JP2018012889A - 2−イミダゾリジンチオン化合物を含有するインジウム電気めっき組成物、及びインジウムを電気めっきする方法 - Google Patents
2−イミダゾリジンチオン化合物を含有するインジウム電気めっき組成物、及びインジウムを電気めっきする方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018012889A JP2018012889A JP2017128737A JP2017128737A JP2018012889A JP 2018012889 A JP2018012889 A JP 2018012889A JP 2017128737 A JP2017128737 A JP 2017128737A JP 2017128737 A JP2017128737 A JP 2017128737A JP 2018012889 A JP2018012889 A JP 2018012889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- indium
- imidazolidinethione
- composition
- alkyl
- electroplating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/54—Electroplating: Baths therefor from solutions of metals not provided for in groups C25D3/04 - C25D3/50
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
Abstract
【解決手段】式(I)で表す2−イミダゾリジンチオン化合物と、1つ以上のインジウムイオン源と、クエン酸、その塩又は混合物と、を含有するインジウム電気めっき組成物。
(R1及びR2は各々独立にH、直鎖/分岐のC1〜12のアルキル、直鎖/分岐のヒドロキシC1〜12のアルコキシ、アミノ、第1級/第2級/第3級アミノC1〜12のアルキル、直鎖/分岐のC3〜12のアリル等;R3〜R6は各々独立にH、直鎖/分岐のC1〜12のアルキル、ヒドロキシル、直鎖/分岐のヒドロキシC1〜12のアルキル、第1級/第2級/第3級アミノC1〜12のアルキル、アセチル等)
【選択図】なし
Description
1)脂肪族鎖アミン、
2)少なくとも2つの反応性窒素部位を有する非置換複素環窒素化合物、ならびに
3)少なくとも2つの反応性窒素部位を有し、アルキル基、アリール基、ニトロ基、ハロゲン、及びアミノ基から選択される1〜2個の置換基を有する置換複素環窒素化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
Silicon Valley Microelectronics,Inc.のSilicon Valley Microelectronics,Inc.の75μmの直径を有する複数のビアと各ビアの基部の銅種層とを有するフォトレジストパターン化シリコンウエハを、Dow Advanced Materialsから入手可能なNIKAL(商標)BPニッケル電気めっき浴を使用して、ニッケル層で電気めっきした。ニッケル電気めっきは、55℃、1ASDの陰極電流密度で120秒間行った。従来的な整流器で電流を供給した。陽極は、可溶性ニッケル電極であった。めっき後、シリコンウエハをめっき浴から取り出し、Dow Advanced Materialsから入手可能なSHIPLEY BPR(商標)Photostripperを用いてフォトレジストをウエハから剥がし、水で濯いだ。ニッケル析出物は、実質的に平滑で、表面上に観察可能なデンドライトを有しないように見えた。図1Aは、LEICA(商標)光学顕微鏡で撮影したニッケルめっきされた銅種層のうちの1つの光学画像である。
インジウム電気めっき組成物が以下の成分を含んだことを除き、上の実施例1に説明される方法を反復した。
シリコンウエハが、50μmの長さを有する長方形ビアを有するようにフォトレジストでパターン化され、かつインジウム電気めっき組成物が、以下の成分を含んだことを除き、上の実施例1に説明される方法を反復した。
インジウム電気めっき組成物が以下の成分を含んだことを除き、上の実施例2に説明される方法を反復した。
インジウム電気めっき組成物が以下の成分を含んだことを除き、上の実施例2に説明される方法を反復した。
インジウム電気めっき組成物が以下の成分を含むことを除き、上の実施例2に説明される方法を反復する。
以下の成分を含むインジウム電気めっき組成物を調製する。
以下の成分を含むインジウム電気めっき組成物を調製する。
インジウム電気めっき組成物が以下の成分を含んだことを除き、上の実施例2に説明される方法を反復した。
Claims (16)
- 1つ以上のインジウムイオン源と、1つ以上の2−イミダゾリジンチオン化合物と、クエン酸、その塩、またはその混合物と、を含む、組成物。
- 前記1つ以上の2−イミダゾリジンチオン化合物が、以下の式を有し、
- 前記1つ以上の2−イミダゾリジンチオン化合物が、2−イミダゾリジンチオン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジンチオン、1−メチル−5−フェニル−2−イミダゾリジンチオン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジンチオン、1−メチル−2−イミダゾリジンチオン、4,4−ジメチル−2−イミダゾリジンチオン、4,5−ジメチル−2−イミダゾリジンチオン、(4S)−4−メチル−2−イミダゾリジンチオン、1−ドデシル−2−イミダゾリジンチオン、1−ブチル−5−(1−メチルエチル)−2−イミダゾリジンチオン、1,3−ジアリル−2−イミダゾリジンチオン、1−アセチル−3−アリル−2−イミダゾリジンチオン、1−(2−アミノエチル)−2−イミダゾリジンチオン、1−アセチル−2−イミダゾリジンチオン、4,5−ジヒドロキシ−1−メチル−2−イミダゾリジンチオン、1−(2−ヒドロキシエチル)−2−イミダゾリジンチオン、1,3−ビス(ヒドロキシメチル)−2−イミダゾリジンチオン、1−エチル−5−(4−メトキシフェニル)−2−イミダゾリジンチオン、1,3−ジエチル−4,5−ジヒドロキシ−4,5−ジフェニル−2−イミダゾリジンチオン、及び1,3ビス[(シクロヘキシルアミノ)メチル]−2−イミダゾリジンチオンから選択される、請求項2に記載の組成物。
- 前記1つ以上の2−イミダゾリジンチオン化合物が、0.005g/L〜5g/Lの量で前記組成物中に含まれる、請求項1に記載の組成物。
- 前記組成物が、1つ以上の塩化物イオン源をさらに含み、前記塩化物イオン対前記インジウムイオンのモル比が、2:1以上である、請求項1に記載の組成物。
- 塩化物イオン対インジウムイオンの前記モル比が、2:1〜7:1である、請求項5に記載の組成物。
- 塩化物イオン対インジウムイオンの前記モル比が、4:1〜6:1である、請求項6に記載の組成物。
- アミン界面活性剤、エトキシ化ナフトール、スルホン酸化ナフトールポリエーテル、(アルキル)フェノールエトキシレート、スルホン酸化アルキルアルコキシレート、アルキレングリコールアルキルエーテル、及びスルホプロピル化ポリアルコキシル化ベータ−ナフトールアルカリ塩から選択される、1つ以上の界面活性剤をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- エピハロヒドリンと1つ以上の窒素含有有機化合物との反応生成物の1つ以上のコポリマーをさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- 方法であって、
a)金属層を備える基材を提供することと、
b)前記基材を、1つ以上のインジウムイオン源、1つ以上の2−イミダゾリジンチオン化合物、及びクエン酸、クエン酸の塩、またはその混合物を含む、インジウム電気めっき組成物と、接触させることと、
c)前記インジウム電気めっき組成物を用いて、前記基材の前記金属層上にインジウム金属層を電気めっきすることと、を含む、方法。 - 前記1つ以上の2−イミダゾリジンチオン化合物が、0.005g/L〜5g/Lの量で前記インジウム電気めっき組成物中に含まれる、請求項10に記載の方法。
- 前記インジウム電気めっき組成物が、1つ以上の塩化物イオン源をさらに含み、前記塩化物イオン対前記インジウムイオンのモル比が、2:1以上である、請求項10に記載の方法。
- 前記金属層が、ニッケル、銅、金、または錫である、請求項10に記載の方法。
- 前記金属層が、ニッケルである、請求項13に記載の方法。
- 前記金属層が、10nm〜100μmの厚さである、請求項10に記載の方法。
- 前記インジウム金属層が、10nm〜100μmの厚さである、請求項10に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662363540P | 2016-07-18 | 2016-07-18 | |
US62/363,540 | 2016-07-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018012889A true JP2018012889A (ja) | 2018-01-25 |
JP6427632B2 JP6427632B2 (ja) | 2018-11-21 |
Family
ID=59381087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017128737A Expired - Fee Related JP6427632B2 (ja) | 2016-07-18 | 2017-06-30 | 2−イミダゾリジンチオン化合物を含有するインジウム電気めっき組成物、及びインジウムを電気めっきする方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180016690A1 (ja) |
EP (1) | EP3272911B1 (ja) |
JP (1) | JP6427632B2 (ja) |
KR (1) | KR102009176B1 (ja) |
CN (1) | CN107630236A (ja) |
TW (1) | TWI638913B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019178351A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | Dowaメタルマイン株式会社 | 電解槽、電解装置、電解方法、および金属インジウム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09143786A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-06-03 | Ebara Yuujiraito Kk | 銀および銀合金めっき浴 |
JP2003113490A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Shipley Co Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
US20050173255A1 (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-11 | George Bokisa | Electroplated quaternary alloys |
JP2008261050A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-30 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属メッキ組成物 |
JP2009029776A (ja) * | 2007-04-03 | 2009-02-12 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属メッキ組成物および方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4959278A (en) | 1988-06-16 | 1990-09-25 | Nippon Mining Co., Ltd. | Tin whisker-free tin or tin alloy plated article and coating technique thereof |
US5554211A (en) | 1995-11-15 | 1996-09-10 | Mcgean-Rohco, Inc. | Aqueous electroless plating solutions |
DE19758121C2 (de) | 1997-12-17 | 2000-04-06 | Atotech Deutschland Gmbh | Wäßriges Bad und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden von Kupferschichten |
US7023089B1 (en) * | 2004-03-31 | 2006-04-04 | Intel Corporation | Low temperature packaging apparatus and method |
JP5497261B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2014-05-21 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | インジウム組成物 |
TWI400363B (zh) * | 2007-08-28 | 2013-07-01 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 電化學沈積之銦複合材料 |
US20090188808A1 (en) * | 2008-01-29 | 2009-07-30 | Jiaxiong Wang | Indium electroplating baths for thin layer deposition |
US8901414B2 (en) | 2011-09-14 | 2014-12-02 | International Business Machines Corporation | Photovoltaic cells with copper grid |
US9145616B2 (en) * | 2012-02-29 | 2015-09-29 | Rohm and Haas Elcetronic Materials LLC | Method of preventing silver tarnishing |
KR101778498B1 (ko) | 2014-10-10 | 2017-09-13 | 이시하라 케미칼 가부시키가이샤 | 합금 범프의 제조방법 |
EP3359710B1 (en) * | 2015-10-06 | 2020-04-08 | ATOTECH Deutschland GmbH | Rocess for indium or indium alloy deposition |
-
2017
- 2017-05-12 US US15/593,456 patent/US20180016690A1/en not_active Abandoned
- 2017-06-22 TW TW106120953A patent/TWI638913B/zh not_active IP Right Cessation
- 2017-06-26 CN CN201710496974.7A patent/CN107630236A/zh active Pending
- 2017-06-29 KR KR1020170082235A patent/KR102009176B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-30 JP JP2017128737A patent/JP6427632B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-07-17 EP EP17181754.7A patent/EP3272911B1/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09143786A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-06-03 | Ebara Yuujiraito Kk | 銀および銀合金めっき浴 |
JP2003113490A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Shipley Co Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
US20050173255A1 (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-11 | George Bokisa | Electroplated quaternary alloys |
JP2008261050A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-30 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属メッキ組成物 |
JP2009029776A (ja) * | 2007-04-03 | 2009-02-12 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属メッキ組成物および方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019178351A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | Dowaメタルマイン株式会社 | 電解槽、電解装置、電解方法、および金属インジウム |
JP7023156B2 (ja) | 2018-03-30 | 2022-02-21 | Dowaメタルマイン株式会社 | 金属インジウムの回収方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107630236A (zh) | 2018-01-26 |
JP6427632B2 (ja) | 2018-11-21 |
EP3272911A1 (en) | 2018-01-24 |
TWI638913B (zh) | 2018-10-21 |
EP3272911B1 (en) | 2019-08-28 |
KR20180009308A (ko) | 2018-01-26 |
KR102009176B1 (ko) | 2019-08-09 |
TW201804024A (zh) | 2018-02-01 |
US20180016690A1 (en) | 2018-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8460533B2 (en) | Indium compositions | |
TWI418668B (zh) | 補充銦電鍍組成物的銦離子之方法 | |
KR102023381B1 (ko) | 1,10-페난트롤린 화합물을 함유하는 인듐 전기도금 조성물 및 인듐의 전기도금 방법 | |
JP6442001B2 (ja) | インジウム電気めっき組成物、及びインジウムを電気めっきするための方法 | |
JP6427632B2 (ja) | 2−イミダゾリジンチオン化合物を含有するインジウム電気めっき組成物、及びインジウムを電気めっきする方法 | |
KR102026631B1 (ko) | 아민 화합물을 함유하는 인듐 전기도금 조성물 및 인듐의 전기도금 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181005 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181029 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6427632 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |