JP2018042193A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 7
Claims (6)
- 第1の電源系統から電力が供給される第1の回路部であって、第1のバッファと第2のバッファと第1の処理部とを有する、第1の回路部と、
前記第1の電源系統とは異なる第2の電源系統から電力が供給される第2の回路部であって、第3のバッファを有する第2の回路部と、
前記第1の電源系統から電力が供給される、第1の発振信号生成回路と、
前記第2の電源系統から電力が供給される、第2の発振信号生成回路と、
を備えており、
前記第1のバッファには、前記第1の発振信号生成回路により生成された第1の発振信号が入力され、
前記第2のバッファには、前記第2の発振信号生成回路により生成された第2の発振信号が、前記第3のバッファを介して入力され、
前記第1のバッファが前記入力された第1の発振信号を前記第1の処理部に出力するか否か、又は、前記第2のバッファが前記入力された第2の発振信号を前記第1の処理部に出力するか否かのいずれかが制御可能である、ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の回路部は、第4のバッファと第2の処理部とをさらに有しており、
前記第4のバッファには、前記第1のバッファを介して、前記第1の発振信号が入力され、
前記第4のバッファが前記入力された第1の発振信号を前記第2の処理部に出力するか否かを制御可能である、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置 - 前記第1の発振信号が入力される、第5のバッファをさらに備えており、
前記第5のバッファが、入力された前記第1の発振信号を、前記第1の処理部及び前記第1のバッファに出力するか否かを制御可能である、請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1の発振信号生成回路は、前記第1の発振信号と前記第2の発振信号を生成可能であり、
当該半導体装置は、
前記第1の発振信号生成回路が生成した前記第1の発振信号と前記第2の発振信号のうちのいずれか一方を出力する、第1の選択回路を、
さらに備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第2の発振信号生成回路も、前記第1の発振信号と前記第2の発振信号を生成可能であり、
当該半導体装置は、
前記第2の発振信号生成回路が生成した前記第1の発振信号と前記第2の発振信号のうちのいずれか一方を出力する、第2の選択回路と、
前記第1及び第2の電源系統とは異なる第3の電源系統から電力が供給される第3の回路部と、
前記第1乃至第3の電源系統とは異なる第4の電源系統から電力が供給される第4の回路部と、
をさらに備えており、
前記第4の回路部は、
前記第4の電源系統から電力が供給され、且つ、前記第2の選択回路から出力された前記第1の発振信号又は前記第2の発振信号が入力される第6のバッファであって、非選択的に、前記第3の回路部に前記2の発振信号を出力する第6のバッファを、
備える請求項4に記載の半導体装置。 - 前記第3の回路部は、
前記第3の電源系統から電力が供給され、且つ、前記第6のバッファから出力された前記第1の発振信号又は前記第2の発振信号が入力される第7のバッファであって、入力された前記1の発振信号又は前記第2の発振信号を前記第2の回路部に出力するか否かを制御可能な第7のバッファを、
備える請求項5に記載の半導体装置。
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