JP2017516146A - 高解像度oledディスプレイ作動回路 - Google Patents
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Abstract
発光ディスプレイパネルのサブピクセル回路は、少なくとも3つのスイッチと、少なくとも1つの容量素子と、少なくとも1つの発光素子と、前記少なくとも3つのスイッチ、前記少なくとも1つの容量素子、及び前記少なくとも1つの発光素子を接続する配線として機能する電源ラインと、接地ラインと、サブピクセルを発光のために選択する走査ラインと、発光素子にデータを供給するデータラインと、発光素子の劣化を検出するためのセンスラインとを有し、所定の光度に対応するデータが、電圧に基づいてプログラムされる。
Description
本発明は、例えば有機発光ダイオード(OLED)又は有機ELなどの有機エレクトロルミネセンス素子を使用する発光ディスプレイパネルのサブピクセル回路、その駆動方法、及び該サブピクセル回路を用いるディスプレイパネル/ユニットに関する。
例えば、有機エレクトロルミネセンス素子又は有機発光ダイオード(OLED)、すなわち、有機エレクトロルミネセンス(EL)を使用するデバイスなど、直流電流レベルに対応する光度で光を放つ二端子表示装置を用いるディスプレイパネルが、近年、開発されている。
高輝度で高コントラストの画像表示の実装は、例えば薄膜トランジスタ(TFT)といったスイッチング素子の使用を介したアクティブ駆動を必要とする。典型的に、OLEDは、薄い有機材料の積層構造を持ち且つ電流のレベルに従って発光強度を変化させる発光デバイスである。画像を表示するディスプレイユニットは、マトリクスに配置されたピクセル(画素)又はサブピクセルの各々上に設けられたOLEDを通る電流を、TFTを用いることによって渡し、それにより、ピクセル又はサブピクセルが光を放つことを可能にするように構成されることができる。
アクティブマトリクス駆動のOLEDにおいては、ピクセルと呼ばれる多数の発光領域が、典型的にマトリクス形態で配列され、それらの列が1つずつ、発光又は色調についての繰り返しの書込み(プログラミング)処理のために走査される。一ピクセルは典型的に、異なる色調を持つ複数のサブピクセルで構成され、各サブピクセルの発光の組み合わせの制御を介して、ピクセルの発光及び色調が制御される。
サブピクセルは、複数のマトリクス配線に接続されるとともに、複数のスイッチング素子と、発光素子と、容量素子(キャパシタ)とで構成される。スイッチング素子及び発光素子の特性のバラつき並びに劣化によって生じる特性の変化を補正するために、様々な駆動方法が提案されてきた。
図1は、OLEDを使用するサブピクセル回路における電流プログラム法の例示的な構成及びその駆動方法を示す図である。図1(a)は、サブピクセル回路アレイへの電流ミラー回路アレイの一適用例(例えば、特許文献1参照)を示す図であり、電流ミラー回路11−17の部分を形成するミラートランジスタが、自身に所定レベルの電流を流れさせるようにプログラムされることで、それに比例した電流が、サブピクセル回路19−25の部分を形成するOLEDに流れるようにされる。図1(b)は、電流ミラー回路31及びサブピクセル回路33の図であり、プログラムされるべきデータ(電流)がOLEDを通され、OLEDを流れる電流それ自体がそれによってプログラムされる(例えば、非特許文献1参照)。電流プログラミングによるこの回路の駆動方法は、サブピクセル当たりのスイッチング素子数の増加をもたらす傾向にあるが、OLEDを流れる電流の精密制御を提供するという利点を有する。また、電流プログラミングは時間がかかるので、この方法は、小さい画素領域及び高速な走査を有する高精細ディスプレイを実装することには適していない。
図2は、OLEDを使用するサブピクセル回路における電圧プログラム法の例示的な構成及びその駆動方法を示す図である。図2(a)は、スイッチング素子に関して閾値補正関数を適用する閾値補正回路を含んだ駆動回路35の一例を示す図である(例えば、特許文献2参照)。図2(b)は、OLEDに印加される電圧の解除及びリセットを介してOLEDの劣化を軽減する電圧制御回路39の一例を示す図である(例えば、特許文献3参照)。電圧制御回路39によって適用される電圧プログラム法は、高速走査を実現するとともにピクセル当たりのスイッチング素子数を減らすという利点を有する。対照的に、電圧プログラム法は、スイッチング素子の閾値バラつきとOLED劣化とを同時に補正することに困難性を有する。
最近、より高精細でより高速な走査に対する要求が増している。この要求を満たすために、様々な手段を採用したディスプレイユニットを提供することが望ましく、また、その駆動方法が提供されるべきである。
最近注目を集めているモバイル装置での使用のために設計されるOLEDディスプレイユニットは、300ppi(ピクセル毎インチ)から400ppiに至る範囲の高精細を必要としている。400ppiの高精細OLEDディスプレイユニットは、例えば、1画素で60ミクロン四方というサイズを持つ。また、より滑らかな動画表示を実現するためには、60フレーム毎秒又はそれよりも高速な走査が必要とされ、ピクセル当たりのスイッチング素子数を削減するのと同時に効果的な補正を提供することを非常に困難にする。現在知られている技術として、スイッチング素子に関する閾値バラつき補正を組み込むものが存在しているが、その技術は、バラつき補正及び長期信頼性を確保する上で十分に満足いくものではない。
発光ディスプレイパネルのサブピクセル回路、その駆動方法、並びに、サブピクセル回路及びその駆動方法を用いるディスプレイパネル/ユニットを提供することが望まれる。
IDW2001、プロシーディング、第315頁
本発明の一態様は、本発明の一実施形態に従った発光ディスプレイパネルサブピクセル回路を提供し、当該発光ディスプレイパネルサブピクセル回路は、少なくとも3つのスイッチと、少なくとも1つの容量素子と、少なくとも1つの発光素子と、上記少なくとも3つのスイッチ、上記少なくとも1つの容量素子、及び上記少なくとも1つの発光素子を接続する電源ラインと、接地ラインと、サブピクセルを発光のために選択する走査ラインと、発光素子にデータを供給するデータラインと、発光素子の劣化を検出するためのセンスラインとを含み、所定の光度に対応するデータが、電圧に基づいてプログラムされる。
本発明の他の一態様は、発光ディスプレイパネル用のサブピクセル駆動方法を提供し、上記発光ディスプレイパネルサブピクセル回路にて、センスラインが所定のプリチャージ電圧にプリチャージされ、そして、サブピクセルの選択に伴うセンストランジスタのアクティブ化のときに、センスラインにおける電圧変化が検出される。
本発明の他の一態様は、発光ディスプレイパネル用のサブピクセル回路を含む複数のサブピクセルがマトリクスに配置されたディスプレイパネルを提供する。
本発明の他の一態様は、ディスプレイパネルを含んだディスプレイユニットを提供する。
本発明の1つ以上の実施形態は、高精細で、高速に走査することが可能で、且つスイッチングトランジスタ特性におけるバラつき及び発光素子(OLED)劣化を補正することが可能な、サブピクセル回路、その駆動方法、そのようなサブピクセル回路及びその駆動方法を使用するディスプレイパネル/ユニットを実装することができる。
本発明に従った実施形態が、添付の図面を参照して後述される。図面全体を通して、参照される実施形態間の対応関係を指し示すために、参照符号を繰り返して使用する。
[第1実施形態]
図3は、本発明の第1実施形態に従った発光ディスプレイユニットサブピクセル回路を示す図である。第1実施形態では、1つのサブピクセルが、3つのnチャネルTFT20、30、40と、1つ若しくは2つの容量素子(キャパシタ)50と、1つのOLED10とで構成され、これらが、走査ライン80、データライン90、電源ライン60、補正ライン110、及び接地ライン70に接続されている。
図3は、本発明の第1実施形態に従った発光ディスプレイユニットサブピクセル回路を示す図である。第1実施形態では、1つのサブピクセルが、3つのnチャネルTFT20、30、40と、1つ若しくは2つの容量素子(キャパシタ)50と、1つのOLED10とで構成され、これらが、走査ライン80、データライン90、電源ライン60、補正ライン110、及び接地ライン70に接続されている。
図4は、図3のサブピクセル回路における経時的な電圧印加を示す模式図である。図4の“点A”は、図3の駆動TFT20のゲートに接続された配線中の点Aに対応しており、駆動TFT20の経時的なゲート電圧を示している。
図3(a)において、駆動TFT20のドレインD1は電源ライン60に接続され、そのソースS1はOLED10のアノードに接続される。OLED10のカソードは接地ライン70に接続される。駆動TFT20のゲートは、容量素子50の一方の電極と選択TFT30のドレインD2とに接続される。選択TFT30のゲートは走査ライン80に接続され、そのソースS2はデータライン90に接続される。その一方で、容量素子の他方の電極は補正ライン110に接続される。センスTFT40のゲートは走査ライン80に接続され、そのドレインD3はセンスライン100に接続され、そのソースS3はOLED10のアノードに接続される。
OLED10は、アノードとカソードとにわたって印加される電圧又はアノードとカソードとにわたって流れる電流に対応するルミネセンス(光度)で光を放つ発光素子である。駆動TFT20は、発光のためにOLED10を駆動するためのトランジスタである。選択TFT30は、発光のために駆動されるサブピクセルを選択するためのトランジスタである。センスTFT40は、OLED10の劣化を検出するためのトランジスタである。
電源ライン60は、サブピクセル回路に電力を供給するために設けられる配線である。接地ライン70は、サブピクセル回路に含まれる回路要素をグランドに落とすための配線である。走査ライン80は、サブピクセルを選択するための配線である。選択TFT30をアクティブにする選択電圧を走査ライン80に供給することで、発光のためにサブピクセルの選択を駆動することが可能になる。データライン90は、OLED10にデータ(電圧)を供給するための配線である。この電圧のレベルによって、OLED10のルミネセンスが制御される。センスライン100は、OLED10における劣化によって生じる電圧変動を検出するための配線であり、センスTFT40と協働して、OLED10のアノード電圧における変動を検出する。補正ライン110は、所定のルミネセンスでの発光に要するOLED10のアノード電圧の変動下でも、OLED10に同じルミネセンスで発光させるように電圧変動を補正(補償)するための配線である。
走査ライン80及び選択TFT30のゲートに電圧が印加されると、選択TFT30がアクティブになって、データライン90に与えられたデータ信号(電圧)を駆動TFT20のゲート(点A)に印加させる。これは、所定レベルの電流がOLED10に流れて、データ信号(電圧)に対応するルミネセンスでOLED10に発光させることをもたらす。走査ライン80に電圧が存在しなくなると、選択TFT30は非アクティブになるが、駆動TFT20のゲート電圧(点A)は、走査電圧が再び与えられるまで、容量素子50によって一定レベルに維持される。
センスライン100の電圧は、所定レベルの電流がOLED10を流れるときに生じるアノード電圧に相当するレベルにプリチャージされる。走査ライン80と選択TFT30及びセンスTFT40のゲートとに電圧が印加されると、駆動TFT20のゲートに電圧が印加されて、データ信号(電圧)に対応する所定レベルの電流がOLED10に流れ始めることを生じさせる。この時点において、センスTFT40はアクティブ状態にあり、OLED10のアノード電圧とプリチャージされたセンスライン100の電圧との間の比較をもたらす。アノード電圧がセンスライン100の電圧よりも高い場合、電流がセンスライン100に流れ込む。低い場合には、電流がセンスライン100から流れ出る。これら2つの状態のうちのどちらが起こっているのかという決定が、センスライン100における電圧変化の検出によって為されることになる。
図3(b)において、駆動TFT20のドレインD1は電源ライン60に接続され、そのソースS1はOLED10のアノードに接続される。OLED10のカソードは接地ライン70に接続される。駆動TFT20のゲートは、容量素子51の一方の電極と選択TFT30のドレインD2とに接続される。選択TFT30のゲート電極は走査ライン80に接続され、そのソースS2はデータライン90に接続される。容量素子51の他方の電極はOLED10のアノードに接続される。その一方で、容量素子50の一方の電極はOLED10のアノードに接続され、その他方の電極は補正ライン110に接続される。センスTFT40のゲートは走査ライン80に接続され、そのドレインD3はセンスライン100に接続され、そのソースS3はOLED10のアノードに接続される。
走査ライン80及び選択TFT30のゲートに電圧が印加されると、選択TFT30がアクティブになって、データライン90に与えられたデータ信号(電圧)を駆動TFT20のゲート(点A)に印加させる。これは、所定レベルの電流がOLED10に流れて、データ信号(電圧)に対応するルミネセンスでOLED10に発光させることをもたらす。走査ライン80に電圧が存在しなくなると、選択TFT30は非アクティブになるが、駆動TFT20のゲート電圧(点A)は、走査電圧が再び与えられるまで、容量素子50、51によって一定レベルに維持される。図3(a)の実施形態との違いは、直列に接続された2つの容量素子50、51の使用にある。換言すれば、違いは、所定レベルの電流がOLED10に流れ始めるときに、OLED10のアノードに電圧が印加され、それが容量素子51に、駆動TFT20のゲートとソース(OLED10のアノード)との間の電圧を維持するように作用させ、それにより、駆動TFT20の閾値におけるバラつきを自動的に補正することである。
図3(a)の実施形態がそうであるように、センスライン100の電圧は、所定レベルの電流がOLED10を流れるときに生じるアノード電圧に相当するレベルにプリチャージされる。走査ライン80と選択TFT30及びセンスTFT40のゲートとに電圧が印加されると、駆動TFT20のゲートに電圧が印加されて、データ信号(電圧)に対応する所定レベルの電流がOLED10に流れ始めることを生じさせる。この時点において、センスTFT40はアクティブ状態にあり、OLED10のアノード電圧とプリチャージされたセンスライン100の電圧との間の比較をもたらす。アノード電圧がセンスライン100の電圧よりも高い場合、電流がセンスライン100に流れ込む。低い場合には、電流がセンスライン100から流れ出る。これら2つの状態のうちのどちらが起こっているのかという決定が、センスライン100における電圧変化の検出によって為されることになる。
OLED10の、その劣化によって生じる発光強度における低下は、通常、抵抗の増大をもたらすが、これは、OLED10に所定レベルの電流を通すのに要する電圧を高くならしめる傾向にある。この理由により、OLED10は、劣化した場合に、OLED10のアノード電圧をセンスライン100のプリチャージ電圧よりも高くならしめる傾向にある。これが起こると、OLED10に所定レベルの電流が通されたとしても、所望レベルの発光強度を得ることができない(すなわち、発光強度の低下)。
図3の(a)及び(b)は、補正ライン110に補正電圧を与えることによって発光強度の低下を補正する手段を示している。図4に示すように、走査電圧印加の完了に続く補正電圧の印加は、補正電圧の程度だけ駆動TFT20のゲート電圧(点A)を増大させ、それにより、OLED10を流れる電流のレベルが、補正電圧に対応する程度だけ増大又は低減される。補正電圧は、OLED10の劣化の程度に従って設定され、それにより、OLED10の劣化にかかわらずに所定レベルの発光強度が維持されることが可能になる。
その一方で、図3の(c)及び(d)は、駆動TFT20のゲート(点A)に印加される電圧に補正電圧を足し合わせることが、OLED10を流れる電流のレベルを、補正電圧に対応する程度だけ増大又は低減させることを示している。
[第2実施形態]
図5は、本発明の第2実施形態に従った発光ディスプレイユニットのサブピクセル回路を示す図である。第2実施形態では、1つのサブピクセルが、3つのpチャネルTFT21、31、41と、1つ若しくは2つの容量素子(キャパシタ)52、53と、1つのOLED11とで構成され、これらが、走査ライン81、データライン91、電源ライン61、補正ライン111、及び接地ライン71に接続されている。
図5は、本発明の第2実施形態に従った発光ディスプレイユニットのサブピクセル回路を示す図である。第2実施形態では、1つのサブピクセルが、3つのpチャネルTFT21、31、41と、1つ若しくは2つの容量素子(キャパシタ)52、53と、1つのOLED11とで構成され、これらが、走査ライン81、データライン91、電源ライン61、補正ライン111、及び接地ライン71に接続されている。
図6は、図5のサブピクセル回路における経時的な電圧印加を示す模式図である。図6の“点A”は、図5の駆動TFT21のゲートに接続された配線中の“点A”に対応しており、駆動TFT21の経時的なゲート電圧を示している。
図5(a)において、駆動TFT21のソースS4は接地ライン71に接続され、そのドレインD4はOLED11のアノードに接続される。OLED11のカソードは電源ライン61に接続される。駆動TFT21のゲートは、容量素子52の一方の電極と選択TFT31のソースS6とに接続される。選択TFT31のゲートは走査ライン81に接続され、そのドレインD6はデータライン91に接続される。その一方で、容量素子52の他方の電極は補正ライン111に接続される。センスTFT41のゲートは走査ライン81に接続され、そのソースS5はセンスライン101に接続され、そのドレインD5はOLED11のアノードに接続される。
走査ライン81及び選択TFT31のゲートに電圧が印加されると、選択TFT31がアクティブになって、データライン91に与えられたデータ信号(電圧)を駆動TFT21のゲート(点A)に印加させる。これは、所定レベルの電流がOLED11に流れて、データ信号(電圧)に対応するルミネセンスでOLED11に発光させることをもたらす。走査ライン81に電圧が存在しなくなると、選択TFT31は非アクティブになるが、駆動TFT21のゲート電圧(点A)は、走査電圧が再び与えられるまで、容量素子52によって一定レベルに維持される。
センスライン101の電圧は、所定レベルの電流がOLED11を流れるときに生じるアノード電圧に相当するレベルにプリチャージされる。走査ライン81と選択TFT31及びセンスTFT41のゲートとに電圧が印加されると、駆動TFT21のゲートに電圧が印加されて、データ信号(電圧)に対応する所定レベルの電流がOLED11に流れ始めることを生じさせる。この時点において、センスTFT41はアクティブ状態にあり、OLED11のアノード電圧とプリチャージされたセンスライン101の電圧との間の比較をもたらす。アノード電圧がセンスライン101の電圧よりも高い場合、電流がセンスライン101に流れ込む。低い場合には、電流がセンスライン101から流れ出る。これら2つの状態のうちのどちらが起こっているのかという決定が、センスライン101における電圧変化の検出によって為されることになる。
図5(b)において、駆動TFT21のソースS4は接地ライン71に接続され、そのドレインD4はOLED11のアノードに接続される。OLED11のカソードは電源ライン61に接続される。駆動TFT21のゲートは、容量素子53の一方の電極と選択TFT31のソースS6とに接続される。選択TFT31のゲートは走査ライン81に接続され、そのドレインD6はデータライン91に接続される。容量素子53の他方の電極はOLED11のアノードに接続される。その一方で、容量素子52の一方の電極はOLED11のアノードに接続され、その他方の電極は補正ライン111に接続される。センスTFT41のゲートは走査ライン81に接続され、そのソースS5はセンスライン101に接続され、そのドレインD5はOLED11のアノードに接続される。
走査ライン81及び選択TFT31のゲートに電圧が印加されると、選択TFT31がアクティブになって、データライン91に与えられたデータ信号(電圧)を駆動TFT21のゲート(点A)に印加させる。これは、所定レベルの電流がOLED11に流れて、データ信号(電圧)に対応するルミネセンスでOLED11に発光させることをもたらす。走査ライン81に電圧が存在しなくなると、選択TFT31は非アクティブになるが、駆動TFT21のゲート電圧(点A)は、走査電圧が再び与えられるまで、容量素子52、53によって一定レベルに維持される。図5(a)の実施形態との違いは、2つの容量素子52、53の使用を含む。換言すれば、違いは、所定レベルの電流がOLED11に流れ始めるときに、OLED11のアノードに電圧が印加され、それが容量素子53に、駆動TFT21のゲートとドレイン(OLED11のアノード)との間の電圧を維持するように作用させ、それにより、駆動TFT21の閾値におけるバラつきを自動的に補正することである。
図5(a)の実施形態がそうであるように、センスライン101の電圧は、所定レベルの電流がOLEDを流れるときに生じるアノード電圧に相当するレベルにプリチャージされる。走査ライン81と選択TFT31及びセンスTFT41のゲートとに電圧が印加されると、駆動TFT21のゲートに電圧が印加されて、データ信号(電圧)に対応する所定レベルの電流がOLEDに流れ始めることを生じさせる。この時点において、センスTFT41はアクティブ状態にあり、OLED11のアノード電圧とプリチャージされたセンスライン101の電圧との間の比較をもたらす。アノード電圧がセンスライン101の電圧よりも高い場合、電流がセンスライン101に流れ込む。低い場合には、電流がセンスライン101から流れ出る。これら2つの状態のうちのどちらが起こっているのかという決定が、センスライン101における電圧変化の検出によって為されることになる。
OLED11の、その劣化によって生じる発光強度における低下は、通常、抵抗の増大をもたらすが、これは、OLED11に所定レベルの電流を通すのに要する電圧を高くならしめる傾向にある。この理由により、OLED11は、劣化した場合に、OLED11のアノード電圧をセンスライン101のプリチャージ電圧よりも高くならしめる傾向にある。これが起こると、OLED11に所定レベルの電流が通されたとしても、所望レベルの発光強度を得ることができない(すなわち、発光強度の低下)。
第2実施形態(図5の(a)及び(b))は、補正ラインに補正電圧を与えることによって発光強度の低下を補正する手段を提供する。図6に示すように、走査電圧印加の完了に続く補正電圧の印加は、補正電圧の程度だけ駆動TFT21のゲート電圧(点A)を増大させ、それにより、OLED11を流れる電流のレベルが、補正電圧に対応する程度だけ増大される。補正電圧は、OLED11の劣化の程度に従って設定され、それにより、OLED11の劣化にかかわらずに所定レベルの発光強度が維持されることが可能になる。
[第3実施形態]
図7は、上述のサブピクセル回路のセンスライン100に接続される検知部160を示す図である。図7に示すサブピクセル回路は、検知部を除いて、図3に示した回路と同じである。このため、これらの図において同じコンポーネントは同じ参照符号及び記号を有しており、同じコンポーネントについての繰り返しの説明は省略する。
図7は、上述のサブピクセル回路のセンスライン100に接続される検知部160を示す図である。図7に示すサブピクセル回路は、検知部を除いて、図3に示した回路と同じである。このため、これらの図において同じコンポーネントは同じ参照符号及び記号を有しており、同じコンポーネントについての繰り返しの説明は省略する。
図7に示すサブピクセル回路において、OLED10のアノード電圧を測定するため、センスライン100及び比較器120の一方の端子(図7の反転端子)に、前もって、プリチャージ電源140によって設定される電圧が印加される(プリチャージ状態)。このようなプリチャージ状態が図7の右下に示されており、そこでは、スイッチ131がオン、スイッチ130がオフであり、プリチャージ電源140によって設定される電圧が比較器120の反転端子及びセンスライン100に与えられる。
次に、走査ライン80への電圧印加が選択TFT30及びセンスTFT40をアクティブ状態に至らせるとき、センスライン100とOLED10のアノードとが電気的に接続される。この時点においては、図7の左下に示すように、スイッチ130がオン、スイッチ131がオフである。OLED10のアノード電圧がプリチャージ電圧よりも低い場合、センスライン100の電位が僅かに下降し、比較器120の両端子間の電位比較の過程を介して、比較器120からロー(低)電圧を出力させる。対照的に、OLED10のアノード電圧がプリチャージ電圧よりも高い場合、センスライン100の電位が僅かに上昇し、比較器120の両端子間の電位比較の過程を介して、比較器120からハイ(高)電圧を出力させる。
図8は、図7のそれとは異なる検知部161の構成を示す図である。検知部161は、スイッチ130が比較器120の非反転端子に接続される点で、図7のそれと同じであるが、プリチャージ電源140及びスイッチ133だけでなく容量素子150及びスイッチ132も反転端子に接続される点で、図7のそれと異なっている。スイッチ132及びスイッチ133は、一緒に動作するように構成される。その他の構成は図7のそれらと同じである。このため、同じコンポーネントは同じ参照符号及び記号を有しており、同じコンポーネントについての繰り返しの説明は省略する。
これらの構成をもつ検知部161において、プリチャージが行われるとき、図8の右下に示すように、スイッチ130がオフになり且つスイッチ132、133がオンになって、プリチャージ電源140によって設定される電圧を比較器120の反転端子に接続させる。これは、このようなプリチャージ電圧が容量素子150によって維持されることをもたらす。
センシングが行われるとき、検知部161は図8の左下に示す状態に切り替えられる。つまり、スイッチ132、133の双方がオフ、スイッチ130がオンである。これと併せて、走査ライン80に電圧が印加されて、選択TFT30及びセンスTFT40をオンにならしめる。これは、データライン90に与えられた電圧が駆動TFT20を介してOLED10のアノードに与えられることをもたらす。その時点において、センスTFT40はオンであり、且つセンスライン100はプリチャージ電源140によって設定されるプリチャージ電圧にチャージされており、OLED10のアノード電圧を、プリチャージ電圧との比較のために、センスライン100を介して比較器の非反転端子に入力させる。OLED10のアノード電圧がプリチャージ電圧よりも高い場合、比較器120からハイレベル電圧信号が出力され、それにより、OLED10のアノード電圧の上昇の検出を引き起こす。
上述のように、検知部161は、図9に示した構成を有し得る。また、検知部160、161は、これらの実施形態に限定されるものではなく、OLED10のアノード電圧における変動を検出することができる限り、その他の構成を有していてもよい。
図9は、OLED10の劣化特性の一例を示すグラフである。OLED10は典型的に、図9に示す劣化特性をもつ。つまり、OLED10は、(1mA/cm2での)定電流動作において、時間が経過するにつれて、印加電圧の上昇を伴うルミネセンスの低下に悩まされる。第3実施形態に従ったサブピクセル回路では、このような印加電圧の上昇を測定することによってルミネセンス補正が実行される。OLED10における劣化が印加電圧の上昇を生じさせる場合であっても、その上昇に対応して印加電圧を増大させるように補正を行うことによって、ルミネセンスを一定レベルに維持することができる。
図10は、OLED印加電圧−ルミネセンス特性、及び駆動TFT印加電圧−駆動電流特性を示すルックアップテーブルの一例である。OLED10は、例えば、図10(a)に示す印加電圧−ルミネセンス特性をもつ。
また、駆動TFT20は、(一定のドレイン電圧に関して)図10(b)に示すゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)特性をもつ。
例えば、約1mA/cm2の駆動電流で約1000cd/m2のルミネセンスを有するようにOLED10を動作させるため、図10(a)を参照して、1000cd/m2に対応するアノード電圧を5.90Vに設定し、プリチャージ電圧を5.90Vに設定して、プリチャージが実行される。駆動TFT20について、図10(b)を参照して、約1mA/cm2の駆動電流を供給するようにゲート電圧が0.24Vに設定される。最初の走査で比較器120からハイ信号が出力される場合、プリチャージ電圧がOLED10のアノード電圧よりも低いが、OLED10を約1mA/cm2流れている。従って、プリチャージ電圧が、第2の走査で、一ステップ(刻み;このケースでは+0.02V)だけ上昇される。このような反復処理の後(このケースでは18回の反復処理の後)に初めて比較器120からの出力がローになる場合、OLED10は、(図9から)約20%のルミネセンスの低下を伴って約6%のアノード電圧の上昇を有すると予想される。
上述のように、センスライン100を介して検出されるOLED10のアノード電圧の変動が正方向(すなわち上昇傾向)にある場合、プリチャージ電圧も同様に正方向(上昇傾向)に一ステップだけ変更されることができ、それにより、再びセンスライン100を用いてOLED10のアノード電圧の変動が検出される。電圧変化が負方向(すなわち下降傾向)に反転するまで上述の処理を繰り返すことによって、電圧補正に必要なステップ数を決定することができ、それにより、適切な電圧補正に基づくルミネセンス補正(すなわち光度補正)が可能になる。この例では、正方向すなわち上昇傾向にある電圧変動を説明したが、電圧変動が負方向すなわち下降傾向にある場合にも同じ処理を行うことができる。つまり、プリチャージ電圧が、OLED10の電圧変動に対応する負方向の適切なステップ数だけ変更され、それにより、適切な電圧補正に基づくルミネセンス補正(すなわち光度補正)が可能になる。
ルミネセンスの低下を補償することには2つの方法が存在する。それらの方法のうちの1つめは、駆動TFTのゲート電圧設定を0.24Vから0.28Vに変更することによって遂行され得る。図10(b)に示されるように、ゲート電圧を0.28Vに変更することは、OLED10に供給される電流Idを約20%増大させる。これは、図10(b)のルックアップテーブルを更新することによって遂行され得る。第2の方法は、容量素子50を通じて駆動TFT20のゲート電圧を上昇させるように、ピクセル走査に続いて補正ライン110に+0.4Vを印加することによって遂行され得る。この場合、駆動TFT20に関するルックアップテーブルを更新する必要はない。
ルックアップテーブルは、例えば不揮発性メモリ又はROM(読み出し専用メモリ)などの所定の記憶素子に格納され得る。このような記憶素子に格納されたルックアップテーブルを参照することによって、所定のルミネセンスに対応するデータ、プリチャージ電圧、又は補正電圧が決定され得る。
また、ルックアップテーブルを使用することなく印加電圧を数学的に計算する方法が存在する。図10(b)は、数学モデルを用いて得られた値の一例を示している。このような数学モデルは、所定の印加電圧の数学計算を可能にする。数学モデルは、例えばROM又はRAMなどの所定の記憶素子に格納され得る。このような記憶素子に格納された数学モデルを参照することによって、所定のルミネセンスに対応するデータ、プリチャージ電圧、又は補正電圧が決定され得る。
第1乃至第3実施形態にて説明した発光ディスプレイパネルサブピクセル回路及びその駆動方法は、このようなサブピクセル回路及びその駆動方法を使用するディスプレイパネル及びディスプレイユニットに適用されることができる。発光ディスプレイパネルは、発光ディスプレイパネルサブピクセル構造を各々が有する複数のピクセルをマトリクスに配列することによって構成されることができる。また、発光ディスプレイユニット又は発光ディスプレイシステムは、画像処理回路、制御回路、及び筐体を用いて構成されることができる。
以上の好適実施形態を参照して、これらに限定されるものではないが、本発明の典型的な構成を説明した。本発明の範囲内で様々な変更が考えられる。
10、11 OLED
20、21 駆動TFT
30、31 選択TFT
40、41 センスTFT
50−53、150 容量素子(キャパシタ)
60、61 電源ライン
70、71 接地ライン
80、81 走査ライン
90、91 データライン
100、101 センスライン
110、111 補正ライン
120 比較器
130−133 スイッチ
140 プリチャージ電源
160、161 検知部
20、21 駆動TFT
30、31 選択TFT
40、41 センスTFT
50−53、150 容量素子(キャパシタ)
60、61 電源ライン
70、71 接地ライン
80、81 走査ライン
90、91 データライン
100、101 センスライン
110、111 補正ライン
120 比較器
130−133 スイッチ
140 プリチャージ電源
160、161 検知部
Claims (28)
- 発光ディスプレイパネルサブピクセル回路であって、
少なくとも3つのスイッチと、
少なくとも1つの容量素子と、
少なくとも1つの発光素子と、
前記少なくとも3つのスイッチ、前記少なくとも1つの容量素子、及び前記少なくとも1つの発光素子を接続する配線として機能する電源ラインと、
接地ラインと、
サブピクセルを発光のために選択する走査ラインと、
前記発光素子にデータを供給するデータラインと、
前記発光素子の劣化を検出するためのセンスラインと
を有し、
所定の光度に対応する前記データが、電圧に基づいてプログラムされる、
発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。 - 前記配線は更に補正ラインを含む、請求項1に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。
- 前記少なくとも3つのスイッチの各々が、主としてシリコン、金属酸化物、又は有機物からなる活性層を含んだ電界効果トランジスタである、請求項1又は2に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。
- 前記少なくとも3つのスイッチの各々がnチャネル電界効果トランジスタである、請求項1乃至3の何れか一項に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。
- 前記少なくとも3つのスイッチの各々がpチャネル電界効果トランジスタである、請求項1乃至3の何れか一項に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。
- 前記少なくとも3つのスイッチは、前記発光素子を発光のために駆動する駆動トランジスタと、サブピクセルを発光のために選択する選択トランジスタと、前記発光素子における劣化を検出するセンストランジスタとを有し、
前記発光素子のアノードが、前記駆動トランジスタ及び前記センストランジスタの第1主電極に接続され、
前記センストランジスタの第2主電極が前記センスラインに接続され、
前記選択トランジスタの第1主電極が前記データラインに接続され、前記選択トランジスタの第2主電極が前記駆動トランジスタの制御電極に接続され、且つ
前記選択トランジスタ及び前記センストランジスタの制御電極が前記走査ラインに接続される、
請求項1に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。 - 前記少なくとも3つのスイッチは、前記発光素子を発光のために駆動する駆動トランジスタと、サブピクセルを発光のために選択する選択トランジスタと、前記発光素子における劣化を検出するセンストランジスタとを有し、
前記発光素子のアノードが、前記駆動トランジスタ及び前記センストランジスタの第1主電極に接続され、
前記センストランジスタの第2主電極が前記センスラインに接続され、
前記選択トランジスタの第1主電極が前記データラインに接続され、前記選択トランジスタの第2主電極が前記駆動トランジスタの制御電極に接続され、
前記駆動トランジスタの前記制御電極及び前記選択トランジスタの前記第2主電極が、前記少なくとも1つの容量素子を介して前記補正ラインに接続され、且つ
前記選択トランジスタ及び前記センストランジスタの制御電極が前記走査ラインに接続される、
請求項2に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。 - 前記駆動トランジスタ、前記選択トランジスタ、及び前記センストランジスタの各々が、nチャネル電界効果トランジスタであり、
前記第1主電極はソース電極であり、
前記第2主電極はドレイン電極であり、且つ
前記制御電極はゲート電圧である、
請求項7に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。 - 前記発光素子のカソードが接地され、且つ前記駆動トランジスタのドレイン電極が前記電源ラインに接続される、請求項8に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。
- 前記補正ラインが接地される、請求項9に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。
- 前記駆動トランジスタのゲート電極及び前記選択トランジスタのドレイン電極が、第1及び第2の容量素子を介して前記補正ラインに接続され、
前記第1の容量素子は、前記補正ラインと前記センストランジスタのソース電極との間に接続され、且つ
前記第2の容量素子は、前記駆動トランジスタのゲート電極及び前記選択トランジスタのドレイン電極と前記センストランジスタのソース電極との間に接続される、
請求項8乃至10の何れか一項に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。 - 前記駆動トランジスタ、前記選択トランジスタ、及び前記センストランジスタの各々が、pチャネル電界効果トランジスタであり、
前記第1主電極はドレイン電極であり、
前記第2主電極はソース電極であり、且つ
前記制御電極はゲート電圧である、
請求項7に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。 - 前記発光素子のカソードが前記電源ラインに接続され、且つ前記駆動トランジスタのソース電極が接地される、請求項12に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。
- 前記駆動トランジスタのゲート電極及び前記選択トランジスタのソース電極が、第1及び第2の容量素子を介して前記補正ラインに接続され、
前記第1の容量素子は、前記補正ラインと前記センストランジスタのドレイン電極との間に接続され、且つ
前記第2の容量素子は、前記駆動トランジスタのゲート電極及び前記選択トランジスタのソース電極と前記センストランジスタのドレイン電極との間に接続される、
請求項12又は13に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路。 - 発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法であって、
請求項6乃至14の何れか一項に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路にて、前記センスラインを所定のプリチャージ電圧にプリチャージするステップと、
サブピクセル選択のときに、前記センストランジスタがオンになるときに発生する前記センスラインにおける電圧変化を検出するステップと
を有する、発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法。 - 前記センスラインにおける前記電圧変化が正又は負の方向であることが見出された場合に、前記プリチャージ電圧が、前記正又は負の方向と同じ方向に所定の一ステップだけ変更されて、再び前記電圧変化が検出される、請求項15に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法。
- 前記電圧変化が前記正又は負の方向とは逆の方向に反転されるまで、請求項16に記載された手順が繰り返される、請求項16に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法。
- 補正ラインに補正電圧を印加することによって、前記発光素子の光度が補正される、請求項15乃至17の何れか一項に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法。
- 前記駆動トランジスタのゲート電極に更に補正電圧を印加することによって、前記発光素子の光度が補正される、請求項15乃至17の何れか一項に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法。
- 前記補正電圧は、前記センスラインにおける前記電圧変化に対応するステップ幅に基づいて設定される、請求項18に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法。
- 前記センスラインにおける前記電圧変化の量が、前記電圧変化を反転ならしめるステップ数によって決定される、請求項15乃至20の何れか一項に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法。
- 前記ステップの幅及び前記ステップ数が、電子データとして記憶素子に格納される、請求項21に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法。
- 前記プリチャージ電圧が、電子データとして前記記憶素子に格納される、請求項22に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法。
- 所定の光度に対応するデータ、前記プリチャージ電圧、及び補正電圧が、前記記憶素子に格納されたデータテーブルを参照することによって決定される、請求項23に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法。
- 所定の光度に対応するデータ、前記プリチャージ電圧、及び補正電圧が、前記記憶素子に格納された数学モデルを用いて計算される、請求項23に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法。
- 前記センスラインにおける前記電圧変化が、比較器によって検出される、請求項15乃至25の何れか一項に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセルを駆動する方法。
- 請求項1乃至14の何れか一項に記載の発光ディスプレイパネルサブピクセル回路を含む複数のサブピクセルがマトリクスに配置されている、ディスプレイパネル。
- 請求項27に記載のディスプレイパネルを含んだディスプレイユニット。
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