JP2017227561A - ガスセンサ及びその使用方法 - Google Patents
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Abstract
Description
先ず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係るガスセンサの構造を示す断面図である。
VFB0=φg−φs
ΔVFB=Δφg
次に、第2の実施形態について説明する。図8は、第2の実施形態に係るガスセンサの構造を示す断面図である。
ソース半導体領域及びドレイン半導体領域と、
前記ソース半導体領域と前記ドレイン半導体領域との間のチャネル半導体領域と、
前記チャネル半導体領域上方に設けられ、少なくとも一部が気体に接するグラフェン膜と、
前記チャネル半導体領域と前記グラフェン膜との間の誘電体膜と、
を有し、
前記ソース半導体領域から前記チャネル半導体領域へのキャリアの移動がバンド間トンネル効果により生じることを有することを特徴とするガスセンサ。
前記ソース半導体領域、前記チャネル半導体領域及び前記ドレイン半導体領域はバルク半導体を含むことを特徴とする付記1に記載のガスセンサ。
前記ソース半導体領域はバルク半導体を含み、
前記チャネル半導体領域及び前記ドレイン半導体領域は層状物質半導体又は線状物質半導体を含むことを特徴とする付記1に記載のガスセンサ。
前記チャネル半導体領域の材料は、IV族半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体、酸化物半導体、窒化物半導体、有機物半導体、層状物質半導体、半導体カーボンナノチューブ又はグラフェンナノリボンであることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載のガスセンサ。
前記誘電体膜の材料は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、ゲルマニウム酸化物、高誘電率絶縁物又は層状絶縁物であることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載のガスセンサ。
前記グラフェン膜に含まれるグラフェンの単位層の数は1層〜100層であることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載のガスセンサ。
付記1乃至6のいずれか1項に記載のガスセンサの前記グラフェン膜の仕事関数の変化量に相当する物理量を検出する工程を有することを特徴とするガスセンサの使用方法。
101、201:チャネル半導体領域
102、202:ソース半導体領域
103、203:ドレイン半導体領域
104、204:誘電体膜
105、205:グラフェン膜
Claims (4)
- ソース半導体領域及びドレイン半導体領域と、
前記ソース半導体領域と前記ドレイン半導体領域との間のチャネル半導体領域と、
前記チャネル半導体領域上方に設けられ、少なくとも一部が気体に接するグラフェン膜と、
前記チャネル半導体領域と前記グラフェン膜との間の誘電体膜と、
を有し、
前記ソース半導体領域から前記チャネル半導体領域へのキャリアの移動がバンド間トンネル効果により生じることを有することを特徴とするガスセンサ。 - 前記ソース半導体領域、前記チャネル半導体領域及び前記ドレイン半導体領域はバルク半導体を含むことを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ。
- 前記ソース半導体領域はバルク半導体を含み、
前記チャネル半導体領域及び前記ドレイン半導体領域は層状物質半導体又は線状物質半導体を含むことを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のガスセンサの前記グラフェン膜の仕事関数の変化量に相当する物理量を検出する工程を有することを特徴とするガスセンサの使用方法。
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