記切り起こし部の端部までの第2距離は、前記ダイパッドの厚さ以上である、
請求項5に記載の半導体装置。 - 前記切り欠き部から、前記切り欠き部に対向する、前記切り欠き部から近い方の前記ダイパッドの端部までの第3距離は、前記ダイパッドの厚さ以上である、
請求項5に記載の半導体装置。 - 前記切り起こし部の前記ダイパッドからの立ち上がりの角度に対する正弦の値が、前記接合材の厚さ以上、前記半導体素子の高さ以下である、
請求項1に記載の半導体装置。
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