JP2018041982A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2018041982A5
JP2018041982A5 JP2017238195A JP2017238195A JP2018041982A5 JP 2018041982 A5 JP2018041982 A5 JP 2018041982A5 JP 2017238195 A JP2017238195 A JP 2017238195A JP 2017238195 A JP2017238195 A JP 2017238195A JP 2018041982 A5 JP2018041982 A5 JP 2018041982A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
metal oxide
etching
composition according
ammonium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017238195A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP6501858B2 (ja
JP2018041982A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2017238195A priority Critical patent/JP6501858B2/ja
Priority claimed from JP2017238195A external-priority patent/JP6501858B2/ja
Publication of JP2018041982A publication Critical patent/JP2018041982A/ja
Publication of JP2018041982A5 publication Critical patent/JP2018041982A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6501858B2 publication Critical patent/JP6501858B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2017238195A 2017-12-13 2017-12-13 金属酸化物エッチング液組成物およびエッチング方法 Active JP6501858B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017238195A JP6501858B2 (ja) 2017-12-13 2017-12-13 金属酸化物エッチング液組成物およびエッチング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017238195A JP6501858B2 (ja) 2017-12-13 2017-12-13 金属酸化物エッチング液組成物およびエッチング方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013193440A Division JP6261926B2 (ja) 2013-09-18 2013-09-18 金属酸化物エッチング液組成物およびエッチング方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018041982A JP2018041982A (ja) 2018-03-15
JP2018041982A5 true JP2018041982A5 (enExample) 2018-05-17
JP6501858B2 JP6501858B2 (ja) 2019-04-17

Family

ID=61626558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017238195A Active JP6501858B2 (ja) 2017-12-13 2017-12-13 金属酸化物エッチング液組成物およびエッチング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6501858B2 (enExample)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6795543B2 (ja) * 2018-04-27 2020-12-02 株式会社Joled 半導体装置の製造方法
WO2022050099A1 (ja) * 2020-09-01 2022-03-10 株式会社Adeka エッチング方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11302876A (ja) * 1998-04-16 1999-11-02 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜の電極パターン加工方法
JP4248793B2 (ja) * 2002-02-15 2009-04-02 独立行政法人産業技術総合研究所 薄膜太陽電池の製造方法
JP4816250B2 (ja) * 2006-05-25 2011-11-16 三菱瓦斯化学株式会社 エッチング液組成物及びエッチング方法
JP5007907B2 (ja) * 2008-05-09 2012-08-22 株式会社豊田中央研究所 エッチング液及び半導体素子の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103125017B (zh) 蚀刻液组合物及蚀刻方法
JP6261926B2 (ja) 金属酸化物エッチング液組成物およびエッチング方法
JP2019510379A5 (enExample)
JP2015521151A5 (enExample)
WO2019140809A1 (zh) 一种蚀刻液组合物
JP2018041982A5 (enExample)
CN116333744B (zh) 一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用
JP2006054363A (ja) シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法
US8795542B2 (en) Removal of silicon nitrides during manufacturing of semiconductor devices
US10689573B2 (en) Wet etching composition for substrate having SiN layer and Si layer and wet etching method using same
CN104465369A (zh) 锗的刻蚀方法
KR20110019769A (ko) 2 단계 도핑을 가지는 태양전지의 제조방법
JP4816250B2 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
CN102856188A (zh) 一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法
CN103668467B (zh) 一种多晶硅片制绒添加剂及其应用
CN102958278A (zh) 一种线路板采用湿膜进行盲孔开窗的制作方法
KR101992224B1 (ko) 실리콘 에칭액 및 에칭방법 그리고 미소전기기계소자
CN109594079B (zh) 一种钼铝共用蚀刻液及蚀刻方法
US9704719B2 (en) Systems and methods to mitigate nitride precipitates
JP2017212358A (ja) エッチング液及びエッチング方法
JP6501858B2 (ja) 金属酸化物エッチング液組成物およびエッチング方法
CN111518561B (zh) 一种硅蚀刻剂及其应用
JP5262478B2 (ja) 透明電極用のエッチング液
CN109844910B (zh) 蚀刻液组合物和蚀刻方法
JP2009117504A (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法