JP2017525131A - 電場/磁場案内された酸拡散 - Google Patents
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims description 71
- 239000002253 acid Substances 0.000 title abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 213
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 105
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 91
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 description 11
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- -1 aryldiazonium salts Chemical class 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001273 sulfonato group Chemical class [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine Chemical class C1=NC=NC=N1 JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLPZCIDHOZATMA-UHFFFAOYSA-N 2,2-dioxooxathiiran-3-one Chemical class O=C1OS1(=O)=O OLPZCIDHOZATMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- OAIYNRAQCIOEBD-UHFFFAOYSA-N butyl acetate;hydrate Chemical compound O.CCCCOC(C)=O OAIYNRAQCIOEBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000006502 nitrobenzyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003748 selenium group Chemical class *[Se]* 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 125000005537 sulfoxonium group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
Description
Claims (15)
- 基板を処理するための装置であって、
基板を基板支持体の上で支持するように構成された表面を含む基板支持体と、
前記基板支持体の前記表面に位置付けられた基板を加熱するように構成された熱源と、
前記基板支持体の前記表面の反対側に位置付けられており、第1の電極及び第2の電極を備える電極アセンブリであって、
前記第1の電極が一又は複数のアンテナを備え、
前記第2の電極が一又は複数のアンテナを備え、
前記第1の電極の少なくとも1つのアンテナ及び前記第2の電極の少なくとも1つのアンテナが交互配置され、
前記基板支持体の前記表面にほぼ平行な方向に電場を生成するように構成されている電極アセンブリと
を備える装置。 - 前記第1の電極の前記一又は複数のアンテナが、第1の支持体構造から突出しており、前記第1の電極の各アンテナが、前記第1の電極の他の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第2の電極の前記一又は複数のアンテナが、第2の支持体構造から突出しており、前記第2の電極の各アンテナが、前記第2の電極の他の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第1の電極の各アンテナが、前記第2の電極の各アンテナにほぼ平行である、請求項1に記載の装置。 - 前記第1の電極の隣接する各アンテナ間の距離がほぼ同一であり、前記第2の電極の隣接する各アンテナ間の距離がほぼ同一であり、前記第1の電極の隣接する各アンテナと前記第2の電極の隣接する各アンテナとの間の距離がほぼ同一である、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の電極及び前記第2の電極各々が、約4から約40の間のアンテナを有している、請求項3に記載の装置。
- 前記電場にほぼ直角かつ前記基板支持体の前記表面に平行な方向に磁場を生成するように構成された磁場源を更に備える、請求項4に記載の装置。
- 前記第1の電極の前記一又は複数のアンテナが、第1の支持体構造から突出しており、前記第1の電極の各アンテナが、前記第1の電極の他の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第2の電極の前記一又は複数のアンテナが、第2の支持体構造から突出しており、前記第2の電極の各アンテナが、前記第2の電極の他の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第1の電極の各アンテナが、前記第2の電極の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第1の電極の隣接する各アンテナ間の距離が、ほぼ同一であり、前記第2の電極の隣接する各アンテナ間の距離が、ほぼ同一であり、前記第1の電極の隣接する各アンテナと前記第2の電極の隣接する各アンテナとの間の距離が、ほぼ同一であり、
前記第1の電極及び前記第2の電極各々が、約4から約40の間のアンテナを有しており、
前記基板支持体の上に位置付けられた基板と前記電極アセンブリとの間に相対運動を提供するように構成されている、請求項1に記載の装置。 - 基板を処理する方法であって、
光酸発生剤を含むフォトレジスト層を基板に塗布することと、
前記フォトレジスト層の中に電磁放射に露光されていない前記フォトレジスト層の部分と異なる化学特性を有する材料のほぼ平行な線を形成するために、前記フォトレジスト層の部分を電磁放射に露光することと、
前記基板の露光後に前記基板を加熱することと、
前記線の方向と平行な方向において電場を前記基板に印加することであって、前記電場が加熱中に印加される、印加することと
を含む方法。 - 前記フォトレジスト層における前記電場の強度が、約0.1MV/mから約100MV/mの間である、請求項7に記載の方法。
- 前記電場が、第1の電極及び第2の電極を備える電極アセンブリによって印加され、
前記第1の電極が、支持体構造から突出する一又は複数のアンテナを有する支持体構造を備え、前記第1の電極の各アンテナが、前記第1の電極の他の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第2の電極が、支持体構造から突出する一又は複数のアンテナを有する支持体構造を備え、前記第2の電極の各アンテナが、前記第2の電極の他の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第1の電極の各アンテナが、前記第2の電極の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第1の電極及び前記第2の電極各々が、約4から約40の間のアンテナを有している、請求項8に記載の方法。 - 前記基板を真空処理チャンバの中に位置付けることと、前記真空処理チャンバを10−5トル以下の圧力まで排気することとを更に含む、請求項9に記載の方法。
- 磁場を前記線の前記方向にほぼ直角の方向に提供することを更に含み、前記磁場が、約0.1Tから約10Tの間の強度を有している、請求項9に記載の方法。
- 前記電場が、約10Hzから1MHzの間の周波数を有するAC電源及びパルスDC電源のうちの1つから、第1の電極、第2の電極、又は前記第1の電極及び前記第2の電極の両方に、約500Vから100kVの間の電圧を印加することによって生成される、請求項8に記載の方法。
- 前記電場がパルスDC電源によって生成され、パルスDC電力のデューティサイクルが、約5%から約95%の間であり、前記パルスDC電力の立ち上がり及び立下り時間が、約1nsから約1000nsの間である、請求項12に記載の方法。
- 前記加熱中に電極アセンブリと前記基板との間に回転運動を含む相対運動を提供することを更に含み、
基板表面における電場強度が、約0.1MV/mから約100MV/mの間であり、
前記電場が、第1の電極及び第2の電極を備える電極アセンブリによって印加され、
前記第1の電極が、支持体構造から突出する一又は複数のアンテナを有する支持体構造を備え、前記第1の電極の各アンテナが、前記第1の電極の他の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第2の電極が、支持体構造から突出する一又は複数のアンテナを有する支持体構造を備え、前記第2の電極の各アンテナが、前記第2の電極の他の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第1の電極の各アンテナが、前記第2の電極の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第1の電極及び前記第2の電極各々が、約4から約40の間のアンテナを有しており、
前記電場が、約10Hzから1MHzの間の周波数を有するパルスDC電源から前記第1の電極に、約500Vから100kVの間の電圧を印加することによって生成され、パルスDC電力のデューティサイクルが、約5%から約95%の間であり、前記パルスDC電力の立ち上がり及び立下り時間が、約1nsから約1000nsの間であり、
前記基板が、約70℃から約160℃の間の温度まで加熱され、
前記第1の電極の前記アンテナと前記第2の電極の前記アンテナの温度が、前記基板の前記温度とほぼ一致するように制御される、請求項7に記載の方法。 - 基板を処理する方法であって、
光酸発生剤を含むフォトレジスト層を基板に塗布することと、
前記光酸発生剤から荷電種を生成し、前記フォトレジスト層の中に電磁放射に露光されていない前記フォトレジスト層の部分と異なる化学特性を有する材料のほぼ平行な線を形成するために、前記フォトレジスト層の部分を電磁放射に露光することと、
前記基板の露光後に前記基板を加熱することと、
前記線の方向と平行な方向に前記荷電種を優先的に拡散することであって、前記線の前記方向にほぼ直角な方向における前記荷電種の拡散に対する前記線の前記方向にほぼ沿った前記荷電種の拡散の割合が約5:1を上回る、優先的に拡散することと
を含む方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/301,184 | 2014-06-10 | ||
US14/301,184 US9377692B2 (en) | 2014-06-10 | 2014-06-10 | Electric/magnetic field guided acid diffusion |
PCT/US2015/030396 WO2015191209A1 (en) | 2014-06-10 | 2015-05-12 | Electric/magnetic field guided acid diffusion |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018041599A Division JP6582081B2 (ja) | 2014-06-10 | 2018-03-08 | 電場/磁場案内された酸拡散 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017525131A true JP2017525131A (ja) | 2017-08-31 |
JP6306747B2 JP6306747B2 (ja) | 2018-04-04 |
Family
ID=54769490
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016568851A Active JP6306747B2 (ja) | 2014-06-10 | 2015-05-12 | 電場/磁場案内された酸拡散 |
JP2018041599A Active JP6582081B2 (ja) | 2014-06-10 | 2018-03-08 | 電場/磁場案内された酸拡散 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018041599A Active JP6582081B2 (ja) | 2014-06-10 | 2018-03-08 | 電場/磁場案内された酸拡散 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9377692B2 (ja) |
JP (2) | JP6306747B2 (ja) |
KR (2) | KR101780407B1 (ja) |
CN (1) | CN106463355A (ja) |
TW (2) | TWI603164B (ja) |
WO (1) | WO2015191209A1 (ja) |
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- 2015-05-12 KR KR1020167034068A patent/KR101780407B1/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-05-12 CN CN201580022420.2A patent/CN106463355A/zh active Pending
- 2015-05-12 KR KR1020177025997A patent/KR102194191B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-12 JP JP2016568851A patent/JP6306747B2/ja active Active
- 2015-05-12 WO PCT/US2015/030396 patent/WO2015191209A1/en active Application Filing
- 2015-05-14 TW TW104115439A patent/TWI603164B/zh active
- 2015-05-14 TW TW106131568A patent/TWI645263B/zh active
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- 2018-03-08 JP JP2018041599A patent/JP6582081B2/ja active Active
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Also Published As
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---|---|
US20150355549A1 (en) | 2015-12-10 |
TW201546571A (zh) | 2015-12-16 |
JP6582081B2 (ja) | 2019-09-25 |
JP2018164076A (ja) | 2018-10-18 |
KR20170107592A (ko) | 2017-09-25 |
KR102194191B1 (ko) | 2020-12-22 |
KR20170013275A (ko) | 2017-02-06 |
CN106463355A (zh) | 2017-02-22 |
TWI603164B (zh) | 2017-10-21 |
WO2015191209A1 (en) | 2015-12-17 |
TWI645263B (zh) | 2018-12-21 |
TW201812481A (zh) | 2018-04-01 |
US9377692B2 (en) | 2016-06-28 |
KR101780407B1 (ko) | 2017-09-21 |
JP6306747B2 (ja) | 2018-04-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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