JP2018026789A - 弾性波フィルター装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
110 基板
120 キャビティ形成層
130 下部電極
140 圧電体層
150 上部電極
160 温度補償層
180 保護層
190 電極パッド
Claims (23)
- 基板と、
前記基板の上面に配置されてキャビティを形成するキャビティ形成層と、
前記キャビティの上部に配置される下部電極と、
前記下部電極上に配置される圧電体層と、
前記圧電体層の上部に配置される上部電極と、
前記下部電極の下部に配置され、且つ前記キャビティ内に配置される温度補償層と、を含む、弾性波フィルター装置。 - 前記温度補償層は、前記キャビティ内に配置される第1温度補償層と、前記下部電極の下部に配置される第2温度補償層と、を備える、請求項1に記載の弾性波フィルター装置。
- 前記第1温度補償層は、ルテニウム(Ru)またはモリブデン(Mo)からなる、請求項2に記載の弾性波フィルター装置。
- 前記キャビティ形成層は、
前記基板に備えられる第1酸化物層上に配置される第1犠牲層と、
前記第1犠牲層の上面に配置される第2酸化物層と、
前記第2酸化物層の上面に配置される第2犠牲層と、を備える、請求項1から請求項3の何れか一項に記載の弾性波フィルター装置。 - 前記キャビティは、第1犠牲層の中央部に配置される第1キャビティ部と、第2犠牲層の中央部に配置される第2キャビティ部と、を備え、
前記第1キャビティ部と前記第2キャビティ部は、第2酸化物層により区画される、請求項4に記載の弾性波フィルター装置。 - 前記第1キャビティ部は前記第2キャビティ部と連通される、請求項5に記載の弾性波フィルター装置。
- 前記温度補償層は、第1キャビティ部の上部に配置されるように形成される、請求項5または請求項6に記載の弾性波フィルター装置。
- 前記第1犠牲層は、第1キャビティ部の端部に配置され、酸化物からなる第1保護壁を備え、前記第2犠牲層は、第2キャビティ部の端部に配置され、酸化物からなる第2保護壁を備える、請求項5から請求項7の何れか一項に記載の弾性波フィルター装置。
- 前記上部電極は、前記圧電体層の上部に配置されるフレーム層と、前記圧電体層及び前記フレーム層を覆うように形成される電極層と、を備える、請求項1から請求項8の何れか一項に記載の弾性波フィルター装置。
- 前記上部電極の一部分及び前記下部電極の一部分を露出させるように形成される保護層をさらに含む、請求項9に記載の弾性波フィルター装置。
- 前記保護層より露出した前記上部電極の一部分及び前記下部電極の一部分に配置される電極パッドをさらに含む、請求項10に記載の弾性波フィルター装置。
- 前記キャビティ形成層は前記基板上に積層される、請求項1から請求項11の何れか一項に記載の弾性波フィルター装置。
- 基板の第1酸化物層上に、第1保護壁を有する第1犠牲層を形成する段階と、
前記第1犠牲層の上面に第2酸化物層を形成する段階と、
前記第2酸化物層の上面に、第2保護壁を有する第2犠牲層を形成する段階と、
前記第2犠牲層の中央部及び前記第2酸化物層の中央部を除去する段階と、
前記第2犠牲層の中央部及び前記第2酸化物層の中央部が除去された前記第1犠牲層の上面の一部分に第1温度補償層を形成する段階と、
前記第1温度補償層の上面に第2温度補償層を形成する段階と、を含む、弾性波フィルター装置の製造方法。 - 前記第2温度補償層上に下部電極を形成する段階と、
前記第2温度補償層及び前記下部電極の上部に配置されるように圧電体層を形成する段階と、
前記圧電体層の上面に配置されるように上部電極を形成する段階と、をさらに含む、請求項13に記載の弾性波フィルター装置の製造方法。 - 前記下部電極を形成し、前記圧電体層を形成し、前記上部電極を形成する段階前に、平坦面を形成するために、第1、2温度補償層を平坦化する段階をさらに含み、
前記下部電極を形成する段階は、前記平坦面上に下部電極を形成する段階をさらに含み、
前記圧電体層を形成する段階は、前記平坦面上に前記圧電体層を形成する段階をさらに含む、請求項14に記載の弾性波フィルター装置の製造方法。 - 前記上部電極の端部及び外部に露出した前記圧電体層の端部を除去する段階と、
前記外部に露出した前記第2犠牲層の一部分、前記下部電極、前記圧電体層及び前記上部電極上に保護層を配置する段階と、
前記保護層の一部を除去することで、前記上部電極の一部分及び前記下部電極の一部分を外部に露出させる段階と、
前記外部に露出した上部電極及び下部電極の一部分上に前記保護層の一部分を除去して電極パッドを形成する段階と、をさらに含む、請求項14または請求項15に記載の弾性波フィルター装置の製造方法。 - 前記第1保護壁の内部に配置される前記第1犠牲層の一部分を除去することで、第1キャビティ部を形成する段階と、
前記第2保護壁の内部に配置される前記第2犠牲層の一部分を除去することで、第2キャビティ部を形成する段階と、をさらに含む、請求項16に記載の弾性波フィルター装置の製造方法。 - 前記第1温度補償層は、ルテニウム(Ru)またはモリブデン(Mo)からなる、請求項13から請求項17の何れか一項に記載の弾性波フィルター装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板の上部に配置されるキャビティ形成層と、
前記キャビティ形成層内に配置され、且つ前記基板上に配置される第1キャビティ部と、
前記キャビティ形成層内に配置され、且つ前記第1キャビティ部の上部に配置される第2キャビティ部と、
前記第2キャビティ部に配置される温度補償層と、
前記温度補償層上に配置される下部電極と、
前記下部電極上に配置される圧電体層と、
前記圧電体層上に配置される上部電極と、を備える、弾性波フィルター装置。 - 前記キャビティ形成層は、
第1ポリシリコン層と、
前記第1ポリシリコン層上に配置される酸化層と、
前記酸化層上に配置される第2ポリシリコン層と、を備える、請求項19に記載の弾性波フィルター装置。 - 前記第1キャビティ部と前記第2キャビティ部とが前記酸化層により区画される、請求項20に記載の弾性波フィルター装置。
- 前記温度補償層は第1温度補償層を備え、
前記温度補償層は、前記第1温度補償層の上部及び前記下部電極の下部に配置される第2温度補償層を備える、請求項19から請求項21の何れか一項に記載の弾性波フィルター装置。 - 前記第2温度補償層は第1平坦面の表面を備え、
前記第1温度補償層は、前記第1平坦面の表面の周り及び前記第1平坦面に対して同一平面上に第2平坦面の表面を備え、
前記下部電極と前記圧電体層は第1、2平坦面の表面に配置される、請求項22に記載の弾性波フィルター装置。
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