JP2018011029A - インプリント装置、および物品製造方法 - Google Patents

インプリント装置、および物品製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018011029A
JP2018011029A JP2016140804A JP2016140804A JP2018011029A JP 2018011029 A JP2018011029 A JP 2018011029A JP 2016140804 A JP2016140804 A JP 2016140804A JP 2016140804 A JP2016140804 A JP 2016140804A JP 2018011029 A JP2018011029 A JP 2018011029A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
imprint material
substrate
target
imprint
control unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016140804A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6742177B2 (ja
Inventor
純 太田
Jun Ota
純 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2016140804A priority Critical patent/JP6742177B2/ja
Priority to KR1020197004399A priority patent/KR102211390B1/ko
Priority to PCT/JP2017/025238 priority patent/WO2018012488A1/ja
Publication of JP2018011029A publication Critical patent/JP2018011029A/ja
Priority to US16/245,124 priority patent/US11664225B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6742177B2 publication Critical patent/JP6742177B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1015Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to a conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature ; responsive to position or movement of the coating head relative to the target
    • B05C11/1021Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to a conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature ; responsive to position or movement of the coating head relative to the target responsive to presence or shape of target
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C9/00Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
    • B05C9/08Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2012Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

【課題】正確なパターン形成の点で有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】インプリント装置は、基板の上で型を使ってインプリント材を成形する。インプリント装置は、前記基板を保持する可動のステージと、前記インプリント材を吐出する供給部と、前記インプリント材が前記基板の上に供給されるように前記ステージを移動させながら前記供給部に前記インプリント材を吐出させる制御部と、を備え、前記制御部は、前記供給部からのインプリント材の吐出量と該吐出量のインプリント材が目標物上に配置される位置との関係を示す特性情報に基づいて、前記基板の目標位置に目標量のインプリント材が配置されるように前記供給部からのインプリント材の吐出を制御する。
【選択図】図4

Description

本発明は、インプリント装置、および物品製造方法に関する。
半導体デバイスやMEMSなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板の上でインプリント材を型(モールド)で成形することによってインプリント材のパターンを基板の上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術と呼ばれる。インプリント技術によれば、基板の上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。インプリント技術の1つとして光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板の上のパターン形成領域にインプリント材を塗布する。次に、インプリント材に型を接触させて、型のパターン領域の凹部にインプリント材を充填させる。次に、インプリント材に紫外線を照射することによってインプリント材を硬化させることで凹部に対応するパターンを形成する。次に、硬化したインプリント材から型を引き離すこと(離型)により、基板の上に、インプリント材によって形成されたパターンが残る。
インプリント装置では、基板の上にインプリント材を配置するために、インプリント材を吐出する吐出部が使用されうる。基板を移動させながら、制御されたタイミングで吐出部からインプリント材を吐出することによって、基板の上の目標位置にインプリント材が配置されうる。一般的には、基板の上の複数の目標位置のそれぞれにインプリント材が配置され、これらのインプリント材に対して型を接触させることによって、これらのインプリント材がそれぞれ広がって膜状になるとともに型の凹部に充填される。
基板の上に配置されるインプリント材の位置および量は、基板の上に形成されるパターンの厚さ分布に影響を与えうる。また、基板の上に配置されるインプリント材の位置および量が不適切であると、基板の上に形成されるパターンに欠陥が生じうる。特許文献1には、ノズルからのインク滴の吐出量を制御する方法が記載されている。
特許第5727905号公報
インプリント材の吐出量を調整すると、その吐出量に応じてインプリント材の速度が変化しうる。したがって、基板を移動させながら吐出部からインプリント材を吐出することによって基板の上にインプリント材を配置する方法では、インプリント材の吐出量を調整すると、吐出部から基板上にインプリント材が供給される位置が目標位置から変化しうる。これは、インプリント材の局所的な過不足を引き起こし、例えば未充填欠陥や残膜厚の不均一性が増加する等、正確なパターン形成の点で不利となりうる。
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、正確なパターン形成の点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
本発明の1つの側面は、基板の上で型を使ってインプリント材を成形するインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、前記基板を保持する可動のステージと、前記インプリント材を吐出する供給部と、前記インプリント材が前記基板の上に供給されるように前記ステージを移動させながら前記供給部に前記インプリント材を吐出させる制御部と、を備え、前記制御部は、前記吐出部からのインプリント材の吐出量と、該吐出量のインプリント材が目標物上に配置される位置と、の関係を示す特性情報に基づいて、前記基板の目標位置に目標量のインプリント材が配置されるように前記吐出部からのインプリント材の吐出を制御する。
本発明によれば、例えば、正確なパターン形成の点で有利なインプリント装置が提供される。
本発明の1つの実施形態のインプリント装置の構成を示す図。 供給部による基板上へのインプリント材の供給を説明する図。 供給部からのインプリント材の吐出量の調整を説明する図。 制御部によって実行される供給部からのインプリント材の吐出制御のフローを示す図。 複数の吐出口のそれぞれに対応する駆動素子の駆動条件と、各駆動条件の下で吐出口から吐出されたインプリント材が基板上の配置される配置位置との関係(特性情報)を例示する図。 吐出条件に応じた吐出タイミングの決定によるインプリント材の配置位置の補正を説明する図。 特性情報を生成する処理のフローを示す図。 特性情報を生成する処理を説明する図。 物品製造方法を示す図。
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
図1には、本発明の一つの実施形態のインプリント装置1の構成が示されている。インプリント装置1は、基板3の上で型2を使ってインプリント材4を成形するように構成されている。
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、吐出部により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。
本明細書および添付図面では、基板3の表面に平行な方向をXY平面とするXYZ座標系において方向を示す。XYZ座標系におけるX軸、Y軸、Z軸にそれぞれ平行な方向をX方向、Y方向、Z方向とし、X軸周りの回転、Y軸周りの回転、Z軸周りの回転をそれぞれθX、θY、θZとする。X軸、Y軸、Z軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な方向、Y軸に平行な方向、Z軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θX軸、θY軸、θZ軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な軸の周りの回転、Y軸に平行な軸の周りの回転、Z軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、X軸、Y軸、Z軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θX軸、θY軸、θZ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および/または姿勢を制御することを意味する。位置合わせは、基板および型の少なくとも一方の位置および/または姿勢を制御の制御を含みうる。
以下では、より具体的な例を提示するために、インプリント材4を硬化させるためのエネルギーとして光を利用する例を説明する。典型的には、光の光軸は、Z軸に平行である。インプリント装置1は、例えば、光源14、照明系13、型駆動機構10、基板ステージ(ステージ)8、基板駆動機構18、構造体12、供給部9、計測部17および制御部20を備える。
光源14は、インプリント材4を硬化させるための光(例えば、紫外光)を発生する。照明系13は、光源14からの光Lを使って型2を介して基板3の上のインプリント材4を照明し、これによりインプリント材4を硬化させる。なお、インプリント材4として熱硬化性樹脂材料を採用する場合には、光源14および照明系13に代えて、インプリント材4に熱を供給する熱供給部が設けられる。
型(モールド)2は、基板3に対向する面にパターン部(不図示)を有する。パターン部は、例えば、基板3(インプリント材4)に転写すべき回路パターンなどのパターンを有する。パターンは、凹部によって構成され、基板3の上のインプリント材4に型2のパターン部が接触した状態で、インプリント材4が凹部に充填される。型駆動機構10は、構造体12によって支持され、型2を保持する型チャック(不図示)と、型チャックを駆動することによって型2を駆動する。型チャックは、例えば、型2における光Lの光路の周辺の領域を吸着(例えば、真空吸着、静電吸着)することによって型2を保持する。型駆動機構10は、型2を変形させる型変形機構を有しうる。型駆動機構10は、型2を複数の軸(例えば、X軸、Y軸、Z軸、θX軸、θY軸、θZ軸の6軸)について駆動する。
基板ステージ8は、基板3を保持する基板チャック7を有する。基板ステージ8は、基板駆動機構18によって駆動される可動のステージである。基板駆動機構18は、基板3が複数の軸(例えば、X軸、Y軸、θZ軸の3軸)について駆動されるようにステージ定盤11の上で基板ステージ8を駆動する。型駆動機構10および基板駆動機構18は、基板3と型2との相対位置を調整する調整機構を構成する。該調整機構は、X軸、Y軸、θX軸、θY軸およびθZ軸に関して基板3と型2との相対位置を調整するほか、Z軸に関しても基板3と型2との相対位置を調整する。Z軸に関する基板3と型2との相対位置の調整は、基板3の上のインプリント材4と型2との接触および分離の動作を含む。
供給部(塗布部)9は、構造体12によって支持され、型駆動機構10の近傍に配置されうる。供給部9は、基板3のパターン形成領域としてのショット領域の上にインプリント材4を供給する。より具体的には、供給部9は、インプリント材4を吐出する吐出部5を有し、基板3のショット領域の上にインプリント材4が供給されるように吐出部5からインプリント材4を吐出する。吐出部5は、インクジェットプリンタがインクを吐出する原理と同様の原理に従ってインプリント材4を吐出するように構成されうる。
制御部20は、型駆動機構10、基板駆動機構18、光源14、供給部9、計測部17等を制御するように構成される。制御部20は、例えば、基板3のパターン形成領域と型2との位置決めのための型駆動機構10および基板駆動機構18の制御、基板3のパターン形成領域へのインプリント材4の供給のための基板駆動機構18および供給部9の制御を行いうる。また、制御部20は、インプリント材4の硬化のための光源14の制御を行いうる。制御部20は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrayの略。)などのPLD(Programmable Logic Deviceの略。)、又は、ASIC(Application Specific Integrated Circuitの略。)、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
次に、インプリント装置1によるインプリント処理(インプリント方法)について説明する。まず、制御部20は、不図示の基板搬送機構に基板3を基板チャック7の上に載置させ、基板チャック7に基板3を固定させる。次に、制御部20は、不図示のアライメントスコープに基板3のアライメントマークの位置を計測させる。この際に、制御部20は、計測対象のアライメントマークがアライメントスコープの視野に入るように基板駆動機構18を制御する。制御部20は、アライメントスコープによる計測結果に基づいて、基板3上に定義された複数のショット領域(パターン形成領域)の位置を特定する。複数のショット領域の位置は、供給部9によってショット領域の上にインプリント材4を供給する動作や、インプリント材が供給されたショット領域に対する型2の位置決めのために使用される。
次に、制御部20は、パターン形成対象のショット領域の上にインプリント材4が供給されるように供給部9および基板駆動機構18を制御する。図2を参照しながら供給部9による基板3のショット領域へのインプリント材4の供給を説明する。制御部20は、パターン形成対象のショット領域が供給部9の下に配置されるように基板駆動機構18を制御する。そして、制御部20は、図2(a)に示されるように、基板駆動機構18に基板3(基板ステージ8)をXY平面に沿って駆動させながら供給部9の吐出部5にインプリント材4を吐出させる。これにより、図2(b)に示されるように、基板3のインプリント対象のショット領域にインプリント材4が供給され配置される。典型的には、インプリント対象のショット領域の複数の位置にインプリント材4が配置されうる。
次に、制御部20は、インプリント材4が配置されたパターン形成対象のショット領域が型2の下に配置されるように基板駆動機構18に基板3(基板ステージ8)を位置決めさせる。次に、制御部20は、不図示のアライメントスコープを使ってパターン形成対象のショット領域と型2との相対位置を検出しながら基板駆動機構18および型駆動機構10を制御し、該ショット領域と型2とを位置合わせする。次に、制御部20は、パターン形成対象のショット領域の上のインプリント材4に型2のパターン部が押し付けられるように基板3と型2との相対位置を制御する。例えば、制御部20は、型駆動機構10に型2を下降させることによってショット領域の上のインプリント材4に型2のパターン部が押し付けられるように基板3と型2との相対位置を制御する。この押し付けによって、ショット領域の上のインプリント材4が膜を形成するように広がるとともに、型2のパターン部の凹部に充填される。
次に、制御部20は、パターン形成対象のショット領域の上のインプリント材4に光Lが照射されるように光源14を制御し、光Lによってインプリント材4を硬化させる。次に、制御部20は、硬化したインプリント材4から型2が分離されるように、基板3と型2との相対位置を制御する。例えば、制御部20は、型駆動機構10に型2を上昇させることによってショット領域の上の硬化したインプリント材4から型2が分離されるように基板3と型2との相対位置を制御する。以上の工程により、基板3のパターン形成対象のショット領域には、型2のパターン部のパターンにならったパターンが転写される。このような工程は、複数のショット領域に対して実施されうる。
基板3の上に供給部9によってインプリント材4を配置する際に、制御部20は、型2のパターン部に形成されたパターンレイアウトに応じて生成された目標情報に基づいて供給部9からのインプリント材4の吐出を制御する。目標情報は、外部装置または記憶媒体から提供されうる。目標情報は、基板3またはショット領域におけるインプリント材を配置するべき複数の位置(目標位置)と、該複数の位置のそれぞれに配置すべきインプリント材の量(目標量)とを含む。目標情報は、ショット領域の上のインプリント材4の配列に対して型2のパターン部を接触させたときにインプリント材4が隙間なく広がるように決定される。
本実施形態では、制御部20は、予め設定された特性情報に基づいて、基板3の目標位置に目標量のインプリント材4が配置されるように供給部9からのインプリント材4の吐出を制御する。ここで、特性情報は、供給部9からのインプリント材4の吐出量と、該吐出量のインプリント材4が目標物(基板)上に配置される位置と、の関係を示す情報である。具体的には、制御部20は、特性情報、供給(吐出)すべきインプリント材の目標量およびインプリント材を供給すべき目標位置に基づいて供給部9からのインプリント材の吐出タイミングを決定するように構成されうる。供給部9からのインプリト材の吐出量が駆動条件によって離散的に制御される場合、制御部20は、目標量に基づいて駆動条件を決定し、特性情報、目標量に応じて決定された駆動条件、および、目標位置に基づいて、吐出タイミングを決定するように構成されうる。
ここで、インプリント材4の吐出量と供給部9の吐出部5から吐出されるインプリント材4の速度との間には相関関係があり、インプリント材4の吐出量を増加させると、インプリント材4の速度が低下する。基板3を移動させながら供給部9の吐出部5からインプリント材4を吐出して基板3の上に供給する方式では、インプリント材4の速度が変化すると、基板3の上にインプリント材4が供給される位置も変化する。したがって、インプリント材4の吐出量を従前の吐出量から目標量に変化させると、それに応じて、供給部9の吐出部5からインプリント材4を吐出する吐出タイミングについても従前の吐出タイミングから変化させる必要がある。そこで、制御部20は、特性情報、目標量および目標位置に基づいて吐出タイミングを決定するように構成されうる。
図3には、供給部9からのインプリント材4の吐出量の調整を行った際に基板のショット領域Sへのインプリント材4の供給位置が変化することが例示的に示されている。白抜き丸印(破線)は、吐出量の調整前においてインプリント材4が目標物上に供給される位置を示している。吐出量の調整前は、インプリント材4の配列が格子状になる。塗りつぶされた丸印(実線)は、吐出量の調整後においてインプリント材4が目標物上に供給される位置を示している。
図3に示される例では、供給部9の吐出部5には、吐出口N(0)、N(1)、N(2)、N(3)として識別される4つの吐出口が設けられている。ショット領域S内のi行目のインプリント材4は、吐出口N(i)(iは1〜3のいずれか)から吐出されてショット領域Sに供給されたインプリント材4を示している。図3の例は、吐出口N(0)、N(2)は、吐出量の調整前に対して吐出量を減らすように調整され、吐出口N(1)、N(3)は、吐出量の調整前に対して吐出量を増やすよう調整された例である。吐出量の変更によってショット領域Sにインプリント材4が供給される位置も変更される。したがって、単純に吐出量が調整されただけでは、インプリント材4が基板3の目標位置に供給されず、形成されるパターンの膜厚(例えば、残膜厚(最も薄い部分の膜厚))が不均一になりうる。したがって、吐出量を調整するとともに吐出タイミングも調整する必要がある。
図4には、制御部20によって実行される供給部9からのインプリント材4の吐出の制御のフローが示されている。図5(a)には、特性情報が視覚化して示されている。図5(b)には、目標量(目標とする吐出量)に基づく駆動条件の決定が例示的に示されている。図5(b)にはまた、目標量に応じて基板3上でのインプリント材の配置位置(基板3にインプリント材が供給される位置)のずれが生じることが例示的に示されている。図6(a)には、吐出量の変更によって基板3上でのインプリント材4の配置位置が変化することが示されている。図6(b)には、吐出タイミングの調整によって基板3上でのインプリント材4の配置位置が補正されることが示されている。図4に従った説明では、制御部20は、予め特性情報を取得し保持しているものとする。しかしながら、後述のように、制御部20は、特性情報を生成する処理を実行するように構成されてもよい。特性情報は、例えば、関数またはテーブル等で与えられうる。
まず、工程S200では、制御部20は、基板3またはショット領域におけるインプリント材を配置するべき複数の位置(以下、目標位置)と、該複数の位置のそれぞれに配置すべきインプリント材の量(以下、目標量)とを含む目標情報を取得する。目標情報は、外部装置または記憶媒体から提供されうる。
工程S201では、制御部20は、目標情報中の目標量に基づいて供給部9の吐出部5の各吐出口に対応する駆動素子の駆動条件を決定する。吐出口に対応する駆動素子とは、当該吐出口からインプリント材を吐出させるための駆動素子、即ち吐出口に対して設けられた駆動素子を意味する。ここで、図5(a)には、吐出口N(0)、N(1)、N(2)のそれぞれに対応する駆動素子の駆動条件(例えば駆動電圧)と、各駆動条件の下で吐出口から吐出されたインプリント材が基板上に配置される配置位置との関係が例示されている。
工程S200で取得した目標位置をXt、目標量をDtとすると、図5(b)に示されるように、各吐出口に対応する駆動素子について、目標量Dtに対するずれが所定値未満の駆動条件を決定することができる。吐出口N(0)に対応する駆動素子の駆動条件C(0)としては、複数の駆動条件1、2、3の中から駆動条件2が決定される。吐出口N(1)に対応する駆動素子の駆動条件C(1)としては、複数の駆動条件1、2、3の中から駆動条件2が決定される。吐出口N(2)に対応する駆動素子の駆動条件C(2)としては、複数の駆動条件1、2、3の中から駆動条件2が決定される。
工程S202では、制御部20は、予め保持している特性情報、工程S201で決定した駆動条件および工程S200で取得した目標位置Xtに基づいて、吐出タイミングの補正前におけるインプリント材の配置位置を決定する。図5(b)に示される特性情報より、工程S201で決定された駆動条件C(0)、C(1)、C(2)で吐出口N(0)、N(1)、N(2)から吐出されたインプリント材4が基板上に配置される配置位置がX(0)、X(1)、X(2)となることが分かる。
工程S203では、制御部20は、工程S202で決定した配置位置X(0)、X(1)、X(2)に基づいて、吐出口N(0)、N(1)、N(2)からのインプリント材の吐出タイミングTC(0)、TC(1)、TC(2)を決定する。具体的には、制御部20は、配置位置X(0)、X(1)、X(2)と目標位置Xtとに基づいて、以下の式に従って吐出口N(0)、N(1)、N(2)に対応する駆動素子の吐出タイミングTC(0)、TC(1)、TC(2)を決定する。
TC(0)=T(0)−ΔT(0)
=T(0)−ΔX(0)/V
=T(0)−(X(0)−Xt)/V
TC(1)=T(1)−ΔT(1)
=T(1)−ΔX(1)/V
=T(1)−(X(1)−Xt)/V
TC(2)=T(2)−ΔT(2)
=T(2)−ΔX(2)/V
=T(2)−(X(2)−Xt)/V
ここで、T(0)は、基準となる吐出タイミング(補正前の吐出タイミング)であり、例えば、目標位置Xtに吐出口N(0)、N(1)、N(2)が対向するタイミング、または、該タイミングより所定時間だけ早いタイミングでありうる。Vは、供給部9によって基板3の上にインプリント材4を配置する際の基板3(基板ステージ8)の速度である。ΔX(i)は、X(i)(iは1〜3のいずれか)とXtとの差分である。吐出タイミングTC(0)、TC(1)、TC(2)は、補正された吐出タイミングである。
工程S204では、制御部20は、工程S201で決定した駆動条件と工程S203で決定した吐出タイミングとで構成される制御情報を設定する。制御部20は、供給部9を使って基板3の上にインプリント材4を配置する際に、制御情報に基づいて、供給部9の吐出部5の駆動条件と吐出タイミングを制御する。
図6(a)において、+印は、目標位置Xtを示している。図6(a)において、丸印は、工程S201で決定された駆動条件で、吐出タイミングT(0)で供給部9の吐出部5の吐出口N(0)、N(1)、N(2)に対応する駆動素子を駆動した場合の基板のショット領域S上のインプリント材の配置位置を示している。図6(b)において、+印は、目標位置Xtを示している。図6(b)において、点線の丸印は、図6(a)における丸印と同様の配置位置を示している。図6(b)において、実線の丸印は、吐出タイミングTC(0)、TC(1)、TC(2)で供給部9の吐出部5の吐出口N(0)、N(1)、N(2)に対応する駆動素子を駆動した場合の基板のショット領域S上のインプリント材の配置位置を示している。
以上のように、本実施形態によれば、予め設定された特性情報に基づいて、基板3の目標位置に目標量のインプリント材4が配置されるように供給部9からのインプリント材4の吐出を制御することができる。
以下、特性情報を生成する方法を例示的に説明する。制御部20は、特性情報を生成する処理を実行するように構成されうる。図7には、特性情報を生成する処理のフローが示されている。このフローに示される処理では、1つの駆動条件に関して工程S301、S302が実行され、工程S303においてN個の駆動条件について工程S301、S302が実行されたと判断されるまで、駆動条件を変更して工程S301、S302が実行される。
工程S301では、制御部20は、基板3(基板ステージ8)を移動させながら複数の駆動条件のうちの1つの駆動条件で供給部9の吐出部5の駆動素子を駆動してインプリント材4を吐出させ、目標物(ここでは、テスト用に準備された基板3として説明する。)上にインプリント材4を配置させる。
工程S302では、制御部20は、計測部17を用いて、工程S301で基板3の上に配置されたインプリント材4の寸法(例えば、直径)および配置位置を計測する。図8(a)には、駆動条件1で吐出口N(0)、N(1)、N(2)からインプリント材を吐出させた場合に基板3の上に配置されるインプリント材が丸印で示されている。R1(0)、R1(1)、R1(2)は、駆動条件1において基板3の上に配置されるインプリント材の直径を示している。ΔX1(0)、ΔX1(1)、ΔX1(2)は、駆動条件1において生じる目標位置Xtに対するインプリント材の位置のずれを示している。
図8(b)には、駆動条件2で吐出口N(0)、N(1)、N(2)からインプリント材を吐出させた場合に基板3の上に配置されるインプリント材が丸印で示されている。R2(0)、R2(1)、R2(2)は、駆動条件2において基板3の上に配置されるインプリント材の直径を示している。ΔX2(0)、ΔX2(1)、ΔX2(2)は、駆動条件2において生じる目標位置Xtに対するインプリント材の位置のずれを示している。
工程S304では、制御部20は、工程S301、S302の繰り返しによって得られた複数の駆動条件の下でのインプリント材の配置位置および寸法に基づいて特性情報を生成する。ここで、制御部20は、工程S302で計測によって取得したインプリントの寸法を、インプリント材の寸法と吐出量との関係に基づいて、吐出量に変換する。インプリント材の寸法と吐出量との関係は、インプリント材の種類ごとに予め実験等を通して特定することができ、該関係は、例えば、関数またはテーブルとして準備されうる。図8(c)は、図8(a)および図8(b)に示された結果に基づいて得られた特性情報を示している。
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
次に、上記のインプリント装置を使ってなされる物品製造方法について説明する。図9(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。
図9(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図9(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1と型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。
図9(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。
図9(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。なお、当該「薄く残存した部分」は、別のエッチング工程により予め除去しておくのもよい。図9(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
1:インプリント装置、2:型、3:基板、4:インプリント材、5:吐出部、8:ステージ、9:供給部、17:計測部、20:制御部

Claims (11)

  1. 基板の上で型を使ってインプリント材を成形するインプリント装置であって、
    前記基板を保持する可動のステージと、
    前記インプリント材を吐出する供給部と、
    前記インプリント材が前記基板の上に供給されるように前記ステージを移動させながら前記供給部に前記インプリント材を吐出させる制御部と、を備え、
    前記制御部は、前記供給部からのインプリント材の吐出量と該吐出量のインプリント材が目標物上に配置される位置との関係を示す特性情報に基づいて、前記基板の目標位置に目標量のインプリント材が配置されるように前記供給部からのインプリント材の吐出を制御する、
    ことを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記制御部は、前記基板の上にインプリント材を配置すべき複数の目標位置と、前記複数の目標位置のそれぞれに配置すべきインプリント材の目標量と、を示す目標情報を取得し、前記目標情報および前記特性情報に基づいて、前記供給部を制御するための制御情報を生成する、
    ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  3. 前記制御部は、前記供給部から前記目標物上にインプリント材を吐出させた結果に基づいて前記特性情報を生成する、
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント装置。
  4. 前記制御部は、前記目標物上におけるインプリント材の位置および寸法に基づいて前記特性情報を生成する、
    ことを特徴とする請求項3に記載のインプリント装置。
  5. 前記目標物上におけるインプリント材の位置および寸法を計測する計測部を更に備え、
    前記制御部は、前記計測部によって計測された結果に基づいて前記特性情報を生成する、
    ことを特徴とする請求項4に記載のインプリント装置。
  6. 前記制御部は、前記特性情報、前記目標量および前記目標位置に基づいて前記供給部からのインプリント材の吐出タイミングを決定する、
    ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  7. 前記制御部は、前記目標量に基づいて前記供給部の駆動条件を決定する、
    ことを特徴とする請求項6に記載のインプリント装置。
  8. 前記制御部は、前記特性情報、前記目標量に基づいて決定された前記駆動条件、および、前記目標位置に基づいて前記吐出タイミングを決定する、
    ことを特徴とする請求項7に記載のインプリント装置。
  9. 前記制御部は、前記特性情報および前記目標量に基づいて複数の駆動条件の中から前記駆動条件を選択する、
    ことを特徴とする請求項8に記載のインプリント装置。
  10. 前記制御部は、前記複数の駆動条件の中から選択された前記駆動条件においてインプリント材が目標物上に配置される位置に基づいて前記吐出タイミングを決定する、
    ことを特徴とする請求項9に記載のインプリント装置。
  11. 請求項1乃至10のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品製造方法。
JP2016140804A 2016-07-15 2016-07-15 インプリント装置、および物品製造方法 Active JP6742177B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016140804A JP6742177B2 (ja) 2016-07-15 2016-07-15 インプリント装置、および物品製造方法
KR1020197004399A KR102211390B1 (ko) 2016-07-15 2017-07-11 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
PCT/JP2017/025238 WO2018012488A1 (ja) 2016-07-15 2017-07-11 インプリント装置、および物品製造方法
US16/245,124 US11664225B2 (en) 2016-07-15 2019-01-10 Imprint apparatus, and product manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016140804A JP6742177B2 (ja) 2016-07-15 2016-07-15 インプリント装置、および物品製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018011029A true JP2018011029A (ja) 2018-01-18
JP6742177B2 JP6742177B2 (ja) 2020-08-19

Family

ID=60952099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016140804A Active JP6742177B2 (ja) 2016-07-15 2016-07-15 インプリント装置、および物品製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11664225B2 (ja)
JP (1) JP6742177B2 (ja)
KR (1) KR102211390B1 (ja)
WO (1) WO2018012488A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011199052A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Toshiba Corp パターン形成方法、加工方法および加工装置
JP2012054322A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Toshiba Corp インプリントレシピ作成装置及び方法並びにインプリント装置及び方法
JP2012098337A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Shibaura Mechatronics Corp 液滴塗布装置及び液滴塗布方法
JP2013065624A (ja) * 2011-09-15 2013-04-11 Fujifilm Corp インクジェットヘッドの吐出量補正方法、吐出量補正装置、及び機能性インク配置装置並びにナノインプリントシステム
JP2014103189A (ja) * 2012-11-19 2014-06-05 Dainippon Printing Co Ltd インプリント樹脂滴下位置決定方法、インプリント方法及び半導体装置製造方法
JP2016004794A (ja) * 2014-06-13 2016-01-12 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
JP2016027623A (ja) * 2014-07-02 2016-02-18 キヤノン株式会社 インプリント材の供給パターンの作成方法、インプリント方法及び装置、並びに物品の製造方法
JP2016092270A (ja) * 2014-11-06 2016-05-23 キヤノン株式会社 インプリントシステム及び物品の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5536231A (en) 1978-09-07 1980-03-13 Mitsui Toatsu Chem Inc Removal of free formaldehyde
US4563689A (en) * 1983-02-05 1986-01-07 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Method for ink-jet recording and apparatus therefor
US20070228593A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Residual Layer Thickness Measurement and Correction
US7360851B1 (en) * 2006-02-15 2008-04-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Automated pattern recognition of imprint technology
JP5495767B2 (ja) * 2009-12-21 2014-05-21 キヤノン株式会社 インプリント装置及び方法、並びに物品の製造方法
JP5460541B2 (ja) * 2010-03-30 2014-04-02 富士フイルム株式会社 ナノインプリント方法、液滴配置パターン作成方法および基板の加工方法
US20120189460A1 (en) * 2011-01-21 2012-07-26 General Electric Company Welded Rotor, a Steam Turbine having a Welded Rotor and a Method for Producing a Welded Rotor

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011199052A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Toshiba Corp パターン形成方法、加工方法および加工装置
JP2012054322A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Toshiba Corp インプリントレシピ作成装置及び方法並びにインプリント装置及び方法
JP2012098337A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Shibaura Mechatronics Corp 液滴塗布装置及び液滴塗布方法
JP2013065624A (ja) * 2011-09-15 2013-04-11 Fujifilm Corp インクジェットヘッドの吐出量補正方法、吐出量補正装置、及び機能性インク配置装置並びにナノインプリントシステム
JP2014103189A (ja) * 2012-11-19 2014-06-05 Dainippon Printing Co Ltd インプリント樹脂滴下位置決定方法、インプリント方法及び半導体装置製造方法
JP2016004794A (ja) * 2014-06-13 2016-01-12 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
JP2016027623A (ja) * 2014-07-02 2016-02-18 キヤノン株式会社 インプリント材の供給パターンの作成方法、インプリント方法及び装置、並びに物品の製造方法
JP2016092270A (ja) * 2014-11-06 2016-05-23 キヤノン株式会社 インプリントシステム及び物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6742177B2 (ja) 2020-08-19
KR20190027911A (ko) 2019-03-15
US11664225B2 (en) 2023-05-30
US20190148124A1 (en) 2019-05-16
KR102211390B1 (ko) 2021-02-03
WO2018012488A1 (ja) 2018-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102501452B1 (ko) 몰드에 의해 기판 상의 조성물을 성형하는 성형 장치 및 물품 제조 방법
JP7132739B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
US11841616B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
KR102274347B1 (ko) 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
JP7058951B2 (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
JP7241623B2 (ja) 形成方法、および物品の製造方法
JP7403325B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
JP6742177B2 (ja) インプリント装置、および物品製造方法
JP2018073989A (ja) インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法
JP2017199731A (ja) インプリント装置および物品製造方法
WO2017213133A1 (ja) 位置合わせ方法、インプリント装置、プログラム、および物品の製造方法
JP7441037B2 (ja) インプリント装置、情報処理装置、インプリント方法及び物品の製造方法
US11231648B2 (en) Imprint device, imprint method, and method for manufacturing article
JP7278163B2 (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
JP7362429B2 (ja) 成形装置、成形方法、および物品の製造方法
JP2019067917A (ja) インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP2018018944A (ja) インプリント方法、および物品の製造方法
KR20220165650A (ko) 성형 장치, 성형 방법, 및 물품 제조 방법
TW202313311A (zh) 液體排放裝置、液體排放方法、膜形成裝置和物品製造方法
KR20210093783A (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
JP2023058321A (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
US20190057881A1 (en) Imprint apparatus, imprinting method, and method of manufacturing article
KR20210117193A (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
KR20230065157A (ko) 임프린트 장치
JP2023156163A (ja) インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190701

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200413

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200602

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200629

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200728

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6742177

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151