JP2017506680A - 量子ドットのオキソ系及び水酸基系の複合無機リガンド - Google Patents

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Abstract

本発明は、量子ドット(100)を有するルミネセント材料(10)を提供し、当該ルミネセント材料(10)は更に、量子ドット(10)に配位するキャッピング剤(110)を有し、該キャッピング剤は、MxOy(OH)znを有し、Mは、B、Al、P、S、V、Zn、Ga、Ge、As、Se、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、及びWからなる群から選択されており、x≧1、y+z≧1であり、nは、前記キャッピング剤の正電荷又は負電荷を指し示す。

Description

本発明は、量子ドットに基づく(粒子状)ルミネセント材料の製造方法、及び量子ドットに基づくそのような(粒子状)ルミネセント材料それ自体に関する。さらに、本発明は、そのような(粒子状)ルミネセント材料を含む照明デバイスに関する。
量子ドットの合成が技術的に知られている。例えば、特許文献1(US2012/0104325)は、ナノ粒子とその表面に化学結合された無機キャッピング剤とを有する分離(アイソレート)可能なコロイド粒子、その溶液、二相性の溶媒混合液からそれを作製する方法、及び分離可能なコロイド粒子からの構造物及び固形物質の形成を記載している。そのプロセスは、光電池、圧電結晶、熱電層、光電層、発光ダイオード、強誘電体層、薄膜トランジスタ、フローティングゲート式メモリデバイス、撮像デバイス、相変化層、及びセンサデバイスに適した材料を生み出すことができる。特に、この文献は、ナノ粒子の表面に化学結合された無機キャッピング剤を有し且つ有機キャッピング剤を実質的に有しない分離可能なコロイド粒子を記載している。さらに、この文献は、ナノ粒子の表面に化学結合された無機キャッピング剤と溶媒とを有する上述のようなコロイド粒子の溶液であって、有機キャッピング剤を実質的に有しない溶液を記載している。
特許文献2(WO2012/158847)は、ナノ粒子とその表面に化学結合された無機キャッピング剤とを有する分離可能なコロイド粒子、二相性の溶媒混合液の中でそれを作製する方法、並びに分離可能なコロイド粒子からの構造物及び固形物質の形成を記載している。特許文献2によって記載されているプロセスは、光電池、圧電結晶、熱電層、光電層、発光ダイオード、強誘電体層、薄膜トランジスタ、フローティングゲート式メモリデバイス、相変化層、及びセンサデバイスを生み出し得る。
米国特許出願公開第2012/0104325号明細書 国際公開第2012/158847号パンフレット
量子ドット(qドット又はQD)は現在、ソリッドステートライティング(SSL)用途(LED)における蛍光体として研究されている。それらは、例えば調節可能(チューナブル)な発光及び狭い発光バンドなど、特には高CRIであるLEDベースのランプの有効性を有意に高める助けとなり得る幾つかの利点を有する。典型的に、qドットは有機液体にて供給され、量子ドットは、例えばオレイン酸塩(オレイン酸のアニオン)など、ドットの発光効率を向上させること及び有機媒体内でドットを安定させることの助けとなる有機リガンドによって取り囲まれる。そのような有機媒体は、例えばアクリレートなどのポリマーマトリクスを含むことが多い。
便利な構成ではあるが、そのようなポリマーマトリクスは、LED条件への長期の曝露に対して安定でない(褐色化する)ことが(しばしば)見出されており、同じことが量子ドットにも言える(低減される発光)。知られていることには、一般に、有機材料は、例えばLEDランプにおいて典型的に見受けられるような、高温(例えば、50−150℃の間)若しくは高(青色)光束(例えば、1−100W/cmの間)又はこれらの組み合わせに対して、長期的に不安定になる傾向にある。その意味で、有機リガンドとqドットとの間の界面も不安定性のもと(ソース)になると思われる。最終的に、qドットそれ自体も、そのような条件下では長期不安定性に悩まされ、それは、(少なくとも部分的に)湿気(水分)及び/又は酸素に関係することが見出されている。
従って、使われているLED条件に関係するようなqドット/マトリクス複合体の長期不安定性、及び湿気に対するqドットの敏感さは全て、LEDアプリケーションでのqドット蛍光体の使用の妨げになっている。故に、LEDランプで使われている条件に対していっそう安定な材料を使用すること、並びにqドットを水分及び/又は酸素から遮蔽する材料若しくは幾何学構成を使用することに向けて駆り立てるものが存在する。理想的には、これが全て、qドットにも適合する1つの材料にて組み合わされ得る。
上述のように、量子ドットに配位するための有機リガンドの使用は、一般に、(特に、高い光束条件下で)比較的低い(発光)安定性を持つルミネセント材料につながる。例えば無機リガンドを有するものなど、その他の系を使用する努力も、比較的低い量子効率を持つルミネセント材料につながる。従って、本発明の一観点は、代わりの(粒子状、特には微粒子状)ルミネセント材料、及び/又はそのような(粒子状)ルミネセント材料の製造のための代わりの方法を提供することであり、それは好ましくは更に、上述の欠点のうちの1つ以上を少なくとも部分的に取り除くものである。本発明の更なる一観点は、安定した光学特性を持った、そのようなルミネセント材料を含んだ、代わりの照明デバイスを提供することである。本発明の更なる一観点は、そのようなルミネセント材料を含んだ代わりの波長コンバータ素子、及び/又はそのような波長コンバータ素子を含んだ代わりの照明デバイスを提供することである。
ここでは、数ある中でもとりわけ、無機リガンドでの有機リガンドの置き換えが記載され、それが場合により実施形態において更に、単純な沈殿メカニズムによって完全に無機のマトリクスを成長させるための足場としての役割を果たす。見出された特定のリガンドは、驚くべきことに、比較的高い量子効率を持つ(量子ドットに基づく)ルミネセント材料を提供する。また、無機マトリクスとのオプションの組み合わせが、量子ドットが完全に無機の環境内にあって、マトリクスが水分及び/又は空気に対する障壁としても作用し得ることを確保し、ダイ又は部品のレベルでの更なる封止を必要とせずに(LED条件下での)qドットの長期安定性に役立つ。
ここでは、量子ドット上の有機リガンドを、とりわけ金属イオンと幾つかのアニオンとからなる複合アニオンである無機リガンドによって置換することを提案する。リガンド交換は、qドットを、水又は例えばDSMO若しくはホルムアミデなどの極性溶媒の中で分散可能にする。発見したことには、驚くべきことに、複合アニオン(例えば、Zn(OH) 2−など)のうちの幾つかを、場合により例えば(過剰な)水酸化物などの第2のイオンと組み合わせて、用いることで、他の有機イオン又は無機イオンでの元の有機リガンドの交換の場合に一般的に観測されるqドットのQEの大幅な低下を、かなりの程度、防止することができる。
第1の態様において、本発明は、量子ドットを有するルミネセント材料を提供し、当該ルミネセント材料は更に、量子ドットに配位するキャッピング剤を有し、該キャッピング剤は、M(OH) を有し、Mは、B、Al、P、S、V、Zn、Ga、Ge、As、Se、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、及びWからなる群から選択されており、x≧1、y+z≧1であり、nは、前記キャッピング剤の正電荷又は負電荷を指し示す。xの特性値は例えば、例えば1−4など1−6の範囲から選択される。yの特性値は例えば、例えば0−6など0−10の範囲から選択される。zの特性値は例えば、例えば0−6など0−10の範囲から選択される。nの特性値は特に、(−4)−(−1)のように例えば(−6)−(−1)など、(−12)−(−1)の範囲から選択される。元素の選択結果におけるnの値及びそれらの酸化状態は、例えば、MoOでn=−2、又はSnOでn=−1若しくはn=−2である。
元の有機リガンドの無機イオンでの交換を受けての、工業用qドットの量子効率の大きい低下は、本発明によって解決される。この交換はまた、全てがLEDアプリケーションでのqドット蛍光体(すなわち、ルミネセント材料)の使用の妨げとなる、使われているLED条件(高い温度及び光束)及び湿気へのqドットの敏感さに関係する有機リガンドキャップされたqドットの使用で観測される長期不安定性に対する保護となり得る。qドットはまた、後の無機マトリクス材料への組み込みに備えて準備される。ここでは、無機リガンドとしてM(OH) を使用して、これらのリガンドで有機リガンドが交換される量子ドットにおいて高い量子収率を達成することを提案する。従って、量子ドットのオキソ系及び水酸基系の複合無機リガンドが提供される。なお、オキソ及び水酸基は、特にプロトン性(水性)環境において相互に入れ換え可能である。
これら上述のキャッピング剤は、量子ドット、特に、それらの外側のシェル又は層に配位するようである。そのような外層は例えばZnSを含み得る。従って、有機リガンドに関して現在知られるのと同様に、負に帯電したキャッピング剤は、(QDの表面にある)例えばZnなどの金属カチオンに配位し、正に帯電したキャッピング剤は、(QDの表面にある)例えばSなどのアニオンに配位し得る。本発明は、外層又はZnSを持つ量子ドットに限定されるものではない。
さらに、一般に量子ドットに配位する有機リガンドは、無機リガンドで効率的に置換されることができ、実質的に有機リガンド(又は有機キャッピング剤)は残らないようである(後述も参照)。従って、ルミネセント材料は実質的に、もはや有機キャッピング剤を含まない。特に、量子ドットに有機キャッピング剤(存在すれば)も配位しているとき、有機キャッピング剤の量は、量子ドットの総重量に対して、例えば1wt%未満など、5wt%未満である。有機リガンドの存在は、例えば、IR(赤外線)測定から決定され得る。IRにおけるC−H伸縮振動の実質的な不存在は、例えば0.5wt%以下など、量子ドットの総重量に対して1wt%以下の量でなどの、有機キャッピング剤の不存在を指し示し得る。キャッピング剤は、量子ドットを実質的に包囲し得る。このことにより、量子ドットは水性(場合により、アルカリ)媒体によく溶け得る(後述も参照)。また、qドット内に存在しない元素をリガンドが含む場合(例えば、Sn(一般的にQDに利用可能でない))、それらをSEM/EDX、XPSなどによって検出することができる。
無機キャッピング剤は、例えば、個別の種、直鎖若しくは分岐鎖、又は2次元シートとし得る。イオン性の無機キャッピング剤は、一般に、カチオンとアニオンとのペアリングである塩として参照され、無機キャッピング剤として特定的に参照される塩の部分は、有機キャッピング剤を置き換えてナノ粒子をキャップするイオンである。しばしば、無機イオンは有機官能基を持つイオンとペアになり、有機キャッピング剤を置き換えないペアイオンは、ここでは、対イオンとして参照される。対イオンは、無機キャッピング剤及び無機キャップされたナノ材料の可溶性及び反応性に影響を与え得るが、多様な対イオンが、それらの容易な置換及び所望の特性の調和を可能にする。ここでは、用語“リガンド”の代わりに、用語“キャッピング剤”又は“キャッピングリガンド”又は“配位リガンド”も適用される。上述のように、有機キャッピング剤は、有機溶媒内でQDを安定化させるために適用され得る。用語“キャッピング剤”はまた、複数の異なるキャッピング剤をも表し得る。無機キャッピングリガンドは、ここでは、“配位イオン”又は“グラフト”又は“グラフティングリガンド”としても定義され得る。ここに記載されるキャッピング剤は、特には、イオン性の物質である。その例は、所謂Zintlイオンである(後述も参照)。正に帯電されたキャッピング剤が、量子ドットの外層(アウターレイヤ)内の例えばSイオン又はSeイオンなどのアニオンに配位し、負に帯電されたキャッピング剤が、量子ドットの外層内の例えばZnカチオン又はCdカチオンなどのカチオンに配位し得る。
リガンドの化学的安定性、配位能力、QDとのリガンドの反応性、及び/又は望ましくない光吸収若しくはその他の望ましくない光学挙動に鑑み、特に、Mは、Al、V、Zn、As、Se、Mo、Sn、及びWからなる群から選択され、より特には、Mは、Al、V、Zn、Mo、Sn、及びWからなる群から選択される。例えば、キャッピング剤は、アルミン酸塩イオン(例えば、Al(OH) など)、錫酸塩イオン(例えば、SnO 、SnO 2−、及びSnO 4−など)、(ヒ酸塩イオン(例えば、AsO 3−、AsO 3−など)、セレン酸塩イオン(例えば、SeO 2−))、バナジウム酸塩イオン(例えば、VO 、VO 3−など)、モリブデン酸塩イオン(例えば、MoO 2−など)、タングステン酸塩イオン(例えば、WO 2−など)、及び亜鉛酸塩イオン(例えば、Zn(OH) 2−など)(テトラヒドロジンケート)のうちの1つ以上を有し得る。従って、2つ以上の異なるタイプのキャッピング剤の組み合わせが適用されてもよい。特に、MがAl、V、Zn、Mo、Sn、及びWのうちの1つ以上を有するキャッピングリガンドは、中性pHで安定な錯体を提供し、且つ/或いは実質的に無毒の錯体を提供し得る。
“キャッピング剤は、M(OH) を有し、Mは、B、Al、P、S、V、Zn、Ga、Ge、As、Se、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、及びWからなる群から選択される”という言い回しは、故に、一実施形態において、例えば、Zn(OH) 2−及びSnO 2−の組み合わせなど、(2つ以上の)異なるキャッピング剤の組み合わせを表し得る。それに代えて、あるいは加えて、これは、例えば(Mo,W)O 2−など((Mo0.30.7)O 2−のように)、キャッピング剤の中に2つ以上の異なるM元素が存在することを表し得る。
キャッピング剤は特に、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、及びルビジウムのうちの1つ以上の塩、特にはナトリウム及びカリウムのうちの1つ以上の塩、より特にはナトリウムの塩など、アルカリイオンの塩として導入され得る。正に帯電されたキャッピング剤は、特に、例えばフッ素、塩素、及び臭素のうちの1つ以上などのハロゲンイオンとの組み合わせとして提供され得る。
特に、量子ドットの外層及び無機キャッピング剤は、或る元素を共通に有する。従って、例えば、硫化物又はセレン化物(例えば、ZnS又はZnSe)を有する外層は、それぞれ、硫酸イオン(SO 2−)若しくは亜硫酸イオン(SO 2−)、又はセレン酸塩イオンと良好に結合されることができ、亜鉛を含有する外層(例えば、ZnS又はZnSe)は亜鉛酸塩イオン(ジンケートイオン)と良好に結合され得る。セレン化亜鉛の外層を仮定すると、キャッピング剤は、例えば、亜鉛酸塩イオン及びセレン酸塩イオンのうちの1つ以上を有し得る。従って、特に、無機リガンドとQDの外層とが元素を共通に有する(上述も参照)。また、特に、外層は、ZnS、CdS、ZnO、ZnSe、又はZnPを有し得る。従って、外層がZnS、CdS、ZnO、ZnSe、又はZnPを含むと仮定すると、リガンド又はキャッピング剤は、それぞれ、Zn及び/又はS、Cd及び/又はS、Zn及び/又はO(特に、Zn)、Zn及び/又はSe、又は、Zn及び/又はPのうちの1つ以上を含み得る。
無機キャッピングリガンドを有するルミネセント材料は、概して、第1段階にて、水性液体(ここでは、第1の液体としても指し示す)の中で提供され、以下にて、このような量子ドット材料を製造する方法が更に明らかになる。従って、ルミネセント材料は、一実施形態において、量子ドットに配位するキャッピング剤を有する量子ドットを有する第1の液体を有し得る。このルミネセント材料は、QDが実質的に(完全に)分散された溶液とし得る。しかしながら、ルミネセント材料はまた、分散液又はコロイド又はゲルともし得る。具体的な一実施形態において、第1の液体は、例えば低くても10など、低くても8のpHを有し得る。このようなルミネセント材料の用途は、ルミネセント材料が容器又はキュベットのような本体又は別のエンベロープに包囲される照明用途を含み得る。しかしながら、ルミネセント材料は、水性液体に溶解されるとき、例えばバイオマーカーとして、医療用途を含めた生物学用途にも使用され得る。その他の選択肢は、光電池用途又はフォトダイオード用途を含む。
更なる他の一実施形態において、ルミネセント材料は実質的に、キャッピング剤を有するQDそれ自体である。QDは、液体の蒸発を含め、技術的に知られた技術で液体から分離されることができ、それにより、(キャッピングを含む)QD物質が粉末又は固形物(ケーキ)として提供される。その後、斯くして得られた物質が、例えば粒子状材料へと更に処理され得る(後述も参照)。例えば、ルミネセント材料はまた、基質上のコーティングとしても提供され得る。キャッピング剤を有するQDを実質的に有するルミネセント材料それ自体がまた、例えば波長コンバータ素子を提供するように、例えば無機又は有機のマトリクスなどのマトリクス内に封入されてもよい(後述も参照)。
より更なる一実施形態において、第1の液体中の量子ドットが、より大きい粒子内に包み込まれ、そして、特には沈殿反応を介して、固体材料として提供され、以下にて、このような量子ドット材料を製造する方法が更に明らかになる。従って、具体的な一実施形態において、ルミネセント材料は、無機キャッピング剤を有する量子ドットをホストする無機(塩)マトリクスを有する粒子を有する。より更なる一実施形態において、ルミネセント量子ドットは、無機化合物を有する外層を持ち、無機キャッピング剤において、(キャッピング剤の)Mは、Al、V、Zn、As、Se、Mo、Sn、及びWからなる群から選択され、より特には、Mは、Al、V、Zn、Mo、Sn、及びWからなる群から選択される。例えば、更に特には、キャッピング剤は、アルミン酸塩イオン(例えば、Al(OH) など)、錫酸塩イオン(例えば、SnO 、SnO 2−、及びSnO 4−など)、(ヒ酸塩イオン(例えば、AsO 3−、AsO 3−など)、セレン酸塩イオン(例えば、SeO 2−))、バナジウム酸塩イオン(例えば、VO 、VO 3−など)、モリブデン酸塩イオン(例えば、MoO 2−など)、タングステン酸塩イオン(例えば、WO 2−など)、及び亜鉛酸塩イオン(例えば、Zn(OH) 2−など)のうちの1つ以上を有し、特に、(i)無機(塩)マトリクスの無機塩と量子ドットの外層とが或る元素を共通に有すること、(ii)無機キャッピング剤と無機(塩)マトリクスとが或る元素を共通に有すること、及び(iii)量子ドットの外層と無機キャッピング剤とが或る元素を共通に有することのうちの1つ以上が該当する。従って、例えば、セレン化物を有する外層は、セレン酸塩イオンと良好に結合されることができ、亜鉛を含有する外層亜鉛酸塩イオンと良好に結合され得る(上述も参照)。セレン化亜鉛の外層を仮定すると、キャッピング剤は、例えば、亜鉛酸塩イオン及びセレン酸塩イオンのうちの1つ以上を有し得る。同様に、特に、無機リガンドと沈殿塩とが、例えば金属元素及び/又はVa族元素及び/又はVIa族元素などの元素を共通に有する。
上述のように、本発明はまた、液体内で上述のような無機キャッピング剤を有するQDそれ自体を製造する方法、及びそのような量子ドットを塩マトリクスに組み込むことを含む方法を提供する。以下にて、これらの方法が更に明らかになる。
更なる一態様において、本発明は(故に)更に、量子ドットに基づくルミネセント材料の製造の方法を提供し、当該方法は、(i)有機キャッピング剤(例えば、オレイン酸塩など)を有するルミネセント量子ドットを供給し、第1の液体内で、交換プロセスにて、無機キャッピング剤を有する上記ルミネセント量子ドットを供給することを有し、キャッピング剤は、M(OH) を有し、Mは、B、Al、P、S、V、Zn、Ga、Ge、As、Se、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、及びWからなる群から選択され、x≧1、y+z≧1であり、nは、キャッピング剤の正電荷又は負電荷を指し示す。このような方法を用いることで、有利に上述のルミネセント材料が提供され得る。従って、更なる一実施形態において、本発明はまた、上に規定される方法によって得ることが可能な、ここに規定されるルミネセント材料を提供する。一実施形態において、無機リガンドを有する量子ドットは、有機キャッピング剤を有するルミネセント量子ドットを供給し、(開始液体内で)交換プロセスにて、無機キャッピング剤を有する上記ルミネセント量子ドットを供給することを有する方法によって取得され得る。
具体的な一実施形態において、交換プロセスは相間移動プロセスを有する。更に後述するこのような方法を用いることで、有機リガンドが効率的に無機リガンド(キャッピング剤)によって置換され得る。より更なる具体的な一実施形態において、無機キャッピング剤は、アルミン酸塩イオン(例えば、Al(OH) など)、錫酸塩イオン(例えば、SnO 、SnO 2−、及びSnO 4−など)、(ヒ酸塩イオン(例えば、AsO 3−、AsO 3−など)、セレン酸塩イオン(例えば、SeO 2−))、バナジウム酸塩イオン(例えば、VO 、VO 3−など)、モリブデン酸塩イオン(例えば、MoO 2−など)、タングステン酸塩イオン(例えば、WO 2−など)、及び亜鉛酸塩イオン(例えば、Zn(OH) 2−など)のうちの1つ以上を有する。それに代えて、あるいは加えて、例えばリン酸塩イオンPO 3−などのリン系エージェントが使用されてもよい。例えば、リン酸塩イオンを用いて良好な結果が得られた。
従って、更なる一実施形態において、この方法は、(i)有機キャッピング剤を有するルミネセント量子ドットを供給し、第1の液体内で、交換プロセス(特には、相間移動プロセス)にて、無機キャッピング剤を有する上記ルミネセント量子ドットを供給することを有する。従って、QD上の有機リガンドで開始し得るが、これらが、交換プロセスにて、無機リガンドで交換される。このような交換プロセスにおいて、無機リガンドでキャップされたものである量子ドットが、有機キャッピング剤(“リガンド”)が無機リガンドによって置換される処理にかけられる。
このような相間移動プロセスにおいては、有機リガンドを有するQDが(非極性)有機液体(例えばへプタン又はトルエンなど)中に溶解され、無機リガンドが、該有機液体とは(実質的に)混和できない別の液体中に溶解される。この別の液体は、例えば、水又はその他の極性溶媒とし得る。相間移動プロセスは、例えば触媒作用の分野において、技術的に知られている。極性溶媒の例は、例えば、酢酸エチル、テトラヒドラフラン(THF)、ジクロロメタン、アセトン、アセトニトリル(MeCN)、ジメチルホルムアミデ(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、酢酸、n−ブタノール、イソプロパノール、n−プロパノール、エタノール、メタノール、ギ酸、ホルムアミデ(FA;メタンアミデとしても知られている)、及び水である。2つ以上の極性溶媒の組み合わせも適用され得る(上述も参照)。従って、交換は典型的に、相間移動プロセスを介して行われ、有機溶媒中の元々のドットが、何らかの極性溶媒(例えば、水、ホルムアミデ)に溶解されている無機リガンドと結合され、二相系を生じさせる。そして、この系が、幾らかの時間にわたって完全に混合され(撹拌され、揺らされ、超音波処理され、等々)、その間に、元々の有機リガンドが無機リガンドによって置換され、qドットが極性相へと移動する。元々のリガンドは有機相にとどまり、例えば、有機溶媒を用いた洗浄(又はその他の分離プロセス)によって除去され得る。無機リガンド交換されたqドットは、例えば、極性非溶媒(例えば、アセトニトリル又はエタノール)を付加することによって沈殿され、そして、例えば遠心分離によって、液体から分離される。故に、付加される液体は、特には、無機リガンド交換されたqドットの沈殿を容易にする液体である。余分な無機リガンドを有する上澄みを処分した後、選択した極性溶媒(例えば、水)の中にqドットが再分散され得る。この後者の液体が、最初の液体として使用され得る(あるいは、最初の液体の基礎となり得る)。有機溶媒は、ここではまた、第2の液体としても指し示される。特には、極性溶媒(無機リガンドのために使用される)、すなわち、第1の液体はアルカリ性である。
斯くして、第1の液体中の無機キャッピング剤を有するルミネセント量子ドットが提供され得る。第1の液体は、特には、水又はその他の極性溶媒とし得る。しかしながら、その他の溶媒も可能である。この液体の選択は、共沈させるべき所望の塩に依存し得る。第1の液体はまた、複数の液体の組み合わせであってもよい。第1の液体の役割は、無機リガンドを有する量子ドットが当該液体中に良好に分散される液体を提供することである。
上述のように、無機キャッピングリガンドを有するルミネセント量子ドットが提供されると、オプションの沈殿プロセスが開始され得る。第1の液体中に(個々には)可溶であるが、一緒になると乏しい可溶性の塩を形成する2つ以上の塩を用いて、沈殿物質が形成される。従って、本発明の方法はまた、共沈プロセスにて、第1の液体からの沈殿物質を有する無機塩を沈殿させることを含む。沈殿物質は、共沈された無機塩によってホストされた量子ドットを有する。従って、共沈のため、少なくとも2つの塩が使用され得る。これらの塩のうちの1つ以上が、量子ドットの外層(後述も参照)と、或る元素を共通に有し得る。共沈により、全量子ドットのうちのかなりの部分が沈殿し得る。従って、“沈殿物質は前記量子ドットを有する”なる言い回しは、第1の液体内の全ての量子ドットが沈殿物質に含まれるといったことを意味するものではない。沈殿物質は、沈殿塩によって包み込まれた量子ドットのビーズを有し得る。従って、無機(塩)マトリクスが量子ドットをホストする。沈殿物質は、直径で約30−60nmのナノスフェアを有し得る。これらのナノスフェアは、単一(又は複数)の量子ドットをホストし得る。
既に上述したように、量子ドットの外層(後述も参照)と、量子ドットがその中でホストされるマトリクスすなわち共沈塩との間に、化学的又は物理的な類似性が存在すると有利であると思われる。例えば、特には、ルミネセント量子ドットが外層を持ち、共沈プロセスにおいて、2つ以上の塩(M−A;M−A)が適用され、これらの塩のうちの少なくとも1つと外層とが或る元素を共通に有する。ここで、記号Mは、第1の塩の1つ以上のカチオンを記号表記し、Mは、第2の塩の1つ以上のカチオンを記号表記し、Aは、第1の塩の1つ以上のアニオンを指し示し、Aは、第2の塩の1つ以上のアニオンを指し示す。例えば、量子ドット上の硫化亜鉛コーティング(すなわち、ZnS外層)を仮定すると、Mカチオンは亜鉛とすることができ、Aアニオンは、例えば塩化亜鉛と硫化ナトリウムとの組み合わせなどの硫化物とすることができる。どちらも独立には水に良好に溶け得るが、結合されるとき、硫化亜鉛が(共)沈殿する。このような共沈が、分散された量子ドットの存在下で行われるとき、量子ドットを含んだ沈殿物が形成される。メカニズムは、量子ドットの外層上で共沈形成が開始して、沈殿する粒子をもたらすというものである。共沈は、例えば、共沈の種類に応じて、温度を上昇又は低下させることによって容易にされ得る。さらに、共沈はまた、非溶媒を付加することによって容易にされ得る。共沈塩は、例えば、M−A又はM−Aによって記号表記され得る。表記M−Aは、あらゆる種類のカチオン−アニオンの組み合わせを含むように選択されている。独立した開始塩M−A及びM−Aは、独立には、最初の液体に十分に可溶性であり、すなわち、開始塩及び開始液体は、それらの塩が、例えば、RTで少なくとも0.05g/l、特には少なくとも0.1g/l、より特には少なくとも1g/l、より特には少なくとも5g/l、更に特にはRTで少なくとも10g/lなど、独立して十分に溶け得るように選択される。例えば、NaSの溶解度は、RTの水の中で約47.5g/lである。
より更なる一実施形態において、この方法に、以下のうちの1つ以上が適用され、すなわち、(i)共沈に使用される少なくとも2つの塩のうちの1つ以上と外層とが或る元素を共通に有すること、(ii)無機キャッピング剤と無機(塩)マトリクスとが或る元素を共通に有すること、及び(iii)量子ドットの外層と無機キャッピング剤とが或る元素を共通に有することのうちの1つ以上が適用される。従って、沈殿塩と外層とが或る元素を共通に有し得る。特に、それらは金属元素を共通に有し得る。しかしながら、それらはまた、Va族(15族)又はVIa族(16族)元素を共通に有していてもよい。ZnSの外層上のZnS沈殿塩の例では、沈殿塩と外層との双方が、金属元素(Zn)及びVIa族元素(S)を共通に有する。共通の1つ以上の元素に加えて、あるいは代えて、QDの外層との格子整合を持つ沈殿塩にも興味がある。
上述のように、開始液体はまた、複数の液体の組み合わせであってもよい。上述のような非溶媒が、共沈を改善あるいは高速化するために付加されるとき、この非溶媒もまた最初の液体に含められる。
上述のように、第1の液体はまた、複数の液体の組み合わせであってもよい。上述のような非溶媒が、共沈を改善あるいは高速化するために付加されるとき、この非溶媒もまた第1の液体に含められる。
この方法を用いることで、安定なルミネセント材料を提供することができると思われる。例えば、安定した且つ/或いは非吸湿性の塩にて共沈する(共沈)塩が選択され得る。また、QDの外層の格子に整合する共沈生成物を提供する塩も選択され得る。特に、QDの外層材料と同じ塩の共沈を選択することが可能であり得る。量子ドットは、又は、より正確に、それらの外層は、沈殿につながる沈殿塩がその上で成長する核生成層として機能し得る。
選択された塩は、特には水である第1の液体中に与えられ、(第1の液体中で)沈殿塩(すなわち、その中に(無機リガンドを有する)QDが埋め込まれる無機マトリクス)を形成する。換言すれば、第1の液体内で沈殿物を形成することになる2つ以上の可溶性塩が選択される。従って、共沈プロセスにて適用される2つ以上の塩が、(個々の塩は第1の液体中に非常によく溶け得るとしても、)第1の液体中に比較的乏しくしか溶けない塩を形成する。従って、“共沈プロセスにて、開始液体からの沈殿物質を有する無機塩を沈殿させる”なる言い回しは、特には、共沈が始まるときに、開始液体が、共沈し得る2つ以上の塩と(無機キャッピング剤を有する)量子ドットとを有することを指し示す。斯くして形成される塩はまた、混合塩(又は混晶)であってもよい。
特に、沈殿塩の溶解度は、室温の水内で、0.1mol/lよりも低く、より特には0.01mol/lよりも低く、より特には0.001mol/lよりも低く、より更に特には0.0001mol/lよりも低い。これはまた、沈殿塩又は無機マトリクスは概して、LiCl、NaCl、KCl、LiBr、NaBr、KBr、LiI、NaI、KI、LiSO、NaSO、KSO、NaNO、NaPO、MgCl、MgBr、CaCl、CaBr、BaCl、Sr(NO、Ba(NO、Al(NO、AlCl、SrCl、ZnCl、SnCl、CdCl、酒石酸カリウムナトリウムなどのような塩の群からは選択されない、ということを意味する。当然ながら、これらの塩のうちの1つ以上が、無機マトリクス用の不溶性の塩の前駆体として使用され得る。
上述のように、共沈無機塩(マトリクス)を形成するために使用される2つ以上の塩の溶解度は、良好であることができ、特には少なくとも0.1mol/l、より特には少なくとも0.5mol/l、例えば少なくとも1mol/lであることができる。水の中で沈殿を形成する良く溶ける塩の例は、例えば、水の中で硫化亜鉛へと沈殿する塩化亜鉛と硫化ナトリウムである。
第1の液体は、例えば、少なくとも95%の水のように少なくとも50%の水を有する液体又は実質的に水のみなど、水性液体である。しかしながら、例えばDMSO(ジメチルスルホキシド)、DMF(ジメチルホルムアミデ)、メチルホルムアミデ、ホルムアミデ、メタノール、エタノールなど、その他の液体も第1の液体として使用され得る(以下でも述べる更なる極性溶媒を参照)。例えば、ホルムアミデを用いて良好な結果が得られた。当然ながら、2つ以上の(極性)液体(オプションで水を含む)の組み合わせも(第1の液体として)適用され得る。従って、一実施形態において、開始液体は実質的に水を含まない。そのような実施形態において、共沈は特にまた、例えば不活性雰囲気内など、実質的にウォーターフリーの環境で実行される。不活性雰囲気の例は、N、Ar、Heなどとすることができ、これらはグローブボックス内で適用され得る。
また、ルミネセント材料の総重量に対して例えば1wt%未満、特には0.1wt%未満など、又は、量子ドットの総重量に対して有機キャッピング剤の量が1wt%未満であるなど、有機材料の実質的な不存在により、厳しい光学条件下でのルミネセント材料の安定性が非常に良好であり得る。従って、高い量子効率と高い安定性とを有するオール無機のルミネセント材料が提供され得る。本発明を用いて、初めて、量子ドットに基づくオール無機のマイクロ(粒子状)ルミネセント材料が提供され、これは、効率的であり得るとともに、水分及び/又は酸素に対して安定であり得る。ここに記載される封入方法によって量子効率は(実質的に)影響されずに、量子ドットが十分に遮蔽されるようである。
具体的な一実施形態において、ルミネセント量子ドットは、特にはZnSを有する外層を持ち、上記少なくとも2つの塩は、特には、第1の亜鉛塩と第2の非亜鉛塩とを有し、第1の亜鉛塩は亜鉛カチオンを有し、第2の非亜鉛塩はアニオンを有し、これらの亜鉛カチオンとアニオンとが、第1の液体中で不溶性の塩を形成する。このような実施形態において、第1の液体が水である場合、硫化亜鉛(ZnS;閃亜鉛鉱)共沈が、量子ドットを包み込んで形成され得る。用語“非亜鉛塩”は、亜鉛を有しない塩を表す。
しかしながら、本発明は上述のリガンドに限定されるものではない。さらに、使用され得るリガンドはまた、例えば、ZnCl 2−(テトラクロロジンケート)及びZn(NO 2−(四硝酸ジンケート)からなる群から選択され得る。使用され得るリガンドはまた、例えば、SnO 、SnO 2−、及びSnO 4−からなる群から選択され得る。使用され得る更なるリガンドは、例えば、例えばPO 3−、PO 3−(リン酸塩)、POCl、P 4−、P10 5−などのリン系の基(リガンド)及びインジウム系の基(リガンド)からなる群から選択され得る。オプションで、使用され得るリガンドはまた、例えば、Cd(OH) 2−等のカドミウム系の基(リガンド)からなる群から選択されてもよい。しかしながら、OHも(無機キャッピングリガンドとして)適用され得る。当然ながら、2つ以上の(無機キャッピング)リガンドの組み合わせが適用されてもよい。従って、例えば(Zn(OH) 2−、SnO 、又はPO 3−などのような)上述のものなど、P、Cd、Zn、Sn、S、As、Tl、Sb、Se、Te、Inなどのうちの1つ以上を有する複合アニオンが適切なものとなり得る。しかしながら、カチオンもリガンドとして使用され得る。また、帯電したリガンド又はキャッピング要素だけが使用され得るわけではない。電荷を帯びていないキャッピング要素も適用され得る。用語“キャッピングリガンド”又は“キャッピング要素”はまた、複数の異なるキャッピングリガンドをも表し得る。従って、用語“キャッピングリガンド”は、(外層に関連付けられる)少なくとも1つの種類のキャッピングリガンドが存在することを指し示すために使用される。
特に、無機リガンド及び沈殿塩(又は沈殿されるべき塩)は、特に焼結又はアニール(後述を参照)の後に、量子ドットの外層(上述も参照)と格子不整合を有しない又は低い格子不整合を有するような、量子ドットの囲いを提供するように選択される。
リガンド交換の後、且つ場合により共沈の後、分離プロセスにて、(沈殿)物質が第1の液体から分離され、(粒子状)ルミネセント材料が提供され得る。これは、ろ過、デキャンティング(静かに移すこと)、遠心分離(及びデキャンティング)などのような、技術的に知られたプロセスで行われ得る。また、斯くして得られた材料は、洗浄及び/又は乾燥され得る。概して、乾燥プロセスが含められる。
リガンド交換後の量子ドットが無機マトリクスに埋め込まれ得る。従って、本発明はまた、量子ドットに基づくルミネセント材料の製造の方法を提供し、当該方法は、(i)有機キャッピング剤を有するルミネセント量子ドットを供給し、第1の液体内で、交換プロセスにて、無機キャッピング剤を有する上記ルミネセント量子ドットを供給することであり、キャッピング剤は、M(OH) を有し、Mは、B、Al、P、S、V、Zn、Ga、Ge、As、Se、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、及びWからなる群から選択され、x≧1、y+z≧1であり、nは、前記キャッピング剤の正電荷又は負電荷を指し示す、供給することと、(ii)無機キャッピング剤を有するルミネセント量子ドットを無機マトリクスに埋め込むこととを有する。無機キャッピング剤を有するルミネセント量子ドットを埋め込むため、とりわけ共沈プロセスが適用され得るが、その他のプロセスも適用され得る。斯くして、粒子状である又は粒子状にされ得る固形のルミネセント材料が提供され得る。従って、本発明の方法はまた、無機マトリクスに埋め込まれた、無機キャッピング剤を有するルミネセント量子ドットを粒子状にすることを含み得る。無機キャッピング剤を有するルミネセント量子ドットを無機マトリクス(又はホストマトリクス)に埋め込む前に、沈殿(共沈)、又は沈殿物若しくは液体を除去することを含め、技術的に知られた方法によって、量子ドットが(第1の)液体から分離され得る。
斯くして得られた材料(共沈を含む方法又は他の方法によって得ることができる)は、例えば、より均一な粒子サイズを得るため、又は大きめ若しくは小さめの粒子サイズを得るために、更に処理され得る。従って、乾燥、加圧、破砕、シンター、焼結、アニールなどが、更なる処理の部分となり得る。故に、具体的な一実施形態において、分離プロセスの後に、沈殿物質が更に、特には0.5−40μmの範囲内の数値平均粒子サイズを持った、(粒子状)ルミネセント材料を提供するプロセスにかけられる。
焼結及びアニールは、塩(特には沈殿塩)の結晶化度が改善され得るので、安定性を向上させ得る。また、共沈法の場合、qドットと周囲の沈殿塩との間の接続が、これによって向上され得る。
焼結及び/又はアニールの後、この材料は、特には0.5−40μmの範囲内の数値平均粒子サイズを持った、(粒子状)ルミネセント材料を提供するように更に処理され得る。粒子サイズは、例えば、SEM若しくはTEMを用いて評価されることができ、あるいはオプションで、レーザ散乱のような技術的に知られたその他の技術を用いて評価され得る。
具体的な一実施形態において、アニールは、例えば特には200−350℃など、少なくとも150−400℃の温度範囲内で行われ得る。また、(このような)アニールは、特に、不活性雰囲気又は周囲空気の中で行われ得る。驚くべきことに、周囲空気中で、特には250−350℃の範囲内の温度までで、良好な結果が得られた。また、共沈(及び分離)後の材料が、例えば上述の粒子状材料を得るために、例えばとりわけアニール及び/又は加熱、錠剤化などによって圧縮されてもよい。
当然ながら、本発明の方法はまた、異なるタイプの量子ドットを有する((沈殿)塩)マトリクスを提供することにも適用され得る。例えば、これは、第1の液体が異なるタイプの量子ドットを有するときに達成され得る。従って、一実施形態において、本発明はまた、異なるタイプのルミネセント量子ドットが青色光又はUV光での励起を受けて異なる発光スペクトルを持つとした、少なくとも2つの異なるタイプのルミネセント量子ドットが提供される方法を提供する。上述のように、マトリクスは、(1つ以上の)QDが中に埋め込まれた共沈塩を有する。マトリクスはまた、(一緒に共沈される)異なるマトリクス塩の組み合わせであってもよい。
より更なる一実施形態において、ルミネセント材料は更に、例えば層(例えば膜など)又は塊を提供するよう、母材(非共沈物質の場合の一次的なマトリクス、及び共沈物質の場合の二次的なマトリクス)に包囲される。故に、この母材は、例えば、粒子状ルミネセント材料の複数の粒子を有し得る。この母材は、特には、透過性の母材とすることができ、また、無機特性のもの又は有機特性のものとし得る。例えば、この母材は、PE(ポリエチレン)、PP(ポリプロピレン)、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PC(ポリカーボネート)、ポリメチルアクリレート(PMA)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)(プレキシグラス若しくはパースペクス)、セルロースアセテートブチレート(CAB)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、PETG(グリコール修飾ポリエチレンテレフタレート)、PDMS(ポリジメチルシロキサン)、及びCOC(シクロオレフィンコポリマー)からなる群から選択される1つ以上の材料を有し得る。しかしながら、他の一実施形態において、導波路は無機材料を有し得る。好適な無機材料は、ガラス、(溶融)石英、透過性のセラミック材料、及びシリコーンからなる群から選択される。無機部分及び有機部分の双方を有するハイブリッド材料も適用され得る。導波路の材料として特に好適なのは、PMMA、透明PC、シリコーン、又はガラスである。特にシリコーンが興味深いが、PDMS及びポリシルセスキオキサンもそうである。
従って、(粒子状)ルミネセント材料が、このような母材に埋め込まれ得る。一実施形態において、LEDドームが、(粒子状)ルミネセント材料が埋め込まれたこのような母材(二次的なマトリクス)を有する。従って、本発明はまた、ここに規定されるような又はここに規定される方法によって得られるような(粒子状)ルミネセント材料が埋め込まれた母材を有する波長コンバータ素子を提供する。
ここに記載されるような母材それ自体、沈殿塩それ自体、及びリガンドそれ自体は、一般に、青色及び/又はUV照射の下で非発光性である。しかしながら、他の実施形態において、これらのうちの1つ以上も、青色及び/又はUV照射の下で発光性であってもよい。しかしながら、その中に含有される量子ドットが(所望の)ルミネセンスを提供し得る。
従って、本発明はまた、(粒子状)ルミネセント材料が埋め込まれた母材を有する波長コンバータ素子を提供する。さらに、本発明はまた、ルミネセント材料の製造のためのここに規定される方法であって、(波長コンバータ素子を提供するように)母材でルミネセント材料を包み込むことを更に有する方法を提供する。上述のように、この波長コンバータ素子は、例えば、膜などの層、特にはポリマー層、又はドームなどの塊とすることができる(として構成されることができる)。それに代えて、あるいは加えて、波長コンバータ素子はまた、レンズ又はリフレクタであってもよい(として構成されてもよい)。従って例えば、例えばZnSなどの沈殿塩内のQDの粉末が作製されると、その粉末を例えばシリコーンなどの別の二次的なマトリクス内に容易に混合して、例えばそれをLED(ダイ)上にディスペンスすることができる。換言すれば、このアプローチの、安定性と並ぶ別の1つの利益は、それをナノ粉末に代えてマイクロ粉末にすることにより、QDの処理性の向上が提供されることである。それは、他のコンベンショナルな蛍光体として取り扱われ得る。従って、ここに記載の製造物の1つは、無機塩内に封入された量子ドットに基づくルミネセント材料である。このような粒子状ルミネセント材料は、例えばシリコーンなどの従来からのLEDマトリクス材料の中に混ぜられ得る。これが意味することは、このQD材料は処理が遥かに容易であり、従来の蛍光体と同様に処理可能であるということである。この粉末は、例えば、処理を更に容易にするために、例えばYAG:Ce粉末と混ぜ合わされ得る。しかしながら、その他の(コンベンショナルな)蛍光体も考え付き得る。従って、この新しいルミネセント材料は、更なる封止の必要性なく、従来の粒子状ルミネセント材料のように使用及び処理されることができる。
より更なる一態様において、本発明は、量子ドットに基づく(粒子状)ルミネセント材料を提供し、量子ドットは無機キャッピング剤を有し、当該ルミネセント材料は、無機キャッピング剤を有する量子ドットをホストする無機(塩)マトリクスをオプションで持つ粒子を有する。特に、本発明はまた、量子ドットに基づく(粒子状)ルミネセント材料を提供し、量子ドットは無機キャッピング剤を有し、当該(粒子状)ルミネセント材料は、無機キャッピング剤を有する量子ドットをホストする無機(塩)マトリクスをオプションで持つ粒子を有し(ルミネセント量子ドットは外層を有し)、特に、オプションの無機(塩)マトリクスの無機塩と(量子ドットの)外層とが或るカチオンを共通に有する。
共沈後に、斯くして得られるルミネセント材料は、粒子状であり、あるいは(これに限られないが例えば破砕を含む技術的に知られた方法を用いて)粒子状にされ得る。更なる実施形態において、ルミネセント量子ドットは、ルミネセント材料の粒子内に分散されている。また特に、特には共沈されたルミネセント材料の粒子である粒子は、例えば、特には1−30μm、より特には1.5−25μmなど、0.5−40μmの範囲内の数値平均粒子サイズを持ち得る。粒子は、例えば約50nm程度などの、より小さい粒子の集合体であり得る(上述も参照)。(粒子状)ルミネセント材料は、当該(粒子状)ルミネセント材料の総重量に対して0.001−25wt%、特には0.1−5wt%、の範囲内の量子ドットを有し得る。共沈プロセスを用いることで、このような粒子を比較的容易に作製し得る。
特に、ルミネセント材料は、ここに記載の方法によって製造され得る。従って、更なる一実施形態において、(粒子状)ルミネセント材料は、ここに規定される方法によって得ることができる。
より更なる一態様において、本発明はまた、光源と、ここに規定される(粒子状)ルミネセント材料とを有する照明デバイスを提供し、光源は、(粒子状)ルミネセント材料を照らすように構成される。ここでは、QDは波長コンバータナノ粒子として適用される。故に、ルミネセント材料は、特に、光源光の少なくとも一部をルミネセント材料光へと変換するように構成された波長コンバータとして構成される。
更なる実施形態において、量子ドットは、特にはシェルがZnSを有した、コア−シェル型のものである。また、特に、無機キャッピング剤を有する量子ドットを(斯くして)ホストする無機(塩)マトリクスもZnSを有する。
用語“量子ドット”又は“ルミネセント量子ドット”はまた、異なるタイプの量子ドットの組み合わせ、すなわち、異なるスペクトル特性を持つ量子ドットの組み合わせをも表し得る。QDは、ここではまた、“波長コンバータナノ粒子”としても指し示される。用語“量子ドット”は、特に、(例えばUV放射線などの好適な放射線での励起を受けて)UV、可視、及びIRのうちの一つ以上で発光する量子ドットを表す。ここでは波長コンバータナノ粒子として指し示される量子ドット又はルミネセントナノ粒子は、例えば、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、 HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、及びHgZnSTe(からなる群からコアが選択されるコア−シェル型量子ドット)からなる群から選択されるII−VI族化合物半導体量子ドットを有し得る。他の一実施形態において、ルミネセントナノ粒子は、例えば、GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InGaP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、及びInAlPAs(からなる群からコアが選択されるコア−シェル型量子ドット)からなる群から選択されるIII−V族化合物半導体量子ドットとし得る。より更なる一実施形態において、ルミネセントナノ粒子は、例えば、CuInS、CuInSe、CuGaS、CuGaSe、AgInS、AgInSe、AgGaS、及びAgGaSe(からなる群からコアが選択されるコア−シェル型量子ドット)からなる群から選択されるI−III−VI2黄銅鉱型半導体量子ドットとし得る。より更なる一実施形態において、ルミネセントナノ粒子は、例えば、LiAsSe、NaAsSe、及びKAsSe(からなる群からコアが選択されるコア−シェル型量子ドット)からなる群から選択されるものなどの、I−V−VI2半導体量子ドット(からなる群からコアが選択されるコア−シェル型量子ドット)とし得る。より更なる一実施形態において、ルミネセントナノ粒子は、あとエバSbTeなどのIV−VI族化合物半導体ナノ粒子(からなる群からコアが選択されるコア−シェル型量子ドット)とし得る。具体的な一実施形態において、ルミネセントナノ粒子は、InP、CuInS、CuInSe、CdTe、CdSe、CdSeTe、AgInS、及びAgInSe(からなる群からコアが選択されるコア−シェル型量子ドット)からなる群から選択される。より更なる一実施形態において、ルミネセントナノ粒子は、例えば、ZnSe:Mn、ZnS:Mnなど、内部にドーパントを有する上述の材料から選択されるII−VI、III−V、I−III−V、及びIV−VI族化合物半導体ナノ結晶(からなる群からコアが選択されるコア−シェル型量子ドット)の群のうちの1つとし得る。ドーパント元素は、Mn、Ag、Zn、Eu、S、P、Cu、Ce、Tb、Au、Pb、Tb、Sb、Sn、及びTlから選択され得る。ここで、ルミネセントナノ粒子ベースのルミネセント材料はまた、例えばCdSeとZnSeなど、複数の異なるタイプのQDを有していてもよい。
II−VI族量子ドットを使用することが特に有利であると思われる。従って、一実施形態において、半導体ベースのルミネセント量子ドットは、特に、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、及びHgZnSTeからなる群から選択されるII−VI族量子ドット、より特にはCdS、CdSe、CdSe/CdS、及びCdSe/CdS/ZnSからなる群から選択されるII−VI族量子ドットを有する。
ルミネセントナノ粒子(コーティングなし)は、例えば、2−20nm、特には2−10nm、より特には2−5nmなどの、約2−50nmの範囲内の寸法を有することができ、特に、これらのナノ粒子のうちの少なくとも90%がそれぞれ、指し示した範囲内の寸法を有する(すなわち、これらのナノ粒子のうちの少なくとも90%が、2−50nmの範囲内の寸法を有し、特には、これらのナノ粒子のうちの少なくとも90%が、2−5nmの範囲内の寸法を有する)。用語“寸法”は、特に、ナノ粒子の形状に応じて、長さ、幅、及び直径のうちの1つ以上に関係する。
実施形態において、波長コンバータナノ粒子は、約1から約1000ナノメートル(nm)の範囲内の、そして好ましくは、約1から約100nmの範囲内の平均粒子サイズを有する。一実施形態において、ナノ粒子は、約1から約20nmの範囲内の平均粒子サイズを有する。一実施形態において、ナノ粒子は、約1から約10nmの範囲内の平均粒子サイズを有する。
典型的なドットは、例えばセレン化カドミウム、硫化カドミウム、インジウム砒素、及びインジウム燐などの二元合金からなる。しかしながら、ドットはまた、例えば硫化カドミウムセレンなどの三元合金からなってもよい。これらの量子ドットは、10乃至50原子の直径で、量子ドット体積の中に僅か100乃至100,000原子を含有し得る。これは、約2−10ナノメートルに相当する。例えば、約3nmの直径を持つ例えばCdSe、InP、又はCuInSeなどの球状粒子が提供され得る。ルミネセントナノ粒子(コーティングなし)は、1つの次元で10nm未満のサイズで、球状、立方体、ロッド、ワイヤ、ディスク、マルチパッドなどの形状を有し得る。例えば、20nmの長さと4nmの直径とを持つCdSeのナノロッドが提供され得る。従って、一実施形態において、半導体ベースのルミネセント量子ドットは、コア−シェル型量子ドットを有する。更なる他の一実施形態において、半導体ベースのルミネセント量子ドットは、ドット・イン・ロッド型ナノ粒子を有する。異なるタイプの粒子の組み合わせも適用され得る。ここで、用語“異なるタイプ”は、異なる種類の半導体ルミネセント材料だけでなく、異なる幾何学構成にも関係し得る。従って、(上述の)量子ドット又はルミネセントナノ粒子のうちの2つ以上の組み合わせも適用され得る。
一実施形態において、ナノ粒子は、第1の半導体材料を有するコアと、コアの表面の少なくとも一部を覆って配設された、第2の半導体材料を有するシェルと、を含む半導体ナノ結晶を有し得る。コアとシェルとを含む半導体ナノ結晶はまた、“コア/シェル”半導体ナノ結晶として参照される。特に、コアとして、上述の材料のうちの何れかが使用され得る。故に、“からなる群からコアが選択されるコア−シェル型量子ドット”なる言い回しは、上で挙げた量子ドット材料のうちの一部にて適用される。用語“コア−シェル”はまた、勾配合金シェルやドット・イン・ロッドなどを含め、“コア−シェル−シェル”などをも表し得る。
例えば、半導体ナノ結晶は、式MXを持つコアを含むことができ、ただし、Mは、カドミウム、亜鉛、マグネシウム、水銀、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、又はこれらの混合物とすることができ、Xは、酸素、硫黄、セレン、テルル、窒素、リン、砒素、アンチモン、又はこれらの混合物とすることができる。半導体ナノ結晶コアとしての使用に適した材料の例は、以下に限られないが、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、GaSb、HgO、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InN、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlN、AlP、AlSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、Ge、Si、以上のうちの何れかを含む合金、及び/又は以上のうちの何れかを含む混合物を、三元及び四元の混合物若しくは合金を含めて、含む。
シェルは、コアの組成と同じ又は異なる組成を持つ半導体材料とし得る。シェルは、コアの表面上の半導体材料のオーバーコート(上塗り)を有し、半導体ナノ結晶は、IV族元素、II−VI族化合物、II−V族化合物、III−VI族化合物、III−V族化合物、IV−VI族化合物、I−III−VI族化合物、II−IV−VI族化合物、II−IV−V族化合物、以上のうちの何れかを含む合金、及び/又は以上のうちの何れかを含む混合物を、三元及び四元の混合物若しくは合金を含めて、含むことができる。例は、以下に限られないが、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、GaSb、HgO、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InN、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlN、AlP、AlSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、Ge、Si、以上のうちの何れかを含む合金、及び/又は以上のうちの何れかを含む混合物を含む。例えば、CdSe又はCdTeの半導体ナノ結晶上に、ZnS、ZnSe、又はCdSのオーバーコーティングを成長させることができる。オーバーコーティングプロセスは、例えば、米国特許6322901号に記載されている。オーバーコーティング中に反応混合物の温度を調節し、且つコアの吸収スペクトルをモニタリングすることにより、高い量子発光効率及び狭いサイズ分布を有するオーバーコートされた材料を得ることができる。オーバーコーティングは、1つ以上の層を有し得る。オーバーコーティングは、コアの組成と同じ又は異なる少なくとも1つの半導体材料を有する。好ましくは、オーバーコーティングは、約1モノレイヤから約10モノレイヤまでの厚さを有する。オーバーコーティングはまた、10モノレイヤよりも大きい厚さを有していてもよい。一実施形態において、2つ以上のオーバーコーティングがコア上に含められ得る。
一実施形態において、周囲の“シェル”材料は、コア材料のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し得る。他の特定の実施形態において、周囲のシェル材料は、コア材料のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有し得る。
一実施形態において、シェルは、“コア”基材の原子間隔に近い原子間隔を有するように選択され得る。他の特定の実施形態において、シェル材料とコア材料とが同じ結晶構造を有し得る。
半導体ナノ結晶(コア)シェル材料の例は、限定することなく、赤色(例えば、(CdSe)ZnS(コア)シェル)、緑色(例えば、(CdZnSe)CdZnS(コア)シェルなど)、及び青色(例えば、(CdS)CdZnS(コア)シェル)を含む(半導体に基づく具体的な波長コンバータナノ粒子の例に関して上述の更に参照)。
一実施形態において、半導体ナノ結晶は好ましくは、例えば国際公開第2011/031871号に記載されているように、それに付着されたリガンドを有する。一実施形態において、リガンドは、成長プロセスにおいて使用される配位性溶媒に由来し得る。一実施形態において、過剰な競合配位基への繰り返し露出によって表面が修飾されて、オーバーレイヤが形成され得る。
例えば、キャッピングされた半導体ナノ結晶の分散液が、例えばピリジンなどの配位性有機化合物で処理されて、ピリジン、メタノール、及び芳香族化合物の中では容易に分散するが脂肪族溶媒中ではもはや分散しない結晶子が生成され得る。このような表面交換プロセスは、半導体ナノ結晶の外表面に配位する又はそれに化学結合することが可能な何らかの化合物(例えば、カルボン酸、ホスフィン、チオール、アミン、及びリン酸塩を含む)を用いて行われ得る。半導体ナノ結晶は、その表面に対して親和性を示し且つ半導体ナノ結晶が懸濁あるいは分散されている液体媒体に対して親和性を持つ部分内で終端する短鎖ポリマーに晒され得る。このような親和性は、懸濁液の安定性を向上させるとともに、半導体ナノ結晶の凝集を妨げる。
より具体的には、配位リガンドは式:
(Y−)k−n−(X)−(−L)
を有し得る。ここで、kは、2、3、4、又は5であり、nは、k−nがゼロより小さくならないように、1、2、3、4、又は5であり、Xは、O、OS、O−Se、O−N、O−P、O−As、S、S=O、SO、Se、Se=O、N、N=O、P、P=O、C=O、As、又はAs=Oであり、Y及びLは各々独立に、H、OH、アリール、ヘテロアリール、又は、場合により、少なくとも1つの二重結合、少なくとも1つの三重結合、若しくは少なくとも1つの二重結合及び1つの三重結合を含んだ、直鎖若しくは分岐鎖のC2−18炭化水素鎖である。この炭化水素鎖は、場合により、1つ以上のC1−4アルキル、C2−4アルケニル、C2−4アルキニル、C1−4アルコキシ、ヒドロキシル、ハロ、アミノ、ニトロ、シアノ、C3−5シクロアルキル、3−5員ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、C1−4アルキルカルボニルオキシ、C1−4アルキルオキシカルボニル、C1−4アルキルカルボニル、又はホルミルで置き換えられ得る。この炭化水素鎖はまた、場合により、−O−、−S−、−N(Ra)−、−N(Ra)−C(O)−O−、−O−C(O)−N(Ra)−、−N(Ra)−C(O)−N(Rb)−、−O−C(O)−O−、−P(Ra)−、又は−P(O)(Ra)−によって中断され得る。Ra及びRbの各々は独立に、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、ヒドロキシルアルキル、ヒドロキシル、又はハロアルキルである。アリール基は、置換又は非置換の環状芳香族基である。例は、フェニル、ベンジル、ナフチル、トリル、アントラシル、ニトロフェニル、又はハロフェニルを含む。ヘテロアリール基は、例えばフリル、ピリジル、ピロリル、フェナントリルなど、リング内に1つ以上のヘテロ原子を有するアリール基である。更なるリガンドは、特に、オレイン酸、トリオクチルホスフィン、トリオクチルホスフィンオキシドのうちの1つ以上とし得る。従って、リガンドは、特に、酸、アミン、ホスフィン、酸化ホスフィン、及びチオールから選択され得る。
好適な配位リガンドは、商業的に購入することができ、あるいは、例えばJ.March、Advanced Organic Chemistryに記載されているような通常の合成有機技術によって調合することができる。その他のリガンドが、2003年8月15日に出願され2007年1月9日に米国特許第7160613号として発行された米国特許出願第10/641292号に記載されており、その全体をここに援用する。リガンドのその他の例は、ベンジルホスホン酸、ベンジル基のリング上に少なくとも1つの置換基を含むベンジルホスホン酸、このような酸の共役塩基、及び以上のうちの1つ以上を含む混合物を含む。一実施形態において、リガンドは、4−ヒドロキシベンジルホスホン酸、この酸の共役塩基、又はこれらの混合物を有する。一実施形態において、リガンドは、3,5−ジ−テリ−ブチル−4−ヒドロキシベンジル−ホスホン酸、この酸の共役塩基、又はこれらの混合物を有する。本発明で有用であり得るリガンドの更なる例が、2008年9月12日に出願されたBreenなどの国際出願第PCT/US2008/010651号“Functionalized Nanoparticles And Method”及び2009年7月28日に出願されたBreenなどの国際出願第PCT/US2009/004345号“Nanoparticle Including Multi− Functional Ligand and Method”に記載されており、これらの各々をここに援用する。
上述の有機リガンドは、例えば有機溶媒内で、それとともにQDが開始し得るリガンドであり、交換プロセスで無機リガンドに交換され得るものである。
波長コンバータ又は波長コンバータ素子(又は、より正確には、波長コンバータナノ粒子)は、放射線的に光源(又は、上述のように、複数の光源)に結合される。用語“放射線的に結合される”は、特に、光源と波長コンバータとが、光源によって放たれた放射線の少なくとも一部が波長コンバータによって受け取られる(及び少なくとも部分的にルミネセンスへと変換される)ように互いに関連付けられることを意味する。用語“ルミネセンス”は、光源の光源光による励起を受けて波長コンバータナノ粒子が放つ発光を表す。このルミネセンスは、ここではまた、コンバータ光(少なくとも可視光を含む。後述も参照)としても指し示される。
波長コンバータはまた、一般に、光源の下流に配置される。用語“上流”及び“下流”は、光生成手段(ここでは特には光源)からの光の伝播に対するアイテム又は機構の配置に関係し、光生成手段からの光ビーム内の第1の位置に対して、光生成手段にいっそう近い光ビーム内の第2の位置が“上流”であり、光生成手段から更に離れた光ビーム内の第3の位置が“下流”である。
このデバイスは、特に、デバイス光を生成するように構成され、デバイス光は、少なくともコンバータ光を有するが、場合により、(残存する)光源光をも有し得る。例えば、波長コンバータは、光源光を部分的にのみ変換するように構成され得る。そのような例において、デバイス光は、コンバータ光と光源光とを有し得る。しかしながら、他の一実施形態において、波長コンバータは、全ての光源光を変換するようにも構成され得る。
従って、具体的な一実施形態において、照明デバイスは、光源光とコンバータ光との双方を有する照明デバイス光を提供するように構成され、例えば、前者は青色光であり、後者は、黄色光、又は黄色及び赤色光、又は緑色及び赤色光、又は緑色、黄色及び赤色光を有する。具体的な更なる他の一実施形態において、照明デバイスは、コンバータ光のみを有する照明デバイス光のみを提供するように構成される。これは、例えば、(特に、透過モードにおいて、)波長コンバータを照射する光源光が、波長コンバータの下流側を、変換された光としてのみ立ち去る(すなわち、波長コンバータに侵入する全ての光源光が波長コンバータによって吸収される)ときに起こり得る。
用語“波長コンバータ”はまた、複数の波長コンバータに関係し得る。これらは、互いの下流に配置され得るが、互いの隣に(場合により更には、直に隣接し合う波長コンバータとして物理的に接触して)配置されてもよい。それら複数の波長コンバータは、一実施形態において、異なる光学特性を持つ2つ以上のサブセットを有し得る。例えば、1つ以上のサブセットが、緑色光のような、第1のスペクトル光分布を持つ波長コンバータ光を生成するように構成され得るとともに、1つ以上のサブセットが、赤色光のような、第2のスペクトル光分布を持つ波長コンバータ光を生成するように構成され得る。3つ以上のサブセットが適用されてもよい。異なる光学特性を持つ異なるサブセットを適用するとき、例えば、白色光が提供され、且つ/或いは、デバイス光(すなわち、コンバータ光と、場合により残存する光源光)の色が波長コンバータの下流に残る。特に、複数の光源が適用され、それらのうちの2つ以上のサブセットが個別に制御され、それらが、異なる光学特性を持つ2つ以上の波長コンバータサブセットと放射線的に結合されるとき、デバイス光の色は調整可能とし得る。白色光を作るためのその他のオプションも可能である(後述も参照)。
照明デバイスは、例えば、オフィス照明システム、家庭応用システム、店舗照明システム、家庭照明システム、アクセント照明システム、スポット照明システム、劇場照明システム、光ファイバ応用システム、投影システム、自発光ディスプレイシステム、ピクセル化ディスプレイシステム、セグメント化ディスプレイシステム、警告標識システム、医療照明応用システム、インジケータ標識システム、装飾照明システム、可搬式システム、自動車応用、グリーン家庭照明システム、園芸照明、又はLCDバックライトの一部であるか、それに適用されるかし得る。
上述のように、照明ユニットは、LCD表示装置内のバックライトユニットとして使用され得る。従って、本発明はまた、バックライトユニットとして構成されたここに規定の照明ユニットを有するLCD表示装置を提供する。本発明はまた、更なる一態様において、ここに規定される照明デバイスを1つ以上含んだバックライトユニットを有する液晶ディスプレイ装置を提供する。
好ましくは、光源は、動作中に少なくとも、200−490nmの範囲から選択された波長の光(光源光)を放つ光源であり、特には、動作中に少なくとも、400−490nmの範囲、より特には、440−490nmの範囲、から選択された波長の光を放つ光源である。この光が部分的に波長コンバータナノ粒子によって使用され得る(更に後述も参照)。従って、具体的な一実施形態において、光源は青色光を生成するように構成される。
具体的な一実施形態において、光源は、ソリッドステートLED光源(例えば、LED又はレーザダイオードなど)を有する。用語“光源”はまた、例えば2−20個の(ソリッドステート)LED光源など、複数の光源にも関係し得る。従って、用語LEDも複数のLEDを表し得る。
ここでは特に量子ドットに関して本発明を説明している。しかしながら、本発明はまた、(その他の)ルミネセントナノ粒子又は波長コンバータナノ粒子に関しても使用され得る。ナノ粒子は、UV光及び/又は青色光による励起を受けてスペクトルの可視部分の少なくとも一部内でのルミネセンスを提供するように構成され得る波長コンバータナノ粒子である。従って、これらの粒子は、ここでは、波長コンバータナノ粒子としても指し示され、QD(量子ドット)はその中の特定の一実施形態である。従って、更なる他の一態様において、用語QD及び同様な用語は、ルミネセントナノ粒子又は波長コンバータナノ粒子へと一般化され得る。例は、例えば、ナノ粒子として古典的なルミネセント材料である。
例えば“実質的に全ての光”又は“実質的に構成される”などにおける、ここでの用語“実質的に”は、当業者によって理解されるものである。用語“実質的に”はまた、“全体的に”、“完全に”、“全て”などを持つ実施形態をも含み得る。従って、実施形態において、実質的にという形容詞は除去されてもよいことがある。適用可能な場合、用語“実質的に”はまた、90%以上に関係し、例えば、95%以上、特には99%以上、より特には、100%を含め、99.5%以上などに関係し得る。用語“有する”は、用語“有する”が“からなる”を意味する実施形態をも含む。用語“及び/又は”は、特に、“及び/又は”の前後に述べられるアイテムのうちの1つ以上に関係する。例えば、“アイテム1及び/又はアイテム2”なる言い回し及び同様の言い回しは、アイテム1とアイテム2との一方又は双方に関係し得る。用語“有している”は、一実施形態において、“からなっている”を表し得るが、他の一実施形態においてはまた、“規定される種を少なくとも含んでいるとともにオプションで1つ以上のその他の種を含んでいる”をも表し得る。
さらに、本明細書中及び請求項中の第1、第2、第3などの用語は、同様の要素同士の間で区別するために使用されており、必ずしも順次的又は時間的な順番を記述するものではない。理解されるべきことには、そのように使用される用語は、適当な状況下で相互に交換可能であり、ここに記載される本発明の実施形態は、ここに記載あるいは図示されるもの以外の順序での操作が可能である。
ここでのデバイスは、とりわけ、動作において記述されている。当業者に明らかなように、本発明は、動作の方法又は動作中のデバイスに限定されない。
なお、上述の実施形態は、本発明を限定ではなく例示するものであり、当業者は、添付の請求項の範囲を逸脱することなく、数多くの他の実施形態を設計することができるであろう。請求項において、括弧内に置かれた何れの参照符号も、請求項を限定するものとして解されるべきでない。動詞“有する”及びその活用形の使用は、請求項中に述べられるもの以外の要素又はステップの存在を排除するものではない。要素を前置する冠詞“a”又は“an”は、複数のそれら要素の存在を排除するものではない。本発明は、幾つかの別個の要素を有するハードウェアによって実装され得る。幾つかの手段を列挙するデバイスクレームにおいて、それらの手段のうちの幾つかが、同一のハードウェアアイテムによって具現化されてもよい。特定の複数の手段が相互に異なる従属項に記載されているという単なる事実は、それらの手段の組合せが有利に使用され得ないということを指し示すものではない。
本発明は更に、本明細書に記載され且つ/或いは添付の図面に示された特徴的フィーチャのうちの1つ以上を有するデバイスに当てはまる。本発明は更に、本明細書に記載され且つ/或いは添付の図面に示された特徴的フィーチャのうちの1つ以上を有する方法又はプロセスに関する。
更なる利点を提供するために、本開示にて説明される様々な態様が組み合わされ得る。また、これらのフィーチャのうちの一部は、1つ以上の分割出願の基礎を形成し得る。
特には、本発明は、実施形態において、(無機リガンド)qドットを分散させるための無機(ZnS)マトリクスの使用を、水溶性の前駆体塩からの単純な沈殿プロセスによる該マトリクスの単純な調合手法で提供する。具体的な用途は、例えば、ソリッドステート照明用途、とりわけ、高CRIのLEDランプとし得る。
本発明は、特に、(半導体)量子ドットとの関係で記載される。しかしながら、本発明はまた、その他のタイプのルミネセントナノ粒子又はナノ結晶に関しても適用され得る。従って、更なる一態様において、本発明はまた、ルミネセントナノ粒子に基づくルミネセント材料の製造の方法を提供し、当該方法は、(i)第1の液体中に、無機キャッピング剤を有するルミネセント量子ドットを供給することと、(ii)共沈プロセスにて、第1の液体からの沈殿物質を有する無機塩を沈殿させることと、(iii)分離プロセスにて、第1の液体から沈殿物質を分離して、ルミネセント材料を提供することとを有する。
次いで、以下の図を含む添付の模式的な図面を参照して、単に例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、対応し合う参照符号は、対応し合う部分を指し示している。
本発明の一部態様を模式的に示している。 本発明の一部態様を模式的に示している。 本発明の一部態様を模式的に示している。 本発明の一部態様を模式的に示している。 ルミネセント材料の製造方法の一部態様を模式的に示している。 ルミネセント材料の製造方法の一部態様を模式的に示している。 本発明の更なる一部態様を模式的に示している。 本発明の更なる一部態様を模式的に示している。 へプタン内のここに記載の量子ドットの発光スペクトル(左側のカーブ)及びZnSマトリクス内の同じ量子ドットの発光スペクトルを描いている。 この模式的な図面は必ずしも縮尺通りではない。
理想的には、使用されるリガンドは、qドットの表面(大抵の場合、ZnSである)と高度に相性の良いものであり、故に、硫化物系リガンドが好ましい。一部のリガンドは、例えば、S2−、HS、SnS 4−、Sn 4−であるが、その他(例えば、Se2−、Te2−など)も可能である。一般に、元の有機リガンドをこれらの硫化物系無機リガンドで交換すると、QEの低下が観察される。例えば水溶液系の中のSnS 4−、S2−、HS、及びOHなどのリガンドに関し、比較的低い量子効率が見受けられた。
ここで提案するのは、M(OH) n−の共通組成(Mは、オキソ種又は水酸基種を形成することが可能な元素であり、例えば、表IIIを参照)を持つ異なるクラスの複合アニオンの使用である。このクラスの特別な代表として、ジンケート(亜鉛酸塩)イオンが提示される:Zn(OH) 2−。通常、Zn2+と水酸化物イオンとの結合は不溶性のZn(OH)を生じさせるので、これは興味深いイオンである。しかしながら、非常に高いpH(=高い水酸化物濃度)では、再び水に溶けるものであるこのジンケートイオンが形成され、qドットに非常に一般的に使用されるシェル材料の成分でもある中心金属イオンとアニオンを形成する。観察されたことには、この新しいクラスの無機リガンドを用いることにより、元の(有機)リガンドを有するqドットの高いQEがかなりの程度で保存された。この材料を、ZnCl及びNaSの共沈実験において、ZnSマトリクス内のqドットを調合するためにも使用した。以下、幾つかの具体的な実施形態と参考例とを見ることで、本発明が更に明らかになる。例えば、水酸化物リガンド及びSn 4−リガンドを参考として用いる。
量子ドット上の有機リガンドが、水又は例えばDSMO若しくはホルムアミデなどのその他の極性溶媒の中で分散可能にする無機リガンド、例えば硫化物系リガンド(例えば、Sn 4−又はS2−)又は亜鉛系リガンド(例えば、Zn(OH) 2−)など、によって置き換えられる。無機リガンドは好ましくは、最新の全ての量子ドットタイプの大部分で見出されるZnSシェル(又は、その他のシェル、若しくはシェル以外の外層材料)と高度に適合する。交換及び浄化の後、これらのqドットに、単純な沈殿手順によって、厚いZnS層が堆積される。2つの水溶性塩(ZnCl及びNaS)の水溶液が混合され、それがインサイチュで不溶性のZnSを形成する。このZnSは最終的にqドットの周りのマトリクスを形成し、それにより、更なる気密封止をあまり又は全く必要とせずに、使われているLED条件に対していっそう安定な、全体的にミクロンサイズの蛍光体粉末として適用され得るqドット/ZnS複合体が形成される。
上述の無機リガンド交換されたqドットに加えて、水分散性であるその他のqドットタイプ(例えば、メルカプトプロピオン酸キャップされたqドット、又はシリカコートされたqドット)も、第2の無機マトリクス内にQDを組み込むこの共沈法の開始ポイントとして使用され得る。
ZnSに加えて、溶液沈殿法によって形成されることが可能なその他の無機材料(すなわち、1つ以上の不水溶性材料へと結合する2つ以上の水溶性材料)も使用され得る。
典型的に、量子ドットは、例えばオレイン酸塩などの有機リガンドによって取り囲まれ、且つトルエンのような有機溶媒中に分散された、硫化亜鉛コートされたナノ結晶として得られる。無機マトリクス内に無機リガンドを有するqドット(qdots with inorganic ligand in an inorganic matrix;ILIM−qドット)を作り出すことへの第1のステップは、それらの有機リガンドを無機リガンドで交換することである。典型的には硫化物系イオン(S2−、HS、SnS 4−、Sn 4−)が使用されるが、その他(例えば、OH)も可能である。この交換を、以下の図に模式的に示す。
リガンド交換を、(Maksym V.Kovalenkoなど、JACS2010、132、10085−10092から導出した)図1aに模式的に描く。参照符号100は量子ドットを指し示し、参照符号107は有機リガンドを指し示し、参照符号110は無機リガンドを指し示している。描かれたリガンドは、単に例として示したものである。有機及び無機の、その他のリガンドも選択され得る。図1aにおいて、記号“C−T”は炭化水素尾部を指し示し得る。参照符号NCはナノ結晶を表している。
理想的には、使用されるリガンドは、qドットの表面(大抵の場合、ZnSである)と高度に相性の良いものであり、故に、硫化物系リガンドが好ましい。上述の無機リガンド交換されたqドット(これらは、その無機物性のため好ましい)に加えて、その他のタイプの水分散性qドットも、後述の無機マトリクス組み込みの開始ポイントとして使用され得る。例えば、qドットはまた、脂肪族リガンドを例えばメルカプトプロピオン酸又はアミノエタンチオールなどの帯電リガンドで交換することによって、水溶性にされることができる。
無機及び有機リガンド水溶性qドットに加えて、後述の方法を用いて、シリカコートされたqドットを組み込むことができる。シリカコートされたQDは、いわゆる逆ミセル法又はStober法によって得ることができ、広く研究されている(Koole等、Chem.Mater.、2008、20、p.2503)。しかしながら、qドットの周りのシリカ層は非晶質であり、従って、水や空気に対してあまり十分ではない障壁である。故に、シリカコートされたqドットも、後述の共沈法によって、第2のミクロンサイズの無機マトリクスに組み込まれ得る。シリカコートされたqドットの表面は、第2のマトリクス取り付けのための好適な核生成シードとして作用するために、前処理される必要があり得る。
リガンド交換の後、無機マトリクスが適用され得る。理想的には、適用される無機マトリクスは、qドット表面及び使用される無機リガンドと高度に相性の良いものであり、故に、硫化亜鉛(ZnS)が好ましいが、その他の材料も確かに可能である。
ここで我々が適用する方法は、単純な沈殿アプローチを用いており、それにより、2つの高度に水溶性の塩(NaS及びZnCl)を混ぜ合わせることによって、不溶性の塩(ZnS)が形成される。これらの塩の水溶液を混ぜ合わせることは、ZnS沈殿物の即座の形成をもたらす。その他の2つのイオンの組み合わせは、再び可溶性の塩(この場合、NaCl)を生じさせるべきである。qドットは(好ましくは)硫化物終端されるので、ZnSの成長のシードとしての役割を果たすことができ、それにより、ZnSでのqドットの比較的厚いコーティングをもたらす。洗浄(NaCl及び余分な反応物を除去するため)及び乾燥の後、図1bに模式的に示すような、qドットを収容する完全に無機の材料を得ることができる。この図は、単純な沈殿手順による、(無機リガンド)qドットの周りの厚いZnSシェルの形成を模式的に表している。図1bにおいて、参照符号110aは無機リガンドの層を指し示している。この層は、純粋なリガンド層でなくてもよく、QD付近で高濃度の無機リガンドとし、且つQDから遠く離れたところで無機リガンドを実質的に有しないとして、量子ドット粒子のマトリクスのバルクへの勾配変化が存在していてもよい。参照符号12は、このプロセスで得られる共沈粒子を指し示している。概して、これらの粒子は、複数の量子ドットを含み得る。参照符号14は、マトリクス又はマトリクス材料(すなわち、QDが分散された共沈塩(材料))を指し示している。参照符号1000は、(粒子状)ルミネセント材料を有するルミネセント層(発光層)又はルミネセントボディ(発光体)を指し示している。これはここでは、波長コンバータ素子1000としても指し示される。
図1cは、図1aの右側部分と同じもの、すなわち、QD100を模式的に描いているが、ここでは例として、QDに配位するキャッピングリガンド110としてジンケートを有している。キャッピングリガンドがどのようにQD(カチオン)に配位し得るかの幾つかの選択肢が示されている。(固体)ルミネセント材料10は、一般に、リガンド110を有するこのような量子ドット粒子を多数含んでいる。また、実際には、各QD100が、複数のリガンド110によって取り囲まれることになる。図1dは、ルミネセント材料10の一実施形態を模式的に描いており、これらのQDは(なおも)第1の液体20中にある。例えば、閉じられたキュベットが、QDを取り囲み且つ容易可溶性及び/又は分散性を持つキャッピング剤又はリガンド110を有するQD100を、第1の液体20中に分散させて収容し得る。このようなルミネセント材料はまた、照明デバイス(後述参照)にも使用され得る。
図2aは、液体20中にリガンド107によって分散されている量子ドット100を、非常に模式的に描いている。共沈(co-precipitation;CP)の後、沈殿物質を有する層が得られる。この沈殿物質は、参照符号100aで指し示される。更なる処理により、沈殿物質は、例えば、粒子状のルミネセント材料10(図1b参照)をもたらし、あるいは例えば、量子ドットを有する粒子状ルミネセント材料10を包み込んだ波長コンバータ素子1000をもたらし得る。波長コンバータ素子は、ルミネセント材料粒子12を取り囲む例えばシリコーン又はPMMAなどの母材1014を含み得る。従って、波長コンバータ素子のマトリクス材料は、概して、沈殿塩物質とは異なる材料のものである。
図2bは、量子ドットを用いた無機リガンド交換手順を模式的に提示している。ここでは、QDは量子ドットを表し、OLは有機リガンドを表し、ILは無機リガンドを表し、Lは(無機リガンドの)液体を表し、“t”は時間を指し示し、そして、QD−IL−Lは、液体中の無機リガンドを有する量子ドットを指し示している。OLは、右端の図/段階において再び有機リガンドを表している。
図3aは、2つのタイプの量子ドットを模式的に描いているが、例えば、やはりコア−シェル型QDの一種であるドット・イン・ロッド型量子ドットなど、より多くのタイプが可能である(上述も参照)。左のQD100は、シェルのないベアQDである。ここでは、外層の化学組成は、量子ドットの残りの化学組成と実質的に同じであり得る。ここでの量子ドットは有機リガンド107を有している。右の粒子は、所謂コア−シェル粒子である。コアは参照符号QDCで指し示されており、ここでも外層105であるシェルは参照符号Sで指し示されている。当然ながら、コア−シェル−シェル型又はその他のタイプの量子ドットに基づく粒子も適用され得る。
図3bは、光源光161を生成するよう構成された光源160を有する照明デバイス150を模式的に描いている。光源光161は、少なくとも部分的にルミネセント材料10で受けられる。ルミネセント材料10は、例えば、層又は塊(ボディ)1000の形態であり、あるいは、そのような層又は塊1000を含み得る。この層又は塊はまた、波長コンバータ素子(図2aも参照)としても指し示され得る。ルミネセント材料10は、光源160と光カップリングされる。ルミネセント材料は、光源光161の少なくとも一部を吸収し、この光源光161をルミネセント材料光へと変換する。照明デバイス150によって提供される光が、参照符号151で指し示されている。この照明デバイス光151は、少なくとも、光源光161での励起を受けてルミネセント材料10によって生成される光を含み得るが、場合により、光源光161をも含み得る。それらが一緒になって、例えば、白色照明ユニット光151を提供し得る。図2a及び3bを参照するに、本発明は故に、ルミネセント材料粒子を包み込んだ波長コンバータ素子をも含む。そして、ルミネセント粒子はそれ自身、量子ドットを包み込んだ沈殿塩を含み得る。量子ドットは、コア−シェル型量子ドット(又は、その他のタイプの量子ドット)を含み得る。また、量子ドットと沈殿塩物質との間に、無機リガンド(無機塩の(共沈前の)第1の液体中で、該無機リガンドを用いて量子ドットが安定化されたもの)に実質的に基づく層が存在し得る。ルミネセント材料10は、光源160から非ゼロの距離に配置され得るが、他の実施形態において、ルミネセント材料は、光源160の発光表面(例えばLEDダイなど)上に配置されてもよい。

例1
オレイン酸塩リガンドを有するCrystalplex社から商業的に入手可能な量子ドット(CdSe/CdS/ZnSコア/シェル/シェル)を、1.75mLのn−へプタンに0.25mLのqドット溶液(トルエン内で5mg/mL)を付加することによって無機リガンド交換にかけた。2mLのホルムアミデ(FA)に対して0.125mLの水内1M(NHSnにより、極性相を作り出した。これら2つの相を混ぜ合わせて、45分間激しく撹拌した。有機層を除去し、FA相をn−へプタン(1−2mL)で4回洗浄した。最後に、クリアなFA相を収集し、これに、3mLのアセトニトリルを数滴(およそ15μL)の無機リガンド溶液とともに付加して、qドットを沈殿させた。
遠心分離して上澄みを処分した後、ドットを水内の1.3mL 20mM NaS・9HOに再分散させた。この分散液に、1.3mLの水内20mM ZnClを液滴のようにして付加した。全てのqドットを取り込んだ沈殿が形成され、すなわち、上澄みは光学的に透明で実質的に無色であった。
得られた物質を水(3mL)で3回洗浄してNaClを除去し、アセトンで2回洗浄して水を除去し、そして真空内で乾燥させた。UV光の下で弱いルミネセンスを示す濃い色の脆性物質が得られた。恐らくは濃度クエンチを生じさせる30wt%のqドット濃度が見積もられた。
例2
オレイン酸塩リガンドを有する商業的に入手可能な量子ドット(CdSe/CdS/ZnSコア/シェル/シェル)(575nmで発光)を、2mLのn−へプタンに0.25mLのqドット溶液(トルエン内1mg/mL)を付加することによって無機リガンド交換にかけた。極性相は、2mLのホルムアミデ(FA)内5mg/mLのNaS・9HO溶液であった。これら2つの相を混ぜ合わせて、30分間激しく撹拌した。有機層を除去し、FA相をn−へプタン(1−2mL)で4回洗浄した。最後に、クリアなFA相を収集し、これに、3mLのアセトニトリルを付加して、qドットを沈殿させた。
遠心分離して上澄みを処分した後、ドットをFA内の0.25mL 5mg/mL NaS溶液に再分散させた。この分散液に、3mLの水及び4mLの水内0.1M NaS・9HOを付加した。その後、4mLの水内0.1M ZnClを液滴のようにして付加し、さらに、4mLの水を付加した。分散液から、全てのqドットを取り込んだ沈殿が形成された。
得られた物質を水(7mL)で3回洗浄してNaClを除去し、アセトン(7mL)で2回洗浄して水を除去し、そして真空内で乾燥させた。UV光の下でクリアな発光を示すサーモンピンク色の脆性固形物質が得られた。qドット濃度は0.6wt%と計算された。量子効率は25%であると測定された(トルエン中に分散された元のqドットは80%であった)。この物質を優しく砕いて蛍光顕微鏡で調べたところ、クリアな発光を示した。
この物質の薄片は外観上ガラスのようである。それらを、高分解能SEMで更に調べた。この物質は、直径30−60nmの凝集したナノスフェアで構成されていることが分かった。個々のqドット(サイズ〜6−8nm)は観察されておらず、故に、それらの全てがZnSで被覆され、実際にナノグレインの中にあると思われる。安定性の測定を(周囲空気中で)実行し、良好な結果を得た。SEM写真からは、全ての量子ドットがビーズ(ナノスフェア)に埋め込まれ、しばしば、単一のビーズ内に複数の量子ドットの代わりに、単一のビーズ内に単一の量子ドットを有するようである。
例3
5mLの10M KOH溶液に3.125mLの1M ZnCl溶液(双方とも水内)を付加することによって、亜鉛酸カリウム(K[Zn(OH)])の水溶液を作製した。得られた溶液を、Znにして0.125M、KOHにして2Mの最終的な濃度まで水で希釈した。
オレイン酸塩リガンドを有する商業的に入手可能な量子ドット(CdSe/CdS/ZnSコア/シェル/シェル)(575nmで発光)を、7mLのn−へプタンに1mLのqドット溶液(トルエン内5mg/mL)を付加することによって無機リガンド交換にかけた。4.8mLの1M KOH及び1.6mLのHOに1.6mLの0.125M K[Zn(OH)]及び2M KOHを付加することにより、極性相を作り出した。得られた極性相は、8mLの0.0125M K[Zn(OH)]及び1M KOHであった。これら2つの相を混ぜ合わせて、1時間激しく撹拌した。有機層を除去し、FA相をn−へプタン(1−2mL)で4回洗浄した。
1mLの得られたqドット分散液を、12.5mLの0.1M NaS水溶液に付加した。その後、12.5mLの水内0.1M ZnClを液滴のようにして付加し、そして追加の4mLの水を付加した。分散液から、全てのqドットを取り込んだ沈殿が形成された。
得られた物質を水(10mL)で4回洗浄してNaClを除去し、アセトン(10mL)で2回洗浄して水を除去し、そして真空内で乾燥させた。UV光の下でクリアな発光を示すサーモンピンク色の脆性固形物質が得られた。qドット濃度は0.5wt%と計算された。量子効率は56%であると測定された(トルエン中に分散された元のqドットは80%であった)。図4は、へプタン内のここに記載の量子ドットの発光スペクトル(左側のカーブ)及びZnSマトリクス内の同じ量子ドットの発光スペクトルを描いている。ZnSマトリクス内では、より低いエネルギーに発光がシフトしている。これは、リガンド及び/又はマトリクスの効果に起因しているとし得る。水内の無機リガンドを有する量子ドットの発光スペクトルも測定した。その発光スペクトルは、へプタン内の量子ドットの発光スペクトルと実質的に同じであった。
例4:Sn 4−リガンド
例4A:参考
オレイン酸塩リガンドを有するCrystalplex社から商業的に入手可能な量子ドット(CdSe/CdS/ZnSコア/シェル/シェル)(575nmで発光;QE80%)を、1.75mLのn−へプタンに0.25mLのqドット溶液(トルエン内で5mg/mL)を付加することによって無機リガンド交換にかけた。2mLの水に0.125mLの0.1M (NHSn水溶液を付加することにより、極性相を作り出した。Sn 4−は、技術的に知られたリガンドである。これら2つの相を混ぜ合わせて、1.5時間激しく撹拌した。有機層を除去し、水性相をn−へプタン(3−4mL)で4回洗浄した。最後に、水の層を収集した。UV光の下で、発光は観察されなかった。
この例は、技術的に知られた典型的なリガンドは、qドットの性能の大きい低下をもたらすことを例示している。
例4B
例4Aのリガンド交換されたqドットの分散液に、1mlの水内10M KOH溶液を付加した。ドットを凝集させて遠心分離した。沈殿物を0.25mlの1M KOHに再分散させた。これは、数日の間に、最大で17%の量子収率の増大をもたらした。概して、技術的に知られた硫化物リガンドを用いると、リガンド交換の間又は後のKOHの付加を受けて、QEの上昇が観察された。
より少量のKOHの付加も、発光の(ゆっくりした)戻りをもたらし、例4Aと同様に作製した100μlのqドット分散液に対する100μlの0.1M KOHの付加が、3日後に0.5−14%のQE上昇をもたらした。
例4C
例4Aにおいてのようにリガンド交換を行った。しかし、2mlの水を(NHSn溶液に付加することに代えて、様々な濃度の2mlのKOH溶液を用いた。リガンド交換及びヘプタンでの洗浄の後、水性層のQEを、ヘプタン洗浄の後と、アセトニトリルを用いたqドットの沈殿とそれに続く(余分なKOHを除去するための)遠心分離/水への再分散の後とに測定した。結果を表Iにリストアップするが、KOH濃度が高いほど高いQEをもたらすことがはっきりと示されている。また、余分なKOHを除去するとQEが低下することも明瞭である。より高い開始濃度のKOHでの、KOH除去後の高めのQE値は、1回のみの沈殿/遠心分離/再分散工程後に残ったKOHの残存量に起因している可能性が高い。QEは、この手順の繰り返しによって更に低下される。1Mより高いKOH濃度では、水の層のイオン強度が、ドットが水/ヘプタン界面で凝集するほど高かった。
表I:Sn 4−リガンド交換されたQドットの、水酸化物濃度及び処理の関数としてのQE
Figure 2017506680
例5:水酸化物リガンド
水酸化物イオンそれ自体も、(従来技術からも知られているような)qドットから元の有機リガンドを交換できることが分かった。オレイン酸塩リガンドを有するCrystalplex(CdSe/CdS/ZnSコア/シェル/シェル)(610nmで発光;QE80%)及び1M KOH溶液とした、例4Aに記載したのと同様のリガンド交換が、20%のQEを持つ水性層内のqドットを生じさせた。
例6:ジンケートイオン溶液の調合
3.125mLの1M ZnClを5.0mLの10M KOH溶液に(双方とも水内)に付加することによって、KZn(OH)の原液を作製した。得られた混合物を、Zn2+にして0.125M、KOHにして2.0Mである原液を提供するよう、容量フラスコ内の水で25mLまで希釈した。
例6A:ジンケートイオンでのリガンド交換
1mLのqドット溶液(5mg/mL)と混合された非極性相の7mLのn−へプタンと、0.8mLのジンケート原液及び7.2mLの1M KOHからなる極性相とを用いることによって、ジンケートリガンド溶液と、オレイン酸塩リガンドを有するCrystalplex社(CdSe/CdS/ZnSコア/シェル/シェル)(610nmで発光)から商業的に入手可能な量子ドットとを用いてリガンド交換を行った。極性相の最終的な濃度は、故に、Zn2+にて0.0125M及びKOHにて1.1Mであった。双方の相を混ぜ合わせて1時間激しく撹拌し、極性相へのqドットの移動を生じさせた。分離後、有機層を除去し、水性相をn−へプタン(6−8mL)で4回洗浄した。得られた水性分散液をそのまま用いた。FTIR分析により、元の有機リガンドの実質的に完全な置換が示された(0.2%未満のオレイン酸塩リガンドがなおも存在していた)。この分散液のQEは60%に至ることが分かった(開始ドットの元々のQEは、ヘプタンの中で80%、トルエンの中で70%であった)。
この例は、この新しいリガンド系を用いることで、リガンド交換及び極性溶媒への移動を受けても、qドットの元々のQEを、かなりの程度、保持することが実現可能であることを例示している。この高さは何度も再現された。
例6B:ジンケートイオンでのリガンド交換(II)
オレイン酸塩リガンドを有するCrystalplex社から商業的に入手可能な量子ドット(CdSe/CdS/ZnSコア/シェル/シェル)(610nmで発光)を、7mLのn−へプタンに1mLのqドット溶液(トルエン内で5mg/mL)を付加することによって無機リガンド交換にかけた。4.8mLの1.0mol/l KOH及び1.6mlの水に1.6mlのKOH内0.125mol/l KZn(OH)を付加することにより、極性相を作り出した。これは、0.025mol/lのZn2+及び1mol/lのKOHを有する8mlの極性相をもたらす。これら2つの相を混ぜ合わせて、1時間激しく撹拌した。有機層を除去し、水の相をn−へプタン(およそ8ml)で3回洗浄した。この分散液のQEは52%であることが分かった(開始ドットの元々のQEは、ヘプタンの中で80%であった)。
様々な濃度のジンケートリガンド及びKOHでのリガンド交換の概略を、表IIにリストアップする。高すぎる濃度の亜鉛及び/又はKOHでは、リガンド交換されたqドットはコロイド的に安定でない(凝集が観察される)。低すぎる亜鉛濃度でも、これが観察される。KOH濃度が低すぎるとき、又は亜鉛濃度が高すぎるとき、ジンケート溶液は安定でない(Zn(OH)の沈殿が観察される)。
表II:ジンケートイオンの溶液を用いてリガンド交換されたqドットの、亜鉛及び/又はKOHの濃度の関数としての結果。QEの値がリストアップされているとき、リガンド交換されたqドットの安定した分散液が得られた。QE値は、調合後何週間かしてから測定したものであり、10−15%のQE低下をもたらしている。
Figure 2017506680
例7:錫酸塩リガンド
オレイン酸塩リガンドを有するCrystalplex社から商業的に入手可能な量子ドット(CdSe/CdS/ZnSコア/シェル/シェル)(610nmで発光)を、1.75mLのn−へプタンに0.25mLのqドット溶液(トルエン内で5mg/mL)を付加することによって無機リガンド交換にかけた。1.95mlの1M KOHに50μlの水内NaSnOを付加することにより、極性相を作り出した。これら2つの相を混ぜ合わせて1時間激しく撹拌し、それを受けてqドットが水性層に移動した。有機層を除去し、水の相をn−へプタン(およそ8ml)で3回洗浄した。量子効率は60%を上回った。
例8:錫酸塩リガンド
別の錫酸塩の一例にて、やはりオレイン酸塩リガンドを有する同タイプの量子ドットでリガンド交換を行った。非極性相はヘプタンとし、極性相は、0.1mol/l KOH内の0.1mol/l NaSnOとした。30分の撹拌/揺動の後、リガンドが交換された。エマルション形成が観察されたので、混合物を遠心分離した(2000RPMで5分間のみ)。水の層はオレンジ色で濁っていた。量子効率(QE)は、612.4nmの発光極大で68.7%であった(沈殿開始後2h)。
例9:錫酸塩リガンド
別の錫酸塩の一例にて、やはりオレイン酸塩リガンドでキャップされた(例8においてと)同タイプの市販の量子ドットでリガンド交換を行った。0.5mLの5mg/mL量子ドット分散液を1.5mLのn−へプタンと混ぜ合わせることによって非極性相を作り出した。0.2mLの1M NaSnO水溶液を1.8mLの水と混ぜ合わせることによって極性相を作り出し、0.1M NaSnO溶液を得た。これら2つの相を混ぜ合わせて、室温で1時間、揺動させた。幾らかのエマルション形成が観察され、故に、混合物を遠心分離(2000rpmで2分間)して分離を支援した。水の層はオレンジ色で濁っていた。量子効率は59%であった(沈殿と同日に測定)。
更なる実験
量子ドット上の有機リガンドが、特にはリン酸塩(PO 3−)系の無機リガンドによって置換される。リガンド交換は、qドットを、水又は例えばDSMO若しくはホルムアミデなどの極性溶媒の中で分散可能にする。我々が発見したことには、これらのリガンドを用いることで、qドットのQEの大幅な低下を、かなりの程度、防止することができる。QEの低下は、ウォーターフリー条件でリガンド交換を実行することによって、更に最小化され、あるいは完全にさえ排される。従って、以下にて、次のことを記述する:
− 量子ドットにおける高量子収率を達成するための、無機リガンドとしてのPO 3−の使用であり、元のリガンドがこれらのリガンドで交換される;及び
− リガンド交換前のqドットと基本的に同じ量子収率と、分散の保存期間の長期化を達成するために、幾つかのリガンド(PO 3−、S2−)で量子収率を達成するよう、ウォーターフリー条件でリガンド交換を実行する。
例10:リン系リガンド
例10.1:ホルムアミデ内のNaPO、ウォーターフリー
全ての処理及びサンプルハンドリングを、乾いた溶媒及び化学物質を用いて、ウォーターフリーのグローブボックス環境で行った。
水を含まない113g(100mL)のホルムアミデ(Hydranal Formamide、Fluka)内に265mg(1.62mmol)のNaPOを溶解させることにより、無機リガンドの原液を作製した。グローブボックス内で6時間の撹拌後、1.2μmシリンジフィルターを通して溶液をろ過して、溶解していない物質を除去した。得られた溶液はホルムアミデ内16mM NaPOであった。
オレイン酸塩リガンドを有するCrystalplex社から商業的に入手可能な量子ドット(CdSe/CdS/ZnSコア/シェル/シェル)(610nmで発光;QE80%)を、5gのドデカンに60μLのqドット溶液(トルエン内50mg/mL)を付加することによって無機リガンド交換にかけた。極性相として、10gのホルムアミデ溶液内16mM NaPOを使用した。混合液を16時間激しく撹拌した。その後、有機相を除去し、極性相をn−へプタンで1回洗浄した。極性相を10mLのエタノールと混ぜ合わせることによるqドットの凝集後、懸濁液を遠心分離して溶媒を沈殿物から分離した。1mLの少量のNaPO(溶液を安定にするため)を有する乾燥ホルムアミデ内にqドットを再分散させた。この分散液のQEは、有機溶媒内のリガンド交換前の元のqドットと同じである80−85%であることがわかった。QEは、経時的に低下するが、溶液中に少量のリガンド塩(NaPO)を有することによって維持され得ることが見出された。
例10.2:ホルムアミデ内のNaHPO、ウォーターフリー
ここでは、例10.1において、極性相としての乾燥ホルムアミデ内のNaHPOとした。完成後、QEは79%であることがわかった。
例10.3:NaPO、水性処理
ここでは、例10.1において、溶媒として水を用い、周囲条件とした。qドットは水の層に移動し、首尾よいリガンド交換を示したが、水の使用は、リガンド交換された量子ドットの即座で大々的な凝集につながり、更なる調査を不可能にした。
例11:水の効果
例11.1:ホルムアミデ内のNaS・9HO、周囲
この実験は、特には乾燥させていない溶媒を用いて周囲条件で行った。水を排除するための特別な用心は払わなかった。
14.5mL(16.4g)のホルムアミデ(0.1mmol/mL;24.01mg/mL)内に348.2mg(1.45mmol)のNaS・9HOを溶かすことにより、原液を作製した。オレイン酸塩リガンドを有するCrystalplex社から商業的に入手可能な量子ドット(CdSe/CdS/ZnSコア/シェル/シェル)(610nmで発光;QE80%)を、7mLのn−ヘプタンに1mLのqドット溶液(トルエン内5mg/mL)を付加することによって無機リガンド交換にかけた。極性相として、8mLの調合したばかりのNaS・9HO/FA原液を使用した(192mgのNaS・9HO)。2時間の撹拌後、極性相のQEが69%であると測定された。10日後、QEは40.3%に低下した。
例11.2:水及びホルムアミデの50/50混合内のNaS・9H
ここでは、例11.1において、溶媒として50/50の1/1混合の水及びホルムアミデを用いた。リガンド交換は成功したが、得られたQEは17%と低かった。
例11.3:水内のNaS・H
ここでは、例11.1において、溶媒として純水を用いた。リガンド交換が失敗した。qドットは緑色になり、重度に凝集した。
例11.4:ホルムアミデ内のNaS、ウォーターフリー
全ての処理及びサンプルハンドリングを、乾いた溶媒及び化学物質を用いて、ウォーターフリーのグローブボックス環境で行った。
水を含まない11mL(0.105mmol/mL)のホルムアミデ内に90mg(1.153mmol)のNaSを溶かすことにより、原液を作製した。
オレイン酸塩リガンドを有するCrystalplex社から商業的に入手可能な量子ドット(CdSe/CdS/ZnSコア/シェル/シェル)(610nmで発光;QE80%)を、3.9mLのn−へプタンに0.1mLのqドット溶液(トルエン内50mg/mL)を付加することによって無機リガンド交換にかけた。極性相として、4mLの調合したばかり(2h以内)のNaS/ホルムアミデ原液(32.7mgのNaS)を使用した。30分の撹拌後、qドットの全てが極性相に移動した。極性相のQEは、79%であることがわかった。1週間後、QEは、72%まで僅かに低下した。

Claims (15)

  1. 量子ドットを有する粒子状のルミネセント材料であって、当該ルミネセント材料は更に、前記量子ドットに配位するキャッピング剤を有し、前記キャッピング剤は、M(OH) を有し、Mは、B、Al、P、S、V、Zn、Ga、Ge、As、Se、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、及びWからなる群から選択されており、x≧1、y+z≧1であり、nは、前記キャッピング剤の正電荷又は負電荷を指し示し、当該粒子状のルミネセント材料は、無機キャッピング剤を有する前記量子ドットをホストする無機マトリクスを有する粒子を有する、ルミネセント材料。
  2. Mは、Al、V、Zn、Mo、Sn、及びWからなる群から選択されている、請求項1に記載のルミネセント材料。
  3. 前記キャッピング剤は、アルミン酸塩イオン(Al(OH) )、錫酸塩イオン(SnO 、SnO 2−、及びSnO 4−)、バナジウム酸塩イオン(VO 、VO 3−)、モリブデン酸塩イオン(MoO 2−)、タングステン酸塩イオン(WO 2−)、リン酸塩イオン(PO 3−)、及び亜鉛酸塩イオン(Zn(OH) 2−)のうちの1つ以上を有する、請求項1又は2に記載のルミネセント材料。
  4. 前記量子ドットに有機キャッピング剤も配位しているとき、前記有機キャッピング剤の量は、前記量子ドットの総重量に対して5wt%未満である、請求項1乃至3の何れか一項に記載のルミネセント材料。
  5. 前記キャッピング剤は、亜鉛酸塩イオン(Zn(OH) 2−)を有する、請求項1乃至4の何れか一項に記載のルミネセント材料。
  6. 前記キャッピング剤は、無機化合物を有する外層を持ち、前記無機キャッピング剤は、アルミン酸塩イオン(Al(OH) )、錫酸塩イオン(SnO 、SnO 2−、及びSnO 4−)、バナジウム酸塩イオン(VO 、VO 3−)、モリブデン酸塩イオン(MoO 2−)、タングステン酸塩イオン(WO 2−)、リン酸塩イオン(PO 3−)、及び亜鉛酸塩イオン(Zn(OH) 2−)のうちの1つ以上を有し、且つ
    (i)前記無機マトリクスの無機塩と前記量子ドットの前記外層とが或る元素を共通に有すること、(ii)前記無機キャッピング剤と前記無機マトリクスとが或る元素を共通に有すること、及び(iii)前記量子ドットの前記外層と前記無機キャッピング剤とが或る元素を共通に有することのうちの1つ以上が該当する、
    請求項5に記載のルミネセント材料。
  7. 前記量子ドットは、前記粒子内に分散されており、前記粒子は、0.5−40μmの範囲内の数値平均粒子サイズを持ち、且つ当該ルミネセント材料は、当該ルミネセント材料の総重量に対して0.01−5wt%の範囲内の量子ドットを有する、請求項5又は6に記載のルミネセント材料。
  8. (i)有機キャッピング剤を有するルミネセント量子ドットを供給し、第1の液体内で、交換プロセスにて、前記無機キャッピング剤を有する前記ルミネセント量子ドットを供給することを有する方法によって得られ、前記キャッピング剤は、M(OH) を有し、Mは、B、Al、P、S、V、Zn、Ga、Ge、As、Se、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、及びWからなる群から選択され、x≧1、y+z≧1であり、nは、前記キャッピング剤の正電荷又は負電荷を指し示す、請求項5乃至7の何れか一項に記載のルミネセント材料。
  9. 前記量子ドットに配位するキャッピング剤を有する前記量子ドットを有する第1の液体を有する、請求項1乃至4の何れか一項に記載のルミネセント材料。
  10. 請求項1乃至9の何れか一項に記載のルミネセント材料が埋め込まれた母材を有する波長コンバータ素子。
  11. 光源と、請求項1乃至9の何れか一項に記載のルミネセント材料とを有し、前記光源は、前記ルミネセント材料を照らすように構成されている、照明デバイス。
  12. 量子ドットに基づくルミネセント材料の製造の方法であって、
    (i)有機キャッピング剤を有するルミネセント量子ドットを供給し、第1の液体内で、交換プロセスにて、無機キャッピング剤を有する前記ルミネセント量子ドットを供給することを有し、前記無機キャッピング剤は、M(OH) を有し、Mは、B、Al、P、S、V、Zn、Ga、Ge、As、Se、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、及びWからなる群から選択され、x≧1、y+z≧1であり、nは、前記キャッピング剤の正電荷又は負電荷を指し示し、前記交換プロセスは相間移動プロセスを有する、方法。
  13. (ii)共沈プロセスにて、前記第1の液体からの沈殿物質を有する無機塩を沈殿させることであり、前記沈殿物質は、共沈された前記無機塩によってホストされた前記量子ドットを有する、沈殿させることと、
    (iii)分離プロセスにて、前記第1の液体から前記沈殿物質を分離することと、
    を更に有する請求項12に記載の方法。
  14. 前記ルミネセント量子ドットは外層を持ち、前記共沈プロセスにおいて、2つ以上の塩が適用され、前記塩のうちの少なくとも1つと前記外層とが或る元素を共通に有し、且つ前記無機キャッピング剤と前記塩のうちの1つ以上とが或る元素を共通に有する、請求項13に記載の方法。
  15. 前記無機キャッピング剤は、アルミン酸塩イオン(Al(OH) )、錫酸塩イオン(SnO 、SnO 2−、及びSnO 4−)、バナジウム酸塩イオン(VO 、VO 3−)、モリブデン酸塩イオン(MoO 2−)、タングステン酸塩イオン(WO 2−)、リン酸塩イオン(PO 3−)、及び亜鉛酸塩イオン(Zn(OH) 2−)のうちの1つ以上を有する、請求項12乃至14の何れか一項に記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022064695A1 (ja) * 2020-09-28 2022-03-31 シャープ株式会社 発光素子、発光素子の製造方法
WO2022244186A1 (ja) * 2021-05-20 2022-11-24 シャープ株式会社 発光素子、量子ドット溶液、および発光素子の製造方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102299162B1 (ko) * 2014-02-04 2021-09-08 루미리즈 홀딩 비.브이. 무기 매트릭스의 무기 리간드를 갖는 퀀텀 도트
US10516082B2 (en) * 2015-07-07 2019-12-24 Lumileds Holding B.V. Device for emitting light
FR3039531A1 (ja) * 2015-07-28 2017-02-03 Nexdot
CN106520126B (zh) * 2016-10-31 2018-09-07 武汉大学 基于掺杂离子发光机制的汞离子探针及其合成方法与应用
CN106566318A (zh) * 2016-11-08 2017-04-19 厦门世纳芯科技有限公司 一种量子点油墨及其制备方法
EP3555227A1 (en) * 2016-12-15 2019-10-23 Merck Patent GmbH Method for preparing a nanosized light emitting semiconductor material
US11050033B2 (en) 2018-04-24 2021-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting film, production method thereof, and a light emitting device including the same
CN110452681A (zh) * 2018-05-08 2019-11-15 Tcl集团股份有限公司 量子点溶液及其制备方法
CN110616068A (zh) * 2018-06-20 2019-12-27 Tcl集团股份有限公司 粒子及其制备方法
CN109103348B (zh) * 2018-08-10 2020-08-25 武汉艾特米克超能新材料科技有限公司 一种oled有机发光材料及其制备方法、oled器件及其制备方法
DE102018122684A1 (de) * 2018-09-17 2020-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
CN109468134B (zh) 2018-10-18 2020-12-01 浙江大学 量子点、制作方法、单光子源和qled
CN110643351A (zh) * 2018-12-14 2020-01-03 马鞍山微晶光电材料有限公司 一种量子点改性剂
CN111384269B (zh) * 2018-12-29 2021-08-03 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN109844062A (zh) * 2019-01-18 2019-06-04 京东方科技集团股份有限公司 量子点结构及其制作方法、光学薄膜及其制作方法和显示装置
CN109679657A (zh) * 2019-01-24 2019-04-26 华东理工大学 配体交换法制备硫酸根包覆的纳米晶材料
JP2020150251A (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 キヤノン株式会社 量子ドット、それを有する光電変換素子、受光素子、光電変換装置、移動体、量子ドットの製造方法、光電変換素子の製造方法
EP3872146A1 (en) * 2020-02-25 2021-09-01 Rijksuniversiteit Groningen Colloidal nanoparticle inks for printing of active layers in an optoelectronic device
US11912917B2 (en) 2020-05-20 2024-02-27 Agency For Defense Development Quantum dots containing molybdenum, nickel, and sulfur and method for manufacturing same
US11492547B2 (en) * 2020-06-04 2022-11-08 UbiQD, Inc. Low-PH nanoparticles and ligands
CN115181561A (zh) * 2021-04-02 2022-10-14 纳晶科技股份有限公司 纳米晶组合物及其制备方法和应用
CN114350364B (zh) * 2022-01-17 2023-04-21 南京大学 一种高荧光产率全无机胶体纳米晶体的制备方法
CN116273179B (zh) * 2023-03-21 2024-04-16 中南大学 一种Cd配位硫间质的CdxZn1-xS纳米晶体材料的制备方法与应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5541649A (en) * 1978-09-18 1980-03-24 Dainippon Toryo Co Ltd Fluorescent matter for color television
JPH02308892A (ja) * 1989-05-23 1990-12-21 Toshiba Corp 蛍光体およびその処理方法
US20120104325A1 (en) * 2009-04-23 2012-05-03 The University Of Chicago Materials and Methodss for the Preparation of Nanocomposites
WO2012158847A2 (en) * 2011-05-16 2012-11-22 The University Of Chicago Materials and methods for the preparation of nanocomposites
WO2013057702A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source with quantum dots
JP2013089969A (ja) * 2011-10-18 2013-05-13 Samsung Electronics Co Ltd 無機リガンドを有する量子ドット及びその製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1576655B1 (en) 2002-08-15 2014-05-21 Moungi G. Bawendi Stabilized semiconductor nanocrystals
US7335345B2 (en) * 2004-05-24 2008-02-26 Drexel University Synthesis of water soluble nanocrystalline quantum dots and uses thereof
WO2010014198A1 (en) 2008-07-28 2010-02-04 Qd Vision, Inc. Nanoparticle including multi-functional ligand and method
WO2009020430A2 (en) * 2007-08-06 2009-02-12 Agency For Science, Technology And Research Method of forming a cadmium containing nanocrystal
EP2207789B1 (en) 2007-09-12 2014-06-11 QD Vision, Inc. Functionalized nanoparticles and method
CN102668156B (zh) * 2009-08-18 2016-01-13 大电株式会社 有机电致发光元件及新型的醇可溶性磷光发光材料
KR101865888B1 (ko) 2009-09-09 2018-06-08 삼성전자주식회사 나노입자들을 포함하는 입자, 그의 용도, 및 방법
WO2012035109A1 (de) 2010-09-16 2012-03-22 Technische Universität Dresden Mischkristalle enthaltend halbleitermaterialien, verfahren zu deren herstellung und deren anwendungen
WO2012104325A1 (de) 2011-02-04 2012-08-09 Basf Se Niedermolekulare phosphorhaltige polyacrylsäuren und deren verwendung als belagsinhibitoren in wasserführenden systemen
US9034978B2 (en) * 2011-10-28 2015-05-19 Indian Institute Of Technology Madras Methods of preparing metal quantum clusters in molecular confinement
WO2013114308A1 (en) 2012-02-03 2013-08-08 Koninklijke Philips N.V. Dual site surface capping for highly improving quantum efficiency and life time of luminescent nano particles
KR20140027624A (ko) * 2012-08-23 2014-03-07 삼성정밀화학 주식회사 상전이 환원법을 이용한 금속 나노입자의 제조방법 및 이로부터 제조된 금속 나노입자를 포함한 금속잉크
CN103055954B (zh) 2013-01-16 2015-03-04 中国科学院理化技术研究所 对量子点/棒进行表面修饰改性的方法、光合成催化剂的制备及体系与方法
US20140256532A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-11 Sunpower Technologies Llc Oriented Photocatalytic Semiconductor Surfaces
KR102299162B1 (ko) * 2014-02-04 2021-09-08 루미리즈 홀딩 비.브이. 무기 매트릭스의 무기 리간드를 갖는 퀀텀 도트

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5541649A (en) * 1978-09-18 1980-03-24 Dainippon Toryo Co Ltd Fluorescent matter for color television
JPH02308892A (ja) * 1989-05-23 1990-12-21 Toshiba Corp 蛍光体およびその処理方法
US20120104325A1 (en) * 2009-04-23 2012-05-03 The University Of Chicago Materials and Methodss for the Preparation of Nanocomposites
WO2012158847A2 (en) * 2011-05-16 2012-11-22 The University Of Chicago Materials and methods for the preparation of nanocomposites
JP2013089969A (ja) * 2011-10-18 2013-05-13 Samsung Electronics Co Ltd 無機リガンドを有する量子ドット及びその製造方法
WO2013057702A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source with quantum dots

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022064695A1 (ja) * 2020-09-28 2022-03-31 シャープ株式会社 発光素子、発光素子の製造方法
WO2022244186A1 (ja) * 2021-05-20 2022-11-24 シャープ株式会社 発光素子、量子ドット溶液、および発光素子の製造方法

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