JP6582081B2 - 電場/磁場案内された酸拡散 - Google Patents
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- 基板を処理するための装置であって、
基板を基板支持体の上で支持するように構成された表面を含む基板支持体と、
前記基板支持体の前記表面に位置付けられた基板を加熱するように構成された熱源と、
前記基板支持体の前記表面の反対側に位置付けられており、一又は複数のアンテナを有する第1の電極、及び一又は複数のアンテナを有する第2の電極を備える電極アセンブリであって、
前記第1の電極の少なくとも1つのアンテナ及び前記第2の電極の少なくとも1つのアンテナが交互配置され、
前記基板支持体の前記表面にほぼ平行な方向に電場を生成して基板の処理中に基板内に発生する酸の拡散を制御するように構成された電極アセンブリと、
前記電極アセンブリに結合し、当該電極アセンブリを縦方向又は横方向に移動するように構成されたアクチュエータと
を備える装置。 - 前記基板支持体に結合し、当該基板支持体を縦方向又は横方向に移動するように構成されたリフトシステムを更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記アクチュエータは、前記基板と前記電極アセンブリとの間に相対運動を与えるように構成された、請求項1に記載の装置。
- 前記アクチュエータ及び前記リフトシステムは、前記基板と前記電極アセンブリとの間に相対運動を与えるように構成された、請求項2に記載の装置。
- 前記基板支持体及び前記電極アセンブリは真空処理チャンバ内に配置される、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の電極の前記一又は複数のアンテナが、第1の支持体構造から突出しており、前記第1の電極の各アンテナが、前記第1の電極の他の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第2の電極の前記一又は複数のアンテナが、第2の支持体構造から突出しており、前記第2の電極の各アンテナが、前記第2の電極の他の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第1の電極の各アンテナが、前記第2の電極の各アンテナにほぼ平行である、請求項1に記載の装置。 - 前記第1の電極の隣接する各アンテナ間の距離がほぼ同一であり、前記第2の電極の隣接する各アンテナ間の距離がほぼ同一であり、前記第1の電極の隣接する各アンテナ間の距離と前記第2の電極の隣接する各アンテナ間の距離とがほぼ同一である、請求項6に記載の装置。
- 前記第1の電極及び前記第2の電極各々が、4から40の間のアンテナを有している、請求項7に記載の装置。
- 前記電場にほぼ直角かつ前記基板支持体の前記表面に平行な方向に磁場を生成するように構成された磁場源を更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記磁場源は、前記基板支持体の表面上に0.1テスラから10テスラの間にある磁場強度を発生する、請求項9に記載の装置。
- 基板を処理する方法であって、
光酸発生剤を含むフォトレジスト層を基板に塗布することと、
前記フォトレジスト層の中に電磁放射に露光されていない前記フォトレジスト層の部分と異なる化学特性を有する材料のほぼ平行な線を形成するために、前記フォトレジスト層の部分を電磁放射に露光することと、
前記基板の露光後に前記基板を加熱することと、
材料の前記線の方向と平行な方向において電場を前記基板に印加することであって、前記電場を加熱中に、印加することと
を含む方法。 - 前記フォトレジスト層における前記電場の強度が、約0.1MV/mから約100MV/mの間である、請求項11に記載の方法。
- 前記電場が、第1の電極及び第2の電極を備える電極アセンブリによって印加され、
前記第1の電極が、支持体構造から突出する一又は複数のアンテナを有する支持体構造を備え、前記第1の電極の各アンテナが、前記第1の電極の他の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第2の電極が、支持体構造から突出する一又は複数のアンテナを有する支持体構造を備え、前記第2の電極の各アンテナが、前記第2の電極の他の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第1の電極の各アンテナが、前記第2の電極の各アンテナにほぼ平行であり、
前記第1の電極及び前記第2の電極各々が、約4から約40の間のアンテナを有している、請求項12に記載の方法。 - 前記電極アセンブリと前記基板の間に相対運動を与えることを更に含む、請求項13に記載の方法。
- 前記電場が、約10Hzから1MHzの間の周波数を有するAC電源及びパルスDC電源のうちの1つから、前記第1の電極、前記第2の電極、又は前記第1の電極及び前記第2の電極の両方に、約500Vから100kVの間の電圧を印加することによって生成される、請求項13に記載の方法。
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US6793177B2 (en) * | 2002-11-04 | 2004-09-21 | The Bonutti 2003 Trust-A | Active drag and thrust modulation system and method |
KR100515369B1 (ko) * | 2003-10-02 | 2005-09-14 | 동부아남반도체 주식회사 | 전기장에 의하여 반도체 소자의 미세패턴을 형성하는노광장치 및 그 방법 |
US7374867B2 (en) | 2003-10-06 | 2008-05-20 | Intel Corporation | Enhancing photoresist performance using electric fields |
GB2408383B (en) * | 2003-10-28 | 2006-05-10 | Ims Nanofabrication Gmbh | Pattern-definition device for maskless particle-beam exposure apparatus |
JP4209819B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2009-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
JP4364105B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2009-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、及び熱処理方法 |
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JP2007073685A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法及びベーク装置 |
JP5108489B2 (ja) * | 2007-01-16 | 2012-12-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
JP2009064993A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd | 溶液層の処理方法 |
NL1036912C2 (en) * | 2009-04-29 | 2010-11-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle optical system comprising an electrostatic deflector. |
TWI497557B (zh) * | 2009-04-29 | 2015-08-21 | Mapper Lithography Ip Bv | 包含靜電偏轉器的帶電粒子光學系統 |
US8471433B2 (en) | 2009-10-14 | 2013-06-25 | Panasonic Corporation | Elastic wave device and electronic device using the same |
JP2011138712A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Kochi Univ Of Technology | プラズマ発生源及びプラズマ発生装置並びに成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置 |
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