JP2018038240A - 昇降圧電源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】直流電源から降圧または昇圧されたDC/DC変換に関する昇降圧電源装置において、太陽光発電等の主回路電圧が高電圧化しており、低価格のDC/DC変換電源装置が得にくい状況であったが本発明により市場性のある小型、低価格な電源を提供する。【解決手段】高電圧直流電源の主回路を正側上段主回路と負側下段主回路の2分圧化して対照的な部品構成で、従来と同一の部品で構成して、出力電源を1本化制御し、且つ電圧及び電流・負荷分担も制御して安定な制御を実現する。【選択図】図1

Description

本発明は、直流電源電圧から直流電源電圧以下の直流電圧電源を要する負荷装置との間に介在し、双方向、及び一方向の直流電圧電源を得る昇降圧DC/DC変換器に関する昇降圧電源装置である。
従来から上述双方向の昇降圧DC/DC変換器として、以下に記載の技術が知られている。この従来技術は直流入力電源から降圧チョッパー回路を介して異電圧直流出力を負荷装置に供給、または負荷装置から昇圧チョッパー回路を介して直流入力電源にエネルギー回生を得るもので、低損失半導体素子や高周波スイッチング化することで小型化や省電力損失化を図っているものである(例えば、特許文献1参照。)。
従来の昇降圧電源装置を、一般的な回路図で表現すると、図12に示すような構成になっている。
図12において、“1”は直流電源、“2A”&“2B”は入力平滑用コンデンサ、“3A”&“3B”は入力平滑用コンデンサ・バランス用抵抗器、“4”は降圧用半導体素子、“5”は昇圧用半導体素子、“6”はリアクトル、“7”は電流検出器、“8A”&“8B”出力平滑用コンデンサ、“9A”&“9B”は出力平滑用コンデンサ・バランス用抵抗器、“10”は入出力電流検出器即ち充放電電流検出器、“11”は負荷装置、“12”は入出力電流基準、“13”は加減算器、“14”は演算増幅器、“15”は三角波発生器、“16”はPWM(Pulse Width Modulation)発生器、“17”は降圧用半導体素子PWM駆動出力回路、“18”は昇圧用半導体素子PWM駆動出力回路、“19”はPWM@^−pkl制御用電源である。
次に動作について説明する。昇降圧DC/DC変換器は入出力電流基準の正負により、降圧チョッパー制御と昇圧チョッパー制御の2つの制御モードを有する。これらのモードを連続させて電流基準が正の場合を降圧チョッパー制御、負の場合を昇圧チョッパー制御と称して動作を解り易くしていることもある。電流基準を片極性にして制御モードを完全に分離する方法もあるが、本例では両極性で説明する。
後述するようにPWM変換信号は論理信号で、降圧チョッパー駆動用PWM出力回路“17”と昇圧チョッパー駆動用PWM出力回路“18”に分離されるが基本的には両者はインバータの関係にあり、入出力電流基準“12”がゼロ(V)の場合、Dutyは50%となっており、両PWM出力は相反する50%のON/OFF信号が出力される。入出力電流基準“12”が正の場合は降圧チョッパー駆動用PWM出力回路“17”のON出力のDutyが50%以上に広がり、逆に入出力電流基準“12”が負の場合は昇圧チョッパー駆動用PWM出力回路“18”のON出力のDutyが50%以上に広がり、各々のモードの前者を降圧チョッパーモード、即ちバッテリー負荷の充電電流制御、後者を昇圧チョッパーモード、即ち放電電流制御と称している。
また、両駆動出力“17”と“18”には被駆動半導体素子“4”と“5”の動作遅れ時間を考慮して公知で省略されているデッドタイムが反映されている。
連続した2つのモードであるが、本例では最初に、負荷となるバッテリーの充放電電流制御について具体的に説明する。
即ち、直流入力電源“1”から、負荷装置“11”即ちバッテリー負荷に充電するバッテリーの充電制御である降圧チョッパー制御のモードについて説明する。
入力平滑用コンデンサ“2A”“2B”及び、出力平滑用コンデンサ“8A”“8B”は外来ノイズ及び制御上発生するノイズの吸収及び矩形波スイッチング電圧の平滑用コンデンサである。
制御用電源“19”は直流入力電源“1”が印加されると制御用電源“19”が入力電圧を検知して制御用の定電圧電源を発生させるもので、DC/DCコンバータが一般的であり、公知なので詳細は省略している。また、制御用電源“19”が確立すると制御が開始する。
入出力電流基準“12”である充電電流基準は出力電流相当の正規化された基準であり、この充電電流基準に対して、充電電流は入出力電流検出器“10”により検出、制御用に正規化されており、加減算器“13”で加減算され、その差分が電流誤差として演算増幅器“14”で増幅される。その演算増幅器“14”の出力はPWM発生器“16”に入力される。 三角波発生器“15”で発生した三角波と演算増幅器“14”の出力がPWM発生器“16”で比較されてPWM変換される。PWM変換信号は降圧チョッパー駆動用PWM出力回路“17”にて整形されて、公知で図示されていない絶縁増幅器で増幅されて、降圧用半導体素子“4”、例えば公知のIGBTやMOS−FET等のスイッチング半導体素子をPWM駆動、即ち、ON/OFFスイッチング制御する。
降圧用半導体素子“4”がONすると、直流入力電源“1”と入力平滑用コンデンサ“2A”“2B”から降圧用半導体素子“4”、リアクトル“6”、電流検出器“7”を介して出力平滑コンデンサ“8A”“8B”と負荷装置“11”であるバッテリーに電流が流れ、リアクトル“6”にエネルギーがチャージされる。
降圧用半導体素子“4”がOFFするとリアクトル“6”にチャージされたエネルギーが昇圧用半導体素子“5”内の還流ダイオード、リアクトル“6”、電流検出器“7”を介して出力平滑コンデンサ“8A”“8B”と負荷装置“11”であるバッテリーに還流電流が流れる。
入出力電流検出器“10”即ち充電電流は負荷であるバッテリー“11”に流れる電流を検出している。このようにして、出力電流基準“12”即ち充電電流基準に出力電流即ち充電電流が一致するように降圧用スイッチング半導体素子“4”をPWM信号に応じたON/OFF制御することで入出力電流、即ちバッテリーの充電電流が指令電流基準に応じた電流になるように制御することになる。
降圧用半導体素子“4”がOFFし、デッドタイム後に昇圧用半導体素子“5”にON信号が入力されるが昇圧用半導体素子“5”内のFWD(Free Wheeling Diode)を介した還流電流が流れており、昇圧用半導体素子“5”はONすることはない。
次に、負荷装置“11”であるバッテリー負荷から直流入力電源“1”に回生するバッテリーの放電電流制御である昇圧チョッパー制御のモードについて説明する。
充電電流制御と同様に、入出力電流基準“12”即ち放電電流基準に対して、入出力電流検出器“10”により検出されて放電電流が、加減算器“13”で加減算され、その差分が電流誤差として演算増幅器“14”で増幅される。その演算増幅器“14”の出力はPWM発生器“16”に入力され、三角波発生器“15”からの三角波信号とPWM発生器“16”で比較されPWM変換される。
PWM変換信号は昇圧チョッパー駆動用PWM出力回路“18”にて整形されて、公知で図示されていない絶縁増幅器で増幅されて、昇圧用半導体素子“5”、をPWM駆動、即ち、ON/OFFスイッチング制御する。
昇圧用半導体素子“5”がONすると、負荷装置“11”であるバッテリーと出力平滑コンデンサ“8A”“8B”から電流検出器“7”、リアクトル“6”、昇圧用半導体素子“5”、入出力電流検出器“10”即ち放電電流検出器を介して電流が流れ、リアクトル“6”にエネルギーがチャージされる。
昇圧用半導体素子“5”がOFFするとリアクトル“6”にチャージされたエネルギーが降圧用半導体素子“4”内の還流ダイオード、直流入力電源“1”と入力平滑用コンデンサ“2A”“2B“、出力平滑コンデンサ“8A”“8B”と出力電流検出器“10”即ち放電電流、負荷装置“11”即ちバッテリー、電流検出器“7”を介して還流電流が流れる。
このようにして、入出力電流基準“12”即ち放電電流基準にバッテリーの放電電流が一致するように昇圧用スイッチング半導体素子“5”をPWM信号に応じたON/OFF制御することで入出力電流、即ちバッテリーの放電電流が指令電流基準に応じた電流になるように制御することになる。
尚、電流検出器“7”は主回路及び制御の異常による過電流検出器で任意の電流値以上の電流が流れた場合に異常を検知して制御を停止させる保護用の電流検出器である。
特開2010−124551号公報
従来の昇降圧電源装置は上述のように構成されているので、近年のように太陽光発電・蓄電システム等では系統電源からのAC/DC変換器と、太陽光パネルからの昇圧DC/DC変換器と、蓄電システムとの充放電変換器である昇降圧DC/DC変換器とをシステム的に連携する共通直流母線電源電圧は効率UPを目的に太陽光発電のセルの直列数を増やして発電電圧を上げる傾向にあり、共通直流母線電源電圧も上げざるを得ない傾向にある。
これらの結果、システムの共通直流母線電源電圧も電圧が上がるために高電圧対応のDC/DC変換器に変更せざるを得なくなっている。このような高電圧化システムに於いて本発明が解決しようとしている分野は昇降圧DC/DC変換器、降圧DC/DC変換器、及び昇圧DC/DC変換器に関する電源装置についてのもので、共通直流母線電源電圧が高くなると、DC/DC変換器の沿面距離や空間距離、更に基板構成時のパターン間の沿面距離も大きくする必要があり、更に主要構成部品の定格電圧も高くする必要があり、定格電圧の高耐圧化で部品の特性が低下して、損失が増加する等の課題を有する。
また主回路部品のスイッチング電圧が高圧化するのでEMI(Electro Magnetic Interference)対策が更に複雑になり、基板構成の場合はパターン間の沿面距離を広げる必要があり、外形が大きくなる等の課題がある。
加えて、主回路電圧の高圧化で部品不具合時の短絡電流が増加して、機器の損傷も拡大して、発煙、発火等の対策が必要で装置価格が増加する等の課題を有する。
従って、本発明は、上記課題を解決する昇降圧電源装置を提供することを目的とする。
この発明に係わるDC/DC変換器である昇降圧電源装置は、共通直流母線電源である前記直流入力電源と前記直流入力電源の正負間に並列に接続された入力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2のコンデンサと、前記第1及び第2のコンデンサに並列に接続されたコンデンサ電圧バランス用第1及び第2の抵抗器と、前記入力平滑用2直列コンデンサの第1のコンデンサの正側に接続された第1の降圧用半導体素子と、前記第1の降圧用半導体素子と直列に接続された第1のリアクトルと、第1のリアクトルに直列に接続された第1の電流検出器と、前記第1の降圧用半導体素子と、前記第1のリアクトルの接続点に第1の昇圧用半導体素子の正極を接続し、前記入力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2の直列コンデンサ間の中間点に、前記第1の昇圧用半導体素子の負極を接続し、前記第1の電流検出器の反対側を直流電圧正出力とし、前記入力平滑用2直列コンデンサの第2のコンデンサの負側に接続された第2の降圧用半導体素子と、前記第2の降圧用半導体素子に直列に接続された第2のリアクトルと、第2のリアクトルと直列に接続された第2の電流検出器と、前記第2の降圧用半導体素子と前記第2のリアクトルの接続点に第2の昇圧用半導体素子の負極を接続し、前記入力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2の直列コンデンサ間の中間点に、前記第2の昇圧用半導体素子の正極を接続し、前記第2の電流検出器の反対側を直流電圧負出力とし、前記直流電圧正出力と前記直流電圧負出力との間に並列に出力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2のコンデンサを接続し、前記出力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2のコンデンサに並列に接続された第1及び第2の抵抗器と、前記出力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2のコンデンサ間の中間点と前記入力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2のコンデンサ間の中間点を接続し、前記直流電圧正出力または負出力に接続された第1の入出力電流検出器を設け、前記正側の第1の降圧用及び昇圧用半導体素子と負側の第2の降圧用及び昇圧用半導体素子とをPWM制御(Pulse Width Modulation制御)することで入出力電流制御する構成を特徴としている。
本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、上述共通直流母線電源電圧即ち直流入力電圧の高電圧化に対して、DC/DC変換器の主回路構成を正側上段回路と負側下段回路の2回路構成にして、主回路構成部品の耐圧、即ち定格電圧を従来部品と同等で構成することを可能にしている。従って、変換器の沿面距離や空間距離、更に基板構成時のパターン間の沿面距離も同等で良く、またスイッチング電圧も同等であるので同等のEMI対策で良く、且つ、主回路部品の不具合時の短絡電流も従来回路と同等で特段の対策を不要としている。
更に同一容量を対象とした場合、入力電圧の差異による主要部品の損失も電圧/電流の関係から増大することもなく小型化を可能にしている。
本発明の第1の実施形態に係る昇降圧電源装置を示す回路図である。 本発明の第2の実施形態に係る昇降圧電源装置を示す回路図である。 本発明の第3の実施形態に係る昇降圧電源装置を示す回路図である。 本発明の第4の実施形態に係る昇降圧電源装置を示す回路図である。 本発明の第5の実施形態に係る昇降圧電源装置を示す回路図である。 本発明の第6の実施形態に係る昇降圧電源装置を示す回路図である。 本発明の第10の実施形態に係る昇降圧電源装置を示す回路図である。 本発明の第11の実施形態に係る降圧電源装置を示す回路図である。 本発明の第12の実施形態に係る昇圧電源装置を示す回路図である。 本発明の第13の実施形態に係る昇降圧電源装置を示す回路図である。 本発明の第14の実施形態に係る昇降圧電源装置を示す回路図である。 従来の昇降圧電源装置を示す回路図である。
(第1の実施形態)
以下、昇降圧電源装置の第1の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
図1は本実施形態に係る昇降圧電源装置の回路図である。図1において、図12に示す従来例と同一部分は同一符号を付してその説明は省略する。
あらたな符号として、“2A”〜“9A”と“2B”〜“9B”、“17A”、“18A”、“17B”、“18B”が追記されているが、“2A”〜“9A”、“17A”、“18A”と“2B”〜“9B”、17B”、“18B”は従来回路の“2”〜“9”、“17”、“8”と機能的には同一である。
“A”を付している構成部品を第1と称し、“B”を付している構成部品を第2と称し、“2A”〜“9A”は正側上段主回路で、“2B”〜“9B”は負側下段主回路を形成し、共に昇降圧チョッパー電源回路であり、構成配置は異なるが動作としては同じであり、中間電位ライン“20”は正側上段主回路と負側下段主回路の共通接続点で電位的に直流入力電源“1”の中間電位となっている。
“A”及び“B”を付していない構成番号の部品は正側上段主回路と負側下段主回路とに共通な機能部品である。
更に第1の実施形態で適用される新たな符号として、“17A”と“18A”は正側上段主回路の主回路半導体素子“4A”と“5A”を駆動し、“17B”と“18B”は負側下段主回路の主回路半導体素子“4B”と“5B”を駆動する。
ここで “17A”と“17B”、“18A”と“18B”のPWM駆動信号は同じタイミング信号であり、本実施形態の特徴としているところである。
次に動作について説明する。入出力電流制御に関しては従来技術に同じであるが、“17A”と“17B”、“18A”と“18B”のPWM駆動信号は同じタイミングの信号である。
従って、昇降圧電源装置の入出力電流基準“12”に対して、入出力電流検出器“10”により検出された入出力電流帰還信号は、加減算器“13”で減算され、その差分が演算増幅器“14”で増幅されて、PWM発生器“16”に入力される。PWM発生器“16”では、演算増幅器“14”からの信号と、三角波発生器“15”からの三角波信号とを比較してPWM変換されるところまでは従来技術に同じである。
主回路構成が正側上段主回路と負側下段主回路構成の2つの構成になっていることからPWM発生器“16”の出力以降が従来構成と異なることになる。
PWM駆動信号“17A”と“17B”、“18A”と“18B”は同じタイミングの信号であり、更にPWM駆動信号“17A”と“18A”は正側上段主回路の主回路半導体素子“4A”と“5A”をON/OFF駆動し、“17B”と“18B”は負側下段主回路の主回路半導体素子“4B”と“5B”をON/OFF駆動する。
まず、共通直流電源母線を想定した直流入力電源“1”から、負荷装置“11”即ちバッテリー負荷に充電するバッテリーの充電電流制御である降圧チョッパー制御のモードについて説明する。
充電制御である電流制御の出力は降圧チョッパー用第1及び第2の半導体素子“4A”及び“4B”を駆動するためにPWM駆動信号“17A”と“17B”がON/OFF動作する。
第1及び第2の降圧用半導体素子“4A”“4B”がONすると、正側上段主回路である入力平滑用2直列コンデンサの第1のコンデンサ“2A”から正側上段主回路である第1の降圧用半導体素子“4A”、リアクトル“6A”、電流検出器“7A”、出力平滑コンデンサ“8A”、中間電位ライン“20”を介して電流が流れ、リアクトル“6A”にエネルギーがチャージされる。併せて負側下段主回路である入力平滑用2直列コンデンサの第2のコンデンサ“2B”から中間電位ライン“20”、出力平滑コンデンサ“8B”、電流検出器“7B”、リアクトル“6B”、第2の降圧用半導体素子“4B”を介して電流が流れ、リアクトル“6B”にエネルギーがチャージされる。
次に第1及び第2の降圧用半導体素子“4A”“4B”がOFFすると、正側上段主回路であるリアクトル“6A”にチャージされたエネルギーが電流検出器“7A”、出力平滑コンデンサ“8A”、昇圧用半導体素子“5A”内の還流ダイオードを介して還流電流がリアクトル“6A”に流れる。 併せて負側下段主回路であるリアクトル“6B”にチャージされたエネルギーが昇圧用半導体素子“5B”内の還流ダイオード、出力平滑コンデンサ“8B”、電流検出器“7B”を介して還流電流がリアクトル“6B”に流れる。
この結果、リアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーは出力平滑コンデンサ“8A”“8B”に移行する。
当然、負荷装置“11”であるバッテリーと入出力電流検出器“10”にも電流が流れて、入出力電流検出器“10”は負荷電流である充電電流を検出している。
このようにして、出力電流基準“12”即ち充電電流基準に出力電流即ち充電電流が一致するように第1及び第2の降圧用スイッチング半導体素子“4A”“4B”をPWM信号に応じたON/OFF制御することで入出力電流、即ちバッテリーの充電電流が指令電流基準に応じた電流になるように制御することになる。
第1及び第2の降圧用半導体素子“4A”“4B”がOFFし、デッドタイム後に第1及び第2の昇圧用半導体素子“5A”“5B”にON信号が入力されるが第1及び第2の昇圧用半導体素子“5A”“5B”内の還流ダイオードを介した還流電流が流れており、第1及び第2の昇圧用半導体素子“5A”“5B”はONすることはない。
次モードとして、負荷装置“11”であるバッテリー負荷から共通直流電源母線を想定した直流入力電源“1”に回生するバッテリーの放電制御である昇圧チョッパー制御のモードについて説明する。
放電制御である電流制御の出力は昇圧チョッパー用第1及び第2の半導体素子“5A”及び“5B”を駆動するためにPWM駆動信号“18A”と“18B”がON/OFF動作する。
第1及び第2の昇圧用半導体素子“5A”“5B”がONすると、正側上段主回路である出力平滑コンデンサ“8A”から第1の電流検出器“7A”、第1のリアクトル“6A”、第1の昇圧用半導体素子“5A”、中間電位ライン“20”を介して出力平滑コンデンサ“8A”に電流が流れ、リアクトル“6A”にエネルギーがチャージされる。併せて負側下段主回路である出力平滑コンデンサ“8B”から中間電ライン“20”、第2の昇圧用半導体素子“5B”、リアクトル“6B”、電流検出器“7B”を介して、出力平滑コンデンサ“8B”に電流が流れ、リアクトル“6B”にエネルギーがチャージされる。
次に第1及び第2の昇圧用半導体素子“5A”“5B”がOFFすると正側上段主回路である第1のリアクトル“6A”にチャージされたエネルギーが降圧用半導体素子“4A”内の還流ダイオード、入力平滑用コンデンサ“2A”、中間電位ライン“20”、出力平滑コンデンサ“8A”、電流検出器“7A”を介して、リアクトル“6A”に還流電流が流れる。併せて負側下段主回路である第2のリアクトル“6B”にチャージされたエネルギーが電流検出器“7B”、出力平滑コンデンサ“8B”、中間電位ライン“20”、入力平滑用コンデンサ“2B”、降圧用半導体素子“4B”内の還流ダイオードを介して、リアクトル“6B”に還流電流が流れる。
この結果、リアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーは入力平滑コンデンサ“2A”“2B”に移行する。
当然、直流入力電源“1”にも電流は流れ、負荷装置“11”であるバッテリーと入出力電流検出器“10”にも電流が流れて、入出力電流検出器“10”は負荷電流である放電電流を検出している。
このようにして、入出力電流基準“12”即ち放電電流基準にバッテリーの放電電流が一致するように第1及び第2の昇圧用スイッチング半導体素子“5A”“5B”をPWM信号に応じたON/OFF制御することで入出力電流、即ちバッテリーの放電電流が指令電流基準に応じた電流になるように制御することになる。
以上のように正側上段主回路と負側下段主回路の2段構成にすることで共通直流電源母線相当である直流入力電源“1”の電圧が高電圧領域になっても、主回路構成部品の定格電圧が高い部品に置換することなく従来と同等の部品を使用できるので、コストアップとならず、且つ、同一容量であれば素子の電力損失も増加せず、外形的にも大幅な拡大を要することなく実現出来る。
また、正側上段主回路と負側下段主回路は点対照的な部品配置構成としているので、全く同一の部品で構成出来る特徴を有しており構成部品の種類の増加も無く低価格化も実現出来る。
更に各構成部品の動作も対照的であり、EMIに関係するスイッチングの電圧変化も共通中間ライン“20”を共通に、直流入力電源“1”の約1/2、即ちdv/dtの値も直流入力電圧の1/2でありEMI対策も更なる付加も不要となる。
(第2の実施形態)
第2の実施形態は、第1の実施形態に係る昇降圧電源装置において、第1と第2のバランス用半導体素子“21A”と“21B”、バランス用リアクトル“22”、1/2電圧判定回路“23”を付加しており、制御用電源“19”を入力平滑用2直列コンデンサの負側の第2のコンデンサ“2B”電圧より供給している。
実施回路を図2に示す。第1と第2のバランス用半導体素子“21A”と“21B”は半導体素子で、例えば、IGBTやMOS−FET等のスイッチング素子であり、”22”はリアクトル、“23“は1/2電圧判定回路で、入力平滑用コンデンサの2直列コンデンサの中間電位ライン“20”が許容された直流入力電源電圧の1/2電圧であるか判定する1/2電圧判定回路である。
第1の実施形態では、入力平滑用2直列コンデンサの正側の第1及び負側の第2のコンデンサ“2A”と“2B”の電圧がバランスするように、正側上段主回路と負側下段主回路の構成部品の電気的特性を合わせておく必要がある。
本実施形態では、正側上段主回路と負側下段主回路は構成部品の電気的特性差を許容し、加えて、制御用電源“19”を入力平滑用2直列コンデンサの負側の第2のコンデンサ“2B”の両端より供給しているので、入力平滑用2直列コンデンサの正側の第1及び負側の第2のコンデンサの電圧は同一、均等分担にならない。即ち、入力電圧の1/2電圧ではなく、いずれか片側の電位が上昇する等の事象が発生する。
1/2電圧判定回路“23”は入力平滑用2直列コンデンサである第1及び第2のコンデンサ“2A”と“2B”の電圧分担の判定回路であり、例えば2直列コンデンサの負側の第2のコンデンサ“2B”に掛かる電圧が低い場合はバランス用の第1のスイッチング半導体素子“21A”をON動作駆動し、バランス用リアクトル“22”を介して負側の第2のコンデンサ“2B”に充電電流を流して電圧を上昇させ判定値内になるとスイッチングOFFする。また正側の第1のコンデンサ“2A”に掛かる電位が低い場合は第2の半導体素子“21B”をON動作駆動し、バランス用リアクトル“22”を介して正側の第1のコンデンサ“2A”に充電電流を流して電圧を上昇させ判定値内になるとスイッチングOFFする。即ち正側上段主回路と負側下段主回路の動作に関係なく、バランス用第1及び第2の半導体素子“21A”、“21B”は1/2電圧判定回路“23”の判定値に従ってON/OFF動作して、常に入力平滑用2直列コンデンサである第1及び第2のコンデンサ“2A”“2B”に掛かる電圧分担が同一になるように制御していることになる。
従って、正側上段主回路と負側下段主回路とを対照的な部品配置構成や、全く同一の部品型式や特性でなくても、外形や価格優先の構成が出来ることを特徴としている。
更に制御用電源“19”が従来相当の定格電圧・電流で構成出来ることは制御電源の部品の入手性や価格的にも外形的にも非常に有利で大きな特徴となる。
以上のような昇降圧電源装置では主回路構成部品を最適な構成で種類も増加することなく実現出来て、低価格化及び小型化が図れる。
ここで、制御電源用定電圧電源の入力電圧を入力平滑用2直列コンデンサの下段側の第2のコンデンサ“2B”電圧から供給する例を記載しているが、2直列コンデンサの上段側の第1のコンデンサ“2A”電圧から供給しても特徴を逸脱するものではない。
(第3の実施形態)
第3の実施形態は、第1の実施形態と第2の実施形態に係る昇降圧電源装置において、フリップフロップ回路“24”、AND回路“25A”“25B”“26A”“26B”が付加されている。
実施回路を図3に示す。第1の実施形態と第2の実施形態では制御用PWMに対する正側上段主回路と負側下段主回路の半導体素子“4A”と“4B”、“5A”と“5B”のPWM駆動信号“17A”と“17B”、“18A”と“18B”は同じタイミング信号であった。
本実施形態は図3で付加したフリップフロップ回路“24”にて、三角波発生器“15”の信号を2進カウンターでカウントしており、そのノーマル出力“Q”とPWM発生器“16”の出力とをAND回路“25A”“26A”でAND条件を取り、またそのインバース出力である“Q” とPWM発生器“16”の出力とをAND回路“25B”“26B”でAND条件を取っている。各々の出力がPWM駆動出力である“17A”“17B”“18A”“18B”に接続されている。
従って、PWM駆動信号“17A”と“17B”、“18A”と“18B”を交互の駆動信号出力とさせているので、正側上段主回路と負側下段主回路の2個の昇降圧電源装置の構成で、制御用PWM出力を正側上段主回路と負側下段主回路の制御用PWMとして、降圧用半導体素子である第1の半導体素子 “4A”と第2の半導体素子“4B”及び昇圧用半導体素子である第1の半導体素子 “5A”と第2の半導体素子“5B”を交互にスイッチングさせて、出力電圧を制御することになり、これを特徴としている。
まず充電電流制御の動作について説明する。正側上段主回路と負側下段主回路の充電制御である電流制御の出力は降圧チョッパー用第1及び第2の半導体素子“4A”及び“4B”を交互に駆動するためにPWM駆動信号“17A”と“17B”が交互にON/OFF動作する。
前半の半サイクルにおいて、第1の降圧用半導体素子“4A”がONすると、正側上段主回路である入力平滑用コンデンサ“2A”から第1の降圧用半導体素子“4A”、リアクトル“6A”、電流検出器“7A”を介して出力平滑用コンデンサ“8A”、中間電位ライン“20”を介して入力平滑用コンデンサ“2A”に電流が流れ、リアクトル“6A”にエネルギーがチャージされる。
次に第1の降圧用半導体素子“4A”がOFFすると正側上段主回路であるリアクトル“6A”にチャージされたエネルギーが第1の電流検出器“7A”から出力平滑用コンデンサ“8A”、中間電位ライン“20”、昇圧用半導体素子“5A”内の還流ダイオードを介して、リアクトル“6A”に還流電流が流れ、リアクトル“6A”にチャージされたエネルギーが出力平滑用コンデンサ“8A”に移動する。
後半の半サイクルにおいて、第2の降圧用半導体素子“4B”がONすると、負側下段主回路である第2の入力平滑用コンデンサ“2B”から中間電位ライン“20”を介して出力平滑用コンデンサ“8B”、電流検出器“7B”、リアクトル“6B”、降圧用半導体素子“4B”を介して入力平滑用コンデンサ“2B”に電流が流れ、リアクトル“6B”にエネルギーがチャージされる。
次に第2の降圧用半導体素子“4B”がOFFすると負側下段主回路であるリアクトル“6B”にチャージされたエネルギーが昇圧用半導体素子“5B”内の還流ダイオード、出力平滑用コンデンサ“8B”、電流検出器“7B”を介して、リアクトル“6B”に還流電流が流れ、リアクトル“6B”にチャージされたエネルギーが出力平滑用コンデンサ“8B”に移動する。
入出力電流検出器“10”即ち充電電流検出器は負荷装置“11”であるバッテリーに流れる充電電流を検出している。
次に放電制御の動作について説明する。正側上段主回路と負側下段主回路の放電制御である電流制御の出力は昇圧チョッパー用第1及び第2の半導体素子“5A”及び“5B”を交互に駆動するためにPWM駆動信号“18A”と“18B”が交互にON/OFF動作する。
前半の半サイクルにおいて、第1の昇圧用半導体素子“5A”がONすると、正側上段主回路である出力平滑用コンデンサ“8A”から第1の電流検出器“7A”、リアクトル“6A”、昇圧用半導体素子“5A”、中間電位ライン“20”を介して出力平滑用コンデンサ“8A”に電流が流れ、第1のリアクトル“6A”にエネルギーがチャージされる。
次に第1の昇圧用半導体素子“5A”がOFFするとリアクトル“6A”にチャージされたエネルギーが正側上段主回路である第1の降圧用半導体素子“4A”内の還流ダイオード、入力平滑用コンデンサ“2A”、中間電位ライン“20”、出力平滑用コンデンサ“8A”、電流検出器“7A”を介してリアクトル“6A”に還流電流が流れ、リアクトル“6A”にチャージされたエネルギーが入力平滑用コンデンサ“2A”に移動する。
後半の半サイクルにおいて、第2の昇圧用半導体素子“5B”がONすると、負側下段主回路である出力平滑コンデンサ“8B”から中間電位ライン“20”、昇圧用半導体素子“5B”、リアクトル“6B”、電流検出器“7B”を介して出力平滑用コンデンサ“8B”に電流が流れ、リアクトル“6B”にエネルギーがチャージされる。
次に第2の昇圧用半導体素子“5B”がOFFすると負側下段主回路であるリアクトル“6B”にチャージされたエネルギーが電流検出器“7B”、出力平滑用コンデンサ“8B”、中間電位ライン“20”、入力平滑用コンデンサ“2B”、降圧用半導体素子“4B”内の還流ダイオードを介してリアクトル“6B”に還流電流が流れ、リアクトル“6B”にチャージされたエネルギーが入力平滑コンデンサ“2B”に移動する。
この結果、正側上段主回路と負側下段主回路は2段構成で、正側上段主回路と負側下段主回路の主要素子の特性差に起因する分担誤差は入力平滑用コンデンサの第1と第2のコンデンサ“2A”と“2B”との電位差になるので正側上段主回路と負側下段主回路を同一型式素子で構成することで分担差を減少させることが出来るが、バランス回路となる第1及び第2のバランス用半導体素子“21A”“21B”、バランス用リアクトル“22”、1/2電圧判定回路“23”の動作により分担差を減らすことが出来る。
ここで本実施形態の特徴としているところは正側上段主回路と負側下段主回路を同一型式素子で構成すること、及び両主回路を各々にエネルギー伝達させているところである。
この結果、正側上段主回路と負側下段主回路を構成している部品が同一型式なのでコスト低減が可能で、且つ主要回路のスイッチング動作が1/2になるので、スイッチングノイズの低減やスイッチング損失の逓減が出来て、小型軽量化が可能となる。
但し、本実施形態では正側上段主回路と負側下段主回路が交互に動作するので、直流入力電源“1”の電圧に対して負荷装置“11”の電圧は基本的に少なくとも1/2電圧以下である必要がある。これは正側上段主回路と負側下段主回路が交互に動作するので、最大のPWM波形でも50%弱となるためである。従って、直流入力電源“1”の電圧に対して負荷装置“11”の電圧が1/2以上必要とする場合は適用できない。
(第4の実施形態)
第4の実施形態は、第2の実施形態から第3の実施形態に係る昇降圧電源装置において、前記第1と第2のバランス用半導体素子“21A”と“21B”の内、第2の半導体素子“21B”の替りに第2のバランス用ダイオード“21C”を設け、前記入力平滑用2直列コンデンサの負側の第2のコンデンサ“2B”の両端から制御用電源“19”を供給する構成を特徴としている。
実施回路図を図4に示す。これは正側上段主回路と負側下段主回路を構成する主回路部品の特性差に起因する正負主回路の負荷分担の相違量に対して、制御用電源“19”の容量が大きい場合は常に入力平滑2用直列コンデンサの負側の第2のコンデンサ“2B”の負荷分担が大きくなり、第2のコンデンサ“2B”の電圧が第1のコンデンサ“2A”電圧より低下するので、1/2電圧判定回路“23”の出力はバランス用第1の半導体素子“21A”を常にスイッチングして分担差分を供給する。
従って、バランス用第2の半導体素子“2B”は不要で、バランス用第1の半導体素子用の還流ダイオード“21C”を付加すれば良いことになる。
これは、制御電源の電源電圧が1/2となり、主回路素子を高耐圧化する必要が無く、この結果、主回路部品間の空間距離や沿面距離が従来と同様となり、コストの低減、小型化、軽量化が図れる。
(第5の実施形態)
第5の実施形態は、第1の実施形態と第2の実施形態及び第4の実施形態に係わる昇降圧電源装置において、図1の実施回路図の出力平滑用コンデンサである第1のコンデンサ“8A”と第2のコンデンサ“8B”を1個にまとめて出力平滑用コンデンサ“8”とし、コンデンサ・バランス抵抗“9”は放電抵抗として残している。勿論出力平滑2直列コンデンサの第1のコンデンサ“8A”と第2のコンデンサ“8B”の中間点と、昇圧用第1の半導体素子“5A”と第2の半導体素子“5B”の中間点とを接続している中間電位ライン“20”の接続線は無い。
正側上段主回路と負側下段主回路の出力平滑用コンデンサが一本化、即ち共通化されたことで、正側上段主回路と負側下段主回路の降圧用半導体素子“4A”と“4B”が同一タイミングで、また昇圧用半導体素子“5A”と“5B”が同一タイミングで駆動するので正側上段主回路と負側下段主回路がカスケードに同一動作をするようになる。昇降圧電源装置は正側上段主回路と負側下段主回路が同時に動作するので、最大のPWM波形では基本的に100%弱となるため、直流入力電源“1”の電圧から正側及び負側の主回路部品で降下する電圧を差し引いた電圧まで理論的には負荷装置“11”の電圧を上げることが出来る。
実施回路を図5に示す。まず充電制御について述べる。正側上段主回路と負側下段主回路の充電制御である電流制御の出力は降圧チョッパー用第1及び第2の半導体素子“4A”及び“4B”をON/OFF動作させる。
第1及び第2の降圧用半導体素子“4A”“4B”がONすると、電源“1”と入力平滑用コンデンサである第1及び第2のコンデンサ“2A”“2B”から正側上段主回路である第1の降圧用半導体素子“4A”、リアクトル“6A”、電流検出器“7A”を介して出力平滑コンデンサ“8”及び負荷装置であるバッテリー“11”と入出力電流検出器“10”に電流が流れ、更に負側下段主回路である電流検出器“7B”、リアクトル“6B”、第2の降圧用半導体素子“4B”、を介して電源“1”と入力平滑用コンデンサである第1及び第2のコンデンサ“2A”“2B”に電流が流れ、第1及び第2のリアクトル“6A”と“6B”にエネルギーがチャージされる。
次に第1及び第2の降圧用半導体素子“4A”“4B”がOFFすると第1及び第2のリアクトル“6A”と“6B”にチャージされたエネルギーが正側上段主回路である第1の電流検出器“7A”から出力平滑コンデンサ“8”及び負荷装置“11”であるバッテリーと入出力電流検出器“10”、更に負側下段主回路である第2の電流検出器“7B”、リアクトル“6B”、第2及び第1の昇圧用半導体素子“5B”“5A”内の還流ダイオードを介して、リアクトル“6A”に還流電流が流れ、リアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーが出力平滑コンデンサ“8”及び負荷装置“11”であるバッテリーに移動する。
入出力電流検出器“10”即ち充電電流検出器は負荷装置“11”であるバッテリーに流れる電流を検出している。
次に放電制御について述べる。正側上段主回路と負側下段主回路の放電制御である電流制御の出力は昇圧チョッパー用第1及び第2の半導体素子“5A”及び“5B”をON/OFF動作させる。
第1及び第2の昇圧用半導体素子“5A”“5B”がONすると、負荷装置“11”であるバッテリー及び出力平滑コンデンサ“8”から正側上段主回路である第1の電流検出器“7A”、リアクトル“6A”、昇圧用半導体素子“5A”、更に負側下段主回路である第2の昇圧用半導体素子“5B”、リアクトル“6B”、電流検出器“7B”を介して、出力平滑コンデンサ“8”と入出力電流検出器“10”即ち放電電流検出器に電流が流れ、第1及び第2のリアクトル“6A”“6B”にエネルギーがチャージされる。
次に第1及び第2の昇圧用半導体素子“5A”“5B”がOFFすると第1及び第2のリアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーが正側上段主回路である第1の降圧用半導体素子“4A”内の還流ダイオード、入力平滑用コンデンサである第1及び第2のコンデンサと直流入力電源“1”、更に負側下段主回路である第2の降圧用半導体素子“4B”内の還流ダイオード、リアクトル“6B”、電流検出器“7B”を介して、出力平滑コンデンサであるコンデンサ“8”と入出力電流検出器“10”即ち放電電流検出器と直列接続の負荷装置“11”であるバッテリーに還流電流が流れ、第1及び第2のリアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーが入力平滑用コンデンサである第1及び第2のコンデンサ“2A”“2B”と直流入力電源“1”に移動する。
この結果、正側上段主回路と負側下段主回路は2段構成で、且つ出力平滑コンデンサ“8”と負荷装置“11”が常時共通回路となるので、正側上段主回路と負側下段主回路に流れる電流は基本的に同じになり、正側上段主回路と負側下段主回路の主要素子の特性差に起因する入力平滑用コンデンサの第1と第2のコンデンサ“2A”と“2B”との分担誤差が減ることになるので分担差の容量損失が低減できる。具体的には両主回路に起因する損失の差は減少するので、バランス回路となる第1及び第2の半導体素子“21A”“21B”、バランスリアクトル“22”の容量を減らすことが出来る。
更に本実施形態の特徴としているところは入力平滑コンデンサである第1及び第2のコンデンサ“2A”“2B”の中間電位点と昇圧用半導体素子である第1及び第2の半導体素子の中間電位点とを接続したままにしていることである。
この結果、正側上段及び負側下段の主回路の動作が中間電位である中間電位ライン“20”を中心として対象に動作するので、両側主回路を構成している部品の定格電圧は直流入力電源電圧の1/2電圧を基準に選定すれば良く大幅なコスト低減や小型軽量化が可能となる。
また、主回路スイッチング周波数は第3の実施形態に対して2倍となり、リアクトル“6A”、“6B”やコンデンサ“8A”、“8B”の容量値を1/2化ができるので低価格化と小型化が出来る。
(第6の実施形態)
第6の実施形態は、第3の実施形態に係わる昇降圧電源装置において、図3の実施回路図の出力平滑用コンデンサである第1のコンデンサ“8A”と第2のコンデンサ“8B”を1個にまとめて出力平滑用コンデンサ“8”とし、コンデンサ・バランス抵抗“9”は放電抵抗として残している。勿論出力平滑2直列コンデンサの第1のコンデンサ“8A”と第2のコンデンサ“8B”の中間点と、昇圧用第1の半導体素子“5A”と第2の半導体素子“5B”の中間点とを接続している中間電位ライン“20”の接続線は無い。
実施回路を図6に示す。まず充電電流制御について述べる。正側上段主回路と負側下段主回路の充電制御である電流制御の出力は降圧チョッパー用第1及び第2の半導体素子“4A”及び“4B”を交互にON/OFF動作する。
前半の半サイクルにおいて、第1の降圧用半導体素子“4A”がONすると、入力平滑コンデンサ“2A”から正側上段主回路である第1の降圧用半導体素子“4A”、リアクトル“6A”、電流検出器“7A”を介して出力平滑コンデンサ“8”及び負荷装置“11”であるバッテリーと入出力電流検出器“10”に電流が流れ、更に負側下段主回路である第2の電流検出器“7B”、リアクトル“6B”、昇圧用半導体素子“5B”内の還流ダイオード、中間電位ライン“20”を介して入力平滑コンデンサ“2A”に電流が流れ、リアクトル“6A”“6B”にエネルギーがチャージされる。
次に第1の降圧用半導体素子“4A”がOFFするとリアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーが正側上段主回路である第1の電流検出器“7A”、出力平滑コンデンサ“8”及び負荷装置“11”であるバッテリーと入出力電流検出器“10”、更に負側下段主回路である第2の電流検出器“7B”、リアクトル“6B”、第2の昇圧用半導体素子“5B”内の還流ダイオード、そして第1の昇圧用半導体素子“5A”内の還流ダイオードを介して、リアクトル“6A”に還流電流が流れ、リアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーが出力平滑コンデンサ“8”及び負荷装置“11”であるバッテリーに移動する。
後半の半サイクルにおいて、第2の降圧用半導体素子“4B”がONすると、入力平滑コンデンサ“2B”から正側上段主回路である第1の昇圧用半導体素子“5A”内の還流ダイオード、リアクトル“6A”、電流検出器“7A”、出力平滑コンデンサであるコンデンサ“8”と負荷装置“11”と入出力電流検出器“10”であるバッテリーに電流が流れ、更に負側下段主回路である第2の電流検出器“7B”、リアクトル“6B”、降圧用半導体素子“4B”を介して入力平滑コンデンサ“2B”に電流が流れ、リアクトル“6A”“6B”にエネルギーがチャージされる。
次に第2の降圧用半導体素子“4B”がOFFするとリアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーが正側上段主回路である第1の電流検出器“7A”、出力平滑コンデンサ“8”及び負荷装置“11”であるバッテリーと入出力電流検出器“10”、更に負側下段主回路である第2の電流検出器“7B”、リアクトル“6B”、第2の昇圧用半導体素子“5B”内の還流ダイオード、そして第1の昇圧用半導体素子“5A”内の還流ダイオードを介して、リアクトル“6A”に還流電流が流れ、リアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーが出力平滑コンデンサ“8”及び負荷装置“11”であるバッテリーに移動する。
入出力電流検出器“10”即ち充電電流検出器は負荷装置“11”であるバッテリーに流れる充電電流を検出している。
次に放電制御について述べる。正側上段主回路と負側下段主回路の放電制御である電流制御の出力は昇圧チョッパー用第1及び第2の半導体素子“5A”及び“5B”を交互にON/OFF動作する。
前半の半サイクルにおいて、第1の昇圧用半導体素子“5A”がONすると、負荷装置“11”であるバッテリー及び出力平滑コンデンサ“8”から正側上段主回路である第1の電流検出器“7A”、リアクトル“6A”、昇圧用半導体素子“5A”、更に負側下段主回路である第2の昇圧用半導体素子“5B”、リアクトル“6B”、電流検出器“7B”を介して、出力平滑コンデンサ“8”と入出力電流検出器“10”即ち放電電流検出器に電流が流れ、第1及び第2のリアクトル“6A”“6B”にエネルギーがチャージされる。
次に第1の昇圧用半導体素子“5A”がOFFすると第1及び第2のリアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーが正側上段主回路である第1の降圧用半導体素子“4A”内の還流ダイオード、入力平滑用コンデンサである第1及び第2のコンデンサと直流入力電源“1”を通して、負側下段主回路である第2の降圧用半導体素子“4B”内の還流ダイオード、リアクトル“6B”、電流検出器“7B”を介して出力平滑コンデンサであるコンデンサ“8”と入出力電流検出器“10”即ち放電電流検出器と直列接続の負荷装置“11”であるバッテリーに還流電流が流れ、第1及び第2のリアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーが入力平滑用コンデンサである第1及び第2のコンデンサ“2A”“2B”と直流入力電源“1”に移動する。
後半の半サイクルにおいて、第2の昇圧用半導体素子“5B”がONすると、負荷装置“11”であるバッテリー及び出力平滑コンデンサ“8”から正側上段主回路である第1の電流検出器“7A”、リアクトル“6A”、昇圧用半導体素子“5A”、更に負側下段主回路である第2の昇圧用半導体素子“5B”、リアクトル“6B”、電流検出器“7B”を介して、出力平滑コンデンサ“8”と入出力電流検出器“10”即ち放電電流検出器に電流が流れ、第1及び第2のリアクトル“6A”“6B”にエネルギーがチャージされる。
次に第2の昇圧用半導体素子“5B”がOFFすると第1及び第2のリアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーが正側上段主回路である第1の降圧用半導体素子“4A”内の還流ダイオード、入力平滑用コンデンサである第1及び第2のコンデンサ“2A”“2B”と直流入力電源“1”を通して、負側下段主回路である第2の降圧用半導体素子“4B”内の還流ダイオード、リアクトル“6B”、電流検出器“7B”を介して出力平滑コンデンサであるコンデンサ“8”と入出力電流検出器“10”即ち放電電流検出器と直列接続の負荷装置“11”であるバッテリーに還流電流が流れ、第1及び第2のリアクトル“6A”“6B”にチャージされたエネルギーが入力平滑用コンデンサである第1及び第2のコンデンサ“2A”“2B”と直流入力電源“1”に移動する。
このように、正側上段主回路と負側下段主回路は2段構成で、且つ出力平滑コンデンサ“8”と負荷装置“11”が常時共通回路となるので、正側上段主回路と負側下段主回路に流れる電流は基本的に同じになり、正側上段主回路と負側下段主回路の主要素子の特性差に起因する入力平滑用コンデンサの第1と第2のコンデンサ“2A”と“2B”との分担誤差が減ることになるので分担差の容量損失が低減できる。具体的には両主回路に起因する損失の差は減少するので、バランス回路となる第1及び第2の半導体素子“21A”“21B”、バランスリアクトル“22”の容量を減らすことが出来る。
ここで本実施形態の特徴としているところは入力平滑コンデンサである第1及び第2のコンデンサ“2A”“2B”の中間電位点と昇圧用半導体素子である第1及び第2の半導体素子の中間電位点とを接続したままにしていることである。
この結果、正側上段主回路と負側下段主回路を構成している部品の定格電圧は直流入力電源電圧の1/2電圧を基準に選定すれば良くコスト低減や小型軽量化が可能となる。
(第7の実施形態)
第7の実施形態は、第5の実施形態から第6の実施形態に係わる昇降圧電源装置において、PWM制御用電源“19”を入力直流電源から供給し、第1及び第2のバランス用半導体素子“22a”及び“22b”、第2のバランス用ダイオード“22c”、バランスリアクトル“23“、1/2電圧判定回路“24”を省略する。
これは正側上段主回路と負側下段主回路の構成部品の同一化や出力平滑用コンデンサの1本化による入力平滑用コンデンサの第1のコンデンサ“2A”と第2のコンデンサ“2B”の分担差の低減化で可能にしている。
以上のような直流電源装置では部品点数を低減することになるので、低価格化と小型化が出来る。
(第8の実施形態)
第8の実施形態は、第5の実施形態から第7の実施形態に係わる昇降圧電源装置において、第1の実施形態の図1の実施回路図の電流検出器“7A”と“7B”の内のいずれかを省略したものである。
第6の実施形態において、制御用PWM出力は正側上段主回路と負側下段主回路の第1と第2の半導体素子“4A”と“4B”が全く同一信号で駆動されるので同一動作をするようになるので、第1と第2の電流検出器“7A”と“7B”に流れる電流は同じになるので、いずれか一方を設ければ良い。
以上のような直流電源装置では主回路の部品点数を低減することになるので、低価格化と小型化が出来る。
(第9の実施形態)
第9の実施形態は、第1の実施形態から第8の実施形態に係わる昇降圧電源装置において、図1の実施回路図に示す第1と第2の電流検出器“7A”と“7B”の設置位置を限定せず、第1と第2の半導体素子“4A”、“4B”、第1と第2のリアクトル“6A”、“6B”内において、第1と第2の半導体素子“4A”と“4B”がONした時の主回路電流が検出可能な、いずれかの位置に設置した構成を特徴としている。
このような直流電源装置では正側及び負側主回路の部品配置を効率良く配置することで、補助部品の低減につながるので、低価格化と小型化が出来る。
(第10の実施形態)
第10の実施形態は実施形態1から実施形態9において、入出力電流制御の昇降圧電源装置の外側に定電圧制御ループを付加した定電圧電源装置を提供するものである。
共通直流母線電源から低圧の力行回生負荷を有するインバータ等を接続する場合に本実施形態の定電圧電源装置を介することで容易にシステム構成が可能となる。
実施回路図を図7に示す。
図1の実施回路図に定電圧基準“27”、加減算器“28”、演算増幅器“29”、出力電圧検出器“30”を付加している。
動作について説明する。電圧基準“27”に対して、出力電圧検出器“30”にて検出された帰還出力電圧は加減算器“28”で加減算され、その差分が電圧誤差として演算増幅器“29”で増幅される。その演算増幅器“29”の出力は実施形態1から9の電流基準“12”相当になり、以降の動作は前述の通りとなるので省略する。
この結果、負荷装置“11”に掛かる電圧が常に一定になるように制御することになる。このように、高圧の共通直流母線電源に対して本実施形態を適用することで低価格の低圧汎用装置の採用が可能となりシステムコストを低減することが出来る。
(第11の実施形態)
第11の実施形態は実施形態10において、降圧型定電圧電源装置に限定した電源装置を提供するものである。
共通直流母線電源から低圧の回生を有さない負荷等を接続する場合に本実施形態の定電圧電源装置を介することで容易にシステム構成が可能となる。
実施回路図を図8に示す。正側上段主回路内の第1の昇圧用半導体素子“5A”を降圧用還流ダイオード“5C”に、負側下段主回路内の第2の昇圧用半導体素子“5B”を降圧用還流ダイオード“5D”に置換している。
動作について、主回路の電流制御については前述の降圧チョッパー動作、即ちバッテリーの充電電流制御の説明で、また定電圧制御については第10の実施形態で説明した通りであるので省略する。
このように、高圧の共通直流母線電源に対して本実施形態を適用することで低価格の低圧汎用装置の採用が可能となりシステムコストを低減することが出来る。
(第12の実施形態)
第12の実施形態は実施形態10において、昇圧型定電圧電源装置に限定した電源装置を提供するものである。
低電圧電源から高電圧電源を要する場合に本実施形態の昇圧型定電圧電源装置を介することで容易にシステム構成が可能となる。
実施回路図を図9に示す。正側上段主回路内の第1の降圧用半導体素子“4A”を昇圧用還流ダイオード“4C”に、負側下段主回路内の第2の降圧用半導体素子“4B”を昇圧用還流ダイオード“4D”に置換している。
動作について、主回路の電流制御については前述の昇圧チョッパー動作、即ちバッテリーの放電電流制御の説明で、また定電圧制御については第10の実施形態で説明した通りであるので省略する。
このように、低圧の電源に対して本実施形態を適用することで低価格高圧電源を得ることが可能となり、システムコストを低減することが出来る。
(第13の実施形態)
第13の実施形態は実施形態10から実施形態12において、入出力電流制御のマイナーループを有しない定電圧電源装置を提供するものである。
共通直流母線電源から低圧の回生を有さない負荷等を接続する場合に本実施形態の定電圧電源装置を介することで容易にシステム構成が可能となる
実施回路図を図10に示す。図7の実施回路図に対して、入出力電流検出器“10”、加減算器“13”、演算増幅器“14”を削除している。
動作について説明する。
電圧基準“27”に対して、出力電圧検出器“30”にて検出された帰還出力電圧は加減算器“28”で加減算され、その差分が電圧誤差として演算増幅器“29”で増幅される。その演算増幅器“29”の出力はPWM発生器“16”に入力比較され、以降の動作は前述の通りとなるので省略する。
この結果、負荷装置“11”に掛かる電圧が常に一定になるように制御することになる。このように、高圧の共通直流母線電源に対して本実施形態を適用することで低価格の低圧汎用装置の採用が可能となりシステムコストを低減することが出来る。
(第14の実施形態)
第14の実施形態は実施形態1から実施形態13において、中間電位ライン“20”をコンデンサを介して接地した構成を特徴としている。
実施回路図を図11に示す。正側上段主回路と負側下段主回路は中間電位ライン“20”を中点に正側と負側にスイッチング動作している。
従って、この中点をコンデンサ接地することで、アース接地に対して交流的に直流入力電圧の約1/2の電圧がスイッチング動作することになるのでノイズ的にもEMIにとっても有効な効果となる。
(その他の実施形態)
本明細書において、本発明に係わる複数の実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は例として提示したものであって、発明の範囲を限定することを意図していない。具体的には、各実施の形態全てまたはいずれかを組み合わせたものも包含される。これらの実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の範囲を逸脱しない範囲で、種々の省略や置き換え、変更を行うことが出来る。これらの実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1…直流電源
2…2A、2B 入力平滑用コンデンサ
3…3A、3B 入力平滑用コンデンサ・バランス用抵抗器
4…降圧用半導体素子
4A、4B…降圧用スイッチング半導体素子
4C、4D…降圧用還流ダイオード
5…昇圧用半導体素子
5A、5B…昇圧用スイッチング半導体素子
5C、5D…昇圧用還流ダイオード
6…6A、6B リアクトル
7…7A、7B 保護用電流検出器
8…8A、8B 出力平滑用コンデンサ
9…9A、9B 出力平滑用コンデンサ・バランス用抵抗器
10…入出力電流検出器
11…負荷装置
12…出力電流基準
13、28…加減算器
14、29…演算増幅器
15…三角波発生器
16…PWM発生器
17、17A、17B…降圧用半導体素子PWM駆動出力回路
18、18A、18B…昇圧用半導体素子PWM駆動出力回路
19…PWM制御用電源
20…中間電位ライン
21A,21B…バランス用半導体素子
22…バランス用リアクトル
23…1/2電圧判定回路
24…フリップフロップ
25A、25B…AND回路
26A、26B…AND回路
27…電圧基準
30…電圧検出器
31…接地コンデンサ
32…アース

Claims (14)

  1. 直流入力電源と前記直流入力電源の電圧以下の電圧電源を要する負荷装置との間に介在する昇降圧電源装置であって、
    前記直流入力電源と前記直流入力電源の正負間に並列に接続された入力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2のコンデンサと、前記第1及び第2のコンデンサに並列に接続された第1及び第2の抵抗器と、
    前記入力平滑用2直列コンデンサの第1のコンデンサの正側に接続された第1の降圧用半導体素子と、前記第1の降圧用半導体素子と直列に接続された第1のリアクトルと、第1のリアクトルに直列に接続された第1の電流検出器と、前記第1の降圧用半導体素子と前記第1のリアクトルの接続点に第1の昇圧用半導体素子の正極を接続し、前記入力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2の直列コンデンサ間の中間点に、前記第1の昇圧用半導体素子の負極を接続し、前記第1の電流検出器の反対側を直流電圧正出力とし、
    前記入力平滑用2直列コンデンサの第2のコンデンサの負側に接続された第2の降圧用半導体素子と、前記第2の降圧用半導体素子に直列に接続された第2のリアクトルと、第2のリアクトルと直列に接続された第2の電流検出器と、前記第2の降圧用半導体素子と前記第2のリアクトルの接続点に第2の昇圧用半導体素子の負極を接続し、前記入力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2の直列コンデンサ間の中間点に、前記第2の昇圧用半導体素子の正極を接続し、前記第2の電流検出器の反対側を直流電圧負出力とし、
    前記直流電圧正出力と前記直流電圧負出力との間に並列に出力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2のコンデンサを接続し、前記出力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2のコンデンサに並列に接続された第1及び第2の抵抗器と、前記出力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2のコンデンサ間の中間点と前記入力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2のコンデンサ間の中間点を接続し、前記直流電圧正出力または前記直流電圧負出力に接続された第1の入出力電流検出器を設け、正側の前記第1の降圧用半導体素子及び前記第1の昇圧用半導体素子と負側の前記第2の降圧用半導体素子及び前記第2の昇圧用半導体素子とをPWM制御(Pulse Width Modulation制御)することで入出力電流制御することを特徴とする昇降圧電源装置。
  2. 請求項1に記載の昇降圧電源装置において、直列に接続された第1のバランス用半導体素子と第2のバランス用半導体素子の正側を、前記入力平滑用2直列コンデンサの第1のコンデンサの正側に接続し、前記直列に接続された第1のバランス用半導体素子と第2のバランス用半導体素子の負側を、前記入力平滑用2直列コンデンサの第2のコンデンサの負側に接続し、前記直列に接続された第1のバランス用半導体素子と第2のバランス用半導体素子の接続点からバランス電流用リアクトルを介して、前記入力平滑用2直列コンデンサの第1と第2のコンデンサの中間点とを接続して、前記入力平滑用2直列コンデンサの第1と第2のコンデンサの電圧分担を検出する1/2電圧判定回路と、前記1/2電圧判定回路の出力に応じて前記第1及び第2のバランス用半導体素子を駆動する昇降圧電源装置。
  3. 請求項1または請求項2に記載の昇降圧電源装置において、
    前記直流入力電源の正側に接続された前記入力平滑用2直列コンデンサの正側の第1のコンデンサ、前記第1の降圧用半導体素子、前記第1の昇圧用半導体素子、前記第1のリアクトル、前記第1の電流検出器、前記出力平滑用2直列コンデンサの正側の第1のコンデンサとで構成される正側上段主回路と、
    前記直流入力電源の負側に接続された前記入力平滑用2直列コンデンサの負側の第2のコンデンサ、前記第2の降圧用半導体素子、前記第2の昇圧用半導体素子、前記第2のリアクトル、前記第2の電流検出器、前記出力平滑用2直列コンデンサの負側の第2のコンデンサとで構成される負側下段主回路において、
    前記正側上段主回路の前記第1の降圧用半導体素子及び前記第1の昇圧用半導体素子と、前記負側下段主回路の前記第2の降圧用半導体素子及び前記第2の昇圧用半導体素子のPWM制御用信号を交互に駆動して、入出力電流を制御する昇降圧電源装置。
  4. 請求項2または請求項3に記載の昇降圧電源装置において、
    前記第2のバランス用半導体素子を第2のバランス用ダイオードに置き換え、前記1/2電圧判定回路の出力に応じて前記第1のバランス用半導体素子のみを駆動し、前記入力平滑用2直列コンデンサの第2のコンデンサの正負間からPWM制御用電源を供給する昇降圧電源装置。
  5. 請求項1または請求項2及び請求項4に記載の昇降圧電源装置において、
    前記出力平滑用2直列コンデンサの第1のコンデンサと第2のコンデンサ間の中間点と、前記第1の昇圧用半導体素子と前記第2の昇圧用半導体素子の中間点との接続を削除し、前記出力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2のコンデンサを1個とし、前記正側上段主回路の前記第1の降圧用半導体素子及び前記第1の昇圧用半導体素子と、前記負側下段主回路の前記第2の降圧用半導体素子及び前記第2の昇圧用半導体素子の前記PWM制御用信号を共通にした昇降圧電源装置。
  6. 請求項3に記載の昇降圧電源装置において、
    前記出力平滑用2直列コンデンサの第1のコンデンサと第2のコンデンサ間の中間点と、前記第1の昇圧用半導体素子と前記第2の昇圧用半導体素子の中間点との接続を削除し、前記出力平滑用2直列コンデンサの第1及び第2のコンデンサを1個とし、前記正側上段主回路の前記第1の降圧用半導体素子及び前記第1の昇圧用半導体素子と、前記負側下段主回路の第2の降圧用半導体素子及び前記第2の昇圧用半導体素子の前記PWM制御用信号を交互にした昇降圧電源装置。
  7. 請求項5または請求項6に記載の昇降圧電源装置において、
    前記PWM制御用電源を前記直流入力電源から供給し、前記第1及び第2のバランス用半導体素子、前記第2のバランス用ダイオード、前記バランス用リアクトル、前記1/2電圧判定回路を省略した昇降圧電源装置。
  8. 請求項5乃至請求項7のいずれか1項に記載の昇降圧電源装置において、
    前記第1及び第2の電流検出器を正側の第1及び負側の第2の検出器のいずれか1個にした昇降圧電源装置。
  9. 請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の昇降圧電源装置において、
    前記第1及び第2の電流検出器は主回路電流を検出可能な位置としたことを特徴とした昇降圧電源装置。
  10. 請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の昇降圧電源装置において、
    前記入出力電流制御をマイナーループとした定電圧制御を外側に形成した昇降圧電源装置。
  11. 請求項10に記載の昇降圧電源装置において、
    前記第1及び第2の昇圧用半導体素子を第1及び第2の還流用ダイオードに置換した降圧型の昇降圧電源装置。
  12. 請求項10に記載の昇降圧電源装置において、
    前記第1及び第2の降圧用半導体素子を第1及び第2の還流用ダイオードに置換した昇圧型の昇降圧電源装置。
  13. 請求項10乃至請求項12のいずれか1項に記載の昇降圧電源装置において、
    前記入出力電流制御のマイナーループを有しない昇降圧電源装置。
  14. 請求項1乃至請求項13のいずれか1項に記載の昇降圧電源装置において、
    中間電位ラインをコンデンサ接地した昇圧型の昇降圧電源装置。
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