JP2018006253A - 高周波特性を向上させた同軸コネクタ - Google Patents

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Abstract

【課題】 端末誘電体層長さに偏差がある場合においても、安定した高周波特性(VSWR)を発揮できる同軸コネクタを提供する。
【解決手段】 同軸コネクタPは、同軸ケーブル1の折り返し編組13´の外周に圧着される圧着部6、及び、ボディ7を有する外部導体8や、ケーブル1の中心導体11に圧着されるコンタクト5、インシュレータ9などを備える。さらに、インシュレータ9に外嵌されているとともに、外部導体8と導通するインナースリーブ4を備える。インナースリーブ4には、折り返し編組13´と接触する、伸縮自在な接触片4bが形成されている。
【選択図】 図5

Description

本発明は、同軸ケーブルを接続する同軸コネクタに関する。特には、ケーブル端末の加工精度の影響を受けにくいように改良を加え、高周波特性を向上させた同軸コネクタに関する。
同軸ケーブルは、外部への電磁波漏えいや、外部電磁波の侵入が少ないことから、高周波信号の伝送用ケーブルとして、広く用いられている。同軸ケーブルは、テレビ受像機とアンテナとをつなぐケーブルとして、馴染み深いものであるが、近年、車載用としても、カーナビのGPS信号の伝送ケーブルや、カーラジオのアンテナ−チューナー間のケーブル、車載カメラの信号伝送ケーブルなどとして、普及してきている。
複数の同軸ケーブルを接続する同軸コネクタも、多くの種類のものが製造販売されている。以下に、同軸コネクタに関する特許文献を例示する。
特開平5−347170号公報 特開2001-189180号公報 特表2008-543005号公報 特開2010-97823号公報
図11は、同軸ケーブルコネクタの一従来例の断面斜視図である。上のPがプラグ(オス)であり、下のJがジャック(メス)である。なお、図では、プラグP又はジャックJの接続部(プラグコンタクト105の先端部105bとジャックコンタクト205の先端部205b)が、ともに図の左斜め下を向いているが、実際の接続時には、両接続部を対向させて嵌合させる。以下、従来例の同軸ケーブル1及びコネクタP・Jの概要を説明する(詳細及び加工・組立工程については図12・図13を参照しつつ後述する)。なお、各図において、「先」とはコンタクトの嵌合部側のことをいい、「元」とはケーブルの側をいう。
同軸ケーブル1は、図の右側に示すように、中心から外側に、中心導体11・誘電体(絶縁体)層12・編組(編組み銅線)13・シース(保護被覆)14からなる。このうち、コネクタ部との接続部における編組13は、その外周に圧着されたスリーブ103の先端部から外周に折り返されている(折り返し編組13´、折り返し加工の方法については図12を参照しつつ後述する)。
折り返し編組13´の外周には、外部導体108の圧着部106が圧着されている。圧着部106の先には、略円筒形のボディ107がつながっている。ボディ107の内部には、略円筒形のインシュレータ109が嵌め込まれている。インシュレータ109の内部には、オス型のコンタクト105が差し込まれている。コンタクト105は、その元端部105gにおいて、ケーブル1の中心導体11に圧着されている。
ジャックJは、プラグPと、ほぼ同様の構造をしており、プラグPの各部に100を加えた符号で示す部位は、同じ名前の部分を示す。ただし、ジャックJのコンタクト205は、メス型であって、その中心孔205cには、コネクタ接続時には、プラグPのオス型コンタクト105の先端挿入部105bが挿入される。また、ジャックJの外部導体ボディ207の先端部207bもメス型となっており、その内孔207cに、プラグPの外部導体ボディ107の先端部107bが挿入される。これにより、両ケーブル1の中心導体11同士が、両コンタクト105・205を介して導通するとともに、両ケーブル1の編組13同士が、折り返し編組13´、外部導体108・208を介して導通する。
次に、図12・図13を参照しつつ、図11の同軸コネクタを用いたケーブル接続作業の概要を説明する。
図12(A)には、同軸ケーブル1の端部が示されている。ここから、ケーブルの一番外側のシース14を、ある長さLBだけ、皮むきした状態が(B)であり、皮むき部に編組13の外面が現れている。次に、(C)に示すように上広がりU字状のスリーブ103を、皮むきして表れた編組13外面の元側の部分に圧着する(カシメ付ける)と、(D)の状態となる。
次に、(E)に示すように、スリーブ103に覆われていない先側の編組13を、元側のスリーブ103の外周面に折り返す。折り返したものが折り返し編組13´である。次いで、(F)に示すように、誘電体層12を長さLF1だけ残して皮むきする。また、中心導体11を、長さLF2となるように切る。
その後、図13(G)に示すように、中心導体11の外面にコンタクト105の元端部105gを圧着し、中心導体11の先にコンタクト105を取付ける。さらに、(H)に示すように、外部導体ボディ107内に組み込まれたインシュレータ109の内孔109dに、コンタクト105の中央部105dを、元側から差し込む。差し込んだ後、外部導体圧着部106を折り返し編組13´の外面に圧着すると、図11のプラグPのように組み上がる。なお、図示及び説明は省略するが、ジャックJも同様に、ケーブル端末加工と組立て行うことができる。
上記のような同軸ケーブル端末加工においては、図14に示すように、同軸ケーブル1の端末加工の際において、皮むき後露出した誘電体層12の長さBに、加工偏差が生じる。
そのため、図15に示すように、組立て後のプラグPにおいて、折り返し編組13´の先側端面13´bと、同面と対向するボディ107の端面107xとの間の隙間Cの大きさが、変わってくる。すなわち、図15(A)は、皮むき後露出した誘電体層12の長さB3及び隙間C3が最大である。同図(B)は、同長さB2及び隙間C2がノミナルである。同図(C)は、同長さB1及び隙間C1が最小である。なお、ボディ107の外周が、折り返し編組13´の端面13´bの近傍で大径になっている(ベローズ状に張り出している)のは、コネクタハウジング(図示されず)挿入時の軸ズレを防止するためである。
上記隙間Cの差は、隙間C部分において、空気層の大きさの差が存在することを意味する。空気層は電気的には誘電率の低い層であるので、空気層の大小により、同軸コネクタの電気的特性(インピーダンス特性や高周波特性(VSWR))が影響を受ける。
一般に、同軸コネクタの高周波特性を悪化させる大きな要因の一つとして、インピーダンスの不整合が挙げられる。図9は、同軸コネクタの長手方向に、インピーダンス(TDR、Ω)をシミュレーションしたグラフである。上段のB1(min.)は、露出した誘電体層12の長さが最小の場合であり、中段のB2(nomi.)は、露出した誘電体層12の長さが設計値の場合であり、下段のB3(max.)は、露出した誘電体層12の長さが最大の場合である。図中の小幅破線のカーブ(Patern D、ほとんど長破線Patern Bと重なっている)が、従来の同軸コネクタの場合である(他の種類の線については、本発明の実施形態の説明において後述する)。
図9には、インピーダンスが急変するピーク状の部分が、各段のカーブに三箇所ずつ存在することが見てとれる。この三箇所のピーク部分のうち、両サイドの部分は、端末加工部(露出した誘電体層12の周りの部分)である。中央のピークは、オスメスコンタクト105・205の嵌合部分である。これらのピークのうち、中央のピークは、上中下の欄でほぼ一定である。しかし、両サイドのピークは、B1(min.)の欄が比較的低いのに対して、B2(nominal)・B3(max.)の欄で相当高くなっている(中央ピークよりも高くなっている)ことが分かる。これは、折り返し編組13´とボディ107との間に、図15を参照しつつ前述したように、誘電率の低い空気層が広がっているため、同部でインピーダンスの増加を招いたものと考えられる。
次に、図9に示すようなインピーダンスの不整合が同軸コネクタに存在する場合における、同軸コネクタの高周波特性の悪化について説明する。
図10は、同軸コネクタに流れる信号の周波数(横軸、GHz)と、VSWR;Voltage Standing Wave Ratio (電圧定在波比、縦軸、Y1)との関係を表すグラフであって、シミュレーションにより作製したものである。上段のB1(min.)は、露出した誘電体層12の長さが最小の場合であり、中段のB2(nominal)は、露出した誘電体層12の長さが設計値の場合であり、下段のB3(max.)は、露出した誘電体層12の長さが最大の場合である。図中の小幅破線のカーブ(Patern D、ほとんど長破線Patern Bと重なっている)が、従来の同軸コネクタの場合である(他の種類の線については、本発明の実施形態の説明において後述する)。
図10において、各段ともに、信号の周波数が高くなるほど、VSWRは高くなる傾向がある。そして、B2(nominal)及びB3(max.)のカーブにおいては、ほぼ5GHzのあたりに、ピークが出現している。このピークは、同軸ケーブルの誘電体層12の端末加工長さ(端末誘電体層長さ)が長くなることによるインピーダンスの不整合に起因するものである。なお、近い将来に達成が求められるVSWRの目標値は、周波数6GHzで1.5以下と予想される。従来品では、端末誘電体層長さB2(nominal)及びB3(max.)において、この目標値を超えることとなる。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、端末誘電体層長さに偏差(ばらつき)がある場合においても、安定した高周波特性(VSWR)を発揮できる同軸コネクタを提供することを目的とする。
この「課題を解決するための手段」の項、及び、「特許請求の範囲」においては、添付図各部の参照符号を括弧書きして示すが、これは単に参考のためであって、権利範囲を添付図のものに限定するものではない。
本発明の同軸コネクタ(P・J)は、 中心から外側に、中心導体(11)、誘電体層(12)、編組(13)、及び、シース(14)からなる同軸ケーブル(1)を接続するための同軸コネクタ(P・J)であって、 このうち、前記編組(13)の外周に圧着され、該編組(13)が外周に折り返されるスリーブ(3・53)と、 前記編組(13)が折り返された折り返し編組(13´)の外周に圧着される圧着部(6・56)、及び、該圧着部の先につながるボディ(7・57)を有する外部導体(8・58)と、 前記ケーブル1の中心導体11に圧着されるコンタクト(5・55)と、 前記ボディ(7・57)に内蔵されているとともに、前記コンタクト(5・55)が差し込まれるインシュレータ(9、59)とを備え、
さらに、前記インシュレータ(9、59)に外嵌されているとともに、前記外部導体(8・58)と導通するインナースリーブ(4・54)を備え、 該インナースリーブ(4・54)に、前記折り返し編組(13´)と接触する、伸縮又はスライド自在な接触片(4b・54b)が形成されていることを特徴とする。
接触片(4b・54b)は、折り返し編組(13´)と外部導体(8・58)とをブリッジして導通させる。接触片(4b・54b)は、伸縮又はスライド自在であり、端末誘電体層長さに偏差(ばらつき)がある場合においても、折り返し編組(13´)と外部導体(8・58)との間に、経路が短く外部導体内径よりも外径の小さい導通路を確保する。また、接触片(4b・54b)は、上記両者間の空気層に存在する導電体であるので、空気層の存在に伴うインピーダンス増加を抑制する。これにより、安定した高周波特性(VSWR)を発揮できる同軸コネクタを提供できる。
なお、接触片(4b・54b)を、インシュレータ(9、59)に外嵌されているインナースリーブ(4・54)に形成することにより、部品点数を増やさずにすむ利点がある。なお、インナースリーブ(4・54)は、外部導体(8・58)内でのインピーダンス整合の役割も持つ。
本発明においては、さらに、前記インシュレータ(9、59)の、前記折り返し編組(13´)の端面(13´b)と対向する端面(9b・59b)に張り出す係止片(4d・54d)を、前記インナースリーブ(4・54)に形成することができる。係止片(4d・54d)も、上記両者間の空気層に存在する導電体であるので、空気層の存在に伴うインピーダンス増加を抑制する。これにより、より安定した高周波特性(VSWR)を発揮できる同軸コネクタを提供できる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、端末誘電体層長さに偏差(ばらつき)がある場合においても、安定した高周波特性(VSWR)を発揮できる同軸コネクタを提供することができる。
本発明の実施形態に係る同軸コネクタ(プラグP、オス型)の断面斜視図である。 図1の同軸コネクタの分解斜視図である。 図1の同軸コネクタのインナースリーブ4を斜め元側から見た斜視図である。 図1の同軸コネクタのインナースリーブ4とインシュレータ9、外部導体8の組立状態を斜め元側から見た断面斜視図である。 図1の同軸コネクタのインナースリーブ4の接触片4bの作用を示す断面図である。同図(A)は、端末誘電体層長さB3が最大の場合であり、同図(B)は、同長さB2がノミナルの場合であり、同図(C)は、同長さB1が最小での場合である。 本発明の実施形態に係る同軸コネクタ(ジャックJ、メス型)の断面斜視図である。 図6の同軸コネクタの分解斜視図である。 図6の同軸コネクタのインナースリーブ54とインシュレータ59の組立状態を斜め元側から見た斜視図である。 同軸コネクタの長手方向に、インピーダンス(TDR、Ω)をシミュレーションした結果を表すグラフである。 同軸コネクタに流れる信号の周波数(横軸、GHz)と、VSWR;Voltage Standing Wave Ratio (電圧定在波比、縦軸、Y1)との関係を表すグラフであって、シミュレーションした結果を表すグラフである。 従来の同軸ケーブルコネクタの一例の断面斜視図である。上のPがプラグ(オス)であり、下のJがジャック(メス)である。 図11の従来の同軸コネクタを用いたケーブル接続作業の概要を示す斜視図である。 図11の従来の同軸コネクタを用いたケーブル接続作業の概要を示す斜視図である。 同軸ケーブル1の端末加工における、皮むき後露出した誘電体層12の長さBに、加工偏差が生じることを示す側面図である。 従来の組立て後のプラグPにおいて、折り返し編組13´の先側端面13´bと、同面と対向するボディ107の端面107xとの間の隙間Cが、変わってくる様子を示す側面断面図である。 本発明の他の実施形態に係る同軸コネクタにおける、インナースリーブ304の接触片304bの形態、及び、折り返し編組13´との関係を示す断面図である。
P;プラグ(オス)、J;ジャック(メス)
1;同軸ケーブル、11;中心導体、12;誘電体(絶縁体)層、13;編組(編組み銅線)、13´;折り返し編組、13´b;端面、13´x;折り返し編組外周面、
14;シース(保護被覆)
3;スリーブ
4;インナースリーブ、4b;接触片、4bb;根元部、4bc;内突部、4bd;V谷部、
4bg;持ち上がり部、4d;係止片、4f;根元部、4g;端部、4j;外凸部、4k;抉れ、
4p;窓、4s;胴部、4v;先側、4x;外凸部、4y;抉れ、
5;コンタクト、5b;先端部、5d;中央部、5g;元端部
6;圧着部、7;ボディ、7x;ボディ端面、8;外部導体
9;インシュレータ、9b;元側端面、9g・9f;インナースリーブ係合部、9h;細径部、9r;台状凸部
53;スリーブ、54;インナースリーブ、54b;接触片、54d;係止片、
55;コンタクト、56;圧着部、57;ボディ、58;外部導体、
59;インシュレータ、59b;端面、59h;細径部
103;スリーブ、105;プラグコンタクト、105b;先端部、105d;中央部、105g;元端部、106;圧着部、107;ボディ、107b;先端部、107x;端面、
108;外部導体、109;インシュレータ、109d;内孔
205;ジャックコンタクト、205b;先端部、205c;中心孔、206;圧着部
207;ボディ、207b;先端部、207c;内孔、208;外部導体、209;インシュレータ
304;インナースリーブ、304b;接触片、304bc;内突部、304bd、V谷部
304bg;外側持ち上がり部
以下、本発明の実施形態に係る同軸コネクタについて、図面を参照しながら説明する。まず、図1〜図5を参照して、プラグP(オス型)のコネクタについて説明する。なお、各図において、前述の従来の図における参照符号から100を引いた符号は、実質的に同様の部分を示す。以下の説明においては、従来の同軸コネクタと同様の部位については、その概要の説明に止めるか、説明を省略する。本実施形態の特徴部分であるインナースリーブ4及びその周りの構成・作用については詳述する。
図1は、本発明の実施形態に係る同軸コネクタ(プラグP、オス型)の断面斜視図である。図2は、図1の同軸コネクタの分解斜視図である。これらの図において、同軸ケーブル1の構造は、折り返し編組13´も含めて、従来のものと同じである。また、折り返し編組13´形成用のスリーブ3、圧着部6及び円筒形のボディ7からなる外部導体8の構造は、図11の従来の場合と実質的に同じである。なお、圧着部6の2つのバレルのうち、ボディ7寄りのバレル6bは、折り返し編組13´の外面に圧着される部分であり、その隣(元側)のバレル6dは、シース14の外面に圧着される部分である(バレル6dの元側の平たい帯状のものは連鎖状に多数ならんでいる圧着部6をつなぐキャリアである)。
ボディ7の内部には、略円筒形のインシュレータ9が嵌め込まれている。インシュレータ9の内部には、オス型のコンタクト5が差し込まれている。コンタクト5は、その元端部5gにおいて、ケーブル1の中心導体11に圧着されている。インシュレータ9は、全体としては細長い筒状のものであり、従来のそれと同様のものであるが、その元側外面に、インナースリーブ4との係合部9f・9gが突出するように形成されている。また、元先方向中央部の外面には、細径部9h、及び、略長方形の台状凸部9rが形成されている。前者の細径部9hは、ボディ内部のインピーダンス整合部であり、後者の台状凸部9rはインナースリーブ4との係合部である。
インナースリーブ4は、薄肉円筒状のものであって、インシュレータ9に外嵌されているとともに、外部導体8の内面にはめ込まれている。図3は、インナースリーブ4を斜め元側から見た斜視図である。インナースリーブ4の元側(ケーブル側)の端部4gには、4箇所の接触片4b、及び、6箇所の係止片4dが、角状あるいは歯状に突き出すように、設けられている。
接触片4bは、略V字状をしており、内径側に傾いて突き出す内突部4bc、その先のV谷部4bd、その先の外側持ち上がり部4bgからなる。接触片4bの根元部4bbの両側においては、インナースリーブ4の胴部4sに抉れ4kが入っている。接触片4bの根元部4bbは、胴部4sから傾斜なしで延び出している。接触片4bは、V谷部4bdをはさんで、内突部4bcと外側持ち上がり部4bgが折れ曲がった形態であり、両者は近接する方向に弾性変形(折れ曲がり)自在である。接触片4bの作用については、図5を参照しつつ後述する。
係止片4dは、内側に爪のように折れ曲がって、内側に張り出している。係止片4dの根元部4fは、胴部4sから真っ直ぐ延び出している。根元部4fの両側にも抉れ4kが存在する。係止片4dの作用については、図5を参照しつつ後述する。
係止片根元部4fの外面には、複数の外凸部4jが形成されている。また、胴部4sの先側4vの外面にも、複数の外凸部4xが形成されている。これらの外凸部4j・4xは、外部導体8の内面にキツク当たって(強く接触し)、インナースリーブ4と外部導体8との電気的導通を安定的に確保している。なお、外凸部4j・4xの両側に抉れ4k・4yが形成されているのは、外凸部4j・4xが、やや内側に弾性変形して、外部導体8内に挿入するためである。
インナースリーブ4の胴部4sのやや元側の部分には、一箇所以上の窓4pが開けられている。これらの窓4pは、インシュレータ9の突出係合部9f・9gとかみ合って、インシュレータ9とインナースリーブ4との位置決め・ズレ止めとなる。
図4は、図1の同軸コネクタのインナースリーブ4とインシュレータ9、外部導体ボディ7の組立状態を、斜め元側から見た断面斜視図である。インナースリーブ4の接触片4bは、インシュレータ9の元側端面9bから、角状に、元側に突き出している。係止片4dは、インシュレータ9の元側端面9bに被さるように、内側に突き出している。
図5は、本実施形態に係る同軸コネクタにおける、インナースリーブ4の接触片4bの作用を示す断面図である。同図(A)は、端末誘電体層長さB3が最大の場合であり、同図(B)は、同長さB2がノミナルの場合であり、同図(C)は、同長さB1が最小での場合である。隙間Cは、組立て後のプラグPにおいて、折り返し編組13´の先側端面13´bと、同面と対向するボディ7の端面7xとの間の隙間である。
図5(A)においては、皮むき後露出した誘電体層12の長さB3が最大で、隙間C3も最大である。この場合、接触片4bは、V字の股の角度が大きく、その元側端も大きく元側に張りだしている。そして、接触片4bの元端部は、折り返し編組13´の端面13´bに接触している。図5(B)においては、誘電体層12の長さB2がノミナルで、隙間C2もノミナル(設計中心値)である。このとき、接触片4bは、V字の股の角度が少し小さくなる(鋭角になる)が、その元側端も元側に張りだしていて、接触片4bは、折り返し編組13´の端面13´bに接触している。図(C)は、誘電体層12の長さB1が最小で、隙間C1がほぼ0である。この場合、接触片4bは、折り返し編組端部13´bと、インシュレータ9元側端面(図4の符号9b参照)との間で挟まれて、接触片4bは、ほぼ折り畳まれきった状態となっている。
誘電体層12の長さが長短いずれの場合でも、接触片4bは、折り返し編組13´と外部導体8とをブリッジして導通させる。接触片4bは、いわば、伸縮自在であり、端末誘電体層長さに偏差(ばらつき)がある場合においても、折り返し編組13´と外部導体8との間に、経路が短く外部導体内径よりも外径の小さい導通路を確保する。
さらに、接触片4bは、折り返し編組13´と外部導体8との間の空気層に存在する導電体であるので、空気層の存在に伴うインピーダンス増加を抑制する。これにより、安定した高周波特性(VSWR)を発揮できる同軸コネクタを提供できる。
なお、接触片4bを、インシュレータ9に外嵌されているインナースリーブ4に形成することにより、部品点数を増やさずにすむ利点がある。なお、インナースリーブ4・54は、外部導体8・58内でのインピーダンス整合の役割も持つ。
次に、ジャックJの実施形態について説明する。図6は、本発明の実施形態に係る同軸コネクタ(ジャックJ、メス型)の断面斜視図である。図7は、図6の同軸コネクタの分解斜視図である。図8は、図6の同軸コネクタのインナースリーブ54とインシュレータ59の組立状態を斜め元側から見た斜視図である。
各図において、前述のプラグPの図1〜4における参照符号に50を加えた符号は、実質的に同様の部分を示す。
次に、接触片4b・54bや係止片4d・54dによる、ケーブル端末加工部のインピーダンス増加抑制効果を説明する。
図9は、同軸コネクタの長手方向に、インピーダンス(TDR、Ω)をシミュレーションしたグラフである。上段のB1(min.)は、露出した誘電体層12の長さが最小の場合であり、中段のB2(nominal)は、露出した誘電体層12の長さが設計値の場合であり、下段のB3(max.)は、露出した誘電体層12の長さが最大の場合である。
図中の実線のカーブは、「接触片4b及び係止片4dのいずれも有」(パターンA)という、本発明の実施例である。長破線のカーブは、「接触片4b無、係止片4d有」(パターンB)という、比較例である。点線のカーブは、「接触片4b有、係止片4d無」(パターンC)という、本発明の実施例である。小幅破線のカーブは、「接触片4b及び係止片4dのいずれも無」(パターンD)という、従来例である。
図9には、インピーダンスが急変するピーク状の部分が、各段のカーブに三箇所ずつ存在することが見てとれる。この三箇所のピーク部分のうち、両サイドの部分は、端末加工部分(露出した誘電体層12の周りの部分)である。中央のピークは、オスメスコンタクト5・55の嵌合部分である。これらのピークのうち、中央のピークは、上中下の欄でほぼ一定である。
両サイドのピークは、従来例の小幅破線のカーブや、比較例の長破線のカーブよりも、本発明実施例の実線のカーブや点線のカーブは、相当低くなっている。このように、接触片4bは、折り返し編組13´と外部導体8・58との間の空気層の存在に伴うインピーダンス増加を抑制する。なお、この図9では、実線のカーブに対して、点線のカーブは、場所によってやや高いが、ほぼ重なっている。したがって、この図9からは、係止片4dのインピーダンス増加抑制効果は、接触片4bほどではないことがわかる。
図10は、同軸コネクタに流れる信号の周波数(横軸、GHz)と、VSWR;Voltage Standing Wave Ratio (電圧定在波比、縦軸、Y1)との関係を表すグラフであって、シミュレーションにより作製したものである。上段のB1(min.)は、露出した誘電体層12の長さが最小の場合であり、中段のB2(nominal)は、露出した誘電体層12の長さが設計値の場合であり、下段のB3(max.)は、露出した誘電体層12の長さが最大の場合である。
図中の実線のカーブは、「接触片4b及び係止片4dのいずれも有」(パターンA)という、本発明の実施例である。長破線のカーブは、「接触片4b無、係止片4d有」(パターンB)という、比較例である。点線のカーブは、「接触片4b有、係止片4d無」(パターンC)という、本発明の実施例である。小幅破線のカーブは、「接触片4b及び係止片4dのいずれも無」(パターンD)という、従来例である。
図10において、各段ともに、信号の周波数が高くなるほど、VSWRは高くなる傾向がある。そして、B2(nominal)及びB3(max.)のカーブにおいては、ほぼ5GHzのあたりに、ピークが出現している。しかしながら、このピークにおいて、従来例の小幅破線のカーブや、比較例の破線のカーブよりも、本発明実施例の実線のカーブや点線のカーブは、相当低くなっている。このように、接触片4bは、折り返し編組13´と外部導体8・58との間の空気層の存在に伴う高周波特性の悪化を抑制する。特に、B3においては、点線のカーブに対して、実線のカーブは、相当下になっており、係止片4dの高周波特性悪化防止効果が、相当あることがわかる。
近い将来に達成が求められるVSWRの目標値は、周波数6GHzで1.5以下と予想される。実線のカーブ、すなわち「接触片4b及び係止片4dのいずれも有」(パターンA)という本発明の実施形態は、この目標値を達成しており、特に有望である。
次に、接触片が折り返し編組13´の外周面13´xをスライドする変形例について説明する。図16は、本発明の他の実施形態に係る同軸コネクタにおける、インナースリーブ304の接触片304bの形態、及び、折り返し編組13´との関係を示す断面図である。この実施形態では、インナースリーブ304の接触片304bが、折り返し編組13´の外周面13´xにスライド可能に接触するものである。
この接触片304bは、内径側に傾いて元側に突き出す内突部304bc、その元側のV谷部304bd、及び、その元側の外側持ち上がり部304bgからなる。この接触片304bは、自由姿勢では、図16の状態よりも、V谷部304bdの内径がすぼんだ形状である。そして、図16の状態は、接触片304bが外側に弾性変形し、V谷部304bdの内面が、折り返し編組13´の外周面13´xによって、押し広げられている。したがって、接触片304bのV谷部304bdの内面は、圧力のかかった状態で、折り返し編組13´の外周面13´xに接触している。
接触片304bの元側先端の外側持ち上がり部304bgは、スキーの板の先端のように持ち上がった形状であり、これにより編組折り返し部を誘い込むようになっている。そして、接触片304bのV谷部304bdが、折り返し編組13´の外周面13´xを、ケーブル長手方向(元先方向)にスライドしやすい形態となっている。そして、皮むき後露出した誘電体層12´の長さBが変動した場合にも(図5参照)、接触片304bは、折り返し編組13´と外部導体8(ボディ7)とをブリッジして導通させる。この接触片304bは、いわば、スライド自在であり、端末誘電体層長さに偏差(ばらつき)がある場合においても、折り返し編組13´と外部導体8との間に、経路が短く外部導体内径よりも外径の小さい導通路を確保する。これにより、折り返し編組13´と外部導体8との間の空気層の存在に伴うインピーダンス増加を抑制する。

Claims (4)

  1. 中心から外側に、中心導体(11)、誘電体層(12)、編組(13)、及び、シース(14)からなる同軸ケーブル(1)を接続するための同軸コネクタ(P・J)であって、
    このうち、前記編組(13)の外周に圧着され、該編組(13)が外周に折り返されるスリーブ(3・53)と、
    前記編組(13)が折り返された折り返し編組(13´)の外周に圧着される圧着部(6・56)、及び、該圧着部の先につながるボディ(7・57)を有する外部導体(8・58)と、
    前記ケーブル1の中心導体11に圧着されるコンタクト(5・55)と、
    前記ボディ(7・57)に内蔵されているとともに、前記コンタクト(5・55)が差し込まれるインシュレータ(9、59)とを備え、
    さらに、前記インシュレータ(9、59)に外嵌されているとともに、前記外部導体(8・58)と導通するインナースリーブ(4・54・304)を備え、
    該インナースリーブ(4・54・304)に、前記折り返し編組(13´)と接触する、伸縮又はスライド自在な接触片(4b・54b・304b)が形成されていることを特徴とする同軸コネクタ(P・J)。
  2. さらに、前記インシュレータ(9、59)の、前記折り返し編組(13´)の端面(13´b)と対向する端面(9b・59b)に張り出す係止片(4d・54d)が、前記インナースリーブ(4・54)に形成されていることを特徴とする請求項1記載の同軸コネクタ(P・J)。
  3. 前記接触片(4b・54b)が、前記同軸ケーブル(1)の長手方向に沿う断面視において屈曲した断面を有し、その屈曲角度が変化して長手方向に伸縮するものであることを特徴とする請求項1又は2記載の同軸コネクタ(P・J)。
  4. 前記接触片(304b)が、前記折り返し編組(13´)の外周面(13´x)に対して、前記同軸ケーブル(1)の長手方向に沿ってスライド可能に接触するものであることを特徴とする請求項1又は2記載の同軸コネクタ(P・J)。
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