JP2018014417A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018014417A JP2018014417A JP2016143298A JP2016143298A JP2018014417A JP 2018014417 A JP2018014417 A JP 2018014417A JP 2016143298 A JP2016143298 A JP 2016143298A JP 2016143298 A JP2016143298 A JP 2016143298A JP 2018014417 A JP2018014417 A JP 2018014417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- layer
- cell
- outer peripheral
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 164
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 160
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 130
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract 1
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体素子が形成されたセル領域と、セル領域を囲む外周領域と、が形成された半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device in which a cell region in which a semiconductor element is formed and an outer peripheral region surrounding the cell region are formed.
従来、特許文献1に記載のように、内周部と外周部とを備えるIGBTが知られている。IGBTにおける基板の表面側には、ソース領域及びベース層を含む表面構造が形成されている。IGBTにおける基板の裏面側には、ドレイン層及びバッファ層を含む裏面構造が形成されている。表面構造と裏面構造との間には、n−型高抵抗層が形成されている。 Conventionally, as described in Patent Document 1, an IGBT including an inner peripheral portion and an outer peripheral portion is known. A surface structure including a source region and a base layer is formed on the surface side of the substrate in the IGBT. A back surface structure including a drain layer and a buffer layer is formed on the back surface side of the substrate in the IGBT. An n − type high resistance layer is formed between the front surface structure and the back surface structure.
外周部では、耐圧を向上するために、内周部に対してn−型高抵抗層が裏面側に突出している。すなわち、外周部は、内周部に対して裏面側で凸部を形成している。裏面構造は、内周部及び外周部にわたって厚さが均一に形成され、外周部の凸部によって屈曲した形状をなしている。 In the outer peripheral portion, in order to improve the breakdown voltage, an n − type high resistance layer protrudes from the inner peripheral portion on the back surface side. That is, the outer peripheral portion forms a convex portion on the back surface side with respect to the inner peripheral portion. The back surface structure has a uniform thickness over the inner peripheral portion and the outer peripheral portion, and is bent by the convex portion of the outer peripheral portion.
上記構成において、裏面構造とn−型高抵抗層との境界には、外周部の凸部に形成された段差によって、尖った角部が形成されている。これによれば、IGBTを動作させた場合に、角部付近で電位が大きく変化し易い。したがってIGBTでは、基板における特定の箇所で電界強度が高くなり易く、耐圧が低下する虞がある。 In the above configuration, a sharp corner is formed at the boundary between the back surface structure and the n − -type high resistance layer by a step formed on the convex portion of the outer peripheral portion. According to this, when the IGBT is operated, the potential is likely to change greatly in the vicinity of the corner. Therefore, in the IGBT, the electric field strength tends to increase at a specific location on the substrate, and the withstand voltage may decrease.
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、耐圧が低下するのを抑制する半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device that suppresses a decrease in breakdown voltage.
本発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として下記の実施形態における具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。 The present invention employs the following technical means to achieve the above object. In addition, the code | symbol in parenthesis shows the correspondence with the specific means in the following embodiment as one aspect | mode, and does not limit a technical range.
本発明のひとつは、
半導体基板(10)と、半導体基板の表面(10a)及び裏面(10b)に配置された電極と、を備え、縦型の半導体素子が形成されたセル領域(12)と、半導体基板の厚さ方向と直交する平面でセル領域を囲んでいる外周領域(14)と、が形成された半導体装置であって、
半導体基板は、
セル領域の表面に形成された表側半導体層(26,28,30)と、
外周領域の表面に形成され、耐圧を向上するための耐圧向上部(40)と、
セル領域及び外周領域の裏面に形成された裏側半導体層(32,34,38)と、
セル領域における表側半導体層と裏側半導体層との間、及び、外周領域における耐圧向上部と裏側半導体層との間に形成されたドリフト層(36)と、を有し、
外周領域では、セル領域に対して、ドリフト層が裏面側に突出しており、
裏側半導体層とドリフト層との境界面では、外周領域におけるドリフト層の突出により形成された段差部分(36a)が曲面形状をなしている。
One aspect of the present invention is
A cell region (12) provided with a semiconductor substrate (10) and electrodes disposed on the front surface (10a) and the back surface (10b) of the semiconductor substrate, in which a vertical semiconductor element is formed, and the thickness of the semiconductor substrate An outer peripheral region (14) surrounding the cell region in a plane perpendicular to the direction, and a semiconductor device,
The semiconductor substrate
A front-side semiconductor layer (26, 28, 30) formed on the surface of the cell region;
A withstand voltage improving portion (40) formed on the surface of the outer peripheral region for improving the withstand voltage;
Back side semiconductor layers (32, 34, 38) formed on the back surface of the cell region and the outer peripheral region;
A drift layer (36) formed between the front side semiconductor layer and the back side semiconductor layer in the cell region, and between the breakdown voltage improving portion and the back side semiconductor layer in the outer peripheral region,
In the outer peripheral region, the drift layer protrudes on the back side with respect to the cell region,
At the boundary surface between the back side semiconductor layer and the drift layer, the step portion (36a) formed by the protrusion of the drift layer in the outer peripheral region has a curved shape.
上記構成において、裏側半導体層とドリフト層との境界面では、ドリフト層の突出により形成された段差部分が曲面形状をなしている。これによれば、外周領域におけるドリフト層がセル領域に対して裏面側に突出している場合であっても、裏側半導体層とドリフト層との境界面に角部が形成されるのを抑制できる。したがって、裏面側に形成された段差部分で電界強度が高くなるのを抑制できる。よって、セル領域と外周領域との境界付近で耐圧が低下するのを抑制できる。 In the above configuration, the step portion formed by the protrusion of the drift layer has a curved shape at the boundary surface between the back semiconductor layer and the drift layer. According to this, even when the drift layer in the outer peripheral region protrudes on the back surface side with respect to the cell region, it is possible to suppress the formation of corners at the boundary surface between the back semiconductor layer and the drift layer. Therefore, it is possible to suppress an increase in electric field strength at the step portion formed on the back surface side. Therefore, it is possible to suppress the breakdown voltage from decreasing near the boundary between the cell region and the outer peripheral region.
図面を参照して説明する。なお、複数の実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。また、半導体基板の厚さ方向をZ方向、Z方向に直交する特定の方向をX方向、Z方向及びX方向に直交する方向をY方向と示す。 This will be described with reference to the drawings. In a plurality of embodiments, common or related elements are given the same reference numerals. Further, the thickness direction of the semiconductor substrate is indicated as the Z direction, the specific direction orthogonal to the Z direction is indicated as the X direction, and the direction orthogonal to the Z direction and the X direction is indicated as the Y direction.
(第1実施形態)
先ず、図1〜図3に基づき、半導体装置100の概略構成について説明する。
(First embodiment)
First, a schematic configuration of the
半導体装置100としては、例えば、インバータやDCDCコンバータに用いられるパワースイッチング素子を採用できる。本実施形態では、半導体装置100として、IGBT素子とFWD素子とが同一の半導体基板10に形成されたRC−IGBTを採用している。言い換えると本実施形態では、半導体装置100に形成された縦型の半導体素子として、IGBT素子とFWD素子とを採用している。IGBTは、Insulated Gate Bipolar Transistorの略称である。FWDは、Free Wheel Diodeの略称である。RCは、Reverse Conductingの略称である。半導体装置100は、半導体基板10と、半導体基板10に配置された電極及び配線と、を備えている。半導体基板10は、はんだ等を介して、回路基板に実装される。
As the
図1に示すように、半導体基板10には、半導体素子が形成されたセル領域12と、XY平面においてセル領域12を囲む外周領域14と、が形成されている。外周領域14は、半導体装置100の耐圧を確保するための領域である。図1及び図3では、セル領域12と外周領域14との境界を破線で示している。
As shown in FIG. 1, the
セル領域12には、半導体素子が形成されているセル内側領域12aと、セル内側領域12aと外周領域14との間に形成されたセル外側領域12bと、が形成されている。図1では、セル内側領域12aの平面形状を明確にするために、セル内側領域12aにハッチングを施している。セル外側領域12bは、XY平面において、セル内側領域12aを囲むとともに、外周領域14に囲まれている。すなわちセル外側領域12bは、セル内側領域12a及び外周領域14と隣接している。
In the
本実施形態においてセル内側領域12aは、IGBT素子が形成されたIGBT領域16、及び、FWD素子が形成されたダイオード領域18を有している。図1では、IGBT領域16及びダイオード領域18に対して、互いに異なるハッチングを施している。XY平面において、IGBT領域16及びダイオード領域18は、Y方向に延びて形成されている。本実施形態のセル内側領域12aには、複数のIGBT領域16、及び、複数のダイオード領域18が形成されている。X方向において、IGBT領域16及びダイオード領域18が交互に並んで形成されている。セル外側領域12bの表面10aには、電極として、複数のパッド20が形成されている。パッド20は、図示しないゲート配線等と接続されている。
In the present embodiment, the cell
図2に示すように、半導体基板10のセル領域12には、トレンチ22、ゲート電極24、ベース層26、エミッタ領域28、ボディ領域30、コレクタ層32、フィールドストップ層34、ドリフト層36、及び、カソード層38が形成されている。半導体基板10は、シリコンを主成分とした基板である。
As shown in FIG. 2, the
トレンチ22は、表面10aから所定深さを有して形成されている。トレンチ22は、IGBT領域16及びダイオード領域18の両方に形成されている。半導体基板10では、複数のトレンチ22がX方向において等間隔に並んで形成されている。以下、X方向におけるトレンチ22同士の間隔をトレンチ間隔Wと示す。トレンチ22は、Y方向に延びて形成されている。
The
ゲート電極24は、各トレンチ22内にポリシリコンが埋め込まれて形成されたトレンチゲートである。トレンチ22の内壁には図示しないゲート絶縁膜が形成され、ゲート電極24はゲート絶縁膜を介してトレンチ22の内壁に配置されている。ゲート絶縁膜は、半導体基板10とゲート電極24との間に介在して両者を互いに絶縁している。ゲート電極24には、図示しないゲート配線が接続され、ゲート電圧が印加される。
The
ベース層26は、表面10aの表層に形成されたp導電型の半導体層である。ベース層26は、IGBT領域16及びダイオード領域18の両方に形成されている。トレンチ22は、ベース層26を貫通している。ダイオード領域18のベース層26は、表面10aに配置されたアノード電極、すなわち表面電極と電気的に接続されている。IGBT領域16のベース層26には、エミッタ領域28及びボディ領域30が形成されている。なお、ダイオード領域18のベース層26には、エミッタ領域28及びボディ領域30が形成されていない。
The
エミッタ領域28は、n導電型の半導体層である。エミッタ領域28は、表面10aに露出し、X方向においてトレンチ22と隣接している。ボディ領域30は、p導電型の半導体層である。ボディ領域30は、表面10aに露出し、X方向においてエミッタ領域28に挟まれている。エミッタ領域28及びボディ領域30は、表面10aに配置されたエミッタ電極、すなわち表面電極と電気的に接続されている。なお、表面10aには、表面電極及び配線に加えて、ポリイミド(PIQ)を用いて形成された保護膜が配置されている。ベース層26、エミッタ領域28、及び、ボディ領域30は、特許請求の範囲に記載の表側半導体層に相当する。
The
コレクタ層32は、p導電型の半導体層である。コレクタ層32は、IGBT領域16に形成されている。また図3に示すように、コレクタ層32は、外周領域14にも形成されている。コレクタ層32は、裏面10bに露出している。これにより、コレクタ層32は、裏面10bに配置された裏面電極と電気的に接続されている。IGBT領域16において裏面電極は、コレクタ電極に相当する。コレクタ層32のZ方向における厚さは、ほぼ均一とされている。
The
カソード層38は、n導電型の半導体層である。カソード層38は、ダイオード領域18にのみ形成されている。カソード層38は、裏面10bに露出している。これにより、カソード層38は、裏面10bに配置された裏面電極と電気的に接続されている。ダイオード領域18において裏面電極は、カソード電極に相当する。カソード層38のZ方向における厚さは、ほぼ均一とされている。また、裏面電極のZ方向における厚さは、ほぼ均一とされている。裏面電極は、はんだ等を介して、回路基板に接合される。
The
XY平面において、コレクタ層32及びカソード層38の境界は、IGBT領域16及びダイオード領域18の境界をなしている。図2では、IGBT領域16及びダイオード領域18の境界を破線で示している。
In the XY plane, the boundary between the
フィールドストップ層34は、n導電型の半導体層である。フィールドストップ層34は、空乏層の広がりを抑制するものである。フィールドストップ層34は、XY平面におけるセル領域12の全体に形成されている。すなわちフィールドストップ層34は、IGBT領域16及びダイオード領域18の両方に形成されている。またフィールドストップ層34は、外周領域14にも形成されている。フィールドストップ層34は、コレクタ層32及びカソード層38における裏面10bと反対の面に形成されている。本実施形態においてフィールドストップ層34のZ方向における厚さはほぼ均一とされている。
The
ドリフト層36は、n導電型の半導体層である。ドリフト層36は、XY平面におけるセル領域12の全体に形成されている。すなわちドリフト層36は、IGBT領域16及びダイオード領域18の両方に形成されている。またドリフト層36は、外周領域14にも形成されている。外周領域14では、セル領域12に対して、ドリフト層36が裏面10b側に突出している。ドリフト層36の突出については、下記で詳細に説明する。
The
図3に示すように、半導体基板10の外周領域14には、コレクタ層32、フィールドストップ層34、及び、ドリフト層36に加えて、ガードリング40が形成されている。ガードリング40は、p導電型の半導体層である。ガードリング40は、半導体装置100の耐圧を向上するために形成された耐圧向上部である。
As shown in FIG. 3, a
ガードリング40は、表面10aに露出しており、XY平面においてベース層26を囲むように環状をなしている。ガードリング40が形成されていることで空乏層がセル領域12から外周領域14へ広がるため、セル領域12おける電界集中を抑制できる。
The
本実施形態において外周領域14には、複数のガードリング40が形成されている。複数のガードリング40は、互いに中心がほぼ一致するように、表面10aの外周端から中心に向かって並んでいる。
In the present embodiment, a plurality of guard rings 40 are formed in the outer
XY平面において、ベース層26、及び、最も内側に形成されたガードリング40の境界は、セル領域12及び外周領域14の境界をなしている。セル領域12において、最も内側に形成されたガードリング40とX方向に隣接するトレンチ22と、最も内側に形成されたガードリング40と、によって挟まれた部分には、エミッタ領域28が形成されていない。そのため、この部分は、IGBT素子として機能しない。
In the XY plane, the boundary between the
セル領域12において、最も内側に形成されたガードリング40とX方向に隣接するトレンチ22と、最も内側に形成されたガードリング40と、によって挟まれた部分は、セル外側領域12bである。すなわちセル外側領域12bには、エミッタ領域28が形成されていない。
In the
最も内側に形成されたガードリング40とX方向に隣接するトレンチ22が、X方向におけるセル内側領域12aとセル外側領域12bとの境界をなしている。言い換えると、複数のトレンチ22のうち、X方向において外周領域14に最も近いトレンチ22が、セル内側領域12aとセル外側領域12bとの境界をなしている。図3では、セル内側領域12aとセル外側領域12bとの境界を一点鎖線で示している。
The
以下、トレンチ22、ゲート絶縁層、ゲート電極24、ベース層26、エミッタ領域28、ボディ領域30、及び、ガードリング40を纏めて、表側構造と示す。また、コレクタ層32、フィールドストップ層34、及び、カソード層38を纏めて、裏側半導体層と示す。
Hereinafter, the
次に、IGBT素子の動作について説明する。IGBT素子を動作させるために、エミッタ電極及びコレクタ電極間にコレクタ電圧を印加するとともに、ゲート電極24にゲート電圧を印加する。ゲート電圧の印加により、ベース層26にチャネルを生じてエミッタ領域28とドリフト層36の間で電荷が移動できるようになる。
Next, the operation of the IGBT element will be described. In order to operate the IGBT element, a collector voltage is applied between the emitter electrode and the collector electrode, and a gate voltage is applied to the
ゲート電圧を0V又は逆バイアスにすると、n導電型に反転していたベース層26がp導電型の領域に戻り、エミッタ電極からの電子の注入が止まる。この注入停止により、コレクタ層32からのホールの注入も止まる。その後、ドリフト層36に蓄積されていたキャリアが、コレクタ電極及びエミッタ電極から排出されるか、又は、互いに再結合して消滅する。
When the gate voltage is set to 0 V or reverse bias, the
ダイオード領域18では、ベース層26をアノードとし、ドリフト層36、フィールドストップ層34、及び、カソード層38をカソードとしてPN接合されたダイオードが構成される。
In the
次に、ドリフト層36の突出について説明する。ドリフト層36におけるフィールドストップ層34側の面には、段差部分36aが形成されている。言い換えると、フィールドストップ層34とドリフト層36との境界面には、段差部分36aが形成されている。コレクタ層32、フィールドストップ層34、及び、カソード層38のZ方向における厚さは均一とされているため、ドリフト層36の突出により裏面10bにも段差部分10cが形成されている。
Next, the protrusion of the
表面10aは、セル領域12及び外周領域14にわたって、ほぼ平坦な面とされている。よって本実施形態では、裏面10bに段差部分10cが形成されていることで、セル領域12に較べて外周領域14における半導体基板10の厚さが厚くされている。
The
本実施形態において段差部分36aは、セル領域12にのみ形成され、外周領域14に形成されていない。段差部分36aは、セル内側領域12a及びセル外側領域12bの両方にわたって形成されている。なお、段差部分10cは、Z方向の投影視において段差部分36aとほぼ同じ位置に形成されている。
In the present embodiment, the
以下、セル領域12において段差部分10cが形成されていない領域の半導体基板10の厚さを厚さd1と示す。また、外周領域14における半導体基板10の厚さを厚さd2と示す。厚さd2は、厚さd1よりも厚くされている。半導体基板10の段差部分10cが形成された部分の厚さは、厚さd1よりも厚くされるとともに、厚さd2よりも薄くされている。半導体基板10において段差部分10cの厚さは、セル領域12の中心から遠ざかるほど、半導体基板10の厚さが厚くされている。
Hereinafter, the thickness of the
ドリフト層36の突出により、裏側半導体層は滑らかに湾曲している。つまり、裏側半導体層に角部が形成されていない。これにより、フィールドストップ層34とドリフト層36との境界面では、段差部分36aが曲面形状をなしている。言い換えると、ドリフト層36におけるフィールドストップ層34側の面は、段差部分36aが曲面形状をなしている。裏面10bにおいて段差部分10cは、段差部分36aに沿う曲面形状をなしている。
Due to the protrusion of the
XY平面に投影した段差部分36aは、セル領域12を囲むように環状をなしている。XY平面において段差部分36aの内周端及び外周端は、矩形状をなしている。XY平面における段差部分36aの外周端は、セル領域12と外周領域14との境界とほぼ一致している。XY平面における段差部分36aの内周端は、セル領域12と外周領域14との境界からセル領域12の中心部分に向かって所定距離進んだ位置に形成されている。図3では、段差部分36aの内周端を二点鎖線で示している。XY平面における段差部分36aの外周端は、段差部分36aの開始位置と称することもできる。また、段差部分36aの内周端は、段差部分36aの終了位置と称することもできる。
The
段差部分36aのZ方向における高さd3は、例えば数μm〜数十μm程度とされている。XY平面において、段差部分36aの内周端及び外周端の離間距離d4は、ほぼ均一となっており、例えば数十μm程度とされている。なお、段差部分10cでは、Z方向における高さ、及び、XY平面における内周端及び外周端の離間距離が、段差部分36aとほぼ同じ長さとなっている。
The height d3 of the stepped
なお、裏面電極のZ方向における厚さが均一とされているため、段差部分10cによって、裏面電極の半導体基板10と反対側の面にも段差部分が形成されている。この段差部分のZ方向における高さは、段差部分36aのZ方向における高さd3と同様に、数μm〜数十μm程度とされている。はんだを介して半導体装置100を回路基板に実装する場合、裏面電極の段差部分により凹んだ部分をはんだで埋める。詳述すると、セル領域12及び回路基板の間のはんだの厚さを、外周領域14及び回路基板の間のはんだの厚さに較べて厚くする。これにより、回路基板に対して半導体装置が傾いて配置されるのを抑制できる。
Since the thickness of the back electrode in the Z direction is uniform, a step portion is formed on the surface of the back electrode opposite to the
次に、図4に基づき、半導体装置100の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
先ず、n導電型の半導体基板10を準備する。このとき、準備する半導体基板10には、表側構造及び裏側半導体層が形成されていない。また、準備する半導体基板10には、電極及び配線が配置されていない。
First, an n conductivity
次に、半導体基板10に対して、表側構造を形成する。表側構造の形成方法としては、一般的に知られた方法を採用すればよい。そして、図4に示すように表面10aにレジスト50を配置する。レジスト50は、段差部分10cを形成するためのものである。この工程では、表面10aのうちのセル領域12にのみレジスト50を配置し、外周領域14にはレジスト50を配置しない。本実施形態では、レジスト50がセル領域12の全体と接触するようにレジスト50を配置する。なお、レジスト50に代えて、ポリイミド(PIQ)を用いてもよい。
Next, a front side structure is formed on the
次に、半導体基板10を裏面10b側から研削する。この工程では、先ず、半導体基板10の表面10a側にBG(バックグラインド)用テープを貼る。BG用テープは、半導体基板10の研削時に表面10aを保護するものである。セル領域12ではレジスト50がBG用テープと接触し、外周領域14では表面10aがBG用テープと接触する。
Next, the
そして、BG用テープを貼った状態で半導体基板10を研削装置によって研削する。研削装置は、半導体基板10を表面10a側で保持する保持部と、半導体基板10を裏面10bから研削する研削部と、を有している。この工程では、BG用テープと保持部とが接触するように、半導体基板10を研削装置に配置する。そして、Z方向において保持部及び研削部により半導体基板10を挟んで、研削部によって裏面10bを研削する。
And the
保持部は、半導体基板10を保持するとともに、半導体基板10を研削部に押しつける。セル領域12は、レジスト50が配置されていることで、外周領域14に較べて保持部から研削部へ強く押しつけられる。すなわち、セル領域12は、外周領域14に較べて、保持部から研削部へ押しつけられる力が大きい。これによれば、セル領域12は、外周領域14に較べて、多くの部分が研削される。したがって、半導体基板10を研削した後、外周領域14に較べてセル領域12は薄くなる。すなわち、半導体基板10を研削した後、裏面10bに段差部分10cが形成される。このとき形成される段差部分10cのZ方向における高さは、レジスト50の厚みに応じて決まり、例えば数μm〜数十μm程度である。
The holding unit holds the
なお、セル領域12において外周領域14との境界付近では、レジスト50が配置されていない外周領域14と近いため、セル領域12の中心付近に較べて保持部から研削部へ押しつけられる力が小さい。そのため、セル領域12において外周領域14との境界付近では、セル領域12の中心から遠ざかるほど、半導体基板10の厚さが厚くなる。以上により、裏面10bの段差部分10cは曲面形状となる。
In the
次に、半導体基板10を裏面10b側からウエットエッチングする。ウエットエッチングは、裏面10bの研削キズ等を無くすために行われ、裏面10bの全体に対して均一に行われる。したがって、ウエットエッチングの後において、半導体基板10は段差部分10cが形成された状態を保っている。
Next, the
次に、裏面10bに裏側半導体層を形成する。裏側半導体層の形成方法としては、例えばイオン注入を採用する。イオン注入により、コレクタ層32、フィールドストップ層34、及び、カソード層38の夫々のZ方向における厚さが均一に、裏側半導体層が形成される。これにより、ドリフト層36におけるフィールドストップ層34側の面に段差部分36aが形成される。
Next, a back side semiconductor layer is formed on the
次に、レジスト50を除去し、表面電極及び配線を表面10aに配置する。そして、裏面電極を裏面10bに配置する。次に、表面10aに保護膜を配置する。以上により、半導体装置100を製造できる。
Next, the resist 50 is removed, and the surface electrode and the wiring are disposed on the
次に、図5〜図8に基づき、セル領域12と外周領域14の耐圧差について説明する。
Next, the difference in pressure resistance between the
図5及び図6は、トレンチ間隔Wが互いに異なる2つの半導体装置100について示している。図6の半導体装置100では、図5の半導体装置100に較べて、トレンチ間隔Wが狭い。以下、図5の半導体装置100のトレンチ間隔Wを間隔W1と示す。また、図6の半導体装置100のトレンチ間隔Wを間隔W2と示す。半導体装置100において、トレンチ間隔Wが狭いほどオン電圧が低下することが知られている。
5 and 6 show two
ところで、図5及び図6では、逆バイアス印加時の等電位線を破線で示している。図5の半導体装置100では、等電位線がトレンチ22を避けるように湾曲している。これによれば、Z方向においてトレンチ22における表面10aと反対側の端部付近で、電位が変化し易い。これに対して、図6の半導体装置100では、図5の半導体装置100に較べて、等電位線が平坦となっている。よって、トレンチ間隔Wを狭くすることで、特定の箇所で電位が大きく変化するのを抑制できる。
By the way, in FIG.5 and FIG.6, the equipotential line at the time of reverse bias application is shown with the broken line. In the
以上によれば、図7に示すように、トレンチ間隔Wを狭くすることで、セル領域12の耐圧を向上する。一方、外周領域14ではトレンチ22が形成されていないため、トレンチ間隔Wを狭くした場合であっても外周領域14の耐圧は変化し難い。
As described above, the breakdown voltage of the
図7では、本実施形態における外周領域14の耐圧を一点鎖線で示している。また、段差部分10c及び段差部分36aが形成されず、且つ、裏側半導体層が均一の厚さとされた従来構成の半導体装置における外周領域の耐圧を比較例として二点鎖線で示している。本実施形態では、半導体基板10が厚くされているため、比較例に較べて外周領域14の耐圧が高い。よって、本実施形態では、トレンチ間隔Wを狭くした場合であっても、外周領域14の耐圧をセル領域12の耐圧よりも高くし易い。これに対し、比較例では、トレンチ間隔Wを狭くした場合、セル領域12の耐圧が外周領域14の耐圧よりも高くなり易い。
In FIG. 7, the withstand pressure | voltage of the outer periphery area |
図8に示すように、セル領域12と外周領域14との耐圧差に応じて、半導体装置100のスイッチング耐量が変化する。スイッチング耐量とは、半導体装置100が壊れるまでに流すことができる電流量である。なお、図8の横軸は、外周領域14の耐圧からセル領域の耐圧を減じた値である。
As shown in FIG. 8, the switching withstand capability of the
トレンチ間隔Wを狭くした場合、比較例では、セル領域12の耐圧が外周領域14の耐圧よりも高くなり易く、セル領域12よりも先に外周領域14がブレークダウンし易い。一般的に、外周領域14は、セル領域12に較べて、XY平面における面積が小さい。そのため、外周領域14では、セル領域12に較べて電流密度が高くなり易い。したがって、セル領域12よりも先に外周領域14がブレークダウンして外周領域14に大電流が流れると、半導体装置100のスイッチング耐量が低くなる。
When the trench interval W is narrowed, in the comparative example, the breakdown voltage of the
本実施形態では、トレンチ間隔Wを狭くした場合であっても、セル領域12の耐圧が外周領域14の耐圧よりも高い状態を保ち易いため、外周領域14よりも先にセル領域12がブレークダウンし易い。セル領域12は外周領域14に較べて、XY平面における面積が大きいため、電流密度が高くなるのを抑制できる。したがって、外周領域14が先にブレークダウンする場合に較べてスイッチング耐量を高くできる。
In the present embodiment, even when the trench interval W is narrowed, the
次に、上記した半導体装置100の効果について説明する。
Next, effects of the
本実施形態において、外周領域14では、セル領域12に対して、ドリフト層36が突出している。これによれば、外周領域14の耐圧を向上でき、セル領域12よりも外周領域14の耐圧を大きくし易い。したがって、トレンチ間隔Wを狭くしてオン電圧を小さくした場合であっても、半導体装置100のスイッチング耐量の低下を抑制できる。
In the present embodiment, the
また、本実施形態において、フィールドストップ層34とドリフト層36との境界面では、ドリフト層36の突出により形成された段差部分36aが曲面形状をなしている。これによれば、外周領域14に形成されたドリフト層36がセル領域12に対して裏面10b側に突出している場合であっても、フィールドストップ層34とドリフト層36との境界面に角部が形成されるのを抑制できる。したがって、裏面10b側に形成された段差部分36aで電界強度が高くなるのを抑制できる。よって、セル領域12と外周領域14との境界付近で耐圧が低下するのを抑制できる。
In the present embodiment, the stepped
(第2実施形態)
本実施形態において、第1実施形態に示した半導体装置100と共通する部分についての説明は割愛する。
(Second Embodiment)
In the present embodiment, description of portions common to the
本実施形態では、図9に示すように、複数のトレンチ22のうち、X方向において外周領域14から5番目に近いトレンチ22が、セル内側領域12aとセル外側領域12bとの境界をなしている。すなわち、X方向において外周領域14から5番目に近いトレンチ22よりも外周領域14側には、エミッタ領域28が形成されていない。そのため、第1実施形態でエミッタ領域28が形成された部分が、第2実施形態ではベース層26となっている。以上によれば、第1実施形態に較べてセル外側領域12bの幅が広くされている。図9では、セル内側領域12aとセル外側領域12bとの境界を一点鎖線で示している。
In the present embodiment, as shown in FIG. 9, among the plurality of
XY平面における段差部分36aの外周端は、セル領域12と外周領域14との境界からセル領域12の中心部分に向かって所定距離進んだ位置に形成されている。すなわち本実施形態では、第1実施形態に較べて、XY平面における段差部分36aの外周端がセル領域12及び外周領域14の境界から離れた位置に形成されている。言い換えると、段差部分36aの開始位置が、第1実施形態に較べて、セル領域12及び外周領域14の境界から離れた位置に形成されている。詳述すると、XY平面における段差部分36aの外周端は、セル外側領域12bに形成されている。
The outer peripheral edge of the stepped
図9では、段差部分36aの外周端を二点鎖線で示している。なお、XY平面における段差部分36aの内周端は、セル内側領域12aとセル外側領域12bとの境界とほぼ一致している。
In FIG. 9, the outer peripheral end of the
本実施形態では、表側構造を形成する際、X方向において外周領域14から5番目に近いトレンチ22よりも外周領域14側には、エミッタ領域28を形成しない。そして、図10に示すように、表面10aのうちのセル内側領域12aの全体及びセル外側領域12bの一部に、レジスト50を配置する。詳述すると、表面10aにおいて、セル内側領域12a及びセル外側領域12bの境界と、セル領域12及び外周領域14の境界と、の間にレジスト50の外周端が位置するように、レジスト50を表面10aに配置する。これによれば、半導体基板10を研削することで、Z方向の投影視において、裏面10bのうちのレジスト50の外周端と重なる部分が、段差部分10cの外周端となる。
In the present embodiment, when the front side structure is formed, the
ところで、半導体装置100の製造工程では、公差により、XY平面における段差部分36aの外周端が想定していた位置からずれることが考えられる。この場合、XY平面における段差部分36aの外周端がセル領域12と外周領域14との境界と一致する構成では、外周領域14に段差部分36aが形成されることとなる。
By the way, in the manufacturing process of the
これに対して本実施形態では、XY平面における段差部分36aの外周端が、セル領域12及び外周領域14の境界から離れた位置に形成されている。これによれば、段差部分36aの外周端が想定していた位置からずれた場合であっても、外周領域14に段差部分36aが形成され難い。したがって、外周領域14の耐圧が低下するのを効果的に抑制できる。
On the other hand, in the present embodiment, the outer peripheral edge of the stepped
セル内側領域12aに形成された半導体素子を動作させると、セル外側領域12bを介して、セル内側領域12aに形成された表側構造と外周領域14の裏側半導体層との間で電流が流れる。すなわち、半導体素子を動作させた場合に、セル領域12に加えて、外周領域14にも電流が流れる。
When the semiconductor element formed in the cell
これに対して本実施形態では、セル外側領域12bの幅が厚くされている。これによれば、半導体素子を動作させた場合に外周領域14に電流が流れるのを抑制できる。したがって、外周領域14の耐圧が低下するのを効果的に抑制できる。
On the other hand, in the present embodiment, the width of the cell
(その他の実施形態)
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
(Other embodiments)
The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
上記実施形態において、外周領域14では、セル領域12に較べて半導体基板10が厚くされた例を示したが、これに限定するものではない。半導体基板10は、少なくとも、ドリフト層36が裏面10b側に突出し、この突出により段差部分36aが形成された構成であればよい。図11の第1変形例に示すように、セル領域12及び外周領域14で半導体基板10の厚さが均一とされていてもよい。この例では、裏面10bに段差部分10cが形成されていない。
In the above embodiment, the example in which the
第1変形例において、フィールドストップ層34は、外周領域14で薄く、セル領域12で厚くされている。厚さの異なるフィールドストップ層34を形成する方法としては、例えば、セル領域12と外周領域14とでイオン注入の深さを変えることを採用できる。なお、第1変形例では、コレクタ層32の厚さはセル領域12と外周領域14とで均一とされている。
In the first modification, the
また上記実施形態では、半導体装置100としてRC−IGBTを採用する例を示したが、これに限定するものではない。図12の第2変形例に示すように、半導体素子としてIGBT素子のみが形成された例も採用できる。すなわち、半導体装置100としてIGBTを作用することもできる。第2変形例の半導体基板10には、ダイオード領域18が形成されておらず、IGBT領域16のみが形成されている。また、半導体素子としてMOSFET素子やダイオード素子のみが形成された例も採用できる。
Moreover, although the example which employ | adopts RC-IGBT as the
また上記実施形態では、半導体基板10にフィールドストップ層34が形成さた例を示したが、これに限定するものではない。半導体基板10にフィールドストップ層34が形成されない例を採用することもできる。
In the above embodiment, an example in which the
また上記実施形態では、耐圧向上部としてガードリング40が形成された例を示したが、これに限定するものではない。耐圧向上部としてフィールドプレート、トレンチ、又は、リサーフ(RESURF)が形成された例を採用できる。
Moreover, although the example in which the
10…半導体基板、10a…表面、10b…裏面、10c…段差部分、12…セル領域、12a…セル内側領域、12b…セル外側領域、14…外周領域、16…IGBT領域、18…ダイオード領域、20…パッド、22…トレンチ、24…ゲート電極、26…ベース層、28…エミッタ領域、30…ボディ領域、32…コレクタ層、34…フィールドストップ層、36…ドリフト層、36a…段差部分、38…カソード層、40…ガードリング、50…レジスト、100…半導体装置
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記半導体基板は、
前記セル領域の前記表面における表層に形成された表側半導体層(26,28,30)と、
前記外周領域の前記表面における表層に形成され、耐圧を向上するための耐圧向上部(40)と、
前記セル領域及び前記外周領域の前記裏面における表層に形成された裏側半導体層(32,34,38)と、
前記セル領域における前記表側半導体層と前記裏側半導体層との間、及び、前記外周領域における前記耐圧向上部と前記裏側半導体層との間に形成されたドリフト層(36)と、を有し、
前記外周領域では、前記セル領域に対して、前記ドリフト層が前記裏面側に突出しており、
前記裏側半導体層と前記ドリフト層との境界面では、前記外周領域における前記ドリフト層の突出により形成された段差部分(36a)が曲面形状をなしている半導体装置。 A cell region (12) having a semiconductor substrate (10) and electrodes disposed on a front surface (10a) and a back surface (10b) of the semiconductor substrate, wherein a vertical semiconductor element is formed; An outer peripheral region (14) surrounding the cell region in a plane perpendicular to the thickness direction, and a semiconductor device,
The semiconductor substrate is
A front-side semiconductor layer (26, 28, 30) formed on a surface layer on the surface of the cell region;
A withstand voltage improving portion (40) formed on a surface layer on the surface of the outer peripheral region for improving the withstand voltage;
Back side semiconductor layers (32, 34, 38) formed on the surface layer on the back surface of the cell region and the outer peripheral region;
A drift layer (36) formed between the front-side semiconductor layer and the back-side semiconductor layer in the cell region, and between the breakdown voltage improving portion and the back-side semiconductor layer in the outer peripheral region;
In the outer peripheral region, the drift layer protrudes toward the back side with respect to the cell region,
A semiconductor device in which a step portion (36a) formed by the protrusion of the drift layer in the outer peripheral region has a curved shape at a boundary surface between the back-side semiconductor layer and the drift layer.
前記セル内側領域の前記表側半導体層は、前記半導体素子として機能し、
前記セル外側領域の前記表側半導体層は、前記半導体素子として機能しない請求項1に記載の半導体装置。 The cell region includes a cell outer region (12a) formed in an annular shape adjacent to the outer peripheral region in a plane orthogonal to the thickness direction, and a cell inner region (12b) surrounded by the cell outer region. And having
The front semiconductor layer in the cell inner region functions as the semiconductor element,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the front semiconductor layer in the cell outer region does not function as the semiconductor element.
前記セル内側領域の前記表側半導体層には、エミッタ領域が形成されていることにより前記IGBT素子として機能し、
前記セル外側領域の前記表側半導体層には、前記エミッタ領域が形成されておらず、前記IGBT素子として機能しない請求項2に記載の半導体装置。 The semiconductor element is an IGBT element,
The front-side semiconductor layer in the cell inner region functions as the IGBT element by forming an emitter region,
The semiconductor device according to claim 2, wherein the emitter region is not formed in the front-side semiconductor layer in the cell outer region, and does not function as the IGBT element.
前記裏側半導体層は、前記裏面に露出するコレクタ層と、前記コレクタ層と前記ドリフト層との間に形成されたフィールドストップ層と、を有し、
前記フィールドストップ層と前記ドリフト層側との境界面では、前記段差部分が曲面形状をなしている請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。 The semiconductor element is an IGBT element,
The back side semiconductor layer has a collector layer exposed on the back surface, and a field stop layer formed between the collector layer and the drift layer,
5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the stepped portion has a curved surface shape at a boundary surface between the field stop layer and the drift layer side.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016143298A JP6531731B2 (en) | 2016-07-21 | 2016-07-21 | Semiconductor device |
PCT/JP2017/023902 WO2018016283A1 (en) | 2016-07-21 | 2017-06-29 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016143298A JP6531731B2 (en) | 2016-07-21 | 2016-07-21 | Semiconductor device |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018014417A true JP2018014417A (en) | 2018-01-25 |
JP2018014417A5 JP2018014417A5 (en) | 2018-09-20 |
JP6531731B2 JP6531731B2 (en) | 2019-06-19 |
Family
ID=60992126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016143298A Active JP6531731B2 (en) | 2016-07-21 | 2016-07-21 | Semiconductor device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6531731B2 (en) |
WO (1) | WO2018016283A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019149477A (en) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electric power conversion device |
JP2020194949A (en) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 株式会社デンソー | Semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108511512A (en) * | 2018-02-05 | 2018-09-07 | 东南大学 | A kind of power semiconductor and preparation method thereof with undaform field limiting ring structure |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5372954A (en) * | 1991-07-24 | 1994-12-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating an insulated gate bipolar transistor |
JPH10321877A (en) * | 1997-03-18 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | Semiconductor device for high withstand voltage power |
JP2002170963A (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor element, manufacturing method thereof and semiconductor device |
JP2003303966A (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
JP2010186805A (en) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Semiconductor device |
US20140225185A1 (en) * | 2011-08-23 | 2014-08-14 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Method of making a low-rdson vertical power mosfet device |
JP2014150226A (en) * | 2013-02-04 | 2014-08-21 | Lapis Semiconductor Co Ltd | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
JP2015118989A (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | トヨタ自動車株式会社 | Semiconductor device |
WO2015159436A1 (en) * | 2014-04-18 | 2015-10-22 | 富士電機株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2016127245A (en) * | 2015-01-08 | 2016-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
-
2016
- 2016-07-21 JP JP2016143298A patent/JP6531731B2/en active Active
-
2017
- 2017-06-29 WO PCT/JP2017/023902 patent/WO2018016283A1/en active Application Filing
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5372954A (en) * | 1991-07-24 | 1994-12-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating an insulated gate bipolar transistor |
JPH10321877A (en) * | 1997-03-18 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | Semiconductor device for high withstand voltage power |
JP2002170963A (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor element, manufacturing method thereof and semiconductor device |
JP2003303966A (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
JP2010186805A (en) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Semiconductor device |
US20140225185A1 (en) * | 2011-08-23 | 2014-08-14 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Method of making a low-rdson vertical power mosfet device |
JP2014150226A (en) * | 2013-02-04 | 2014-08-21 | Lapis Semiconductor Co Ltd | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
JP2015118989A (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | トヨタ自動車株式会社 | Semiconductor device |
WO2015159436A1 (en) * | 2014-04-18 | 2015-10-22 | 富士電機株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2016127245A (en) * | 2015-01-08 | 2016-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019149477A (en) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electric power conversion device |
JP2020194949A (en) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 株式会社デンソー | Semiconductor device |
JP7338242B2 (en) | 2019-05-30 | 2023-09-05 | 株式会社デンソー | semiconductor equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018016283A1 (en) | 2018-01-25 |
JP6531731B2 (en) | 2019-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6614326B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5754543B2 (en) | Semiconductor device | |
US7911020B2 (en) | Semiconductor device having breakdown voltage maintaining structure and its manufacturing method | |
JP3751463B2 (en) | High voltage semiconductor element | |
JP5900503B2 (en) | Semiconductor device | |
JP7268330B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method | |
JP7230969B2 (en) | semiconductor equipment | |
JP6561611B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6637012B2 (en) | Semiconductor device | |
JP7077648B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2012043890A (en) | Semiconductor device | |
JP2010219224A (en) | Power semiconductor device | |
US10818784B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JPWO2019159657A1 (en) | Semiconductor device | |
WO2018016283A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2003174169A (en) | Semiconductor device | |
WO2019017104A1 (en) | Semiconductor device | |
JP5751125B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4177229B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2007511913A (en) | IGBT cathode design with improved safe operating area capability | |
JP5238866B2 (en) | Power semiconductor device | |
JP2013069871A (en) | Semiconductor device | |
JP6900535B2 (en) | Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices | |
JP7222758B2 (en) | semiconductor equipment | |
JP2013251464A (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180807 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190506 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6531731 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |