JP2017504192A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017504192A5 JP2017504192A5 JP2016539219A JP2016539219A JP2017504192A5 JP 2017504192 A5 JP2017504192 A5 JP 2017504192A5 JP 2016539219 A JP2016539219 A JP 2016539219A JP 2016539219 A JP2016539219 A JP 2016539219A JP 2017504192 A5 JP2017504192 A5 JP 2017504192A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- gate
- drain
- mos transistor
- epitaxial source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 26
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 11
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 11
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 10
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 2
- -1 silicon germanium Chemical compound 0.000 claims 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N Nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (19)
- 集積回路であって、
基板であって、前記基板の頂部表面まで延在する半導体材料を含む、前記基板と、
前記基板に配置されるフィールド酸化物と、
第1の極性の第1の金属酸化物半導体(MOS)トランジスタであって、
前記半導体材料の前記頂部表面におけるゲート誘電体層と、
前記第1のMOSトランジスタの前記ゲート誘電体層の上のゲートと、
前記第1のMOSトランジスタの前記ゲートと前記フィールド酸化物との間の前記基板における第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域であって、前記フィールド酸化物に隣接し、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域が前記フィールド酸化物の頂部表面において前記フィールド酸化物から或るギャップにより横方向に分離されるように前記フィールド酸化物に面する或る角度のファセットを有し、前記ギャップが前記フィールド酸化物の前記頂部表面から少なくとも20ナノメートル下方に延在する、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域と、
前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域とは反対側で、前記第1のMOSトランジスタの前記ゲートに近接する前記基板における第2のエピタキシャルソース・ドレイン領域と、
前記第1のMOSトランジスタの前記ゲートに横方向に近接するソース・ドレインスペーサと、
を含む、前記第1のMOSトランジスタと、
前記フィールド酸化物の上のゲート構造であって、
前記フィールド酸化物の上のゲートであって、前記ゲート構造のゲートが前記フィールド酸化物の端部に重ならないような、前記ゲートと、
前記ゲート構造の前記ゲートに横方向に近接するソース・ドレインスペーサと、
を含む、前記ゲート構造と、
前記ギャップにおける二酸化シリコンベースの誘電性材料のギャップ充填材であって、前記フィールド酸化物に隣接し、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域へ下方に延在し、前記ギャップの底部で前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域に接する、前記ギャップ充填材と、
前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域の前記或る角度のファセット上の金属シリサイドと、
前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域の前記或る角度のファセット上の前記金属シリサイド上のコンタクトと、
を含む、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記フィールド酸化物の頂部表面が、前記ゲート誘電体層の下の前記基板の前記頂部表面の20ナノメートル内で共面である、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記ゲート構造の前記ソース・ドレインスペーサが主として非シリコン二酸化物の誘電性材料であり、前記金属シリサイドが前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域の少なくとも半分を覆う、集積回路。 - 請求項3に記載の集積回路であって、
前記第1のMOSトランジスタの前記ソース・ドレインスペーサと前記ゲート構造の前記ソース・ドレインスペーサとの下に二酸化シリコンベースの誘電性材料のスペーサライナーを更に含む、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記ゲート構造の前記ソース・ドレインスペーサが主として二酸化シリコンベースの誘電性材料であり、前記ギャップ充填材が前記ゲート構造の前記ソース・ドレインスペーサの一部であり、前記金属シリサイドが前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域の少なくとも3分の1を覆う、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記金属シリサイドが、主としてニッケルシリサイドである、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
第2の反対の極性の第2のMOSトランジスタを更に含む、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1のMOSトランジスタがpチャネル金属酸化物半導体(PMOS)トランジスタであり、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域と前記第2のエピタキシャルソース・ドレイン領域とがシリコンゲルマニウムを含む、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1のMOSトランジスタがnチャネル金属酸化物半導体(NMOS)トランジスタであり、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域と前記第2のエピタキシャルソース・ドレイン領域とがリンドープされたシリコンを含む、集積回路。 - 集積回路を形成する方法であって、
基板の頂部表面まで延在する半導体材料を含む前記基板を提供することと、
前記基板にフィールド酸化物を形成することと、
第1の極性の第1のMOSトランジスタのゲートと前記フィールド酸化物との間で前記基板に前記第1のMOSトランジスタの第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域を形成することであって、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域が前記フィールド酸化物に面する或る角度のファセットを有して前記フィールド酸化物に隣接するように、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域が、前記フィールド酸化物の頂部表面において、前記フィールド酸化物の前記頂部表面から少なくとも20ナノメートル下方に延在する、或るギャップにより、前記フィールド酸化物から横方向に分離されるように、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域を形成し、同時に、前記第1のMOSトランジスタの前記ゲートに近接し、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域とは反対側の前記基板において前記第1のMOSトランジスタの第2のエピタキシャルソース・ドレイン領域を形成することと、
前記第1のMOSトランジスタの上の二酸化シリコンベースの誘電性材料の層と、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域に近接して前記フィールド酸化物の上に位置するゲート構造とを形成することであって、前記ゲート構造のゲートが前記フィールド酸化物の端部に重ならず、前記二酸化シリコンベースの誘電性材料の層が前記ギャップ内へ延在する、前記形成することと、
前記フィールド酸化物に隣接し、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域へ下方に延在して前記ギャップの底部で前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域に接するギャップ充填材を形成するように、前記ギャップにおける前記二酸化シリコンベースの誘電体の層の一部を残して、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域の上から前記二酸化シリコンベースの誘電性材料の層の一部を取り除くことと、
前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域の前記或る角度のファセット上に金属シリサイドを形成することと、
前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域の前記或る角度のファセット上の前記金属シリサイド上にコンタクトを形成することと、
を含む、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記フィールド酸化物の頂部表面が、前記第1のMOSトランジスタのゲート誘電体層の下の前記基板の前記頂部表面の20ナノメートル内で共面である、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記第1のMOSトランジスタと前記ゲート構造と前記ギャップ充填材との上に、主として非シリコン二酸化物材料であるスペーサ材料のコンフォーマル層を形成することと、
前記第1のMOSトランジスタの前記ゲートに横方向に近接するソース・ドレインスペーサと前記ゲート構造の前記ゲートに横方向に近接するソース・ドレインスペーサとを形成するために、前記金属シリサイドが前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域の少なくとも半分を覆うように、前記ギャップ充填材と前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域と前記第2のエピタキシャルソース・ドレイン領域との上からと、前記第1のMOSトランジスタと前記ゲート構造との前記ゲートの頂部の上から、前記スペーサ材料のコンフォーマル層を取り除くことと、
を更に含む、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記スペーサ材料のコンフォーマル層が主としてシリコン窒化物である、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記スペーサ材料のコンフォーマル層を形成する前に、前記第1のMOSトランジスタと前記ゲート構造と前記ギャップ充填材との上に二酸化シリコンベースの誘電性材料のスペーサライナーを形成することと、
前記スペーサ材料のコンフォーマル層を取り除いた後に、前記第1のMOSトランジスタの前記ゲートに横方向に近接する前記ソース・ドレインスペーサと前記ゲート構造の前記ゲートに横方向に近接する前記ソース・ドレインスペーサとにより露出された前記スペーサライナーを取り除くことと、
を更に含む、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記二酸化シリコンベースの誘電性材料の層がスペーサ層であり、
前記二酸化シリコンベースの誘電性材料の層の前記一部を取り除くことが、前記ギャップ充填材が前記ゲート構造の前記ゲートに横方向に近接する前記ソース・ドレインスペーサの一部であるように、前記金属シリサイドが前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域の少なくとも3分の1を覆うように、前記第1のMOSトランジスタの前記ゲートに横方向に近接するソース・ドレインスペーサと前記ゲート構造の前記ゲートに横方向に近接するソース・ドレインスペーサとを残す異方性エッチングプロセスによって実施される、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記第1のMOSトランジスタと、前記ゲート構造と、前記ギャップ充填材と、前記第1のMOSトランジスタの前記ゲートに横方向に近接する前記ソース・ドレインスペーサと、前記ゲート構造の前記ゲートに横方向に近接する前記ソース・ドレインスペーサとの上に、非シリコン二酸化物ベースの犠牲層を形成することと、
前記金属シリサイドを形成する前に、前記第1のMOSトランジスタの前記ソース・ドレインスペーサ上の犠牲スペーサと前記ゲート構造の前記ソース・ドレインスペーサ上の犠牲スペーサとを形成するために、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域の一部と前記第2のエピタキシャルソース・ドレイン領域の一部との上からと、前記第1のMOSトランジスタと前記ゲート構造との前記ゲートの頂部の上から、前記非シリコン二酸化物ベースの犠牲層を異方性エッチングプロセスにより取り除くことと、
前記金属シリサイドを形成した後に、前記第1のMOSトランジスタの前記ソース・ドレインスペーサ上の前記犠牲スペーサと前記ゲート構造の前記ソース・ドレインスペーサ上の犠牲スペーサとを取り除くことと、
を更に含む、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記集積回路が、第2の反対の極性の第2のMOSトランジスタを含む、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記第1のMOSトランジスタがPMOSトランジスタであり、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域と前記第2のエピタキシャルソース・ドレイン領域とがシリコンゲルマニウムを含む、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記第1のMOSトランジスタがNMOSトランジスタであり、前記第1のエピタキシャルソース・ドレイン領域と前記第2のエピタキシャルソース・ドレイン領域とがリンドープされたシリコンを含む、方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361914995P | 2013-12-12 | 2013-12-12 | |
US61/914,995 | 2013-12-12 | ||
US14/563,062 US9508601B2 (en) | 2013-12-12 | 2014-12-08 | Method to form silicide and contact at embedded epitaxial facet |
US14/563,062 | 2014-12-08 | ||
PCT/US2014/070111 WO2015089450A1 (en) | 2013-12-12 | 2014-12-12 | Forming silicide and contact at embedded epitaxial facet |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019056248A Division JP6685442B2 (ja) | 2013-12-12 | 2019-03-25 | 埋め込みエピタキシャルファセットにおけるシリサイド及びコンタクトの形成 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017504192A JP2017504192A (ja) | 2017-02-02 |
JP2017504192A5 true JP2017504192A5 (ja) | 2018-01-25 |
JP6503359B2 JP6503359B2 (ja) | 2019-04-17 |
Family
ID=53369395
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016539219A Active JP6503359B2 (ja) | 2013-12-12 | 2014-12-12 | 埋め込みエピタキシャルファセットにおけるシリサイド及びコンタクトの形成 |
JP2019056248A Active JP6685442B2 (ja) | 2013-12-12 | 2019-03-25 | 埋め込みエピタキシャルファセットにおけるシリサイド及びコンタクトの形成 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019056248A Active JP6685442B2 (ja) | 2013-12-12 | 2019-03-25 | 埋め込みエピタキシャルファセットにおけるシリサイド及びコンタクトの形成 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9508601B2 (ja) |
EP (1) | EP3080844B1 (ja) |
JP (2) | JP6503359B2 (ja) |
CN (1) | CN105814688B (ja) |
WO (1) | WO2015089450A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9508601B2 (en) * | 2013-12-12 | 2016-11-29 | Texas Instruments Incorporated | Method to form silicide and contact at embedded epitaxial facet |
US20160064286A1 (en) * | 2014-09-03 | 2016-03-03 | GlobalFoundries, Inc. | Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits |
US9947753B2 (en) * | 2015-05-15 | 2018-04-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
US10297602B2 (en) * | 2017-05-18 | 2019-05-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Implantations for forming source/drain regions of different transistors |
US20220336614A1 (en) * | 2021-04-15 | 2022-10-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Source/Drain Silicide for Multigate Device Performance and Method of Fabricating Thereof |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4998150A (en) * | 1988-12-22 | 1991-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Raised source/drain transistor |
JP2661561B2 (ja) * | 1994-10-27 | 1997-10-08 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US5571733A (en) * | 1995-05-12 | 1996-11-05 | Micron Technology, Inc. | Method of forming CMOS integrated circuitry |
KR100233832B1 (ko) * | 1996-12-14 | 1999-12-01 | 정선종 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US5960291A (en) * | 1997-08-08 | 1999-09-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Asymmetric channel transistor and method for making same |
US6107157A (en) * | 1998-02-27 | 2000-08-22 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for trench isolation process with pad gate and trench edge spacer elimination |
US6169011B1 (en) * | 1998-03-24 | 2001-01-02 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Trench isolation structure and method for same |
US6150212A (en) * | 1999-07-22 | 2000-11-21 | International Business Machines Corporation | Shallow trench isolation method utilizing combination of spacer and fill |
US6140232A (en) * | 1999-08-31 | 2000-10-31 | United Microelectronics Corp. | Method for reducing silicide resistance |
US6268255B1 (en) * | 2000-01-06 | 2001-07-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming a semiconductor device with metal silicide regions |
US6448129B1 (en) * | 2000-01-24 | 2002-09-10 | Micron Technology, Inc. | Applying epitaxial silicon in disposable spacer flow |
US6376885B1 (en) * | 2000-09-25 | 2002-04-23 | Vanguard International Semiconductor Corp. | Semiconductor structure with metal silicide and method for fabricated the structure |
US7238566B2 (en) * | 2003-10-08 | 2007-07-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of forming one-transistor memory cell and structure formed thereby |
US7265425B2 (en) * | 2004-11-15 | 2007-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device employing an extension spacer and a method of forming the same |
JP4945910B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2012-06-06 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008071890A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US7786518B2 (en) * | 2007-12-27 | 2010-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Growth of unfaceted SiGe in MOS transistor fabrication |
DE102008011814B4 (de) * | 2008-02-29 | 2012-04-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS-Bauelement mit vergrabener isolierender Schicht und verformten Kanalgebieten sowie Verfahren zum Herstellen derselben |
JP5329835B2 (ja) * | 2008-04-10 | 2013-10-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP5588121B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2014-09-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2011009412A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8502316B2 (en) * | 2010-02-11 | 2013-08-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Self-aligned two-step STI formation through dummy poly removal |
US8680625B2 (en) * | 2010-10-15 | 2014-03-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Facet-free semiconductor device |
JP2013243307A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Toshiba Corp | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
KR101952119B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2019-02-28 | 삼성전자 주식회사 | 메탈 실리사이드를 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
US9508601B2 (en) * | 2013-12-12 | 2016-11-29 | Texas Instruments Incorporated | Method to form silicide and contact at embedded epitaxial facet |
-
2014
- 2014-12-08 US US14/563,062 patent/US9508601B2/en active Active
- 2014-12-12 CN CN201480067520.2A patent/CN105814688B/zh active Active
- 2014-12-12 JP JP2016539219A patent/JP6503359B2/ja active Active
- 2014-12-12 WO PCT/US2014/070111 patent/WO2015089450A1/en active Application Filing
- 2014-12-12 EP EP14869386.4A patent/EP3080844B1/en active Active
-
2016
- 2016-10-27 US US15/336,248 patent/US9812452B2/en active Active
-
2017
- 2017-10-03 US US15/723,373 patent/US10008499B2/en active Active
-
2019
- 2019-03-25 JP JP2019056248A patent/JP6685442B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11387148B2 (en) | Semiconductor device | |
US9331200B1 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
US10032675B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
US9899268B2 (en) | Cap layer for spacer-constrained epitaxially grown material on fins of a FinFET device | |
US10115788B2 (en) | Semiconductor devices with horizontal gate all around structure and methods of forming the same | |
TWI536580B (zh) | 鰭式場效電晶體元件與其製造方法 | |
JP4921755B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9502519B2 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
US20160190242A1 (en) | Fin Recess Last Process for FinFet Fabrication | |
JP2017504192A5 (ja) | ||
US20210202718A1 (en) | Fin-type field effect transistor | |
JP2018533851A5 (ja) | ||
JP2017507498A5 (ja) | ||
US9761480B1 (en) | Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate | |
US8877588B2 (en) | Methods of forming a three-dimensional semiconductor device with a dual stress channel and the resulting device | |
CN105679674B (zh) | 使用重叠掩膜减少栅极高度变化的方法 | |
US9530841B1 (en) | Gate-all-around nanowire field-effect transistor device | |
US10347716B2 (en) | Method for fabricating shallow trench isolation between fin-shaped structures | |
CN107731752B (zh) | 半导体结构的形成方法 | |
US9455135B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
US20170288041A1 (en) | Method for forming a doped region in a fin using a variable thickness spacer and the resulting device | |
US9397190B2 (en) | Fabrication method of semiconductor structure | |
US10707135B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
TWI574297B (zh) | 半導體結構與具有未摻雜通道之金氧半場效電晶體之製造方法 |