JP2018030046A - Film forming apparatus and film forming method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film forming apparatus capable of suppressing variations in the shapes of films formed.SOLUTION: In a film forming apparatus, a film forming part applies a film material to a substrate 50, thereby forming a film. An image taking device 27 takes an image of the surface of the substrate 50 arranged in the film forming part. A control part 30 controls the film forming part. The control part 30 stores pattern data for defining the planar shape of the film to be formed. Before the film is formed on the basis of the pattern data, the control part 30 causes the film material to be discharged to part of the inside of a region to which the film material is to be applied for forming the film, thereby forming an evaluation pattern. An image of the evaluation pattern is taken by the image taking device 27. On the basis of the image, the control part 30 determines the quality of the surface condition of the substrate 50 and executes different processing on the basis of the result of the determination.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、膜形成装置及び膜形成方法に関する。   The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method.

タッチパネルの透明導電膜をパターニングするためのレジストパターンの形成に、フォトリソグラフィ技術またはスクリーン印刷技術が用いられている。フォトリソグラフィ技術を用いる方法では、高精細のパターンを形成することができるが、装置コスト、廃液処理コスト等が嵩む。スクリーン印刷技術を用いる方法では、装置コスト、廃液処理コストの点ではフォトリソグラフィ技術を用いる方法より有利であるが、高精細のパターンを形成することが困難である。インクジェット印刷技術を用いてレジストパターンを形成する技術が提案されている(特許文献1)。   A photolithography technique or a screen printing technique is used to form a resist pattern for patterning the transparent conductive film of the touch panel. In the method using the photolithography technique, a high-definition pattern can be formed, but the apparatus cost, the waste liquid processing cost, and the like increase. The method using the screen printing technique is more advantageous than the method using the photolithography technique in terms of apparatus cost and waste liquid treatment cost, but it is difficult to form a high-definition pattern. A technique for forming a resist pattern using an inkjet printing technique has been proposed (Patent Document 1).

国際公開第2013/089049号International Publication No. 2013/089049

インクジェット印刷技術を用いて複数の基板に同一のパターンの膜を形成したところ、基板間で膜の形状にばらつきが生じることがわかった。本発明の目的は、形成した膜の形状のばらつきを抑制することができる膜形成装置及び膜形成方法を提供することである。   When films having the same pattern were formed on a plurality of substrates using an ink jet printing technique, it was found that the shapes of the films varied among the substrates. An object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a film forming method capable of suppressing variations in the shape of a formed film.

本発明の一観点によると、
基板に膜材料を塗布して膜を形成する膜形成部と、
前記膜形成部に配置された基板の表面を撮像する撮像装置と、
前記膜形成部を制御する制御部と
を有し、
前記制御部は、
形成すべき膜の平面形状を定義するパターンデータを記憶しており、
前記パターンデータに基づいて膜を形成する前に、膜を形成するために膜材料を塗布する領域の内側の一部に、形成すべき膜と同一の材料からなる評価パターンを、前記膜形成部を制御して形成し、
前記評価パターンを前記撮像装置で撮像した画像を取得し、
取得した前記画像に基づいて前記基板の表面状態の良否を判定し、判定結果に基づいて異なる処理を実行する膜形成装置が提供される。
According to one aspect of the invention,
A film forming unit that forms a film by applying a film material to the substrate;
An imaging device for imaging the surface of the substrate disposed in the film forming unit;
A control unit for controlling the film forming unit,
The controller is
Stores pattern data that defines the planar shape of the film to be formed,
Before the film is formed based on the pattern data, an evaluation pattern made of the same material as the film to be formed is formed on the inner part of the region where the film material is applied to form the film. Control and form,
Obtaining an image of the evaluation pattern captured by the imaging device;
There is provided a film forming apparatus that determines the quality of the surface state of the substrate based on the acquired image and performs different processing based on the determination result.

本発明の他の観点によると、
基板の表面の、あるパターンを有する膜を形成すべき領域の内部に、インクジェットヘッドから前記膜の膜材料を吐出させて評価パターンを形成し、
前記基板に形成された前記評価パターンに基づいて、前記基板の表面状態の良否を判定し、
判定結果が良である場合には、前記基板の表面に前記パターンを有する前記膜を形成し、
判定結果が不良である場合には、前記基板の表面の洗浄を行った後、前記基板の表面に前記パターンを有する前記膜を形成する膜形成方法が提供される。
According to another aspect of the invention,
An evaluation pattern is formed by ejecting the film material of the film from the ink jet head inside a region on the surface of the substrate where a film having a pattern is to be formed,
Based on the evaluation pattern formed on the substrate, determine the quality of the surface state of the substrate,
If the determination result is good, forming the film having the pattern on the surface of the substrate,
When the determination result is poor, a film forming method is provided in which the film having the pattern is formed on the surface of the substrate after cleaning the surface of the substrate.

膜を形成する前に評価パターンを形成して基板の表面状態の良否を判定することにより、表面状態が不良の基板にそのまま膜を形成してしまうことを避けることが可能になる。これにより、形成した膜の形状のばらつきを抑制することができる。   By forming an evaluation pattern and determining the quality of the surface state of the substrate before forming the film, it is possible to avoid forming the film as it is on the substrate having a defective surface state. Thereby, the dispersion | variation in the shape of the formed film | membrane can be suppressed.

図1は、実施例による膜形成装置の概略正面図である。FIG. 1 is a schematic front view of a film forming apparatus according to an embodiment. 図2は、タッチパネルの透明電極をパターニングするときにエッチングマスクとして用いられるレジスト膜の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a resist film used as an etching mask when patterning the transparent electrode of the touch panel. 図3は、実施例による膜形成方法のフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart of the film forming method according to the embodiment. 図4は、形成すべき膜と評価パターンとの位置関係を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the positional relationship between the film to be formed and the evaluation pattern. 図5Aは、1つの液滴により形成される正常なドットパターンの平面図であり、図5Bは、正常なドットパターンより大きなドットパターンの平面図であり、図5Cは、滲んだドットパターンの平面図であり、図5Dは、平面形状が歪んだドットパターンの平面図である。5A is a plan view of a normal dot pattern formed by one droplet, FIG. 5B is a plan view of a dot pattern larger than the normal dot pattern, and FIG. 5C is a plan view of a blurred dot pattern. FIG. 5D is a plan view of a dot pattern having a distorted planar shape. 図6Aは、基板に評価パターンを形成した状態(ステップS4)の基板の断面図であり、図6Bは、基板にレジスト膜を形成した状態(ステップS7)の基板の断面図であり、図6Cは、レジスト膜をエッチングマスクとして用いて透明導電膜をエッチングした後の基板の断面図であり、図6Dは、エッチングマスクとして用いたレジスト膜を除去した状態の基板の断面図である。6A is a cross-sectional view of the substrate in a state where the evaluation pattern is formed on the substrate (step S4), and FIG. 6B is a cross-sectional view of the substrate in a state where the resist film is formed on the substrate (step S7). FIG. 6D is a cross-sectional view of the substrate after etching the transparent conductive film using the resist film as an etching mask, and FIG. 6D is a cross-sectional view of the substrate with the resist film used as the etching mask removed. 図7A及び図7Bは、形成すべきレジスト膜の一部分を拡大した平面図である。7A and 7B are enlarged plan views of a part of the resist film to be formed. 図8Aは、他の実施例による方法で基板に評価パターンを形成した状態(ステップS4)の基板の断面図であり、図8Bは、基板にレジスト膜を形成した状態(ステップS7)の基板の断面図である。8A is a cross-sectional view of a substrate in a state where an evaluation pattern is formed on the substrate by a method according to another embodiment (step S4), and FIG. 8B is a cross-sectional view of the substrate in a state where a resist film is formed on the substrate (step S7). It is sectional drawing.

図1〜図7を参照して、実施例による膜形成装置及び膜形成方法について説明する。   A film forming apparatus and a film forming method according to an embodiment will be described with reference to FIGS.

図1は、本実施例による膜形成装置の概略正面図である。基台20に移動機構21を介してステージ23が支持されている。ステージ23は、その上面(支持面)に基板50を支持する支持部としての機能を有する。移動機構21は、ステージ23を支持面に平行な2次元方向に移動させることにより、基板50を2次元方向に移動させることができる。移動機構21及びステージ23に、例えばXYステージを用いることができる。通常、ステージ23の支持面は水平に保たれる。   FIG. 1 is a schematic front view of a film forming apparatus according to the present embodiment. A stage 23 is supported on the base 20 via a moving mechanism 21. The stage 23 has a function as a support part that supports the substrate 50 on its upper surface (support surface). The moving mechanism 21 can move the substrate 50 in a two-dimensional direction by moving the stage 23 in a two-dimensional direction parallel to the support surface. As the moving mechanism 21 and the stage 23, for example, an XY stage can be used. Usually, the support surface of the stage 23 is kept horizontal.

ステージ23に支持された基板50の上方に複数のインクジェットヘッド26及び複数の撮像装置27が配置されている。インクジェットヘッド26及び撮像装置27は、門型フレーム24により基台20に支持されている。インクジェットヘッド26の各々に複数のノズル孔が設けられている。ノズル孔から基板50に向けて膜材料の液滴が吐出される。インクジェットヘッド26、ステージ23、及び移動機構21は、基板に膜を形成する膜形成部として機能する。撮像装置27は、ステージ23に支持された基板50の一部分を撮像し、取得された2次元画像の画像データを制御装置(制御部)30に送信する。   A plurality of inkjet heads 26 and a plurality of imaging devices 27 are arranged above the substrate 50 supported by the stage 23. The inkjet head 26 and the imaging device 27 are supported on the base 20 by the portal frame 24. Each of the inkjet heads 26 is provided with a plurality of nozzle holes. A droplet of the film material is discharged from the nozzle hole toward the substrate 50. The inkjet head 26, the stage 23, and the moving mechanism 21 function as a film forming unit that forms a film on the substrate. The imaging device 27 images a part of the substrate 50 supported by the stage 23, and transmits the acquired two-dimensional image data to the control device (control unit) 30.

基板50に付着した液状の膜材料を硬化させることにより膜を形成することができる。膜材料として、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂等を用いることができる。インクジェットヘッド26の側方に、基板50に付着した膜材料を硬化させる光源または熱源が配置されている。   A film can be formed by curing the liquid film material attached to the substrate 50. As the film material, a photocurable resin, a thermosetting resin, or the like can be used. A light source or a heat source for curing the film material attached to the substrate 50 is disposed on the side of the inkjet head 26.

制御装置30が移動機構21によるステージ23の移動、及びインクジェットヘッド26のノズル孔からの膜材料の吐出を制御する。制御装置30は記憶装置31を含み、記憶装置31に、形成すべき膜のパターンデータが格納されている。パターンデータは、例えば行列状に配置された複数の画素(ピクセル)で構成される。制御装置30がパターンデータに基づいて移動機構21及びインクジェットヘッド26を制御することにより、基板50に所望のパターンの膜を形成することができる。   The control device 30 controls the movement of the stage 23 by the moving mechanism 21 and the discharge of the film material from the nozzle holes of the inkjet head 26. The control device 30 includes a storage device 31, and the storage device 31 stores film pattern data to be formed. The pattern data is composed of a plurality of pixels (pixels) arranged in a matrix, for example. The control device 30 controls the moving mechanism 21 and the inkjet head 26 based on the pattern data, so that a film having a desired pattern can be formed on the substrate 50.

入力装置35から制御装置30に、種々のコマンドやデータが入力される。入力装置35には、例えばキーボード、ポインティングデバイス、USBポート、通信装置等が用いられる。出力装置(出力部)36が、制御装置30からの指令に基づき、膜形成装置の動作に関する種々の情報を出力する。出力装置36には、例えば液晶ディスプレイ、スピーカ、USBポート、通信装置等が用いられる。   Various commands and data are input from the input device 35 to the control device 30. As the input device 35, for example, a keyboard, a pointing device, a USB port, a communication device, or the like is used. The output device (output unit) 36 outputs various information related to the operation of the film forming apparatus based on a command from the control device 30. As the output device 36, for example, a liquid crystal display, a speaker, a USB port, a communication device, or the like is used.

図2は、タッチパネルの透明電極膜をパターニングするときにエッチングマスクとして用いられるレジスト膜53の平面図である。ITO等からなる透明導電膜を、レジスト膜53をエッチングマスクとしてエッチングすることにより透明電極が形成される。図2において、レジストが塗布されている領域にドットパターンが付されている。図1に示した膜形成装置は、基板50にレジスト膜53を形成する。   FIG. 2 is a plan view of a resist film 53 used as an etching mask when patterning the transparent electrode film of the touch panel. A transparent electrode is formed by etching a transparent conductive film made of ITO or the like using the resist film 53 as an etching mask. In FIG. 2, a dot pattern is added to the region where the resist is applied. The film forming apparatus shown in FIG. 1 forms a resist film 53 on a substrate 50.

レジスト膜53は、行列状に配置された複数のパッド部51、及び複数のパッド部51を列方向に接続する接続部52を含む。行方向に隣り合う2つのパッド部51を隔てる間隔Gが、パターンの最小寸法となる。   The resist film 53 includes a plurality of pad portions 51 arranged in a matrix and a connection portion 52 that connects the plurality of pad portions 51 in the column direction. An interval G separating two pad portions 51 adjacent in the row direction is the minimum dimension of the pattern.

図3を参照して、図1に示した膜形成装置を用いて膜を形成する方法について説明する。   A method of forming a film using the film forming apparatus shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG.

図3は、本実施例による膜形成方法のフローチャートである。まず、ステップS1において、膜を形成すべき基板50(図1)をステージ23の支持面の上に置き、真空チャック等により基板50を固定する。ステップS2において、制御装置30が、基板50の位置合わせが必要か否かを判定する。位置合わせが必要であるか否かは、基板50の種類によって決まっており、位置合わせ要否の情報は記憶装置31(図1)に記憶されている。   FIG. 3 is a flowchart of the film forming method according to this embodiment. First, in step S1, the substrate 50 (FIG. 1) on which a film is to be formed is placed on the support surface of the stage 23, and the substrate 50 is fixed by a vacuum chuck or the like. In step S2, the control device 30 determines whether or not the alignment of the substrate 50 is necessary. Whether or not alignment is necessary is determined depending on the type of the substrate 50, and information on whether or not alignment is necessary is stored in the storage device 31 (FIG. 1).

例えば、基板50に既に何らかのパターンが形成されている場合には、既に形成されているパターンと新たに形成する膜との位置合わせが必要になる。この場合、基板50に形成されているアライメントマークに対して位置決めして新たな膜を形成する。基板50に何らパターンが形成されていない場合、例えば、基板50の全面にパターニングすべき膜が形成されている場合には、位置合わせは不要である。この場合、ステージ23に対して定義されたステージ座標を基準として新たな膜を形成する。   For example, when some pattern is already formed on the substrate 50, it is necessary to align the already formed pattern with a newly formed film. In this case, a new film is formed by positioning with respect to the alignment mark formed on the substrate 50. When no pattern is formed on the substrate 50, for example, when a film to be patterned is formed on the entire surface of the substrate 50, alignment is not necessary. In this case, a new film is formed on the basis of the stage coordinates defined for the stage 23.

基板50の位置合わせが必要である場合には、ステップS3において、ステージ23の支持面内における基板50の位置を検出する。具体的には、基板50に設けられているアライメントマークを撮像装置27(図1)で撮像し、画像解析を行うことにより、基板50の位置を検出する。   If alignment of the substrate 50 is necessary, the position of the substrate 50 within the support surface of the stage 23 is detected in step S3. Specifically, the position of the substrate 50 is detected by imaging the alignment mark provided on the substrate 50 with the imaging device 27 (FIG. 1) and performing image analysis.

基板50の位置を検出した後、ステップS4において、膜を形成すべき領域の内部に評価パターンを形成する。基板50の位置合わせを行う必要がない場合には、ステップS3を実行することなくステップS4を実行する。   After detecting the position of the substrate 50, in step S4, an evaluation pattern is formed inside the region where the film is to be formed. If it is not necessary to align the substrate 50, step S4 is executed without executing step S3.

図4を参照して、ステップS4の処理について説明する。図4は、形成すべきレジスト膜53と評価パターン55との位置関係を示す平面図である。制御装置30が、形成すべきレジスト膜53のパターンデータに基づいて、評価パターン55を形成すべき少なくとも1つの位置を決定する。評価パターン55は、パターンデータに基づいてレジスト膜53を形成するときに膜材料を塗布すべき領域の内部に配置される。例えば、1つの評価パターン55は、相互に離間した複数のドットパターンで構成される。図4では、評価パターン55が、1つのパッド部51の内部に配置された5個のドットパターンで構成される例を示している。評価パターン55に含まれる1つのドットパターンは、1つのノズル孔から吐出された液滴により形成される大きさである。   The process of step S4 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a plan view showing the positional relationship between the resist film 53 to be formed and the evaluation pattern 55. The controller 30 determines at least one position where the evaluation pattern 55 is to be formed based on the pattern data of the resist film 53 to be formed. The evaluation pattern 55 is arranged inside a region where a film material is to be applied when the resist film 53 is formed based on the pattern data. For example, one evaluation pattern 55 is composed of a plurality of dot patterns spaced from each other. FIG. 4 shows an example in which the evaluation pattern 55 includes five dot patterns arranged inside one pad portion 51. One dot pattern included in the evaluation pattern 55 has a size formed by droplets ejected from one nozzle hole.

制御装置30は、評価パターン55を形成すべき位置を決定した後、インクジェットヘッド26及び移動機構21(図1)を制御して、基板50に評価パターン55を形成する。   After determining the position where the evaluation pattern 55 is to be formed, the control device 30 controls the inkjet head 26 and the moving mechanism 21 (FIG. 1) to form the evaluation pattern 55 on the substrate 50.

評価パターン55を形成した後、制御装置30は、ステップS5(図3)において、形成された評価パターン55を撮像装置27の撮像範囲内に移動させ、評価パターン55を撮像する。その後、ステップS6において、評価パターン55の画像に基づいて基板50の表面状態の良否を判定する。制御装置30は表面状態の良否の判定結果に基づいて異なる処理を実行する。   After forming the evaluation pattern 55, the control device 30 moves the formed evaluation pattern 55 into the imaging range of the imaging device 27 in step S5 (FIG. 3), and images the evaluation pattern 55. Thereafter, in step S6, the quality of the surface state of the substrate 50 is determined based on the image of the evaluation pattern 55. The control device 30 executes different processes based on the determination result of the surface condition.

図5A〜図5Dを参照して基板50の表面状態の良否を判定する方法について説明する。基板50の表面に着弾した液滴は、表面状態に応じて面内方向に広がったり、滲みが生じたり、歪んだりする。本実施例では、形成された評価パターン55の大きさ、滲みの幅、形状の歪み等に基づいて表面状態の良否を判定する。例えば、形成された評価パターン55の大きさ、滲みの幅、形状の歪み等が予め定義された許容範囲に納まっている場合に、表面状態を「良」と判定し、許容範囲から外れている場合に、表面状態を「不良」と判定する。   A method for determining the quality of the surface state of the substrate 50 will be described with reference to FIGS. 5A to 5D. The liquid droplets that have landed on the surface of the substrate 50 spread in the in-plane direction according to the surface state, cause bleeding, or be distorted. In this embodiment, the quality of the surface state is determined based on the size, spread width, shape distortion, and the like of the formed evaluation pattern 55. For example, when the size, bleeding width, shape distortion, etc. of the formed evaluation pattern 55 are within a predetermined allowable range, the surface state is determined as “good” and is out of the allowable range. In this case, the surface state is determined as “defective”.

図5Aは、1つの液滴により形成される正常なドットパターン56の平面図を示す。正常なドットパターン56の平面形状はほぼ真円である。   FIG. 5A shows a plan view of a normal dot pattern 56 formed by one droplet. The planar shape of the normal dot pattern 56 is almost a perfect circle.

図5Bは、評価パターン55(図4)の1つのドットパターン57が正常なドットパターン56より大きい例の平面図を示す。大きなドットパターン57の大きさが許容範囲から外れている場合、制御装置30は基板50の表面状態が不良であると判定する。大きなドットパターン57の大きさは、例えば相互に直交する2方向の直径で代表させることができる。   FIG. 5B shows a plan view of an example in which one dot pattern 57 of the evaluation pattern 55 (FIG. 4) is larger than the normal dot pattern 56. When the size of the large dot pattern 57 is out of the allowable range, the control device 30 determines that the surface state of the substrate 50 is defective. The size of the large dot pattern 57 can be represented by, for example, diameters in two directions orthogonal to each other.

図5Cは、評価パターン55(図4)の1つのドットパターン58に滲み58bが生じている例の平面図を示す。ドットパターン58の本体58aの周囲に滲み58bが観察される。例えば、滲み58bの幅(径方向の寸法)が許容範囲の上限を超えているとき、制御装置30は基板50の表面状態が不良であると判定する。   FIG. 5C shows a plan view of an example in which a blur 58b is generated in one dot pattern 58 of the evaluation pattern 55 (FIG. 4). A blur 58b is observed around the main body 58a of the dot pattern 58. For example, when the width (dimension in the radial direction) of the bleeding 58b exceeds the upper limit of the allowable range, the control device 30 determines that the surface state of the substrate 50 is defective.

図5Dは、評価パターン55(図4)の1つのドットパターン59の平面形状が歪んだ例の平面図を示す。例えば、ドットパターン59は、正常なドットパターン56よりも一方向(図5Dにおいて左右方向)に広がっているが、それに直交する方向(図5Dにおいて上下方向)には縮んでいる。歪んだドットパターン59の歪み量が許容範囲から外れているとき、制御装置30は、基板50の表面状態が不良であると判定する。歪み量を表す指標として、長径と短径との比等を採用することができる。   FIG. 5D shows a plan view of an example in which the planar shape of one dot pattern 59 of the evaluation pattern 55 (FIG. 4) is distorted. For example, the dot pattern 59 spreads in one direction (left-right direction in FIG. 5D) than the normal dot pattern 56, but shrunk in a direction perpendicular to the dot pattern 59 (up-down direction in FIG. 5D). When the distortion amount of the distorted dot pattern 59 is out of the allowable range, the control device 30 determines that the surface state of the substrate 50 is defective. As an index representing the amount of strain, a ratio between the major axis and the minor axis can be employed.

上述の許容範囲は、例えば図2に示したパターンの最小寸法に相当する間隔Gの両側のレジスト膜53が接触しないという条件を満たすように設定することが好ましい。一例として、形成されたドットパターン57(図5B)、ドットパターン58(図5C)、及びドットパターン59(図5D)が正常なドットパターン56の外周線からはみ出している部分のはみ出し量の上限値が、パターンの最小寸法の1/2未満になるように許容範囲を設定することができる。   The allowable range described above is preferably set so as to satisfy the condition that the resist films 53 on both sides of the gap G corresponding to the minimum dimension of the pattern shown in FIG. As an example, the upper limit value of the protrusion amount of the portion where the formed dot pattern 57 (FIG. 5B), dot pattern 58 (FIG. 5C), and dot pattern 59 (FIG. 5D) protrude from the outer periphery of the normal dot pattern 56. However, the allowable range can be set to be less than 1/2 of the minimum dimension of the pattern.

その他に、予め表面状態が良好であるとわかっている複数の基板にドットパターンを形成して、その寸法のばらつきに基づいて許容範囲を設定してもよい。例えば、形成されたドットパターンの寸法の平均値に、標準偏差の3倍を加算した寸法を許容範囲の上限値としてもよい。   In addition, a dot pattern may be formed on a plurality of substrates that are known to have good surface conditions in advance, and an allowable range may be set based on variations in dimensions. For example, a dimension obtained by adding three times the standard deviation to the average value of the dimension of the formed dot pattern may be used as the upper limit value of the allowable range.

制御装置30は、基板50の表面状態の良否の判定において、評価パターン55の大きさが許容範囲に納まっているか否か、評価パターン55の周囲の滲みの幅が許容範囲に納まっているか否か、及び平面形状の歪みが許容範囲に納まっているか否かの少なくとも1つの判定条件に基づいて良否の判定を行う。   In determining whether the surface condition of the substrate 50 is good or not, the control device 30 determines whether or not the size of the evaluation pattern 55 is within an allowable range, and whether or not the width of bleeding around the evaluation pattern 55 is within the allowable range. The quality is determined based on at least one determination condition as to whether or not the distortion of the planar shape is within an allowable range.

制御装置30は、基板50の表面状態を「良」と判定した場合、ステップS7において、基板50にパターンデータに基づいてレジスト膜53(図2)を形成する。レジスト膜53を形成した後、ステップS9において基板50を膜形成装置から搬出する。   When determining that the surface state of the substrate 50 is “good”, the control device 30 forms a resist film 53 (FIG. 2) on the substrate 50 based on the pattern data in step S <b> 7. After forming the resist film 53, the substrate 50 is unloaded from the film forming apparatus in step S9.

制御装置30は、基板50の表面状態を「不良」と判定した場合、ステップS8において、表面状態が不良であることを示す情報を出力装置36から出力させる。この情報の出力の態様として、例えば音による出力、画像による出力、発光による出力等を採用することができる。   When determining that the surface state of the substrate 50 is “defective”, the control device 30 causes the output device 36 to output information indicating that the surface state is defective in step S8. As an output mode of this information, for example, output by sound, output by image, output by light emission, or the like can be adopted.

次に、図6A〜図6Dを参照して、基板50に膜を形成して基板50の透明電極膜をエッチングする方法について説明する。図6A〜図6Dは、図4の一点鎖線6−6の位置における断面図に相当する。   Next, a method of forming a film on the substrate 50 and etching the transparent electrode film of the substrate 50 will be described with reference to FIGS. 6A to 6D. 6A to 6D correspond to cross-sectional views at the position of dashed-dotted line 6-6 in FIG.

図6Aは、基板50に評価パターン55を形成した状態(図3のステップS4)の基板50の断面図である。基板50は、ガラス基板50a、及びその表面に形成されたITOからなる透明導電膜50bを含む。透明導電膜50bの上にレジスト材料からなる評価パターン55が形成されている。評価パターン55は孤立した5個のドットパターンで構成される。各ドットパターンは、インクジェットヘッド26の1つのノズル孔から吐出された1つの液滴により形成される。図6Aにおいて、1つの液滴の吐出に対応して1本の矢印が示されている。   6A is a cross-sectional view of the substrate 50 in a state where the evaluation pattern 55 is formed on the substrate 50 (step S4 in FIG. 3). The substrate 50 includes a glass substrate 50a and a transparent conductive film 50b made of ITO formed on the surface thereof. An evaluation pattern 55 made of a resist material is formed on the transparent conductive film 50b. The evaluation pattern 55 is composed of five isolated dot patterns. Each dot pattern is formed by one droplet ejected from one nozzle hole of the inkjet head 26. In FIG. 6A, one arrow is shown corresponding to the ejection of one droplet.

図6Bは、基板50にレジスト膜53を形成した状態(図3のステップS7)の基板50の断面図である。制御装置30が、形成すべきレジスト膜の形状を定義するパターンデータに基づいて移動機構21及びインクジェットヘッド26を制御することにより、レジスト膜53を形成する。図6Bにおいて、1つの液滴の吐出に対応して1本の矢印が示されている。評価パターン55の各ドットパターンが形成されている位置に、重ねて液滴が塗布されるため、レジスト膜53の表面に評価パターン55の形状を反映した盛り上がり54が形成されている。   6B is a cross-sectional view of the substrate 50 in a state where the resist film 53 is formed on the substrate 50 (step S7 in FIG. 3). The control device 30 forms the resist film 53 by controlling the moving mechanism 21 and the inkjet head 26 based on the pattern data defining the shape of the resist film to be formed. In FIG. 6B, one arrow is shown corresponding to the ejection of one droplet. Since droplets are applied in an overlapping manner at positions where each dot pattern of the evaluation pattern 55 is formed, a bulge 54 reflecting the shape of the evaluation pattern 55 is formed on the surface of the resist film 53.

図6Cに示すように、レジスト膜53をエッチングマスクとして用いて透明導電膜50bをエッチング(パターニング)する。レジスト膜53が形成されていない領域の透明導電膜50bがエッチングして除去される。   As shown in FIG. 6C, the transparent conductive film 50b is etched (patterned) using the resist film 53 as an etching mask. The transparent conductive film 50b in the region where the resist film 53 is not formed is removed by etching.

図6Dに示すように、エッチングマスクとして用いたレジスト膜53を除去する。レジスト膜53(図6C)が形成されていた領域に透明導電膜50bが残っている。   As shown in FIG. 6D, the resist film 53 used as an etching mask is removed. The transparent conductive film 50b remains in the region where the resist film 53 (FIG. 6C) has been formed.

次に、図7A及び図7Bを参照して、上記実施例の優れた効果について説明する。   Next, with reference to FIG. 7A and FIG. 7B, the excellent effect of the said Example is demonstrated.

図7A及び図7Bは、形成すべきレジスト膜53の一部分を拡大した平面図である。図7A及び図7Bにおいて、形成すべきレジスト膜53の目標とする形状53aを破線で示す。   7A and 7B are enlarged plan views of a part of the resist film 53 to be formed. 7A and 7B, the target shape 53a of the resist film 53 to be formed is indicated by a broken line.

図7Aは、基板50の表面の濡れ性が標準の値より高い場合に形成されたレジスト膜53の平面図を示す。形成されたレジスト膜53が目標とする形状53aよりも広がっている。膜材料の面内方向への広がりが許容範囲を超えると、形成されたレジスト膜53の行方向に隣り合う2つのパッド部51が相互に接触してしまう。   FIG. 7A shows a plan view of the resist film 53 formed when the wettability of the surface of the substrate 50 is higher than a standard value. The formed resist film 53 is wider than the target shape 53a. If the spread of the film material in the in-plane direction exceeds the allowable range, the two pad portions 51 adjacent to each other in the row direction of the formed resist film 53 come into contact with each other.

図7Bは、基板50の表面が滲みの生じやすい状態である場合に形成されたレジスト膜53の平面図を示す。目標とする形状53aの周囲に滲み53bが発生している。行方向に隣り合う2つのパッド部51が滲み部分53bを介して連続してしまっている。   FIG. 7B shows a plan view of the resist film 53 formed when the surface of the substrate 50 is in a state where bleeding is likely to occur. A blur 53b is generated around the target shape 53a. Two pad portions 51 adjacent to each other in the row direction are continuous via the bleeding portion 53b.

図7A及び図7Bに示した状態で透明導電膜50b(図6C)をエッチングすると、透明導電膜50bの短絡故障が発生する可能性が高い。   When the transparent conductive film 50b (FIG. 6C) is etched in the state shown in FIGS. 7A and 7B, there is a high possibility that a short circuit failure of the transparent conductive film 50b occurs.

本実施例では、レジスト膜53を形成する前に基板50の表面状態の良否を検査し、濡れ性が高すぎる状態、滲みが生じやすい状態、膜形状に歪みが生じやすい状態を検出する。ステージ23に支持された基板50の表面状態が不良である場合には、膜形成装置は、継続して膜形成を行うことなく、表面状態が不良であることをオペレータに通知する(図3のステップS8)。オペレータは、この通知に気付くと、表面状態が不良の基板50を膜形成装置から搬出し、表面の洗浄等による表面改質処理を行うことができる。これにより、製品の歩留まりの低下を抑制することができる。   In this embodiment, the surface state of the substrate 50 is inspected before the resist film 53 is formed, and a state in which the wettability is too high, a state in which bleeding is likely to occur, and a state in which the film shape is likely to be distorted are detected. When the surface state of the substrate 50 supported by the stage 23 is bad, the film forming apparatus notifies the operator that the surface state is bad without continuously forming the film (FIG. 3). Step S8). When the operator notices the notification, the operator can carry out the surface modification process by unloading the substrate 50 having a defective surface state from the film forming apparatus and cleaning the surface. Thereby, the fall of the yield of a product can be suppressed.

本実施例では、図6Bに示したように、レジスト膜53の表面に評価パターン55(図6A)の形状を反映した盛り上がり54が形成される。ただし、透明導電膜50bがエッチングされた後このレジスト膜53が除去される。また、評価パターン55は、レジスト膜53を形成すべき領域の内部に配置されるためレジスト膜53の平面形状に影響を及ぼさない。従って、評価パターン55は、エッチング後の透明導電膜50b(図6D)の形状に影響を及ぼさない。   In this embodiment, as shown in FIG. 6B, a bulge 54 that reflects the shape of the evaluation pattern 55 (FIG. 6A) is formed on the surface of the resist film 53. However, the resist film 53 is removed after the transparent conductive film 50b is etched. Further, since the evaluation pattern 55 is arranged inside a region where the resist film 53 is to be formed, the evaluation pattern 55 does not affect the planar shape of the resist film 53. Therefore, the evaluation pattern 55 does not affect the shape of the transparent conductive film 50b after etching (FIG. 6D).

次に、本実施例の種々の変形例について説明する。   Next, various modifications of the present embodiment will be described.

上記実施例では、評価パターン55(図4)として孤立した複数のドットパターンを用いたが、その他のパターンを用いてもよい。例えば、レジスト膜53の最小寸法となる間隔Gと同一の間隔を持つ2本の帯状パターンを評価パターン55として用いてもよい。形成された帯状パターンの間隔が許容範囲に収まっているか否かによって基板50の表面状態の良否を判定してもよい。   In the above embodiment, a plurality of isolated dot patterns are used as the evaluation pattern 55 (FIG. 4), but other patterns may be used. For example, two strip patterns having the same interval as the interval G that is the minimum dimension of the resist film 53 may be used as the evaluation pattern 55. The quality of the surface state of the substrate 50 may be determined based on whether or not the interval between the formed belt-like patterns is within an allowable range.

上記実施例では、評価パターン55(図4)を基板50の少なくとも1箇所に形成した。本願の発明者による評価実験によると、1枚の基板50でも、表面内の位置によって表面状態が異なることがわかった。例えば、基板50の周辺部よりも内部の方が高い濡れ性を示す傾向にある場合がある。   In the above embodiment, the evaluation pattern 55 (FIG. 4) is formed in at least one place on the substrate 50. According to the evaluation experiment by the inventors of the present application, it was found that even one substrate 50 has a different surface state depending on the position within the surface. For example, the inside may tend to exhibit higher wettability than the periphery of the substrate 50.

1枚の基板50の表面内における表面状態のばらつきを考慮して、表面状態の良否の判定精度を高めるために、評価パターン55(図4)を基板50の表面内に一様に分布させることが好ましい。例えば、基板50の表面を行方向及び列方向に等間隔に区分し、1つの区画内に1つの評価パターン55を形成するようにするとよい。   In consideration of the variation of the surface state in the surface of one substrate 50, the evaluation pattern 55 (FIG. 4) is uniformly distributed in the surface of the substrate 50 in order to improve the accuracy of determining the quality of the surface state. Is preferred. For example, the surface of the substrate 50 may be divided at equal intervals in the row direction and the column direction so that one evaluation pattern 55 is formed in one section.

上記実施例では、インクジェットヘッド26を基台20に対して静止させ、ステージ23を移動させることにより、レジスト膜53を形成したが、その反対に、ステージ23を基台20に対して静止させ、インクジェットヘッド26を移動させてもよい。すなわち、インクジェットヘッド26及び基板50の一方を他方に対して移動させればよい。   In the above embodiment, the resist film 53 is formed by moving the inkjet head 26 with respect to the base 20 and moving the stage 23, but on the contrary, the stage 23 is stopped with respect to the base 20, The inkjet head 26 may be moved. That is, one of the inkjet head 26 and the substrate 50 may be moved with respect to the other.

次に、図8A及び図8Bを参照して他の実施例による膜形成方法について説明する。以下、図1〜図7に示した実施例との相違点について説明し、共通の構成については説明を省略する。   Next, a film forming method according to another embodiment will be described with reference to FIGS. 8A and 8B. Hereinafter, differences from the embodiment shown in FIGS. 1 to 7 will be described, and description of common configurations will be omitted.

図8Aは、基板50に評価パターン55を形成した状態(図3のステップS4)の基板50の断面図である。この工程は、図6Aに示した実施例の工程と同一である。   FIG. 8A is a cross-sectional view of the substrate 50 in a state where the evaluation pattern 55 is formed on the substrate 50 (step S4 in FIG. 3). This process is the same as the process of the embodiment shown in FIG. 6A.

図8Bは、基板50にレジスト膜53を形成した状態(図3のステップS7)の基板50の断面図である。図8Bに示した矢印は、レジスト膜53の液滴を吐出する箇所に対応して表示されている。本実施例においては、制御装置30(図1)は、形成すべきレジスト膜53のパターンデータの画素のうち評価パターンを定義する画素を塗布対象から除外して修正パターンデータを作成する。この修正パターンデータに基づいてインクジェットヘッド26を制御することによりレジスト膜53を形成する。図8Bに矢印で示したように、評価パターン55(図8A)のドットパターンが形成されている箇所には液滴を重ねて塗布しない。   8B is a cross-sectional view of the substrate 50 in a state where the resist film 53 is formed on the substrate 50 (step S7 in FIG. 3). The arrows shown in FIG. 8B are displayed corresponding to locations where droplets of the resist film 53 are discharged. In the present embodiment, the control device 30 (FIG. 1) creates correction pattern data by excluding the pixels that define the evaluation pattern from the pattern data pixels of the resist film 53 to be formed from the application target. The resist film 53 is formed by controlling the ink jet head 26 based on the correction pattern data. As indicated by the arrows in FIG. 8B, the droplets are not applied in an overlapping manner on the portion where the dot pattern of the evaluation pattern 55 (FIG. 8A) is formed.

本実施例においては、評価パターン55(図8A)を形成した画素に、レジスト膜53を形成する際に液滴を重ね塗りしない。このため、図6Bに示した実施例で現れていた盛り上がり54の発生を防止することができる。   In the present embodiment, droplets are not overcoated when forming the resist film 53 on the pixels on which the evaluation pattern 55 (FIG. 8A) is formed. For this reason, generation | occurrence | production of the rise 54 which appeared in the Example shown to FIG. 6B can be prevented.

図1〜図7に示した実施例のように、最終的にレジスト膜53を除去する場合には、盛り上がり54が形成されていても問題はないが、最終製品に残留する膜を形成する場合には、図8A及び図8Bに示した実施例を適用することが好ましい。   In the case where the resist film 53 is finally removed as in the embodiment shown in FIGS. 1 to 7, there is no problem even if the bulge 54 is formed, but the film remaining in the final product is formed. It is preferable to apply the embodiment shown in FIGS. 8A and 8B.

上述の各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。   Each of the above-described embodiments is an exemplification, and needless to say, partial replacement or combination of the configurations shown in the different embodiments is possible. About the same effect by the same composition of a plurality of examples, it does not refer to every example one by one. Furthermore, the present invention is not limited to the embodiments described above. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.

20 基台
21 移動機構
23 ステージ(支持部)
24 門型フレーム
26 インクジェットヘッド
27 撮像装置
30 制御装置
31 記憶装置
35 入力装置
36 出力装置
50 基板
50a ガラス基板
50b 透明導電膜
51 パッド部
52 接続部
53 レジスト膜
53a レジスト膜の目標とする形状
53b 滲み
54 盛り上がり
55 評価パターン
56 正常なドットパターン
57 大きなドットパターン
58 滲んだドットパターン
58a 滲んだドットパターンの本体
58b 滲み
59 歪んだドットパターン
20 Base 21 Movement mechanism 23 Stage (support part)
24 Gate frame 26 Inkjet head 27 Imaging device 30 Control device 31 Storage device 35 Input device 36 Output device 50 Substrate 50a Glass substrate 50b Transparent conductive film 51 Pad portion 52 Connection portion 53 Resist film 53a Resist film target shape 53b Bleed 54 Swell 55 Evaluation pattern 56 Normal dot pattern 57 Large dot pattern 58 Blurred dot pattern 58a Blurred dot pattern body 58b Blur 59 Distorted dot pattern

Claims (8)

基板に膜材料を塗布して膜を形成する膜形成部と、
前記膜形成部に配置された前記基板の表面を撮像する撮像装置と、
前記膜形成部を制御する制御部と
を有し、
前記制御部は、
形成すべき膜の平面形状を定義するパターンデータを記憶しており、
前記パターンデータに基づいて膜を形成する前に、膜を形成するために膜材料を塗布する領域の内側の一部に、形成すべき膜と同一の材料からなる評価パターンを、前記膜形成部に形成させ、
前記評価パターンを前記撮像装置で撮像した画像を取得し、
取得した前記画像に基づいて前記基板の表面状態の良否を判定し、判定結果に基づいて異なる処理を実行する膜形成装置。
A film forming unit that forms a film by applying a film material to the substrate;
An imaging device that images the surface of the substrate disposed in the film forming unit;
A control unit for controlling the film forming unit,
The controller is
Stores pattern data that defines the planar shape of the film to be formed,
Before the film is formed based on the pattern data, an evaluation pattern made of the same material as the film to be formed is formed on the inner part of the region where the film material is applied to form the film. To form
Obtaining an image of the evaluation pattern captured by the imaging device;
A film forming apparatus that determines the quality of the surface state of the substrate based on the acquired image and performs different processing based on the determination result.
前記膜形成部は、
前記基板を支持する支持部と、
前記支持部に支持された前記基板に向けて膜材料を吐出するインクジェットヘッドと、
前記支持部に支持された前記基板と前記インクジェットヘッドとの一方を他方に対して移動させる移動機構と
を有し、
前記制御部は、前記インクジェットヘッド及び前記移動機構を制御する請求項1に記載の膜形成装置。
The film forming part
A support for supporting the substrate;
An inkjet head that discharges a film material toward the substrate supported by the support;
A moving mechanism for moving one of the substrate and the inkjet head supported by the support portion with respect to the other;
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the control unit controls the inkjet head and the moving mechanism.
前記制御部は、前記基板の表面状態の良否の判定において、前記評価パターンの大きさが許容範囲に納まっているか否か、前記評価パターンの周囲の滲みの幅が許容範囲に納まっているか否か、及び平面形状の歪みが許容範囲に納まっているか否かの少なくとも1つの判定条件に基づいて良否の判定を行う請求項1または2に記載の膜形成装置。   In the determination of the quality of the surface state of the substrate, the control unit determines whether the size of the evaluation pattern is within an allowable range, and whether the width of the blur around the evaluation pattern is within the allowable range. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the quality is determined based on at least one determination condition as to whether or not the distortion of the planar shape is within an allowable range. さらに、前記制御部からの指令により情報を出力する出力部を有し、
前記制御部は、
前記基板の表面状態を不良と判定した場合、前記出力部に前記基板の表面状態が不良であることを知らせる情報を出力し、
前記基板の表面状態を良と判定した場合、前記基板に前記パターンデータに基づいて前記膜を形成する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の膜形成装置。
Furthermore, it has an output unit that outputs information according to a command from the control unit,
The controller is
If it is determined that the surface state of the substrate is defective, the output unit outputs information notifying that the surface state of the substrate is defective,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein when the surface state of the substrate is determined to be good, the film is formed on the substrate based on the pattern data.
前記制御部は、前記評価パターンが形成されている箇所に、前記膜を形成するための液滴を重ねて塗布する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の膜形成装置。   5. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the control unit applies droplets for forming the film in an overlapping manner at a location where the evaluation pattern is formed. 6. 前記制御部は、前記パターンデータに基づいて前記膜を形成するときに、前記パターンデータから前記評価パターンを形成した箇所を除去して得られる修正パターンデータに基づいて、前記膜を形成する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の膜形成装置。   The control unit, when forming the film based on the pattern data, forming the film based on correction pattern data obtained by removing a portion where the evaluation pattern is formed from the pattern data. 5. The film forming apparatus according to any one of 1 to 4. 基板の表面の、あるパターンを有する膜を形成すべき領域の内部に、インクジェットヘッドから前記膜の膜材料を吐出させて評価パターンを形成し、
前記基板に形成された前記評価パターンに基づいて、前記基板の表面状態の良否を判定し、
判定結果が良である場合には、前記基板の表面に前記パターンを有する前記膜を形成し、
判定結果が不良である場合には、前記基板の表面の洗浄を行った後、前記基板の表面に前記パターンを有する前記膜を形成する膜形成方法。
An evaluation pattern is formed by ejecting the film material of the film from the ink jet head inside a region on the surface of the substrate where a film having a pattern is to be formed,
Based on the evaluation pattern formed on the substrate, determine the quality of the surface state of the substrate,
If the determination result is good, forming the film having the pattern on the surface of the substrate,
A film forming method for forming the film having the pattern on the surface of the substrate after cleaning the surface of the substrate when the determination result is poor.
前記基板の表面状態の良否を判定する際に、前記評価パターンの大きさが許容範囲に納まっているか否か、前記評価パターンの周囲の滲みの幅が許容範囲に納まっているか否か、及び平面形状の歪みが許容範囲に納まっているか否かの少なくとも1つの判定条件に基づいて良否を判定する請求項7に記載の膜形成方法。   When determining whether the surface state of the substrate is good or not, whether the size of the evaluation pattern is within an allowable range, whether the width of the blur around the evaluation pattern is within the allowable range, and a plane The film forming method according to claim 7, wherein the quality is determined based on at least one determination condition as to whether or not the shape distortion is within an allowable range.
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