JP2018036141A - 磁気センサ装置 - Google Patents

磁気センサ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018036141A
JP2018036141A JP2016169358A JP2016169358A JP2018036141A JP 2018036141 A JP2018036141 A JP 2018036141A JP 2016169358 A JP2016169358 A JP 2016169358A JP 2016169358 A JP2016169358 A JP 2016169358A JP 2018036141 A JP2018036141 A JP 2018036141A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic sensor
magnet
protrusion
lead frame
sensor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016169358A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6694354B2 (ja
Inventor
松本 直樹
Naoki Matsumoto
直樹 松本
仁人 富田
Masahito Tomita
仁人 富田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokai Rika Co Ltd
Original Assignee
Tokai Rika Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokai Rika Co Ltd filed Critical Tokai Rika Co Ltd
Priority to JP2016169358A priority Critical patent/JP6694354B2/ja
Publication of JP2018036141A publication Critical patent/JP2018036141A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6694354B2 publication Critical patent/JP6694354B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

【課題】位置決め精度を向上させることができる磁気センサ装置を提供する。【解決手段】磁気センサ装置1の磁気センサIC2は、複数のリードフレームと複数のリードフレームのいずれかのリードフレームに配置されて磁石4が生成する磁場40の変化を検出する磁気センサ30とを含んで形成された電子回路部3、複数のリードフレームの端部が露出するように電子回路部3を封止する封止体20、及び封止体20から露出する複数のリードフレームの最も外側に位置する2つのリードフレームの最も外側の側面から突出し、封止体20が磁石4の挿入孔45に挿入される際、磁石4の後面42に接触することで磁石4との相対的な位置を決める第1の突出部251及び第2の突出部271を備えて概略構成されている。【選択図】図1

Description

本発明は、磁気センサ装置に関する。
従来の技術として、筒形状を有する磁石の中空部内に、磁気抵抗素子が形成されたセンサチップが収容された磁気センサが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
この磁石の端面には、磁石の外周形状とほぼ相似な形状に凹部が形成されている。またセンサチップは、ケース本体の舌部導出面から突出する舌部に配置されている。この舌部導出面には、凹部と対応する形で凸部が形成されている。磁気センサは、磁石の凹部とケース本体の凸部の嵌め合いによって磁石とセンサチップが位置決めされている。
特開2007−147461号公報
しかし従来の磁気センサは、舌部の成形の精度、舌部に対するセンサチップの位置の精度、ケース本体の凸部と磁石の凹部の成形の精度などが高くないと、センサチップと磁石の相対的な位置決めを高い精度で行うことが難しい問題がある。
従って本発明の目的は、位置決め精度を向上させることができる磁気センサ装置を提供することにある。
本発明の一態様は、後面から検出対象側となる前面に向かって形成された挿入孔を有する磁石と、複数のリードフレームと複数のリードフレームのいずれかのリードフレームに配置されて磁石が生成する磁場の変化を検出する磁気センサとを含んで形成された電子回路部、複数のリードフレームの端部が露出するように電子回路部を封止する封止体、及び封止体から露出する複数のリードフレームの最も外側に位置する2つのリードフレームの最も外側の側面から突出し、封止体が挿入孔に挿入される際、磁石の後面に接触することで磁石との相対的な位置を決める第1の突出部及び第2の突出部を有する磁気センサ素子と、を備えた磁気センサ装置を提供する。
本発明によれば、位置決め精度を向上させることができる。
図1(a)は、第1の実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図1(b)は、磁気センサの一例を示す上面図であり、図1(c)は、磁気センサの一例を示す正面図である。 図2(a)は、第1の実施の形態に係る磁気センサ装置の磁石の一例を示す側面図であり、図2(b)は、磁石の一例を示す正面図であり、図2(c)は、変形例に係る磁石の一例を示す正面図である。 図3(a)は、第1の実施の形態に係る磁気センサ装置の電子回路部の一例を示す概略図であり、図3(b)は、第1の磁気センサ及び第2の磁気センサの一例を示す概略図である。 図4(a)は、第2の実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図4(b)は、磁気センサの一例を示す上面図であり、図4(c)は、磁気センサの一例を示す正面図である。
(実施の形態の要約)
実施の形態に係る磁気センサ装置は、後面から検出対象側となる前面に向かって形成された挿入孔を有する磁石と、複数のリードフレームと複数のリードフレームのいずれかのリードフレームに配置されて磁石が生成する磁場の変化を検出する磁気センサとを含んで形成された電子回路部、複数のリードフレームの端部が露出するように電子回路部を封止する封止体、及び封止体から露出する複数のリードフレームの最も外側に位置する2つのリードフレームの最も外側の側面から突出し、封止体が挿入孔に挿入される際、磁石の後面に接触することで磁石との相対的な位置を決める第1の突出部及び第2の突出部を有する磁気センサ素子と、を備えて概略構成されている。
この磁気センサ装置は、2つのリードフレームの第1の突出部及び第2の突出部によって2つのリードフレームと磁石との相対的な位置が決まると共に、複数のリードフレームのいずれかに配置された磁気センサと磁石との相対的な位置が決まるので、封止体と磁石の位置決めによって磁気センサと磁石の位置決めを行う場合と比べて、複数のリードフレームと封止体の位置決めの公差を考慮する必要がなく、位置決め精度を向上させることができる。
[第1の実施の形態]
(磁気センサ装置1の概要)
図1(a)は、第1の実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図1(b)は、磁気センサの一例を示す上面図であり、図1(c)は、磁気センサの一例を示す正面図である。図2(a)は、第1の実施の形態に係る磁気センサ装置の磁石の一例を示す側面図であり、図2(b)は、磁石の一例を示す正面図であり、図2(c)は、変形例に係る磁石の一例を示す正面図である。図3(a)は、第1の実施の形態に係る磁気センサ装置の電子回路部の一例を示す概略図であり、図3(b)は、第1の磁気センサ及び第2の磁気センサの一例を示す概略図である。なお、以下に記載する実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。
磁気センサ装置1は、一例として、検出対象が接近したり、離れたりするのを検出する非接触スイッチとして構成されている。
磁気センサ装置1は、図1(a)に示すように、磁気センサ素子としての磁気センサIC(Integrated circuit)2と、磁石4と、を備えて概略構成されている。この磁気センサ装置1は、例えば、磁気センサIC2と磁石4とを組み付けた後、端子群28が露出するように二次モールドされる。
磁気センサIC2は、図1(a)〜図3(b)に示すように、複数のリードフレームと複数のリードフレームのいずれかのリードフレームに配置されて磁石4が生成する磁場40の変化を検出する磁気センサ30とを含んで形成された電子回路部3、複数のリードフレームの端部が露出するように電子回路部3を封止する封止体20、及び封止体20から露出する複数のリードフレームの最も外側に位置する2つのリードフレームの最も外側の側面から突出し、封止体20が後述する磁石4の挿入孔45に挿入される際、磁石4の後面42に接触することで磁石4との相対的な位置を決める第1の突出部251及び第2の突出部271を備えて概略構成されている。
本実施の形態では、電子回路部3は、複数のリードフレームとしてリードフレーム25〜リードフレーム27を有しているがこれに限定されず、磁気センサ装置1の仕様によって変更可能である。
磁気センサ30は、例えば、図3(a)に示すように、リードフレーム25の搭載部250に配置されている。また複数のリードフレームの最も外側に位置する2つのリードフレームは、例えば、図1(a)に示すように、リードフレーム25及びリードフレーム27である。そして最も外側の側面は、リードフレーム25の側面25aとリードフレーム27の側面27aである。
また磁石4は、後面42から検出対象5側となる前面41に向かって形成された挿入孔45、及び後面21側の挿入孔45の対向する側面450及び側面451に設けられた第1の被挿入部430及び第2の被挿入部440を備えて概略構成されている。
なお変形例として磁気センサ装置1は、この第1の被挿入部430及び第2の被挿入部440が形成されず、第1の突出部251及び第2の突出部が磁石4の後面42に接触することで磁気センサ30と磁石4との位置決めがなされる構成であっても良い。
(磁気センサIC2の構成)
磁気センサIC2の封止体20は、封止樹脂を用いて形成される。この封止樹脂は、例えば、エポキシ樹脂を主成分に、シリカ充填材などを加えた熱硬化性成形材料である。封止体20は、挿入孔45の形状に応じた角柱であると共に、第1の側面23及び第2の側面24の上下が面取りされたような形状を有している。
電子回路部3は、一例として、図3(a)に示すように、磁気センサ30と、ツェナーダイオード33及びツェナーダイオード34と、制御IC35と、を備え、リードフレーム25〜リードフレーム27を配線としている。
リードフレーム25〜リードフレーム27は、例えば、細長い板形状に形成されている。またリードフレーム25〜リードフレーム27は、例えば、アルミニウム、銅などの導電性を有する金属材料、又は真鍮などの合金材料を用いて、プレスやエッチングなどによって形成されている。磁気センサIC2は、図1(a)及び図1(b)に示すように、リードフレーム25〜リードフレーム27の順に並んで配置されている。
リードフレーム25の先端には、図3(a)に示すように、リードフレーム26側の側面25bから突出する搭載部250が設けられている。またリードフレーム26の先端には、それまでよりも幅が広くされたパッド260が設けられている。さらにリードフレーム27の先端には、リードフレーム26と同様に、幅が広くされたパッド270が設けられている。
リードフレーム25〜リードフレーム27は、磁石4から突出する端部が端子群28となる。この端子群28は、接続先のコネクタと接続される。リードフレーム25は、接続先の回路と接続されてGND端子となる。リードフレーム26は、接続先の回路に後述する出力電圧Voutを出力する端子となる。リードフレーム27は、接続先の回路から基準電圧Vccが供給される端子となる。
リードフレーム25は、図3(a)に示すように、磁石4の挿入孔45の側面450に対向する側面25aから突出するように第1の突出部251が形成されている。またリードフレーム27は、挿入孔45の側面451に対向する側面27aから突出するように第2の突出部271が形成されている。
ここで磁気センサIC2は、リードフレームの材料となる一枚の板に複数形成される。磁気センサIC2は、1つの枠の中に形成され、この枠から切り出される前、リードフレームの一部を繋ぐタイバーによって枠と繋がっている。磁気センサIC2は、このタイバーが切断されることで切り出される。第1の突出部251及び第2の突出部271は、一例として、このタイバーである。つまり第1の突出部251及び第2の突出部271は、タイバーを切断して磁気センサIC2を切り離す際、リードフレーム25の側面25a、及びリードフレーム27の側面27aのタイバーの枠側を切り離すことで形成される。
第1の突出部251は、図3(a)に示すように、封止体20側の側面が接触面251aとなり、磁石4の第1の被挿入部430の端面430aと接触する。また第2の突出部271は、封止体20側の側面が接触面271aとなり、磁石4の第2の被挿入部440の端面440aと接触する。
磁気センサ30は、例えば、図3(a)及び図3(b)に示すように、第1の磁気センサ31及び第2の磁気センサ32を備えている。第1の磁気センサ31は、例えば、図3(b)に示すように、第1の磁気抵抗素子310及び第2の磁気抵抗素子311を有し、それぞれが電気的に接続されてハーフブリッジ回路が形成されている。第2の磁気センサ32は、例えば、第1の磁気抵抗素子320及び第2の磁気抵抗素子321を有し、それぞれが電気的に接続されてハーフブリッジ回路が形成されている。なお第1の磁気センサ31及び第2の磁気センサ32は、ハーフブリッジ回路に限定されず、それぞれがフルブリッジ回路であっても良い。
第1の磁気抵抗素子310及び第2の磁気抵抗素子311は、図3(b)に示すように、角度が90°となるように配置されている。そして第1の磁気抵抗素子310の端部には、基準電圧Vccが印加される。そして第2の磁気抵抗素子311の端部は、GNDと電気的に接続される。第1の磁気抵抗素子310と第2の磁気抵抗素子311は、互いが電気的に接続されたノードにおける電位である中点電位Vを、ワイヤ36を介して制御IC35に出力するように構成されている。
第1の磁気抵抗素子320及び第2の磁気抵抗素子321は、図3(b)に示すように、角度が90°となるように配置されている。そして第1の磁気抵抗素子320の端部には、基準電圧Vccが印加される。そして第2の磁気抵抗素子321の端部は、GNDと電気的に接続される。第1の磁気抵抗素子320と第2の磁気抵抗素子321は、互いが電気的に接続されたノードにおける電位である中点電位Vを、ワイヤ36を介して制御IC35に出力するように構成されている。
第1の磁気センサ31と第2の磁気センサ32は、図3(b)に示すように、互いの中心を通る線を対称軸305として線対称となるように配置されている。第1の磁気センサ31及び第2の磁気センサ32は、例えば、ベース300を介してリードフレーム25の搭載部250に配置されている。ハーフブリッジ回路のGND側は、ベース300を介してリードフレーム25と電気的に接続されている。
ツェナーダイオード33は、例えば、図3(a)に示すように、リードフレーム25の搭載部250、及びリードフレーム26のパッド260に跨って配置されると共に、電気的に接続されている。またツェナーダイオード34は、例えば、リードフレーム25の搭載部250、及びリードフレーム27のパッド270に跨って配置されると共に、電気的に接続されている。
制御IC35は、図3(a)に示すように、リードフレーム25の搭載部250に配置されている。この制御IC35は、例えば、記憶されたプログラムに従って、取得したデータに演算、加工などを行うCPU(Central Processing Unit)、半導体メモリであるRAM(Random Access Memory)及びROM(Read Only Memory)などから構成されるマイクロコンピュータである。このROMには、例えば、制御IC35が動作するためのプログラムが格納されている。RAMは、例えば、一時的に演算結果などを格納する記憶領域として用いられる。
制御IC35は、例えば、ワイヤ37を介してリードフレーム26のパッド260に電気的に接続され、またリードフレーム27のパッド270に電気的に接続され、リードフレーム25の搭載部250に電気的に接続される。
制御IC35は、第1の磁気センサ31の中点電位Vと第2の磁気センサ32の中点電位Vの差分を算出し、この差分に基づいて検出対象5の接近を検出する。制御IC35は、例えば、検出対象5を検出したと判定した場合、Hiとなる出力電圧Voutを、リードフレーム26を介して接続先の回路に出力する。また制御IC35は、例えば、検出対象5を検出するまでは、Loとなる出力電圧Voutを、リードフレーム26を介して接続先の回路に出力する。
(磁石4の構成)
磁石4は、例えば、アルニコ磁石、フェライト磁石、ネオジム磁石などの永久磁石、又はフェライト系、ネオジム系、サマコバ系、サマリウム鉄窒素系などの磁性体材料と、ポリスチレン系、ポリエチレン系、ポリアミド系、アクリロニトリル/ブタジエン/スチレン(ABS)などの合成樹脂材料と、を混合して所望の形状に成形したプラスチックマグネットである。本実施の形態の磁石4は、一例として、プラスチックマグネットである。
磁石4は、図1(a)、図2(a)及び図2(b)に示すように、挿入孔45を備えた細長い角柱形状を有している。この磁石4は、前面41側がN極、後面42側がS極となるように着磁されている。そして磁石4は、図2(a)に示すように、N極からS極に向かう磁場40を生成する。なお着磁の方向は、これに限定されず、逆方向に着磁されても良い。
挿入孔45は、図2(b)に示すように、開口部の形が長方形状である。この挿入孔45の対向する短手方向の側面450及び側面451には、上述のように、第1の被挿入部430及び第2の被挿入部440が形成されている。この挿入孔45は、第1の突出部251及び第2の突出部271が後面42に接触可能であれば、貫通孔でなくても良い。本実施の形態の挿入孔45は、貫通孔である。
第1の被挿入部430は、磁石4の後面42から前面41に向かって第1の側面43を細く切り欠いたようなスリットとなっている。同様に、第2の被挿入部440は、磁石4の後面42から前面41に向かって第2の側面44を細く切り欠いたようなスリットとなっている。
なお変形例として第1の被挿入部430は、図2(c)に示すように、第1の側面43側には突き抜けず、挿入孔45の側面450に溝として形成されても良い。同様に、第2の被挿入部440は、挿入孔45の側面451に溝として形成されても良い。
(磁気センサIC2と磁石4の組み付けについて)
磁気センサIC2は、封止体20が磁石4の挿入孔45の後面42側から挿入される。この際、第1の突出部251が磁石4の第1の被挿入部430に挿入されると共に、第2の突出部271が磁石4の第2の被挿入部440に挿入される。
そして第1の突出部251の接触面251aが第1の被挿入部430の端面430aと接触すると共に、第2の突出部271の接触面271aが第2の被挿入部440の端面440aと接触する。この接触によって磁気センサIC2と磁石4との相対的な位置が決まる。
図1(b)に示すように、磁気センサ30のセンサ中心線301から第1の突出部251の接触面251aまでの距離Dは、主にリードフレーム25の加工の精度、及び磁気センサ30の配置の精度に依存している。なおセンサ中心線301は、図3(a)及び図3(b)に示すように、2つのハーフブリッジ回路の中心を通る直線である。
またセンサ中心線301から磁石4の前面41までの距離Dは、図3(a)に示すように、接触面251aと端面430aの接触、及び接触面271aと端面440aの接触によって定まる距離である。従って距離Dは、主に第1の被挿入部430及び第2の被挿入部440の成形の精度に依存している。
つまり挿入方向に対する磁気センサ30と磁石4の位置決めの精度は、主に距離Dと距離Dに依存しており、封止体20の成形によって生じる誤差に依存しない。
封止体に設けられた部位によって磁石との位置決めが行われる場合、磁気センサが封止体に覆われているので、磁気センサと磁石の位置を目視しながら組み付けることができない。従って封止体と磁石の相対的な位置によって磁気センサと磁石の位置決めがなされるので、位置決めの精度は、リードフレームに対する磁気センサの配置の精度、封止体とリードフレームの位置の精度、封止体の成形の精度、及び磁石の成形の精度に依存する。
本実施の形態の磁気センサ装置1は、上述のように、封止体20に依存せずに磁気センサIC2と磁石4の位置決めができるので、高い精度で位置決めを行うことができる。
(第1の実施の形態の効果)
本実施の形態に係る磁気センサ装置1は、位置決め精度を向上させることができる。具体的には、この磁気センサ装置1は、リードフレーム25及びリードフレーム27の第1の突出部251及び第2の突出部271によってリードフレーム25及びリードフレーム27と磁石4との相対的な位置が決まると共に、リードフレーム25に配置された磁気センサ30と磁石4との相対的な位置が決まるので、封止体と磁石の位置決めによって磁気センサと磁石の位置決めを行う場合と比べて、リードフレーム25〜リードフレーム27と封止体20の位置決めの公差を考慮する必要がなく、位置決め精度を向上させることができる。そして磁気センサ装置1は、位置決め精度が高いので、検出対象5の検出精度が高くなる。
磁気センサ装置1は、磁気センサIC2を磁石4に接触するまで挿入することで組み付けが終了するので、交差経路を短縮することができて精度の高い位置決めを行うことができる。
磁気センサ装置1は、挿入方向の位置決め精度が高いので、位置がずれることによって必要となる磁気センサ30の調整を行う工程を削減することができ、製造コストを抑制することができる。
磁気センサ装置1は、第1の突出部251及び第2の突出部271をタイバーを流用して形成するので、この構成を採用しない場合と比べて、タイバーと別に第1の突出部251及び第2の突出部271を形成する必要がなく、製造コストが抑制される。
磁気センサ装置1は、相手側コネクタの形状に応じてリードフレーム25〜リードフレーム27が曲げられ、挿入孔45の幅より広い場合であっても封止体20側から挿入孔45に挿入して組み付けることができる。
[第2の実施の形態]
第2の実施の形態は、第1の突出部251及び第2の突出部271に金型のピンが挿入されるピン挿入孔が形成されている点で上述の実施の形態と異なっている。
図4(a)は、第2の実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図4(b)は、磁気センサの一例を示す上面図であり、図4(c)は、磁気センサの一例を示す正面図である。なお以下に記載する実施の形態において、第1の実施の形態と同じ機能及び構成を有する部分は、第1の実施の形態と同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。
本実施の形態の磁気センサ装置1の第1の突出部251及び第2の突出部271は、図4(a)〜図4(c)に示すように、二次成形時に使用される金型のピン90及びピン91が挿入されるピン挿入孔251b及びピン挿入孔271bを備えている。
このピン挿入孔251bは、例えば、図4(b)に示すように、接触面251a側が挿入されることから第1の突出部251の端子群28側に形成されている。またピン挿入孔271bは、例えば、図4(b)に示すように、接触面271a側が挿入されることから第2の突出部271の端子群28側に形成されている。
磁気センサ装置1は、磁気センサ装置1を覆う本体などを形成するための二次成形が行われる際、金型にセットされる。磁気センサIC2と磁石4との位置合わせのように、封止体20で磁気センサ30が覆われると共に、封止体20が磁石4の挿入孔45に挿入されているので、金型と磁気センサ30の位置合わせが困難となる。この位置合わせがずれた場合、形成された本体と磁気センサ30との相対的な位置がずれるので、検出精度が低下すると共に、端子群28が露出するコネクタ部分の精度が低下して相手側コネクタが挿入できない可能性もある。
しかし本実施の形態の磁気センサ装置1は、ピン挿入孔251b及びピン挿入孔271bに金型のピン90及びピン91が挿入されるので、金型とリードフレーム25及びリードフレーム27の位置精度が高い。そして磁気センサ30は、高い精度でリードフレーム25に配置されているので、金型との位置精度が高くなる。従って磁気センサ装置1は、二次成形を行っても位置合わせの精度が高く、検出精度が向上すると共に、端子群28が露出するコネクタ部分の精度が向上して相手側コネクタが挿入できない不具合を抑制することができる。
なお変形例として磁気センサ装置1は、磁石4に第1の被挿入部430及び第2の被挿入部440が形成されず、第1の突出部251の接触面251a、及び第2の突出部271の接触面271aが磁石4の後面42に接触して位置決めされる構成であっても良い。
以上、本発明のいくつかの実施の形態及び変形例を説明したが、これらの実施の形態及び変形例は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。また、これら実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態及び変形例は、発明の範囲及び要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…磁気センサ装置、3…電子回路部、4…磁石、5…検出対象、20…封止体、21…後面、23…第1の側面、24…第2の側面、25…リードフレーム、25a…側面、25b…側面、26…リードフレーム、27…リードフレーム、27a…側面、28…端子群、30…磁気センサ、31…第1の磁気センサ、32…第2の磁気センサ、33,34…ツェナーダイオード、36,37…ワイヤ、40…磁場、41…前面、42…後面、43…第1の側面、44…第2の側面、45…挿入孔、90,91…ピン、250…搭載部、251…第1の突出部、251a…接触面、251b…ピン挿入孔、260,270…パッド、271…第2の突出部、271a…接触面、271b…ピン挿入孔、300…ベース、301…センサ中心線、305…対称軸、310…第1の磁気抵抗素子、311…第2の磁気抵抗素子、320…第1の磁気抵抗素子、321…第2の磁気抵抗素子、430…第1の被挿入部、430a…端面、440…第2の被挿入部、440a…端面、450…側面、451…側面

Claims (4)

  1. 後面から検出対象側となる前面に向かって形成された挿入孔を有する磁石と、
    複数のリードフレームと前記複数のリードフレームのいずれかのリードフレームに配置されて前記磁石が生成する磁場の変化を検出する磁気センサとを含んで形成された電子回路部、前記複数のリードフレームの端部が露出するように前記電子回路部を封止する封止体、及び前記封止体から露出する前記複数のリードフレームの最も外側に位置する2つのリードフレームの最も外側の側面から突出し、前記封止体が前記挿入孔に挿入される際、前記磁石の前記後面に接触することで前記磁石との相対的な位置を決める第1の突出部及び第2の突出部を有する磁気センサ素子と、
    を備えた磁気センサ装置。
  2. 前記磁石は、前記後面側の前記挿入孔の対向する側面に設けられた第1の被挿入部及び第2の被挿入部を有し、
    前記第1の突出部及び前記第2の突出部は、前記第1の被挿入部及び前記第2の被挿入部に挿入されて前記磁石との相対的な位置を決める、
    請求項1に記載の磁気センサ装置。
  3. 前記第1の突出部及び前記第2の突出部は、二次成形時に使用される金型のピンが挿入されるピン挿入孔を有する、
    請求項2に記載の磁気センサ装置。
  4. 前記第1の突出部及び前記第2の突出部は、タイバーである、
    請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気センサ装置。
JP2016169358A 2016-08-31 2016-08-31 磁気センサ装置 Expired - Fee Related JP6694354B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016169358A JP6694354B2 (ja) 2016-08-31 2016-08-31 磁気センサ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016169358A JP6694354B2 (ja) 2016-08-31 2016-08-31 磁気センサ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018036141A true JP2018036141A (ja) 2018-03-08
JP6694354B2 JP6694354B2 (ja) 2020-05-13

Family

ID=61565592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016169358A Expired - Fee Related JP6694354B2 (ja) 2016-08-31 2016-08-31 磁気センサ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6694354B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021099264A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 株式会社東海理化電機製作所 磁気センサ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001116815A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Denso Corp センサ装置及びセンサ装置の製造方法
JP2005030941A (ja) * 2003-07-07 2005-02-03 Denso Corp センサ装置及びセンサ装置の製造方法
JP2011029403A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Daishinku Corp リードフレーム及びリードタイプの電子部品
US20120038352A1 (en) * 2010-08-16 2012-02-16 Klaus Elian Sensor Package and Method of Manufacturing Thereof
JP2013011512A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Tokai Rika Co Ltd センサ装置及びセンサ装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001116815A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Denso Corp センサ装置及びセンサ装置の製造方法
JP2005030941A (ja) * 2003-07-07 2005-02-03 Denso Corp センサ装置及びセンサ装置の製造方法
JP2011029403A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Daishinku Corp リードフレーム及びリードタイプの電子部品
US20120038352A1 (en) * 2010-08-16 2012-02-16 Klaus Elian Sensor Package and Method of Manufacturing Thereof
JP2013011512A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Tokai Rika Co Ltd センサ装置及びセンサ装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021099264A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 株式会社東海理化電機製作所 磁気センサ
CN113093064A (zh) * 2019-12-23 2021-07-09 株式会社东海理化电机制作所 磁传感器

Also Published As

Publication number Publication date
JP6694354B2 (ja) 2020-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4274051B2 (ja) 回転検出装置及び回転検出装置の製造方法
JP4561613B2 (ja) 磁気センサ
US7501808B2 (en) Current sensing device
US7583072B2 (en) Current sensor for measuring current flowing through bus bar
JPH10160403A (ja) 較正中に移動可能で、かつ成形した磁石に固定可能な磁気感受性構成要素を有する磁気センサ
KR20160135734A (ko) 자기장 센서 장치 및 이를 갖는 전류 변환기
KR100740765B1 (ko) 자기 검출 장치
JP6694354B2 (ja) 磁気センサ装置
WO2016093059A1 (ja) 電流センサ
US10605625B2 (en) Measuring system
JP2018036140A (ja) 磁気センサ装置
JP3102268B2 (ja) 磁気検出装置
JP2018072250A (ja) センサ装置
JP2013162003A (ja) コアホルダ及び電流センサ
JP6058401B2 (ja) 磁気センサ装置
JP2018072251A (ja) センサ装置
JP2005283477A (ja) 磁気センサ
JP2020020624A (ja) 磁気センサ装置
JP4342802B2 (ja) 磁気センサ及び無接点スイッチ
JP2005249468A (ja) 長尺型磁気センサ
JP5196201B2 (ja) 磁気平衡式電流センサ
EP3796007B1 (en) Current transducer
JP2016099160A (ja) 電流センサ
JP2011107085A (ja) 移動体検出装置
JP5996393B2 (ja) 磁気センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200107

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200304

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20200304

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200331

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200417

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6694354

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees