JP2017515417A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 複数の超音波トランスデューサ素子及び前記超音波トランスデューサ素子に接続するための複数の第１のコンタクトを含む主面を有する超音波トランスデューサチップと、
   信号処理アセンブリと接触するための複数の第２のコンタクトを含む更なる主面を有するコンタクトチップと、
   超音波吸収体及び／又は散乱体を含むバッキング部材であって、前記トランスデューサチップが位置付けられる第１の面及び前記コンタクトチップが位置付けられる第２の面を含む前記バッキング部材と、
   前記主面から前記更なる主面へと前記バッキング部材に亘って延在する可撓性相互接続部であって、前記可撓性相互接続部は、複数の導電性トラックを含み、各導電性トラックは、前記第１のコンタクトの１つを第２のコンタクトに接続する、可撓性相互接続部と、
   を含む、超音波トランスデューサアセンブリ。
2. 前記バッキング部材は、前記超音波吸収体及び／又は散乱体が分散された分散された樹脂を含む、請求項１に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
3. 前記超音波散乱体は、中空ガラスビーズであり、及び／又は前記超音波吸収体は、酸化タングステン粒子等のタングステンを含む粒子である、請求項１又は２に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
4. 前記可撓性相互接続部は、第１の電気絶縁ポリマー層及び第２の電気絶縁ポリマー層を含み、前記導電性トラックは、前記第１及び第２の電気絶縁ポリマー層の間に配置される、請求項１乃至３の何れか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
5. 前記第１の面は、前記第２の面の反対側である、請求項１乃至４の何れか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
6. 前記第１の面は、前記第２の面に隣接する、請求項１乃至４の何れか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
7. 前記第２のコンタクトは、半田バンプを含む、請求項１乃至６の何れか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
8. 前記第２のコンタクトは、ボールグリッドアレイを規定する、請求項１乃至７の何れか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
9. 前記可撓性相互接続部は、前記第１のコンタクト及び前記第２のコンタクトを包み込む、請求項１乃至８の何れか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
10. 請求項１乃至９の何れか一項に記載の前記超音波トランスデューサアセンブリと、
    主キャリア面上に前記トランスデューサ素子からの信号を処理するための少なくとも１つの信号処理回路を保持するキャリアを含む信号処理アセンブリであって、前記キャリアは、前記主キャリア面に隣接する更なるキャリア面を含み、前記更なるキャリア面は、前記少なくとも１つの信号処理回路に対する複数のキャリアコンタクトを含み、前記キャリアコンタクトは、前記第２のコンタクトに導電性結合される、信号処理アセンブリと、
    を含む、超音波プローブ。
11. 前記更なるキャリア面は、前記キャリアのエッジ面である、請求項１０に記載の超音波プローブ。
12. 請求項１０又は１１に記載の前記超音波プローブを含む、超音波イメージングシステム。
13. 各々が複数の超音波トランスデューサ素子及び前記超音波トランスデューサ素子に接続するための複数の第１のコンタクトを含む主面を有する超音波トランスデューサチップの第１のアレイ、
    各々が信号処理アセンブリと接触するための複数の第２のコンタクトを含む更なる主面を有するコンタクトチップの第２のアレイ、並びに
    前記第１のアレイを前記第２のアレイから分離する犠牲領域、
    を含むウエハを準備するステップと、
    前記第１のコンタクトから前記第２のコンタクトへと前記犠牲領域に亘って延在する可撓性相互接続部を形成するステップであって、前記可撓性相互接続部は、複数の導電性トラックを含み、各導電性トラックは、前記第１のコンタクトの１つを第２のコンタクトに接続する、ステップと、
    前記第１のアレイ及び前記第２のアレイを切り離すために前記犠牲領域を除去するステップと、
    超音波吸収体及び／又は散乱体を含むバッキング材料を設けるステップと、
    前記バッキング材料の第１の面上に前記第１のアレイを設けるステップと、
    前記可撓性相互接続部が前記バッキング材料に亘って前記第１のアレイから前記第２のアレイへと延在するように、前記第２のアレイを前記バッキング材料の第２の面上に設けるステップと、
    を含む、超音波トランスデューサアセンブリの製造方法。
14. 前記可撓性相互接続部を形成する前記ステップは、
    前記第１のコンタクトから前記第２のコンタクトへと前記犠牲領域に亘って延在する第１の可撓性及び電気絶縁材料の層を形成するステップであって、前記層は、前記第１のコンタクトを露出させる第１の複数の開口部及び前記第２のコンタクトを露出させる第２の複数の開口部を含む、ステップと、
    前記パターニングされた層上に複数の導電性トラックを形成するステップであって、前記導電性トラックの各々は、前記第１のコンタクトの１つ及び前記第２のコンタクトの１つに導電性結合される、ステップと、
    任意選択的に前記第１の層及び前記複数の導電性トラックを覆う第２の可撓性及び電気絶縁材料の更なる層を形成するステップと、
    を含む、請求項１３に記載の方法。
15. 請求項１３又は１４に記載の方法に従って製造された超音波トランスデューサアセンブリを準備するステップと、
    複数のキャリアを含む信号処理アセンブリを準備するステップであって、各キャリアは、
    前記トランスデューサ素子からの信号を処理するための少なくとも１つの信号処理回路を保持する主キャリア面、及び
    前記主キャリア面に隣接する更なるキャリア面であって、前記少なくとも１つの信号処理回路に接続するための複数のキャリアコンタクトを含む前記更なるキャリア面、
    を含む、ステップと、
    前記第２のコンタクトの各々をそれぞれのキャリアコンタクトに結合させることによって超音波プローブのアセンブリを形成するステップと、
    前記超音波プローブを単一化するステップと、
    を含む、超音波プローブの製造方法。