JP2018022744A - 電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】放射電界強度の周波数特性を柔軟に変更可能にすることで特定周波数帯における放射エミッションノイズを低減できるようにした電子機器を提供する。【解決手段】基板２がある周波数で動作する集積回路３を基板面に搭載している。筐体５が基板２の面方向の所定位置で導電接続する主スペーサ６〜９を備えている。磁性体１１、１２が、基板２と筐体５との間の少なくとも一部で且つ集積回路３と主スペーサ６〜９との間に配置されている。補助スペーサ１０が、集積回路３と磁性体１２との間に配置され、基板２と筐体５とを導電するように接続されている。【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品を搭載した電子機器に関する。

この種の電子機器は、例えばクロック信号により動作する集積回路などの電子部品を搭載して構成されている。この種の電子部品は動作すると発熱するため、この熱による暴走等を防ぐため当該熱を放熱する放熱構造を設けている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１記載の技術によれば、カバー部材にチップ押さえ部を設けており、チップ押さえ部を介して放熱シートをＩＣチップに押圧している。このチップ押さえ部は、カバー部材に一端が固着されてカバー部材から接離する方向に弾性変形する弾性片部を備えている。また、チップ押さえ部は、弾性片部の他端側に連接され放熱シートに当接する当接片部を備えている。

他方、電子部品が、例えばクロック信号により動作すると、この動作周波数の基本波及びその高調波を電磁波として放射する。このため、一般的には導電性部材となる電磁シールドを用いて不要輻射を低減している。前述の特許文献１記載の技術によれば、チップ押さえ部は、当接片部の先端部を延設し、この延設部にグランドパターンに当接させており、これによりチップ押さえ部からの不要輻射を低減している。

特許５５３０５１７号公報

発明者は、電子部品のシールドと当該電子部品を搭載する基板との接触位置に応じて、電子機器により放射される放射電界強度の周波数特性が変化することを突き止めている。例えば、このような状況を考慮することなく、電子部品の動作周波数の基本波又は高調波の周波数が放射電界強度の共振特性に合致してしまうと、シールド効果が薄れてしまい好ましくない。特許文献１記載の技術では、このような課題を想定しておらず、当該特許文献１記載の技術を考慮しても不要輻射の低減効果が不十分となる。

本発明の開示の目的は、特定周波数帯における放射エミッションノイズを低減できるようにした電子機器を提供することにある。

請求項１記載の発明によれば、基板がある周波数で動作する電子部品を基板面に搭載しているが、導電性の筐体が基板の面方向の所定位置で導電して接続する第１接続部を備えている。このとき、磁性体が基板と筐体との間の少なくとも一部で且つ電子部品と第１接続部との間に配置されており、第２接続部が電子部品と磁性体との間に配置され基板と筐体とを導電するように接続されている。例えば磁性体が設けられることでノイズ伝播量を低減でき第２接続部が設けられることで共振特性を高周波数化できる。したがって、電子部品の動作周波数の基本信号又は高調波の周波数が放射電界強度の共振周波数に極力合致しないように放射電界強度の周波数特性を柔軟に変更できる。したがって、電子部品が動作する基本周波数及び高調波における放射電界強度レベルを低減できるようになり、放射エミッションノイズを低減できる。また、この逆に、外来電磁ノイズの入射を極力低減できる。

第１実施形態にかかる電子装置の内部構造を模式的に示す（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図 （ａ）〜（ｆ）はシミュレーション条件を示す説明図 図２の構成に対応して示すシミュレーション結果 第２実施形態にかかる電子装置の内部構造を示す（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図 （ａ）〜（ｃ）はシミュレーション条件を示す説明図 図５の構成に対応して示すシミュレーション結果 第３実施形態にかかる電子装置の内部構造を分解して模式的に示す分解斜視図 （ａ）は電子装置の内部構造を示す平面図、（ｂ）はガスケットの外観を示す斜視図 電子装置の内部構造を示す縦断面図 ガスケットの内部構造を拡大して示す縦断面図 第４実施形態にかかる導電性材料及び磁性体の様々な設置形態を示す縦断面図 第５実施形態にかかる電子装置の内部構造を模式的に示す（ａ）平面図、（ｂ）部品の内部構造の縦断面図 （ａ）〜（ｃ）はシミュレーション条件を示す説明図 図１３の構成に対応して示すシミュレーション結果 第６実施形態にかかる電子装置の内部構造を分解して示す分解斜視図（その１） 電子装置の内部構造を分解して示す分解斜視図（その２） 第７実施形態にかかる電子装置の内部構造を模式的に示す（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図 （ａ）〜（ｄ）はシミュレーション条件を示す説明図 図１８の構成に対応して示すシミュレーション結果

以下、電子装置の幾つかの実施形態について図面を参照しながら説明する。以下に説明する各実施形態において、同一又は類似の動作を行う構成については、同一又は類似の符号を付して必要に応じて説明を省略する。なお、下記の実施形態において同一又は類似する構成には、符号の十の位と一の位とに同一符号を付して説明を行っている。

（第１実施形態）
図１から図３は第１実施形態の説明図を示している。図１（ａ）は電子装置１の内部構造の縦断面を概略的に示し、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＩｂ−Ｉｂ線から下方を見た平面図を概略的に示している。以下では、基板２の部品搭載面となる基板面方向をＸＹ方向、これに交差（例えば直交）する方向をＺ方向として説明する。

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、電子装置１は、基板２、集積回路（ＩＣ）３、放熱用のゲル４、筐体５、補助スペーサ１０、磁性体１１及び１２、を主として構成される。基板２は、例えばプリント配線基板により構成され、当該基板２の部品搭載面（基板面相当）には集積回路３が搭載されている。この集積回路３は、例えばマイクロコンピュータ又はメモリなど、ある周波数帯で動作する電子部品として構成される。

なお、説明の簡単化のため、図１には集積回路３だけを図示して説明するが、集積回路３に代えてメモリを用いても良く、基板２にはその他に電子部品が搭載されていても良い。基板２には、少なくともＸＹ方向平面隅部（角部相当）に等電位面となるグランド面２ａが設けられている。また、筐体５が基板２を覆うように設けられる。この筐体５は、導電性の主スペーサ６〜９と、この主スペーサ６〜９に電気的に導通接続され平板状で且つ金属製のシールド板１３と、このシールド板１３に一体に構成された導電性（例えば金属製）、伝熱性の突起部１４と、を備える。

突起部１４は、ＸＹ平面上では集積回路３の搭載領域と同一領域に設けられ、主に集積回路３が発熱する熱の放熱用に設けられ伝熱部として構成される。突起部１４のＺ方向高さは例えば数ｍｍに構成されている。突起部１４と集積回路３のパッケージ面との間には放熱用のゲル４が塗布されている。ゲル４は粘着状、ペースト状に構成される。突起部１４と集積回路３のパッケージとはゲル４を介在して熱的に接続され、これにより突起部１４と集積回路３との間の伝熱性を高めている。ゲル４のＺ方向塗布高さは数ｍｍとなっており、集積回路３の高さと同等の高さになっている。

集積回路３のパッケージは樹脂により構成され、その内部にはＩＣチップが埋設されている。基板２とシールド板１３とはＺ方向に対向して配置され、さらにＩＣチップや金属配線がこれらの間に配置されているため、これらの基板２と、集積回路３のＩＣチップ及び金属配線と、シールド板１３との間には寄生容量を生じる。また、ゲル４は放熱性を高めるため比誘電率の比較的高い材料を用いており、この結果、高い寄生容量成分を備える。これらの合成寄生容量は、前述したサイズで構成した場合、シミュレーション上で数十ｐＦ程度と得られている。

複数の主スペーサ６〜９は、その少なくとも一部の主スペーサ（例えば６、７…）が第１接続部を構成する。この主スペーサ６〜９はそれぞれ例えば円柱状に構成されている。基板２のＸＹ平面寸法とシールド板１３のＸＹ平面寸法とは同じ寸法であり、これらは例えば数百ｍｍ×数百ｍｍに構成され、ＸＹ平面上に重ねられるように配置されている。

複数の主スペーサ６〜９は、それぞれ、その一端がシールド板１３の角部１３ａに電気的に導通するように固着されている。複数の主スペーサ６〜９の他端は、例えば基板２の所定位置のグランド面２ａに接触するように配置されている。これにより基板２のグランド面２ａとシールド板１３とはＤＣを含む低周波領域にて等電位となる。なお、主スペーサ６〜９は、シールド板１３に一体構成されていても良く、また、基板２と一体に構成されていても良い。

またＺ方向断面では、磁性体１１、１２が、基板２の部品搭載面とシールド板１３との間に別部材で配置されている。この磁性体１１、１２は、例えばフェライト、アルファモス、パーマロイなどの材料により構成され、基板２とシールド板１３とに覆われるように配置される。この磁性体１１は基板２の部品搭載面に例えば接着剤を用いて固着され、磁性体１２は筐体５のシールド板１３に例えば接着剤を用いて固着されている。

また図１（ｂ）のＸＹ平面に示すように、磁性体１１、１２は例えば集積回路３の搭載領域を囲うように矩形枠状に構成されており、この結果、集積回路３と主スペーサ６〜９との間に配置されていることになる。磁性体１１及び１２は、ＸＹ平面上では同一領域に配置され、筐体５の寄生インダクタンス成分を増加させるために配置される。この磁性体１１、１２を配置することで伝播ノイズ量を低減できることが把握されている。

さらに、図１（ａ）のＺ方向断面に示すように、導電性の補助スペーサ１０が基板２とシールド板１３との間に配置されている。この補助スペーサ１０は、ＸＹ方向において集積回路３と磁性体１１、１２との間に配置されている。この補助スペーサ１０は、主スペーサ６〜９とは別体に構成され、基板２のグランド面２ａとシールド板１３との間を導電するように配置される。補助スペーサ１０は例えば円柱状に構成され、主スペーサ６〜９と同一高さに構成されている。

図１（ｂ）に示すＸＹ平面の平面図を参照すれば明らかなように、集積回路３と補助スペーサ１０との間には、磁性体１１や１２と同様な磁性体は配置されていない。この補助スペーサ１０を配置することで伝播ノイズを低減できると共に、伝導信号の伝播経路を短縮することで共振周波数を高周波数化できることが把握されている。

前述構成の技術的意義についてさらに詳細に説明する。集積回路３が、ある周波数で動作すると前述の周波数の基本波又はこの基本波の高次高調波が基板２に伝播する。集積回路３が動作する基本周波数が比較的高い場合や、その高次高調波の周波数領域（例えば数百ＭＨｚ）では、基板２に存在する線路長による誘導性や基板２とシールド板１３との対向領域に存在する寄生容量の存在が無視できない。このような周波数帯では、この影響が顕著に表れることになり、これにより、基板２、シールド板１３、その他の要素をアンテナとし、放射エミッションノイズとして不要な電波を輻射する。

発明者は、この影響を観察するため様々なシミュレーションを行うことで、前述の構成が従来技術に比較して放射電界強度の特性を柔軟に変更可能になることを突き止め、集積回路３の動作周波数に合わせて適宜特性を変更することで、放射エミッションノイズを低減できることを突き止めた。

図２は筐体５における磁性体１２と補助スペーサ１０との配置関係の違いに基づくシミュレーション条件を斜視図により示しており、図３はこれらのシミュレーション条件に基づいて算出された放射電界強度を示している。なお、磁性体１２にはフェライトを用いており、シールド板１３側の磁性体１２を配置すると共に基板２側の磁性体１１を考慮せずにシミュレーションを行っている。なお図示していないが、図２（ａ）〜図２（ｆ）においては、図１（ａ）に示す基板２に相当する構成を、主スペーサ６〜９のＺ方向上に接続するように配置した条件を用いている。

ここで図２（ａ）の構造条件は、磁性体１２及び補助スペーサ１０を配置していないノーマル条件を示す。また、図２（ｂ）の構造条件は、集積回路３のＸＹ平面配置領域の周囲から主スペーサ６〜９にかけて内方から外方に矩形枠状に全面に磁性体１１２を設けた条件、図２（ｃ）の構造条件は集積回路３のＸＹ平面配置領域の周囲から主スペーサ６〜９にかけての外方の一部に矩形枠状に磁性体１２を設けた条件、を示している。

また、図２（ｄ）の構造条件は、集積回路３のＸＹ平面配置領域の周囲から離間して一部の主スペーサ７との間に補助スペーサ１０を設けると共に磁性体１２を設けない場合、図２（ｅ）の構造条件は、図２（ｄ）の構造条件に比較して、補助スペーサ１０のＸＹ方向周囲に磁性体２１２を設けた場合、図２（ｆ）の構造条件は図２（ｄ）の構造条件に比較して、補助スペーサ１０と主スペーサ６〜９との間に磁性体１２を矩形枠状に設けた場合、の配置例を示している。また、図２（ｂ）（ｃ）（ｅ）（ｆ）の構造条件においては、磁性体１２、１１２、２１２をシールド板１３に固着すると共に、磁性体１２のＺ方向高さを主スペーサ６〜９のＺ方向高さの４分の１としている。

図２（ａ）〜図２（ｆ）のシミュレーションに係る寸法は、シールド板１３及び基板２のＸＹ寸法＝１００ｍｍ×１００ｍｍ、集積回路３のＸＹＺ寸法＝２０ｍｍ×２０ｍｍ×５ｍｍ、ゲル４のＸＹＺ寸法２０ｍｍ×２０ｍｍ×５ｍｍ、突起部１４のＸＹＺ寸法＝２０ｍｍ×２０ｍｍ×１０ｍｍ、主スペーサ６〜９のＺ方向高さ＝２０ｍｍ、としている。

また、図２（ｄ）〜図２（ｆ）の構造条件においては、補助スペーサ１０がシールド板１３のＸＹ方向中心位置と主スペーサ７との間に設置されており、当該中心位置と補助スペーサ１０の中心との間の距離＝１７ｍｍとしている。

また、図２（ｃ）、図２（ｆ）の構造条件においては、磁性体１２が矩形枠状に構成されているが、このＸＹ外形寸法を５０ｍｍ×５０ｍｍとし、ＸＹ内形寸法を４０ｍｍ×４０ｍｍとし、Ｘ方向幅及びＹ方向幅を５ｍｍとし、Ｚ方向高さを５ｍｍとしている。これらの図２（ａ）〜図２（ｆ）に対応して、それぞれ図３（ａ）〜図３（ｆ）のように特性が得られている。

まず図３（ａ）〜図３（ｆ）の全特性は、全観察対象周波数（〜１ＧＨｚ）においてある１又は複数の周波数にて共振周波数を備えており、放射電界強度特性はこの共振周波数（以下ピーク周波数と称する）においてピークの放射電界強度（以下ピークレベルと称す）を奏する特性となっている。これは、シールド板１３や主スペーサ６〜９、補助スペーサ１０の寄生インダクタンス、及び、集積回路３とシールド板１３との間に生じる容量性の影響によるものである。

放射電界強度特性が他の特性より良好な特性である、と考慮するためには、全観察対象周波数のうち特定周波数を含む周波数領域で他の特性より低いレベルとなること、ピーク周波数における放射電界強度が他の特性より低いレベルとなること、が重要となる。そこで、これらの両観点で特性を考察する。

まず、これらの図３（ｂ）〜図３（ｆ）の特性を、全観察対象周波数（数十ＭＨｚ〜１ＧＨｚ）の放射電界強度の観点で図３（ａ）のノーマル条件の特性と比較して考察する。図３（ｅ）の特性は、そのピーク周波数が図３（ａ）のノーマル条件の特性から概ね変化していないが、全観察周波数領域において放射電界強度レベルが図３（ａ）のノーマル特性よりも概ね上昇している。逆に、図３（ｂ）の特性は、図３（ａ）のノーマル特性に比較して例えば３５０ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの幅広い周波数領域において放射電界強度レベルが低下しており、図３（ｂ）のピーク周波数を含むその周辺領域以外では概ね放射電界強度レベルが低下している。

また、図３（ｃ）の特性は、図３（ａ）のノーマル特性に比較して、例えば３７５ＭＨｚ以上の高周波数領域において放射電界強度レベルが低下している。また、図３（ｄ）の特性は、図３（ａ）のノーマル特性に比較して、例えば５７５ＭＨｚ以下の低周波数領域において放射電界強度レベルが低下している。図３（ｆ）の特性は、図３（ａ）のノーマル特性に比較して、放射電界強度レベルが概ね全観察周波数領域において低下している。

このため、図３（ａ）のノーマル特性に比較し、ある特定周波数帯において放射電界強度レベルを低減する効果があるのは、図３（ｂ）、図３（ｃ）、図３（ｄ）、図３（ｆ）の特性と見做すことができる。

また、これらの特性をピークレベルの観点で考察すると、図３（ｅ）の特性ではピークレベルの低減効果は低い。すなわち図２（ｅ）に示したように、補助スペーサ１０を設けたとしても補助スペーサ１０の周囲に磁性体２１２を設けたときには放射電界強度のピークレベルの低減効果が低くなる。

しかし、図３（ｂ）〜図３（ｄ）、図３（ｆ）の特性は、図３（ａ）のノーマル特性に比較して、ピークレベルを低下できることがわかる。すなわち、図２（ｂ）に示したように、矩形枠状の磁性体１１２を集積回路３の周囲全面に設けることで、ピークレベルを抑制でき、図２（ｃ）に示したように、矩形状の磁性体１２を集積回路３の周囲の一部に設けたときにも放射電界強度のピークレベルを低減できる。さらに、図２（ｄ）に示すように補助スペーサ１０を設けたときにもピークレベルを低減でき、さらに図２（ｆ）に示すように、補助スペーサ１０と主スペーサ６〜９の間に矩形枠状の磁性体１２を設けると、さらにピークレベルの低減効果を上げることができる。

さらに付随してピーク周波数の観点で考察する。図２（ｃ）に示すように、磁性体１２が集積回路３の周囲の一部に設けられているときには、図２（ａ）のノーマル特性よりもピーク周波数を低周波数化でき、さらに図２（ｂ）に示すように、集積回路３の周囲の全面に設けたときにはピーク周波数をさらに低周波数化できる傾向を示している。すなわち、磁性体１２、１１２の面積を拡大すれば低周波数化できる傾向を示している。

また、図２（ｄ）〜図２（ｅ）に示すように、補助スペーサ１０を設けたときには、ピーク周波数を高周波数化できる傾向を示すことが確認されている。これは補助スペーサ１０を設けると、主スペーサ６〜９及びシールド板１３の誘導性成分が補助スペーサ１０の誘導性成分と並列接続されることで低インダクタンス化するためであり、この結果、共振周波数を高周波数化できることが推定される。したがって、これらの補助スペーサ１０と磁性体１２、１１２とを組み合わせると共に、これらの補助スペーサ１０や磁性体１２、１１２の設置領域やその大きさを調整することで、ピーク周波数を高低に柔軟に調整可能となる。

図３（ａ）〜図３（ｆ）の特性の中では、図３（ｆ）の特性がピークレベルを最も抑制でき、全観察対象周波数領域中で最も広く放射電界強度レベルを低減できる特性となっており、補助スペーサ１０と磁性体１２を組み合わせた構成の中においても、最良の特性となっている。すなわち、補助スペーサ１０と磁性体１２とを図２（ｆ）に示すように配置することで、放射電界強度の抑制効果を相乗的に上げることができ、この結果、特定周波数帯における放射エミッションノイズを大幅に低減できる。またこの逆に、外来電磁ノイズの入射を極力低減できる。

なお、これらの特性を総合的に考察すれば、ピークレベルの低減効果を生じる理由は、基板２及びシールド板１３の寄生インダクタンス成分による放射を低減できるためであることが推察できる。また、この図２（ｆ）のように構成することで、図２（ａ）と比較しても、放射電界強度のピーク周波数を概ね変化させることなく構成できる。このようなシミュレーション結果を考慮すれば、前述説明した図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように構成することで不要輻射を大幅に抑制できる。

前述した図２（ｆ）に示すシミュレーション上では、ＸＹ平面上の集積回路３と主スペーサ７との間の直線上に補助スペーサ１０を設けている。分布定数回路又は電磁気的に集積回路３の発生信号に基づく電界を考慮するならば、集積回路３の発生信号に基づいて基板２とシールド板１３との間に生じる電界は、より低インピーダンスとなる補助スペーサ１０に直接向かうことになり、電界は図１（ｂ）中の矢印Ａに示すように直接補助スペーサ１０に到達することになる。このことを考慮すれば、図１（ｂ）に示すように、補助スペーサ１０は集積回路３と主スペーサ７との間の直線上に設けなくても良い。

これらのシミュレーション結果は、磁性体１２を設け磁性体１１を設けていない場合の結果を示しているが、後述の第２実施形態で説明するように、磁性体１２のＺ方向高さを高くすれば、さらに放射電界強度の抑制効果を向上できることが確認されている。したがって、本実施形態の図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、シールド板１３側に磁性体１２を設けると共に基板２側に磁性体１１を設けることで、シールド板１３側の磁性体１２、又は、基板２側の磁性体１１、の何れか一方に設けた場合に比較して、磁性体１１、１２による放射エミッションノイズの低減効果を向上できる。なお、磁性体１１、１２は何れか一方だけ設けても良い。

本実施形態によれば、集積回路３の周辺に位置して前述したような条件で磁性体１１、１２及び補助スペーサ１０を設けた。磁性体１１、１２が設けられているためノイズ伝播量を低減でき、補助スペーサ１０が設けられているため共振特性を高周波数化できる。したがって、集積回路３の動作周波数の基本信号又は高調波周波数が放射電界強度の共振周波数に極力合致しないように放射電界強度の周波数特性を柔軟に変更できる。

したがって、例えば設計者が、筐体５の主スペーサ６〜９、磁性体１１、１２、及び、補助スペーサ１０、の各種パラメータを前述の配置関係を満たしながら設計的に調整することで、集積回路３が動作する基本周波数及び高調波における放射電界強度を低減できるようになる。この結果、放射エミッションノイズを低減できる。また、この逆に、外来電磁ノイズの入射を極力低減できる。

例えば、パラメータの具体例としては、集積回路３と補助スペーサ１０との距離、補助スペーサ１０の径、Ｚ方向高さ、磁性体１１、１２のＸＹ方向の幅、設置個数、及び／又は、Ｚ方向高さ、が挙げられる。これらのパラメータを調整することで、放射電界強度のピーク周波数、ピークレベルを高低に柔軟に調整でき、集積回路３の動作周波数に合わせて、これらの放射電界強度の特性を変化させることで、放射エミッションノイズを低減できる。

補助スペーサ１０が、集積回路３と磁性体１１、１２との間に構成されているため、集積回路３のノイズ伝播経路の短縮化、及び、不要輻射ノイズの高周波数化を１部品で行うことができる。

また、磁性体１１、１２が、集積回路３の搭載領域の基板２の面方向となるＸＹ方向の外方で、且つ、集積回路３の周囲に沿って囲うように配置されている。このため、前述したように、放射電界強度の周波数特性を柔軟に変更できる。

また、筐体５は、基板２の基板面の垂直方向に向けて立設された金属製の突起部１４を備えており、この突起部１４からゲル４を通じて集積回路３に接続されている。このため、集積回路３の発熱を効率よく放熱できる。

また、本実施形態の構造では、基板２及びシールド板１３には開口部が存在しないため、シールド性能を極力大きく保持できる。
（第２実施形態）
図４〜図６は第２実施形態の追加説明図を示している。図４（ａ）、図４（ｂ）は、それぞれ図１（ａ）、図１（ｂ）に代わる縦断面図と平面図を示している。第２実施形態が第１実施形態と異なるところは、磁性体３１２が基板２とシールド板１３との間に埋設されているところにある。

図４（ａ）に示すように、磁性体３１２が基板２とシールド板１３との間に埋設されており、これらの基板２とシールド板１３との間に挟持されている。この磁性体３１２は、例えば基板２及びシールド板１３との間でテープ又は粘着塗料などによる接着剤を用いて固着されている。その他の構成は前述実施形態と同様の構成となっているため、説明を省略する。

図５は磁性体１２、４１２、５１２の高さの違いに基づくシミュレーション条件を斜視図により示したものであり、図６はこれらのシミュレーション条件に基づいて算出した放射電界強度を示している。第１実施形態と同様に磁性体１２、４１２、５１２の材質としてはフェライトを用いており、磁性体４１２、５１２は、磁性体３１２と同様に、Ｚ方向高さについて基板２とシールド板１３との間に埋設されていることを想定している。

ここで、図５（ａ）の構造条件は、図２（ｅ）の構造に対応した構成であり、磁性体４１２のＺ方向高さが、基板２とシールド板１３との間を埋設するように磁性体１２のＺ方向高さよりも高く調整されている場合、図５（ｂ）の構造は図２（ｆ）と同一構造、図５（ｃ）の構造条件は、この図５（ｂ）の構造条件に比較して磁性体５１２のＺ方向高さを基板２とシールド板１３との間を埋設するように高く構成した場合、の配置例を示している。

ここで、第１実施形態でも説明したように、図５（ｂ）においては、磁性体１２がシールド板１３側に固着されていると共に、磁性体１２のＺ方向高さ寸法が主スペーサ６〜９のＺ方向高さ寸法の４分の１に設定されている。これらの図５（ａ）〜図５（ｃ）に対応して、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように放射電界強度特性が得られている。

これらの特性を全観察対象周波数の放射電界強度の観点で考察する。図６（ａ）の特性は、図３（ｅ）に示される磁性体のＺ方向高さを低くした条件の特性と比較して、概ね変化しておらず、補助スペーサ１０の周囲に磁性体２１２、４１２を配置した構造では、磁性体２１２、４１２のＺ方向高さ変更の影響はほとんどない。しかし、図６（ｂ）と図６（ｃ）の特性を比較すると、全体の放射電界強度の周波数特性が、特にピーク周波数の高周波数領域側（４７０ＭＨｚ以上）にて放射電界強度レベルを大きく低減できることがわかる。

また、これらの特性をピーク周波数におけるピークレベルの観点で考察する。図６（ａ）の特性は、図３（ｅ）の磁性体のＺ方向高さを低くした条件の特性と比較して概ね変化しておらず、補助スペーサ１０の周囲に磁性体を配置した構造では磁性体のＺ方向高さ変更の影響はほとんどない。

しかし、図６（ｂ）と図６（ｃ）の特性を比較すると、ピーク周波数に数十ＭＨｚ程度のずれが存在しているものの、放射電界強度としては図６（ｃ）の特性のピークレベルは図６（ｂ）の特性に比較して５ｄＢ程度の低減効果を得られることがわかる。

またピーク周波数の観点で考察する。図６（ａ）と図３（ｅ）の特性に示すように、補助スペーサ１０の周囲にＺ方向高さの異なる磁性体２１２、４１２を構成しても、ピーク周波数にはほとんど影響しない。図６（ｂ）と図６（ｃ）の特性に示すように、磁性体５１２のＺ方向高さを磁性体１２よりも高くすると、ピーク周波数を低周波数化できることがわかる。

このように図６（ｃ）の特性が図６（ｂ）の特性やその他の特性に比較して最良の結果を得ており、このように磁性体５１２の高さを極力高くすることが望ましいことがわかる。したがって、図４に示すように、磁性体３１２を基板２とシールド板１３との間に埋設するように構成することが望ましい。これにより良好な特性が得られる。

本実施形態によれば、基板２と筐体５のシールド板１３との間に磁性体３１２、５１２を埋設するように設置した。この結果、第１実施形態に比較してさらに良好な特性が得られる。

（第３実施形態）
図７〜図１０は第３実施形態の追加説明図を示している。第３実施形態の電子装置１０１が第１実施形態の電子装置１と異なるところは、第１実施形態に示した補助スペーサ１０及び磁性体１１、１２の機能を一体の部品として構成したところにある。

図７は分解斜視図を示し図８（ａ）は組立後の平面図を示し、さらに図８（ｂ）はガスケット２０の外観を斜視図により示し、さらに図９は組立後の縦断面図を示している。これらの図７〜図９に示すように、シールド板１３には突起部１４が設けられている。他方、基板２には集積回路３が搭載され、この集積回路３に放熱用ゲル４を介して前記の突起部１４が当接するように配置される。ガスケット２０が、これらの突起部１４及び集積回路３のＸＹ方向外周を覆うように矩形枠状に構成されている。以下、図９〜図１１に、「外」、「内」と図示しているように、集積回路３のＸＹ方向配置位置から外方向を「外方」（＝「外」）と称し、「外方」から集積回路３の側に向かう方向を「内方」（＝「内」）と称す。

このガスケット２０は、例えばシールド板１３との間でテープ又は粘着塗料などによる接着剤２３を用いて固着されている。ガスケット２０のＸＹ方向外周には、基板２のグランド面２ａの上、及び、シールド板１３の角部１３ａに位置して主スペーサ６〜９が設けられている。

図１０はガスケット２０の縦断面図を示している。ガスケット２０は、例えば不織布により構成される第２接続部としての導電性枠体２１、この導電性枠体２１の内部に埋設されたスポンジ２２、を備える。ガスケット２０は、スポンジ２２により配置位置が固定された磁性体１１、１２を導電性枠体２１の内部に備える。

磁性体１１、１２は、第１実施形態と同様、それぞれＸＹ平面上では矩形枠状に構成されている。磁性体１１が基板２側に設けられており、磁性体１２がシールド板１３側に設けられており、これらの磁性体１１、１２は別体に設けられている。これらの磁性体１１、１２は、導電性枠体２１の内部に配設されると共に、導電性枠体２１の内部においても外方に位置するよう配置されている。

そして、スポンジ２２がこの磁性体１１、１２を覆うように埋設されている。このスポンジ２２は弾性材料として構成され、磁性体１１、１２を外方に存在する導電性枠体２１の内面へ押し付ける押力を備える。したがって、これらの磁性体１１、１２は導電性枠体２１に押し付けられ、これにより磁性体１１、１２は導電性枠体２１の内部に固定的に保持される。導電性枠体２１は、ＸＺ断面上において磁性体１１の少なくとも内方の内側部分２１ａにおいて基板２とシールド板１３との間を導電するよう固定されている。この結果、この導電性枠体２１の内側部分２１ａと主スペーサ６〜９との間に磁性体１１、１２が位置するように構成される。

本実施形態に係る構造によれば、電磁気的な観点で考慮すれば、集積回路３の発生信号に基づく電界が基板２とシールド板１３との間に発生するが、この発生された電界が導電性枠体２１の内側部分２１ａを通じて図１０の矢印Ｂのように通電されることになる。このため、導電性枠体２１の内側部分２１ａは、第１実施形態の補助スペーサ１０と同様の作用を奏することになる。このため、本実施形態に係る電子装置１０１の構造は、第１実施形態の電子装置１の構造と同様の電磁気的特性を備えるものと言える。

このため、第１実施形態に示したように、これらの導電性枠体２１及び磁性体１１、１２に基づいて、放射電界強度の特性を柔軟に変更することができ、これにより特定周波数における放射電界強度レベルを低下できる。

また、磁性体１１、１２が、第２実施形態に示したように導電性枠体２１の内側に位置して基板２とシールド板１３との間を全て埋設されている形態に適用すれば、さらに良好な特性を得られる。

本実施形態によれば、ガスケット２０の内部に磁性体１１、１２を一体部品化して構成した。これにより実用的な構造とすることができる。その他、前述実施形態と同様の作用効果が得られる。

本実施形態では、導電性枠体２１は、ＸＹ平面上では矩形枠状に構成される形態を示したが、磁性体１１、１２の内方の少なくとも一部において、基板２とシールド板１３とが電気的に導電するように接続されていれば、導電性枠体２１は、必ずしも矩形枠状に構成されていなくても良い。なお、この類の変形例は後述の第４実施形態で述べる。

（第４実施形態）
図１１は第４実施形態の追加説明図を示している。図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は図１０に対応した縦断面図を示す図であり、第３実施形態と類似した電磁界的特性を備える物理的構成例を示している。例えば、図１１（ａ）に示すように、導電性枠体２１に代えて、ＸＹ方向断面Σ（シグマ）型に構成された導電性のオンボードコンタクト６２１を第２接続部として用いても良い。このオンボードコンタクト６２１は、基板２の部品搭載面に半田などを用いて固着された板部３０、シールド板１３の面に例えば導電性の接着剤などを用いて固着された板部３３、これらの板部３０と３３との間の少なくとも一部を電気的に接続する延伸部３１、３２と、係止部３４、３５と、を備える。

延伸部３１は、板部３０の角部から鋭角に屈曲しＸＹ方向に斜めに延伸する。延伸部３２は、この延伸部３１の延伸端で屈曲する屈曲部３１ｂを通じてＸＹ逆方向に斜めに延伸する。延伸部３１、３２は、板部３０の角部から屈曲部３１ｂを通じて板部３３の角部に連結して構成されている。したがって、このオンボードコンタクト６２１は、屈曲部３１ｂを通じた延伸部３１、３２の弾性特性を利用し、基板２とシールド板１３との間に固定的に挟持されることになる。また、磁性体１１、１２が、このオンボードコンタクト６２１の係止部３４、３５の外方においてそれぞれ基板２、シールド板１３に固着されている。

このような場合においても、集積回路３による発生信号に基づく電界が基板２とシールド板１３との間に発生し図中の内方から外方に伝達するときに、電流が延伸部３１、３２を通じて流れることになる。このような電磁界特性は、概ね、第３実施形態ひいては第１実施形態と同様の特性となる。この結果、少なくとも基板２とシールド板１３との間の空間には内方から外方に向けての通電経路がなくなるため、オンボードコンタクト６２１の外端から外方に延びる寄生インダクタンス成分による影響を低減でき、放射電界強度レベルを低下させることができる。

図１１（ｂ）に示すように、導電性枠体２１に代えて、ＸＹ方向断面逆Ｌ字型に構成されたオンボードコンタクト７２１を第２接続部として用いても良い。このオンボードコンタクト７２１は、基板２の面に半田などを用いて固着された板部３０と、板部３０の内角部から鋭角に屈曲しＸＹ方向外方に斜めに延伸した延伸部３１ａを備え、この延伸部３１ａの端部には外面が円弧型に構成された湾曲部３６を備える。この湾曲部３６は、シールド板１３との接触面が湾曲面に構成され、当該湾曲面がシールド板１３の面に沿って摺動可能になっている。この摺動を係止するように磁性体７１２が設けられている。

磁性体７１２は楔型、断面三角型に構成されており、シールド板１３の面に接着材などにより固着されている。オンボードコンタクト７２１の湾曲部３６はシールド板１３の面に沿って摺動可能になっているが、この固着された磁性体７１２によって湾曲部３６の接触部３６ａにおいてＸ方向に係止され、これにより湾曲部３６の湾曲面がシールド板１３に直接接触するように構成されている。これにより、オンボードコンタクト７２１とシールド板１３との間で電気的接続性を良好に保持できる。このような場合においても、電磁界特性は、前述同様に、概ね第３実施形態ひいては第１実施形態と同様の特性となり、放射電界強度レベルを低下させることができる。

図１１（ｃ）に示すように、図１１（ｂ）に示すオンボードコンタクト７２１を用いるときには、磁性体８１１が、オンボードコンタクト７２１の板部３０に設置され、当該板部３０に支持されることで基板２と接触していなくても良い。このとき板部３０が磁性体７１１を支持する支持部として用いられる。また、磁性体７１２ａが、湾曲部３６に設置され、支持されることでシールド板１３と接触していなくても良い。このとき湾曲部３６が磁性体７１２ａを支持する支持部として用いられる。

図１１（ｄ）に示すように、図１１（ａ）に示すオンボードコンタクト６２１を用いるときにも、磁性体６１１が、オンボードコンタクト６２１の板部３０に設置され、支持されることによって基板２と接触していなくても良い。このとき板部３０が磁性体６１１を支持する支持部として用いられる。また、磁性体６１２が、オンボードコンタクト６２１の板部３３に設置され、支持されることでシールド板１３と接触していなくても良い。このとき板部３３が磁性体６１２を支持する支持部として用いられる。これにより、前述の第３実施形態ひいては第１実施形態と同様の作用効果が得られるようになる。

（第５実施形態）
図１２〜図１４は第４実施形態の追加説明図を示している。例えば第３実施形態の図８の構成では、ＸＹ平面上の構造において矩形枠状にガスケット２０を構成しているが、これらの一部を切断した形態で部品１２０ａ〜１２０ｄを構成しても良い。

すなわち、図８に代わる図１２に示すように、集積回路３と主スペーサ６〜９との間に、導電性枠体２１及び磁性体１１ａ、１２ａをそれぞれ備えた部品１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄを設置し、この設置領域以外の領域にはガスケット２０に相当する部品を設置しなくても良い。これらの部品１２０ａ〜１２０ｂは、前述したガスケット２０の途中部分を分断して構成される部品であり、類似符号を付してその断面構造の説明を省略する。

図１３は磁性体１１ａ、１２ａ及び補助スペーサ１０の設置場所に基づくシミュレーション条件について斜視図を用いて示したものであり、図１４はこれらのシミュレーション条件に基づいて算出された放射電界強度を示している。図１３（ａ）は磁性体１１、１２及び補助スペーサ１０を配置していない場合、図１３（ｂ）は、集積回路３と主スペーサ６〜９との間にそれぞれ磁性体１２ａ〜１２ｄを配置し、この一部の磁性体１２ｂと集積回路３との間に補助スペーサ１０を配置した場合を示している。ただし、集積回路３と主スペーサ６〜９との間に複数の磁性体１２ａ〜１２ｄを別体に設置しており、これらの磁性体１２ａ〜１２ｄの間は互いに分断されており空間が設けられている。

また、図１３（ｃ）は、図１３（ｂ）の構造に対し磁性体１２ａ〜１２ｄのＺ方向高さを基板２とシールド板１３との間を埋設するように高くした場合、の配置例を示している。ここで図１３（ｂ）においては、磁性体をシールド板１３の側に固着すると共に、磁性体のＺ方向高さを主スペーサのＺ方向高さの５分の１としている。これらの図１３（ａ）〜図１３（ｃ）に対応して図１４（ａ）〜図１４（ｃ）に示すように特性が得られている。

これらの特性を全観察対象周波数の放射電界強度の観点で考察する。図１３（ａ）の条件の特性に比較すると、図１４（ｂ）、図１４（ｃ）の特性は、補助スペーサ１０の存在によりピーク周波数を高周波数化でき、図１４（ａ）の特性と比較して主に低周波数領域（例えば５３０ＭＨｚ以下）において放射電界強度を低減できる。また、図１４（ｃ）の特性は、図１４（ｂ）の特性に比較してピーク周波数を低周波数化できる。これにより、図１４（ｃ）の特性は、図１４（ｂ）の特性に比較して高周波数領域（例えば６１０ＭＨｚ以上）において放射電界強度を低減できる。

本実施形態の構成によれば、補助スペーサ１０を設けることでピーク周波数を高周波数化できると共に、磁性体５１２ａ〜５１２ｄのＺ方向高さを高くすることでピーク周波数を低周波数化でき、放射電界強度特性を柔軟に変更できる。したがって、集積回路３の動作周波数の基本信号又は高調波の周波数が、放射電界強度のピーク周波数に極力合致させないように容易に調整可能となる。

本実施形態によれば、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）に示すように、集積回路３と磁性体１２ｂとの間に補助スペーサ１０を設けることで、例えば低周波数領域（例えば５３０ＭＨｚ）以下において放射電界強度を低減できる。このため、例えば集積回路３の動作周波数を５３０ＭＨｚ以下の低周波数とするときにこの特定周波数領域における放射エミッションノイズを低減できる。また、図１３（ｃ）に示すように、磁性体５１２ａ〜５１２ｄのＺ方向高さを高く調整することで放射電界強度のピーク周波数を低周波数化でき、例えば６１０ＭＨｚ以上の高周波数領域において放射エミッションノイズを低減できる。

（第６実施形態）
図１５及び図１６は第６実施形態の追加説明図を示している。図１５に示すように、複数の磁性体８１２ａ〜８１２ｄを、それぞれ対応した複数の主スペーサ６〜９のＸＹ方向周囲を囲うように配置しても良いし、図１６に示すように、磁性体９１２ａ〜９１２ｄを、主スペーサ６〜９の直ぐ脇に位置すると共に集積回路３と主スペーサ６〜９との対向領域に位置するように配置し、シールド板１３の辺部からＸＹ方向に突出しないように配置しても良い。これにより、放射電界強度特性を柔軟に変更でき、前述実施形態と同様の作用効果を奏する。

（第７実施形態）
図１７から図１９は第７実施形態の追加説明図を示している。この図１７に示すように、図１の構造に加えて、集積回路３の周辺に位置して補助磁性体４０を設けても良い。この補助磁性体４０は、集積回路３のＸＹ平面設置領域に重なるように設置されている。シールド板１３には突起部１４が設けられ、補助磁性体４０が突起部１４と集積回路３との間に介在して配置されている。

他方、基板２には集積回路３が搭載されており、この集積回路３の放熱面には放熱用のゲル４が塗布されている。そして放熱用のゲル４は補助磁性体４０に係合、接触するように構成される。補助スペーサ１０及び磁性体１１、１２の配置領域は、図１の構成と同様であるため説明を省略する。

補助磁性体４０が、集積回路３のＸＹ平面設置領域に重なるように設置されている構造についてのシミュレーション条件を図１８に示している。図１８（ａ）は、磁性体１１、１２、補助磁性体４０及び補助スペーサ１０を配置していないノーマル条件の場合、図１８（ｂ）は磁性体１１、１２及び補助スペーサ１０を配置せず補助磁性体４０を配置した場合、図１８（ｃ）は磁性体１１、１２を配置せず、補助磁性体４０及び補助スペーサ１０を配置した場合、図１８（ｄ）は磁性体１１、１２、補助磁性体４０及び補助スペーサ１０を配置した場合、の条件をそれぞれを示している。これらの図１８（ａ）〜図１８（ｄ）にそれぞれ対応して図１９（ａ）〜図１９（ｄ）に示すように放射電界強度の周波数特性が得られている。

これらの特性を全観察対象周波数の放射電界強度の観点で考察する。図１９（ｂ）の特性は図１９（ａ）のノーマル条件の特性に比較して、共振周波数帯を高周波数化できるものの、ノーマル条件における共振周波数帯（例えば５００ＭＨｚ±５０ＭＨｚ）を逸脱する低周波数領域及び高周波数領域において、当該ノーマル条件の放射電界強度よりも大きくなっている。しかしながら、図１９（ａ）と図１９（ｃ）の特性を比較すれば明らかなように、図１９（ｃ）の特性は図１９（ａ）のノーマル条件の特性に比較して幅広い周波数領域（例えば１００ＭＨｚ〜６００ＭＨｚ）で放射電界強度を低下させることができる。

また、図１９（ａ）と図１９（ｄ）の特性を比較すれば明らかなように、図１９（ｄ）の特性は図１９（ａ）のノーマル条件の特性に比較して同様に幅広い周波数領域（例えば１５０ＭＨｚ〜６００ＭＨｚ）で放射電界強度を低下させることができる。

本実施形態に示したように、補助磁性体４０を集積回路３のＸＹ方向配置領域に重なるように配置した場合であっても、補助スペーサ１０を設けた場合に特定周波数領域（例えば１００ＭＨｚ〜６００ＭＨｚ）における放射電界強度を低減できる。これに加えて、磁性体１１、１２を設けた場合にも、特定周波数領域における放射エミッションノイズを低減できる。

したがって、本実施形態に係る図１７に示すように、図１の構造に加えて、補助磁性体４０を、突起部１４のＸＹ方向を囲うように配置し集積回路３の搭載領域のＺ方向に配置することで、特定の周波数領域において放射電界強度を低下させることができる。

また、これらの特性をピークレベルの観点で考察すると、図１９（ｄ）の特性は、図１９（ｂ）、図１９（ｃ）の特性に比較して大幅にピークレベルを低減できることがわかる。すなわち、補助スペーサ１０及び磁性体１１、１２を設けることで、単に補助磁性体４０を設けた構成に比較して、ピークレベルを大幅に低減できることを確認できる。また、ピーク周波数の観点で考察すると、補助磁性体４０を設けることで、図１９（ｂ）〜図１９（ｄ）に示すようにノーマル特性に比較してピーク周波数を高周波数化できる。

要するに、本実施形態においては、第１実施形態の構成に加え、突起部１４を囲うように配置され集積回路３の搭載領域のＺ方向に補助磁性体４０を設けている。このような場合においても、集積回路３の動作周波数の基本信号又は高調波の周波数が放射電界強度の共振周波数に合致させないように放射電界強度の特性を変更できる。この結果、特定周波数領域の放射エミッションノイズを低減できる。

（他の実施形態）
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、種々変形して実施することができ、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能である。例えば以下に示す変形又は拡張が可能である。

前述の実施形態では、接着剤を用いて磁性体１２をシールド板１３に固着する形態を示したが、これに代えて、シールド板１３に溝を構成しておき、磁性体１２をこの溝に埋設して固着する構成であっても良い。

磁性体１１、１２や補助スペーサ１０が、接着剤又は半田を用いて設置されている場合には、ネジやオンボードコンタクトを設けることなく構成でき、製品寿命を長期化することができる。

第２接続部としての補助スペーサ１０に代えて、導電性の弾性部材（例えばバネ）、又は、導電性の締結部材（例えばネジ）により構成しても良い。
前述実施形態の特徴となる放射電界強度の特性を考慮した場合、浮遊容量が存在することで放射電界強度が共振特性を備えるものと推定されるが、この浮遊容量はゲル４を挟んだ構成要素間以外にも様々な要素間に存在することになる。このため、突起部１４やゲル４が設けられていない構成にも適用できる。

また、補助スペーサ１０は、前述の全観察対象周波数において原理的に寄生インダクタンス成分を備えるが、抵抗成分を備えるように構成しダンピング抵抗として機能させるように構成しても良い。また、補助スペーサ１０を１つ設けた形態を示したが、複数設けても良く、この補助スペーサ１０と浮遊容量とを考慮すれば、Π型のフィルタを構成することが可能である。主スペーサ６〜９、補助スペーサ１０をそれぞれ円柱状に構成した形態を示したが、これらの構造は円柱状に限られるものではなく角柱状などで構成しても良い。

また、放射エミッションノイズの低減効果を観点として主に説明したが、放射エミッションノイズを低減できれば、逆に、外来電磁ノイズの入射をも低減できることは技術常識上詳細説明するまでもない。

前述した複数の実施形態に係る特徴を組み合わせて構成しても良い。例えば、磁性体８１２ａ〜８１２ｄ、９１２ａ〜９１２ｄを、基板２と筐体５のシールド板１３との間を埋設するように配置しても良い。

なお、特許請求の範囲に記載した括弧内の符号は、本発明の一つの態様として前述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。

図面中、２は基板、３は集積回路（電子部品）、４はゲル、５は筐体、６〜９は主スペーサ（第１接続部）、１０は補助スペーサ（第２接続部）、１１、１２、３１２、５１２、１１ａ〜１１ｄ、１２ａ〜１２ｄ、５１２ａ〜５１２ｄ、６１１、６１２、７１１、７１２、７１２ａ、８１２ａ〜８１２ｄ、９１２ａ〜９１２ｄは磁性体、１４は突起部（伝熱部）、４０は補助磁性体、２１は導電性枠体（第２接続部）、６２１はオンボードコンタクト（第２接続部）、７２１はオンボードコンタクト（第２接続部）、３０は板部（支持部）、３６は湾曲部（支持部）を示す。

Claims (10)

1. ある周波数で動作する電子部品（３）を基板面に搭載する基板（２）と、
   前記基板の基板面方向の所定位置で導電するように接続する第１接続部（６〜９）を備える導電性の筐体（５）と、
   前記基板と前記筐体との間の少なくとも一部で且つ前記電子部品と前記第１接続部との間に配置された磁性体（１１、１２；３１２；５１２；１１ａ〜１１ｄ、１２ａ〜１２ｄ；５１２ａ〜５１２ｄ；６１１、６１２；７１１、７１２、７１２ａ；８１２ａ〜８１２ｄ；９１２ａ〜９１２ｄ）と、
   前記電子部品と前記磁性体との間に配置され前記基板と前記筐体とを導電するように接続する第２接続部（１０；２１；６２１；７２１）と、
   を備える電子装置。
2. 請求項１記載の電子装置において、
   前記磁性体（１１、１２；３１２；５１２）は、前記電子部品の搭載領域の基板面方向の外方で且つ前記電子部品の周囲に沿って囲うように配置される電子装置。
3. 請求項１記載の電子装置において、
   前記第１接続部（６〜９）は、前記電子部品の周囲に設けられる複数の所定位置に複数設けられると共に、前記磁性体（１２ａ〜１２ｄ；５１２ａ〜５１２ｄ；８１２ａ〜８１２ｄ；９１２ａ〜９１２ｄ）は複数設けられ、
   前記複数の磁性体は、前記電子部品の搭載領域の基板面方向の外方で且つ前記電子部品と前記複数の第１接続部との間に互いに離間して配置される電子装置。
4. 請求項１または３記載の電子装置において、
   前記磁性体（８１２ａ〜８１２ｄ）は、前記第１接続部（６〜９）の基板面方向の周囲を囲うように配置される電子装置。
5. 請求項１から４の何れか一項に記載の電子装置において、
   前記磁性体（３１２；５１２；５１２ａ〜５１２ｄ；８１２ａ〜８１２ｄ；９１２ａ〜９１２ｄ）は、前記基板と前記筐体との間を埋設するように設置される電子装置。
6. 請求項１から５の何れか一項に記載の電子装置において、
   前記筐体（５）は、前記基板面の垂直方向に向けて立設されゲル（４）を介して前記電子部品に接続する伝熱部（１４）をさらに備える電子装置。
7. 請求項６記載の電子装置において、
   前記伝熱部（１４）と前記電子部品（３）との間に介在して配置される補助磁性体（４０）をさらに備える電子装置。
8. 請求項１から７の何れか一項に記載の電子装置において、
   前記磁性体（１１、１２）は、前記基板又は前記筐体に設置されている電子装置。
9. 請求項１から７の何れか一項に記載の電子装置において、
   前記第２接続部（１０；２１；６２１；７２１）は、オンボードコンタクト（６２１；７２１）、ガスケット（２０）、導電性の弾性部材、又は、導電性の締結部材の何れかにより一体部品化され、前記基板と前記筐体との間を導通するように接続する電子装置。
10. 請求項９記載の電子装置において、
    前記第２接続部（７２１）が、前記磁性体（６１１、６１２、７１１、７１２ａ）を支持する支持部（３０、３６）を備え、
    前記磁性体は、前記支持部に支持されることにより前記基板又は前記筐体と接触しないように設置されている電子装置。

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