JP2018006682A - ガス配管システム、化学気相成長装置、成膜方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 - Google Patents

ガス配管システム、化学気相成長装置、成膜方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】配管の閉塞が抑制されたガス配管システムを提供する。【解決手段】このガス配管システムは、内部で気相成長を行う反応炉に複数のガスを供給するランベント方式のガス配管システムであって、前記複数のガスをそれぞれ送通する複数の供給ラインと、前記反応炉の排気口から排気ポンプへ繋がる排気ラインと、前記複数の供給ラインからそれぞれ分岐し、前記反応炉に前記複数のガスを供給するランラインと、前記複数の供給ラインからそれぞれ分岐し、前記排気ラインに接続される複数のベントラインと、前記複数の供給ラインの分岐点にそれぞれ設けられ、ランライン側にガスを流すかベントライン側にガスを流すかを切り替える複数のバルブと、を備え、前記複数のベントラインは前記排気ラインに至るまで分離され、前記排気ラインの内径は前記複数のベントラインのそれぞれの内径より大きい。【選択図】図１

Description

本発明は、ガス配管システム、化学気相成長装置、成膜方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法に関する。
炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて優れた特性を有し、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。例えば、ＳｉＣの絶縁破壊電界はＳｉより１桁大きく、ＳｉＣのバンドギャップはＳｉより３倍大きく、ＳｉＣの熱伝導率はＳｉより３倍程度高い。このため、近年、半導体デバイスの基板としてＳｉＣエピタキシャルウェハに注目が集まっている。
ＳｉＣエピタキシャルウェハは、ＳｉＣ単結晶基板上に化学的気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）によってＳｉＣ半導体デバイスの活性領域となるＳｉＣエピタキシャル層を成長させて製造される。
ＳｉＣエピタキシャル層を成長させる際に、化学気相成長装置の反応炉内には原料ガス、ドーパントガス、エッチングガス、キャリアガス等が供給される。例えば、特許文献１には、ドーパントガスとしてアンモニアを用いることが記載されている。また特許文献２には、エッチングガスとして塩化水素、原料ガスとして塩化シランを用いることが記載されている。
また半導体デバイスの性能を高めるために、成膜されるエピタキシャル層の結晶性が高い高品質なエピタキシャルウェハが求められている。高品質なエピタキシャル層を安定的に作製する手段の一つとして、例えば特許文献３に記載のランベント方式のガス配管システムが知られている。ランベント方式のガス配管システムは、反応炉に導入されるガスの流速や圧力の変動を抑制し、結晶成長面におけるガスの乱れを抑制できる。
特開２００６−２６１６１２号公報 特開２００６−３２１６９６号公報 特開平４−２６０６９６号公報
しかしながら、上述のランベント方式の化学気相装置を用いても時間経過と共に、得られるエピタキシャル層の再現性が悪くなったり、結晶性が低下して高品質の膜が安定的に得られなくなるという問題があった。
この問題は、反応炉内には種々のガスが供給されるために生じていると考えられる。反応炉内に供給するガスの中には、組合せによって常温で互いに反応し固体の生成物を生成するガス（以下、堆積原因ガスという）が含まれている場合がある。
例えば、ＳｉＣエピタキシャル成長時において、塩化水素又は塩化シランとアンモニアを同時に用いると、塩化アンモニウムが形成され堆積物が生成される。このような堆積物は、ガスの配管を閉塞する可能性がある。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、配管の閉塞が抑制されたガス配管システムを提供することを目的とする。
反応炉にガスを送るランラインは、反応炉に供給されるガスが流れる配管であるため、結晶成長に直接的な影響を及ぼす可能性が高く、閉塞等が生じないように配慮がされていた。しかしながら、排気側に接続されるベントラインは、反応炉にガスを供給する配管ではなく、直接的な影響を与える可能性が低く、注目されていなかった。
このような技術常識の中で、本発明者らは、鋭意検討の結果、排気側のベントラインに注目した。そして、ベントラインを分離して配設することで、ベントラインの閉塞を抑制できることを見出した。その結果、ランラインとベントラインのガス流速及びガス圧力に差が生じることを抑制できると共に、結晶成長時の条件設定の自由度を高めることができることを見出した。
即ち、本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
（１）第１の態様にかかるガス配管システムは、内部で気相成長を行う反応炉に複数のガスを供給するランベント方式のガス配管システムであって、前記複数のガスをそれぞれ送通する複数の供給ラインと、前記反応炉の排気口から排気ポンプへ繋がる排気ラインと、前記複数の供給ラインからそれぞれ分岐し、前記反応炉に前記複数のガスを供給するランラインと、前記複数の供給ラインからそれぞれ分岐し、前記排気ラインに接続される複数のベントラインと、前記複数の供給ラインの分岐点にそれぞれ設けられ、ランライン側にガスを流すかベントライン側にガスを流すかを切り替える複数のバルブと、を備え、前記複数のベントラインは、前記排気ラインに至るまで分離され、前記排気ラインの内径は前記複数のベントラインのそれぞれの内径より大きい。
（２）上記態様にかかるガス配管システムの前記ランラインにおいて、前記分岐点から繋がるそれぞれの配管は、前記反応炉に至るまでに合流する構成でもよい。
（３）上記態様にかかるガス配管システムは、前記複数のベントラインの内、少なくとも一つのベントラインは前記排気ラインに接続され、残りのベントラインは独立に設けられた別の排気ポンプにそれぞれ接続される構成でもよい。
（４）上記態様にかかるガス配管システムにおいて、前記複数のベントラインのそれぞれとの接続点における前記排気ラインの配管内径が３ｃｍ以上であってもよい。
（５）第１の態様にかかる化学気相成長装置は、上記態様にかかるガス配管システムと、前記ガス配管システムに接続された反応炉と、を備える。
（６）第１の態様にかかる成膜方法は、上記態様にかかる化学気相成長装置を用いた成膜方法であって、常温で互いに反応して固体の化合物を生成する堆積原因ガスを、それぞれ分離された異なるベントラインに送通する。
（７）上記態様にかかる成膜方法において、前記複数のベントラインが合流する前記排気ラインにおいて、前記堆積原因ガスのそれぞれのガス濃度が前記排気ラインを送通するガス全体の５％以下であってもよい。
（８）第１の態様にかかるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、上記態様にかかる成膜方法を用いたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、前記堆積原因ガスが、分子内にＮ原子を含み、かつＮ原子同士の２重結合、３重結合のいずれも有さない分子で構成される塩基性のＮ系ガスと、分子内にＣｌ原子を含む分子で構成されるＣｌ系ガスである。
上記態様にかかるガス配管システムによれば、配管の閉塞を抑制できる。その結果、化学気相成長装置のランラインとベントラインのガス流速及びガス圧力に差が生じることを抑制できると共に、結晶成長時の条件設定の自由度を高めることができる。
第１実施形態にかかる化学気相成長装置の模式図である。 ベントラインが排気ラインに至るまでに合流する化学気相成長装置の模式図である。 第２実施形態にかかる化学気相成長装置の模式図である。 第３実施形態にかかる化学気相成長装置の模式図である。
以下、ガス配管システムおよび化学気相成長装置について、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材質、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態にかかる化学気相成長装置の模式図である。図１に示す化学気相成長装置１００は、ガス配管システム１０と、反応炉２０と、排気ポンプ３０とを備える。反応炉２０には、ガス配管システム１０から複数のガスが供給される。反応炉２０及び排気ポンプ３０は、公知のものを用いることができる。
ガス配管システム１０は、供給ライン１と、排気ライン２と、ランライン３と、ベントライン４と、バルブ５と、を備えるランベント方式のガス配管システムである。
供給ライン１は、反応炉２０に供給するガス毎に複数設けられている。それぞれの供給ライン１の一端は、ガスボンベ等のガス供給手段（図視略）に接続される。
それぞれの供給ライン１は、ランライン３とベントライン４に分岐する。分岐部には、ガスの流れを制御するバルブ５がそれぞれ設けられる。
ランベント方式では、バルブ５はラン側１つとベント側１つのペアからなるバルブの組となっている。ペアのバルブは同形の物を用い、供給ラインの分岐点になるべく近い位置に、対称に配置される。このようなバルブのペアは、供給するガスの種類により複数、近接する位置に設置される。近接する位置に配置することにより、エピタキシャル成長のプロセスでガスを切り替える際、各供給ガスの切り替えの遅れを極力少なくすることができる。このような複数のペアバルブをブロック状にまとめたブロックバルブを用いることもある。
ペアとなるバルブ５は、ガスを流通する場合、一方が開となるとき他方が閉となる様に使用され、同時に開になることはない。たとえば、初めにベント側を開にしておいて流量を安定させておいてから、ラン側の開とベント側の閉を同時に行うことにより、流量制御が変動してガス流量が乱れることを防止することができる。
ランライン３は、バルブ５と反応炉２０とを繋ぐ。図１に示すランライン３は、それぞれの供給ライン１から分岐した配管が、バルブ５と反応炉２０を繋ぐ過程で合流している。すなわち、ランライン３は、一つのマニホールドとして構成されている。ランライン３を一つのマニホールドとして構成することにより、バルブ５のラン側の位置を近接させることができる。バルブ５のラン側の位置が近接することで、上述の様にエピタキシャル成長のプロセスでガスを切り替える際、各供給ガスの切り替えの遅れを極力少なくすることができる。
ベントライン４は、バルブ５と排気ライン２とを繋ぐ。排気ライン２は、反応炉２０の排気口と排気ポンプ３０を繋ぐ配管である。供給ライン１から分岐したそれぞれのベントライン４は、排気ライン２に至るまで分離されている。そのため、排気ライン２に至るまで、ベントライン４内を流れるガス同士が混合されることはない。
供給ライン１、排気ライン２、ランライン３及びベントライン４に用いられる配管及びバルブ５に用いられる切り替えバルブは、公知のものを用いることができる。
以下、反応炉２０内でＳｉＣエピタキシャルウェハを製造する場合を例に、化学気相成長装置１００内のガスの流れについて説明する。
まず、ＳｉＣエピタキシャルウェハを結晶成長に用いられるガスについて説明する。ＳｉＣエピタキシャルウェハを結晶成長には、原料ガス、ドーパントガス、エッチングガス、キャリアガス等の複数のガスが用いられる。
ここで、ＳｉＣエピタキシャルウェハの結晶成長に用いられる複数のガスを、「Ｓｉ系ガス」、「Ｃ系ガス」、「Ｃｌ系ガス」、「Ｎ系ガス」、「その他の不純物ドーピングガス」「その他のガス」の６つに区分する。
「Ｓｉ系ガス」は、ガスを構成する分子の構成元素としてＳｉが含まれるガスである。例えばシラン（ＳｉＨ４）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４）等が該当する。Ｓｉ系ガスは、原料ガスの一つとして用いられる。
「Ｃ系ガス」は、ガスを構成する分子の構成元素としてＣが含まれるガスである。例えば、プロパン（Ｃ３Ｈ８）等が該当する。Ｃ系ガスは、原料ガスの一つとして用いられる。
「Ｃｌ系ガス」は、ガスを構成する分子の構成元素としてＣｌが含まれるガスである。例えば、塩化水素（ＨＣｌ）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４）等が該当する。ここで、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４）は、上記のＳｉ系ガスでもある。これらのガスのように、「Ｃｌ系ガス」であり、「Ｓｉ系ガス」であるという場合もある。Ｃｌ系ガスは、原料ガス又はエッチングガスとして用いられる。
「Ｎ系ガス」は、ガスを構成する分子の構成元素としてＮが含まれるガスであり、かつＮ原子同士の２重結合、３重結合のいずれも有さない分子で構成される塩基性のガスである。例えば、メチルアミン（ＣＨ５Ｎ）、ジメチルアミン（Ｃ２Ｈ７Ｎ）、トリメチルアミン（Ｃ３Ｈ９Ｎ）、アニリン（Ｃ６Ｈ７Ｎ）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、ジメチルヒドラジン（Ｃ２Ｈ８Ｎ２）、その他アミンからなる群のいずれか一つ等が該当する。すなわち、Ｎ２は、ガスを構成する分子の構成元素としてＮが含まれるがＮ系ガスには該当しない。Ｎ系ガスは、不純物ドーピングガスの一つとして用いられる。
「その他の不純物ドーピングガス（図視略）」は、Ｎ系ガス、Ｃｌ系ガス以外の不純物ドーピングガスである。例えば、Ｎ２、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）等が該当する。
「その他のガス」は、上記の５つの区分のガスに該当しないガスである。例えば、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ２等が該当する。これらのガスは、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造のサポートをするガスである。「その他のガス」は、例えば原料ガスがＳｉＣウェハまで効率的に供給するためにガスの流れをサポートするキャリアガスとして用いられる。
これらのガスの内、塩基性のＮ系ガスと酸性のＣｌ系ガスは、混合すると化学反応が生じ、固体生成物が生成される。例えば、Ｎ系ガスとしてアンモニア、Ｃｌ系ガスとして塩化水素を混合すると、塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ）が形成される。他にも、Ｎ系ガスとしてメチルアミン（ＣＨ５Ｎ）、Ｃｌ系ガスとして塩化水素を混合すると、モノメチルアミン塩酸塩（ＣＨ５Ｎ・ＨＣｌ）が形成される。さらに、Ｎ系ガスとしてアンモニア、Ｃｌ系ガスとしてジクロロシランを混合させると、塩化アンモニウムが形成されるという報告もある。塩化アンモニウムの昇華温度は３３８℃であり、モノメチルアミン塩酸塩の融点は２２０〜２３０℃、沸点は２２５〜２３０℃である。すなわち、６０℃以下の常温においては、これらの固体生成物は生成される。
化学気相成長装置１００では、これらのガスをそれぞれ別々にガス供給手段（図視略）から供給ライン１へ供給する。供給ライン１には、ガスボンベやガスタンクから供給される純度の高いガスが供給される。そのため、供給ライン１は、通常、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造に用いるガス種毎に配設される。混合した際に固体生成物を生成しないガス種同士であれば、一つの供給ライン１に複数のガスを供給してもよい。
供給ライン１に供給されたガスは、それぞれバルブ５に至る。バルブ５は、ランライン３側にガスを流すかベントライン４側にガスを流すかを切り替える。反応炉２０に供給する必要がある場合はランライン３側にガスを流し、不要な場合はベントライン４側にガスを流す。
ランライン３に流れたガスは、反応炉２０内で反応し、排気ライン２を介して排気ポンプ３０から排出される。またベントライン４に流れたガスは、そのまま排気ライン２に流れ、排気ポンプ３０から排出される。供給ライン１を流れるガスの流量を一定にしたままで、バルブ５の切り替えによって反応炉にガスを供給することにより、反応炉に流れ始めた初期から供給ライン１からの供給ガス量が安定し、ガスの切り替えに伴う流量変動が抑えられる。そのため、ガス流量及びガス圧力が変動して、不安定的な結晶成長が行われることが防止される。
ここで、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造過程のあるタイミングにおいて、反応炉２０内にＮ系ガス及びＣｌ系ガスのいずれも供給しない場合について具体的に説明する。
反応炉２０内にＮ系ガス及びＣｌ系ガスのいずれも供給しない場合、供給ライン１から供給されたＮ系ガス（符号Ｇ１）及びＣｌ系ガス（符号Ｇ２）は、いずれもバルブ５によって制御され、ベントライン４側に流れる。
図１に示すガス配管システム１０では、ベントライン４がガス毎に分離されている。そのため、Ｎ系ガスとＣｌ系ガスは排気ライン２に至るまで混合されることはない。Ｎ系ガスとＣｌ系ガスが混合しなければ、ベントライン４内で固体生成物が生じることもなく、ベントライン４が閉塞することはない。
これに対し、図２に示す化学気相成長装置１０１のガス配管システム１１は、ベントライン１４が排気ライン２に至るまでに合流している。そのため、ベントライン１４内で、Ｎ系ガスとＣｌガスが混合し、固体生成物が生成される。その結果、ベントライン１４が閉塞する。ガス供給部はリアクター上流に配置され、リアクターまでの距離は一般に短いが、ベントラインはリアクターの下流側まで導かれて配管されるためラン側ラインよりも長くなってしまう場合があり閉塞しやすい。また、ベントライン１４には、一般に内径が１／４インチ（９．２ｍｍ）又は３／８インチ（１２．７ｍｍ）の狭い配管が用いられることが多く、閉塞しやすい。
ベントライン１４が閉塞すると、ベントライン１４のコンダクタンスが低下し、ランライン３とベントライン１４とで、ガスの流れやすさが変わる。すなわち、ガス流速や圧力変動を抑える目的のランベント方式が機能しなくなる。また場合によっては、完全にベントライン１４が詰まり、ガスが流れなくなることも考えられる。
一方、本実施形態にかかるガス配管システム１０においても、Ｎ系ガスとＣｌ系ガスは、排気ライン２において合流している。そのため、排気ライン２が閉塞するおそれがある。しかしながら、排気ライン２は、反応炉２０内のガスを排出する必要があり、ベントライン４よりも太い配管が用いられる。また排気ライン２は、排気ポンプ３０によって直接排気されるため、ベントライン４よりもガス流速が早い。そのため、排気ライン２を閉塞するほど固体生成物が堆積し、排気ライン２のコンダクタンスが影響を及ぼすほど大きく変化することは、通常の使用において想定されない。
また排気ライン２内における固体生成物の堆積をより抑制するためには、排気ライン２のベントライン４との接続点における配管内径を３ｃｍ以上にすることが好ましい。配管内径の比率では、排気ライン２の配管内径は、ベントライン４の配管内径の５倍以上にすることが好ましい。また複数のベントライン４が合流する排気ライン２において、堆積原因ガスであるＮ系ガス及びＣｌ系ガスのガス濃度を、排気ライン２を送通するガス全体の５％以下とすることが好ましい。
上述のように、第１実施形態にかかる化学気相成長装置１００によれば、ベントライン４内で堆積原因ガスが混合することが無く、ベントライン４配管内で閉塞することはない。ベントライン４が閉塞しなければ、化学気相成長装置１００全体としてのガス流速や圧力変動を抑えることができ、安定的に高品質の膜を製造することができる。また、ベントライン４に流すガス量等を自由に設定することができ、化学気相成長装置１００を制御する設定の自由度を高めることができる。
（第２実施形態）
図３は、第２実施形態にかかる化学気相成長装置１１０の模式図である。第２実施形態にかかる化学気相成長装置１１０におけるガス配管システム１５は、ランライン１３が反応炉２０に至るまで分離されている点が異なる。その他の構成は、第１実施形態にかかる化学気相成長装置１００と同様であり、同一の構成には同一の符号を付している。
ランライン１３が互いに分離されていると、ランライン１３において堆積原因ガス同士が混合することを防げる。すなわち、ランライン１３内の閉塞を抑制できる。一方で、ランライン１３を分離すると、第１実施形態にかかる化学気相成長装置１００より反応炉２０に必要なガスを供給するタイミングがずれる場合がある。
そのため、結晶成長させる対象、用いるガス種等に合わせて、第１実施形態にかかる化学気相成長装置１００と第２実施形態にかかる化学気相成長装置１１０を適宜使い分けることが好ましい。なお、通常、エピタキシャル成長において反応炉２０側に流れるランラインを優先してガス流量のプログラムが決められる。そのため、ランラインは閉塞を抑制するためのガス切り替え等の制御も優先して設定することができ、ベントラインと比較して閉塞が生じないような制御を行いやすい。これに対し、実施形態にかかるガス配管システムのベントラインを適用すると、ベント側の閉塞を考慮せずにラン側の条件を設定できる。さらに、第２実施形態にかかるガス配管システムを適用することにより、ランラインの方の制約も少なくなり、エピタキシャル成長の条件をより自由に設定することが可能になる。
（第３実施形態）
図４は、第３実施形態にかかる化学気相成長装置１２０の模式図である。第３実施形態にかかる化学気相成長装置１２０におけるガス配管システム１６は、一部のベントライン２４が排気ライン２に接続され、残りのベントライン２４が独立に設けられた別の排気ポンプ３１に接続されている点が異なる。その他の構成は、第１実施形態にかかる化学気相成長装置１００と同様であり、同一の構成には同一の符号を付している。
第３実施形態にかかる化学気相成長装置１２０では、堆積原因ガスは排気ライン２でも合流しない。すなわち、堆積原因ガスをガス配管システム１６に供給してから排出するまで完全に分離している。そのため、堆積原因ガスが混合することにより固体生成物が生成されることはない。
一方で、排気ポンプを複数台準備する必要がある。排気ポンプを設置するスペース及びコストがかかるという問題がある。そのため、化学気相成長装置を設置する環境、準備可能な排気ポンプの台数等に合わせて、第１実施形態にかかる化学気相成長装置１００と第３実施形態にかかる化学気相成長装置１２０を適宜使い分けることが好ましい。
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
またここまで、ＳｉＣエピタキシャルウェハを製造する場合を例に説明したが、この場合に限られず、その他の膜を作製する場合においても上記実施形態にかかる化学気相成長装置を用いることができる。
１…供給ライン、２…排気ライン、３…ランライン、４，１４，２４…ベントライン、５…バルブ、１０，１１，１５，１６…ガス配管システム、２０…反応炉、３０，３１…排気ポンプ、１００，１０１，１１０，１２０…化学気相成長装置

Claims (8)

  1. 内部で気相成長を行う反応炉に複数のガスを供給するランベント方式のガス配管システムであって、
    前記複数のガスをそれぞれ送通する複数の供給ラインと、
    前記反応炉の排気口から排気ポンプへ繋がる排気ラインと、
    前記複数の供給ラインからそれぞれ分岐し、前記反応炉に前記複数のガスを供給するランラインと、
    前記複数の供給ラインからそれぞれ分岐し、前記排気ラインに接続される複数のベントラインと、
    前記複数の供給ラインの分岐点にそれぞれ設けられ、ランライン側にガスを流すかベントライン側にガスを流すかを切り替える複数のバルブと、を備え、
    前記複数のベントラインは前記排気ラインに至るまで分離され、前記排気ラインの内径は前記複数のベントラインのそれぞれの内径より大きい、ガス配管システム。
  2. 前記ランラインにおいて、前記分岐点から繋がるそれぞれの配管は、前記反応炉に至るまでに合流する請求項１に記載のガス配管システム。
  3. 前記複数のベントラインの内、少なくとも一つのベントラインは前記排気ラインに接続され、残りのベントラインは独立に設けられた別の排気ポンプにそれぞれ接続されている請求項１又は２のいずれかに記載のガス配管システム。
  4. 前記複数のベントラインのそれぞれとの接続点における前記排気ラインの配管内径が３ｃｍ以上である請求項１〜３のいずれか一項に記載のガス配管システム。
  5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載のガス配管システムと、前記ガス配管システムに接続された反応炉と、を備える化学気相成長装置。
  6. 請求項５に記載の化学気相成長装置を用いた成膜方法であって、
    常温で互いに反応して固体の化合物を生成する堆積原因ガスを、それぞれ分離された異なるベントラインに送通する成膜方法。
  7. 前記複数のベントラインが合流する前記排気ラインにおいて、前記堆積原因ガスのそれぞれのガス濃度が前記排気ラインを送通するガス全体の５％以下である請求項６に記載の成膜方法。
  8. 請求項６または７のいずれかに記載の成膜方法を用いたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、
    前記堆積原因ガスが、分子内にＮ原子を含み、かつＮ原子同士の２重結合、３重結合のいずれも有さない分子で構成される塩基性のＮ系ガスと、分子内にＣｌ原子を含む分子で構成されるＣｌ系ガスであるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
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