JP2017516401A - サンプルの複数の深さで画像データを同時に収集する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の目的は、画像収集のための改善された方法およびシステムを提供することとして認識される。
図3には、イメージングセンサ311がいくつかのTDIブロック304、310を有することが示されており、これらは、それぞれ、軸308で表されたY方向に沿って延伸する複数の平行画素ラインを有する。TDIブロック304および310は、非感光性ギャップ305cにより分離され、ここには、前記ブロックの少なくとも一つの画素のリードアウト電子デバイスが配置される。必要な場合、両TDIブロック304および310のリードアウト電子デバイスが、ギャップ305cに配置されても良い。ただし、ブロック310の画素のリードアウト電子デバイスを非感光性ギャップ305cに配置し、ブロック304の画素のリードアウト電子デバイスを非感光性ギャップ305aに配置することも可能である。チャージ電圧変換器および/またはロジック回路および/または接続回路を有しない画素ラインとして、TDIブロック304および310を提供することもできる。後者の部材は、イメージングセンサ311の前記非感光性ギャップにより、完全に含有され、適切な低感光性で、充填比の最大化が得られる。TDIブロック304および310は、単に概略的に示されており、複数の隣接する画素ラインは、詳しくは示されていないことに留意する必要がある。TDIブロックを構成するそのような個々の画素ラインは、以下に示す図4から収集されても良い。また、図3において、ギャップ305a、305b、305cは、概略的に示されており、301は、ガラススライドを表し、302は、カバースリップを表し、303は組織サンプルを表す。また、走査方向X’は、矢印306で表され、これは、容易に収集される。走査方向X’は、センサ311の画素の2Dアレイを定めるY方向308と実質的に垂直である。図3には、X方向307も示されている。
図3のイメージングセンサは、寸法および解像度が同じ従来の2Dセンサを超える2倍の改良点を有する。センサの感光性領域における画素の光活性部分の最大化が提供され、充填比が最大化される。これにより、マイクロレンズを使用しなくても、高感度のセンサが得られる。マイクロレンズを回避することは、例えば、走査イメージング顕微鏡の光路に傾斜したセンサを配置する際に重要となる。また、ギャップ305a、305b、および305cにより、迅速なリードアウトが可能となる。速いセンサのため、ギャップ内のセンサに、より多くの回路を配置することができるからである。
また、第2の非感光性ギャップ403も、第2のTDIブロック404および第3のTDIブロック406の画素の、そのようなリードアウト電子デバイス414を有する。前述のように、イメージングセンサ400は、TDIブロックのリードアウト電子デバイスが、示されたX方向423に沿って、前記TDIブロックの上下の隣接するギャップ内に完全に収まるように提供されても良い。従って、これらが隣接ギャップに移動されると、完全にフォトダイオードで構成されたTDIブロックであって、自身はリードアウト電子デバイスを有しない、TDIブロックを提供することができる。別の実施例では、センサ128は、画素ラインのそのようなブロック404、405、406を128個有し、127または128個のギャップを有する。
時間t=0での暴露中、サンプルの画像がイメージングセンサにより収集される。t=1の次の暴露では、サンプルが平行移動され、ステージ410上のt=0で投射されたサンプルの画像の一部が、今度はステージ409上で投射される。暴露t=0とt=1の間では、ステージ410における画素の値が、ステージ409に複製される。t=1での暴露中、ステージ409での暴露で得られる画素値が、t=0でのステージ410での暴露に起因する既存の値に加えられる。ステージ409での値は、今度はt=0でのステージ410での暴露、およびt=1でのステージ409での暴露に起因する画素値の合計となる。暴露t=1と暴露t=2の間では、ステージ409での画素値が、ステージ408に複製される。暴露t=2の間では、ステージ408での暴露による画素値が、既存の値に加えられ、これは、t=0でのステージ410での暴露と、t=1でのステージ409での暴露との和から得られる。ステージ408での値は、今度はt=0でのステージ410の暴露と、t=1でのステージ409の暴露と、t=2でのステージ408の暴露とから得られる画素値の合計となる。
暴露t=2とt=3の間では、ステージ408における画素の値は、ステージ407に複製される。t=3での暴露の間、ステージ407での暴露で得られる画素値が、既存の値と加えられ、これは、t=0でのステージ410の暴露と、t=1でのステージ409の暴露と、t=2でのステージ408の暴露から得られる。ステージ407での値は、今度はt=0でのステージ410の暴露と、t=1でのステージ409での暴露と、t=2でのステージ408での暴露と、t=3でのステージ407での暴露と、で得られる画素値の合計となる。サンプルの画像は、TDI動作と同じ速度で同じ方向に、センサにわたって平行移動されるため、この例では、サンプルの同じ領域で、4つの等しい暴露が行われる。これは、サンプルの平行移動が遅くならず、かつ追加の動きの不鮮明さが導入されない、4倍長い暴露時間と等価である。前述の記載は、ブロック404および406のような、または本発明のイメージングセンサのさらなるブロックのような、他のいかなるブロックにも適用される。
Claims (17)
- 光学軸を有するイメージング装置を用いて、サンプルの複数の深さで画像データを同時に収集する方法であって、
前記装置は、イメージングセンサを有し、前記イメージング装置は、前記センサが前記サンプルの傾斜断面を結像できるように配置され、
前記イメージングセンサは、
複数の画素を有する第1の画素ラインと、
複数の画素を有する第2の画素ラインと、
を有し、
前記第1および第2の画素ラインは、前記イメージング装置の前記光学軸に沿った、前記サンプルまでの異なる光路長を有し、
前記第1の画素ラインおよび第2の画素ラインは、前記走査方向に沿ってオフセットにより、相互に対してオフセットされ、
当該方法は、
前記光学軸ならびに前記第1および第2の画素ラインの主延伸(Y)方向に略垂直な走査方向に沿って、前記サンプルを走査するステップ(S1)と、
前記第1の画素ラインから前記サンプルの第1の画像を収集するステップ(S2)と、
前記第1の画素ラインからの前記サンプルの第2の画像と、前記第2の画素ラインからの前記サンプルの第3の画像と、を同時に収集するステップ(S3)と、
前記第2の画素ラインからの前記サンプルの画像の収集を継続するステップ(S4)と、
前記第1の画素ラインからの前記サンプルの画像の収集を停止するステップ(S5)と、
を有する、方法。 - 前記オフセットは、前記第1および第2の画素ラインの間の第1の非感光性ギャップ、または前記第1および第2の画素ラインの間の非収集性画素ラインのいずれかであり、
前記非収集性画素ラインは、非活性化されている、請求項1に記載の方法。 - 前記非感光性ギャップは、前記第1および第2の画素ラインと平行に延伸する、請求項2に記載の方法。
- 前記ステップS1乃至S5は、前記サンプルの走査中に実施される、請求項1乃至3のいずれか一つに記載の方法。
- 前記第2の画像および前記第3の画像の同時収集ステップは、走査中、前記第1の画素ラインと前記第2の画素ラインの間の前記オフセットがブリッジされる限り、実施される、請求項1乃至4のいずれか一つに記載の方法。
- さらに、
取得深さの変化が必要かどうかを定めるステップ、および
前記取得深さの変化が必要であるという検出に基づいて、前記第2の画素ラインを作動させるステップ、
を有する、請求項1乃至5のいずれか一つに記載の方法。 - 取得深さの変化が必要かどうかを検出するため、最適焦点位置を予測する方法が使用される、請求項6に記載の方法。
- 前記イメージングセンサは、さらに、
複数の画素を有する第3の画素ラインを有し、
前記第1、第2および第3の画素ラインの各々は、前記イメージング装置の前記光学軸に沿った、前記サンプルまでの異なる光路長を有し、
前記第1の画素ラインおよび前記第3の画素ラインは、前記走査方向に沿ってオフセットにより、相互に対してオフセットされ、
前記第1の画素ラインは、前記第2および第3の画素ラインの間に配置され、
当該方法は、さらに、
取得深さの増加が必要であることが検出された場合、前記第2の画素ラインを作動させ、または取得深さの減少が必要であることが検出された場合、前記第3の画素ラインを作動させるステップ
を有する、請求項6または7に記載の方法。 - さらに、
前記第1の画素ラインおよび/または前記第2の画素ラインにより取得された反復データを破棄するステップ
を有する、請求項1乃至8のいずれか一つに記載の方法。 - さらに、
前記反復データの破棄後に、前記収集された画像に基づいて、前記サンプルの最終画像を形成するステップ
を有する、請求項9に記載の方法。 - 前記イメージングシステムは、直交XY座標系に画素の2Dアレイを有するイメージングセンサであり、
前記センサの画素の前記2Dアレイは、前記第1、第2および第3の画素ラインを有し、
前記第1、第2および第3の画素ラインは、前記Y方向に沿って延伸する、請求項1乃至10のいずれか一つに記載の方法。 - 前記サンプルの3D画像を形成するための、請求項1乃至11のいずれか一つに記載の方法であって、
当該方法は、さらに、
前記第1の画素ラインを有する画素の第1組のラインから、前記サンプルの前記第1の画像を収集するステップと、
前記画素の第1組のラインから、前記サンプルの前記第2の画像を収集すると同時に、前記第2の画素ラインを有する画素の第2組のラインから、前記サンプルの第3の画像を収集するステップと、
前記画素の第2組のラインからの前記サンプルの画像の収集を継続するステップと、
前記画素の第1組のラインからの前記サンプルの画像の収集を停止するステップと、
を有する、方法。 - 前記イメージングセンサは、前記光学軸に対して傾斜されている、請求項1乃至12のいずれか一つに記載の方法。
- 複数の深さでサンプルの画像データを同時に収集するイメージングシステムであって、
複数の画素を有する第1の画素ラインと、
複数の画素を有する第2の画素ラインと、
を有し、
前記装置は、走査方向に沿って前記サンプルを走査するように構成され、
前記第1の画素ラインおよび前記第2の画素ラインは、前記走査方向に沿ってオフセットにより、相互に対してオフセットされ、
当該イメージングシステムは、前記第1の画素ラインから前記サンプルの第1の画像を収集するように構成され、
当該イメージングシステムは、前記第1の画素ラインからの前記サンプルの第2の画像と、前記第2の画素ラインからの前記サンプルの第3の画像と、を同時に収集するように構成され、
当該イメージングシステムは、前記第2の画素ラインからの前記サンプルの画像の収集を継続するように構成され、前記第1の画素ラインからの前記サンプルの画像の収集を停止するように構成される、イメージングシステム。 - 前記第1および第2の画素ラインは、イメージングセンサの一部であり、
該イメージングセンサは、XY直交座標系に画素の2Dアレイを有し、
前記第1および第2の画素ラインは、前記Y方向に沿って延伸し、
前記イメージングセンサは、さらに、前記第1および第2の画素ラインの間に、第1の非感光性ギャップを有し、
前記第1の非感光性ギャップは、前記Y方向に延伸し、
前記第1の非感光性ギャップには、前記第1の画素ラインの画素および/または前記第2の画素ラインの画素のリードアウト電子デバイスが設けられる、請求項14に記載のイメージングシステム。 - 前記第1の非感光性ギャップ、または前記センサの別の非感光性ギャップには、
前記第1および第2の画素ラインの少なくとも一つの画素の電流電圧変換器、
前記イメージングセンサのロジック、および
前記イメージングセンサの接続回路、
の少なくとも一つの部材が配置される、請求項15に記載のイメージングシステム。 - 前記イメージングセンサは、前記光学軸に対して傾斜されている、請求項14乃至16のいずれか一つに記載のイメージングシステム。
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