JP2017220536A - Deposition device and manufacturing method of solar cell - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、太陽電池セルの製造時に、反射防止膜をはじめとする薄膜を成膜する際に用いられる成膜装置および太陽電池の製造方法に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus and a method for manufacturing a solar battery, which are used when a thin film including an antireflection film is formed at the time of manufacturing a solar battery cell.
太陽電池セルの製造工程では、シリコンウエハをはじめとする半導体基板にpn接合を形成し、表面に窒化シリコン薄膜をはじめとする反射防止膜が形成される。太陽電池セルに用いられる窒化シリコン薄膜は、プラズマCVD(Chemical Vapour)Deposition)装置で成膜されることが多い。 In the manufacturing process of a solar battery cell, a pn junction is formed on a semiconductor substrate including a silicon wafer, and an antireflection film including a silicon nitride thin film is formed on the surface. A silicon nitride thin film used for a solar battery cell is often formed by a plasma CVD (Chemical Vapor) Deposition apparatus.
プラズマCVD装置をはじめとする薄膜生成装置は、窒化シリコン薄膜だけでなく、半導体基板の表面に半導体薄膜をはじめとする薄膜を形成するのに用いられる。薄膜生成装置を用いて半導体基板上に薄膜を形成するとき、半導体基板の周縁部は爪部で支持される。特許文献1で複数の薄膜生成装置を用いて半導体基板上に薄膜を形成するとき、半導体基板の周縁部を爪部で把持し、成膜後に、爪部後を検出する技術が開示されている。特許文献1の技術によれば、爪部の半導体基板との接触面の形状を装置によって特定することにより、薄膜が形成されない爪部の跡の形状からどの装置で成膜されたかを識別することができる。
A thin film production apparatus such as a plasma CVD apparatus is used not only to form a silicon nitride thin film but also to form a thin film such as a semiconductor thin film on the surface of a semiconductor substrate. When a thin film is formed on a semiconductor substrate using the thin film generator, the peripheral portion of the semiconductor substrate is supported by a claw portion.
特許文献1の薄膜生成装置では、複数の装置のいずれの装置で成膜がなされたかについては、識別できる。しかしながら、特許文献1の方法では、装置内の成膜位置による膜厚または膜質の差は識別することはできない。
In the thin film production | generation apparatus of
ところで、成膜装置は、太陽電池セルの製造工程では、シリコンウエハの表面に反射防止膜として、窒化シリコン薄膜を形成するために使用される。電極の機能を兼ねたカーボン製の搬送台にシリコンウエハを乗せて、成膜が行われるが、搬送台上の位置あるいは、成膜装置毎に、セル特性あるいは不良発生率は異なる。つまり、成膜装置毎、および装置内の成膜位置毎に、成膜された膜の膜厚または膜質の差を識別する必要がある。量産工程で薄膜形成を行うにあたり、どの成膜装置のどの位置で不良が発生したかを確認し、原因究明を図る必要がある。成膜不良の原因の究明には、量産装置を止めて試作実験をする必要があるが、頻度の低い不良の再現は困難であった。 By the way, the film forming apparatus is used for forming a silicon nitride thin film as an antireflection film on the surface of a silicon wafer in a manufacturing process of a solar battery cell. Film formation is carried out by placing a silicon wafer on a carbon carrier that also functions as an electrode, but cell characteristics or defect occurrence rates differ depending on the position on the carrier or each film forming apparatus. That is, it is necessary to identify the difference in film thickness or film quality of the film formed for each film forming apparatus and for each film forming position in the apparatus. When forming a thin film in a mass production process, it is necessary to confirm the cause at which position of which film-forming apparatus has occurred and investigate the cause. In order to investigate the cause of the film formation failure, it is necessary to stop the mass production apparatus and carry out a prototype experiment. However, it is difficult to reproduce the infrequent failure.
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、量産設備を停止させることなく、すばやく不良の原因究明を行うことのできる成膜装置を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain a film forming apparatus capable of quickly investigating the cause of a defect without stopping mass production facilities.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、複数の基板を載置する搬送台と、基板を位置決めする爪部と、爪部で位置決めされた基板上に薄膜を形成する成膜部と、を備える。爪部は搬送台上での位置に対応して構成が異なることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention forms a thin film on a transport base on which a plurality of substrates are placed, a claw portion for positioning the substrates, and a substrate positioned by the claw portions. A film forming unit. The claw portion has a different configuration corresponding to the position on the transport table.
上記構成により、量産設備を停止させることなく、すばやく不良の原因究明を行うことのできる成膜装置を得ることができるという効果を奏する。 With the above configuration, there is an effect that it is possible to obtain a film forming apparatus capable of quickly investigating the cause of a defect without stopping mass production facilities.
以下に添付図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる成膜装置および太陽電池の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。断面図であっても、図面を見易くするためにハッチングを付さない場合がある。また、平面図であっても、図面を見易くするためにハッチングを付す場合がある。 Hereinafter, a film forming apparatus and a method for manufacturing a solar cell according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the present invention is not limited to the embodiments and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. In the drawings shown below, the scale of each member may be different from the actual scale for easy understanding. The same applies between the drawings. Even a cross-sectional view may not be hatched for easy viewing of the drawing. Further, even a plan view may be hatched to make the drawing easy to see.
実施の形態1.
図1は、実施の形態1の成膜装置の搬送台を示す上面図、図2および図3は、図1の要部拡大図である。図4は、実施の形態1の成膜装置を示す図であり、図5(a)から(c)は、実施の形態1の成膜装置を用いた窒化シリコン膜の成膜工程を示す工程断面図である。図6は、実施の形態1の成膜装置を用いて窒化シリコン膜の成膜された半導体ウエハである太陽電池用基板の側面比較図である。実施の形態1において半導体ウエハは太陽電池用基板を構成する基板である。実施の形態1の成膜装置100は、複数の太陽電池用基板1を載置する搬送台103と、太陽電池用基板1を位置決めする爪部2と、爪部2で位置決めされた太陽電池用基板1上に薄膜を形成する成膜部100Fとを備える。爪部2は搬送台103上での位置に対応して構成が異なり、位置に対応して他の位置で成膜された太陽電池用基板1と識別可能であることを特徴とする。図4に示す成膜装置100の成膜部100Fには、プラズマCVD装置が用いられる。太陽電池用基板1は、n型単結晶シリコン基板表面にp型非晶質シリコン層を成膜することでpn接合を形成してなる。なお、n型単結晶シリコン基板表面にp型不純物を拡散することでpn接合を形成しても良い。
FIG. 1 is a top view showing a transfer table of the film forming apparatus of the first embodiment, and FIGS. 2 and 3 are enlarged views of main parts of FIG. FIG. 4 is a diagram showing the film forming apparatus of the first embodiment, and FIGS. 5A to 5C are steps showing a film forming process of the silicon nitride film using the film forming apparatus of the first embodiment. It is sectional drawing. FIG. 6 is a side surface comparison diagram of a solar cell substrate which is a semiconductor wafer on which a silicon nitride film is formed using the film forming apparatus of the first embodiment. In the first embodiment, the semiconductor wafer is a substrate constituting a solar cell substrate. The
搬送台103には、太陽電池用基板1の位置ずれ防止用の爪部2が付いているが、爪部2の存在する部分は成膜量が爪部以外の部分とは異なるため、成膜後の製品を観察することで爪部2の痕を特定することができる。そこで、搬送台103上の位置に応じて、爪の位置、爪の数、爪の幅すなわち太さ、爪の形状をはじめとする爪の特性を変えた爪部2を用いることで、太陽電池用基板1上に特有の爪痕を付ける。
The
プラズマCVD装置は、後に詳細に説明するが、図4に示す真空槽101内に、被処理基板である太陽電池用基板1を載せた搬送台103が、シャワー電極104と平行に相対するように配置される。搬送台103は電極の機能も兼ねており、真空槽101内にプロセスガスを供給し、シャワー電極104と搬送台103の間に高周波電力を印加することで、成膜処理が行われる。つまり搬送台103とシャワー電極104とが平行配置され、平行平板型の電極構造を有する。搬送台103は、図示しない搬送部で支持されており成膜完了後、太陽電池用基板1を搭載した状態で真空槽101から排出される。
As will be described in detail later, the plasma CVD apparatus is arranged so that the transfer table 103 on which the
図1では、プラズマCVD装置において、成膜処理時の太陽電池用基板1と爪部2の位置とが模式的に示されており、太陽電池用基板1は搬送台103の上に平置きで縦横に格子状に並べられる。ここでは、縦8行、横6列とした。太陽電池用基板1を配置する各領域には、太陽電池用基板1の側面に当接し位置ずれを防止するための爪部2が設置されている。図1は、爪部2を位置決めに用いて搬送台103上に太陽電池用基板1が配置された状態を示している。図1に示すように、爪部2の位置、数、形は、各領域で同じ共通の形となっている。爪部2は隣り合う領域と共用である。つまり爪部2の両端に太陽電池用基板1の側面が当接する。爪部2は、図5(a)から図5(c)で後述する工程断面図でも明らかなように太陽電池用基板1の上表面には接触せず、側面に当接するだけであるが、爪部2の部分は成膜され難いため、成膜時に爪痕が発生し、爪痕は成膜後に視認することができる。
In FIG. 1, in the plasma CVD apparatus, the
図2および図3は、図1の第8行目第6列目の太陽電池用基板186と爪部2および第4行目第4列目の太陽電池用基板144と爪部2とを示す要部拡大図である。図2および図3は、要部拡大図であるため、太陽電池用基板186と爪部2および第4行目第4列目の太陽電池用基板144と爪部2を中心に示しており、周りは搬送台103となっている。爪部2は、搬送台103上の縦横の位置に応じて爪の位置が変更されたものである。爪部2は隣り合う太陽電池用基板1用の爪部2と共有であるため、左辺と上辺の爪部2を処理履歴を表すのに用いることとする。搬送台103上の縦の位置つまり行は太陽電池用基板1の左辺の爪部2Lで表す。太陽電池用基板186の左辺上側で角から距離DLの位置に位置する爪部2L0を基準とし、爪部2L0からLb8=Xcm下方向に離れた位置に爪部2L1を配置する。例えば、行=(X/a)−b(a,bは定数)で表し、行に応じて爪部2の間隔Xが異なるようにする。搬送台103上の横の位置つまり列は太陽電池用基板1の上辺の爪部2Uで表す。上辺左側で角から距離DUの位置に位置する爪部2U0を基準とし、爪部2U0からLa6=Ycm右方向に離れた位置に爪部2U1を配置する。例えば、列=(Y/a)−b(a,bは定数)で表し、行に応じて爪部2の間隔Yが異なるようにする。かかる構成をとることで、爪痕が成膜処理位置の履歴となり、成膜後の太陽電池用基板1を観察したときに、どの位置で成膜されたかを特定することができるようになる。太陽電池用基板144についても同様、Lb4、La4で位置が特定される。
2 and 3, and the eighth row sixth column of the
以上のように行の基準の爪部2L0と太陽電池用基板1の端からの距離DLと列の基準の爪部2U0は、太陽電池用基板1の端からの距離DUが異なるように設定することで、太陽電池用基板1が回転しても判別できるようにすることができる。
The distance D L claw portion 2U 0 criteria column from the
爪部2の形状は任意に選択できるが、一例として厚さ0.2mmの太陽電池用基板1に反射防止膜を成膜する場合、断面形状1mm×5mm、高さ5mmのカーボン製の直方体とし、搬送台103に設けた穴に高さ方向の内の4.9mmを埋め込み、0.1mmが搬送台103の載置面より突出するように設ければよい。以上のように、爪部2の当接部の上端を、太陽電池用基板1表面よりも低くすることで、太陽電池用基板1の側周面の一部に当接部を有していても、太陽電池用基板1表面に形成される膜への影響を低減して成膜することが可能である。これにより、太陽電池用基板の周縁部で、光電変換効率が低下する領域の形成を低減することができる。
Although the shape of the nail | claw
また、爪部の埋め込み深さを4mm、突出する高さを1mm程度とし、太陽電池用基板1よりも高く形成しても良い。太陽電池用基板1を搬送台103に載置した際に、搬送台103の熱により太陽電池用基板1が下に凸に反る場合があるが、爪部の高さを基板よりも高くすることで、基板が反っていても位置決めが可能になる。また、爪部の高さを1mmとすることで、±0.1mm程度の加工誤差があっても影響が小さくなり、爪部の製造が容易になる。
Moreover, the embedding depth of the nail | claw part shall be 4 mm and the protrusion height shall be about 1 mm, and you may form higher than the board |
爪部2を搬送台103と同じ材料のカーボン製としている。また、カーボン製の爪部2を用いる場合、金属材料よりも強度が低いので、断面を1mm×5mm程度とすることで、必要な強度を得ることができる。
The
爪部2の形成材料には、ステンレス鋼(SUS)製を用いることもできる。爪部2がSUS製の場合、カーボン製よりも強度が強いので、爪部2を断面形状が直径1mmの円である円柱状をなすようにしても良い。
Stainless steel (SUS) can also be used as a material for forming the
図4に示すプラズマCVD装置100は、真空槽101により形成された成膜室102内に、搬送台103、シャワー電極104を備える。高周波電源107は、給電線108を介して搬送台103とシャワー電極104との間に、電圧を印加する。またプラズマCVD装置100は、真空ガスケット109を備え、真空槽101内をシールし、真空下にしている。
A
真空槽101により形成された成膜室102内は、排気口105から図示しない排気ポンプにより真空排気される。
The inside of the
搬送台103は、成膜室102内に配設されている。搬送台103の上には、太陽電池用基板1が爪部2に当接するように載置される。
The transfer table 103 is disposed in the
シャワー電極104は、太陽電池用基板1に向けて成膜ガスを供給するとともに搬送台103との間に高周波電界を形成してプロセスガスにプラズマを発生させる。すなわち、シャワー電極104から搬送台103側に吐出されたプロセスガスはシャワー電極104と搬送台103との間に形成した高周波電界によりプラズマ化されて、搬送台103上に載置された太陽電池用基板1上に反射防止膜が形成される。
The
シャワー電極104は、ガス拡散空間104aと、本体部104bと、シャワープレート104cと、ガス供給穴104dとを有する。
The
ガス拡散空間104aは、本体部104bとシャワープレート104cとにより囲まれることによりシャワー電極104の内部に形成された空間である。
The
本体部104bは、内部を貫通するように、大気側からガス拡散空間104aへ延びたガス供給口104dを有する。本体部104bは、ガス供給口104dを介してガス拡散空間104aへプロセスガスを供給する。
The
被成膜基板104上にシリコン薄膜を成膜するときには、例えば、シリコン源ガスであるモノシラン(SiH4)ガスと窒素(N2)ガスとが用いられる。そしてプロセスガスには、シリコン源ガスに、キャリアガスである水素(H2)ガスを混合させた混合ガスが用いられる。プロセスガスは、ガス供給口106からシャワー電極104におけるガス拡散空間104aに導入された後、シャワープレート104cから成膜室102内の搬送台103側に吐出される。吐出されたプロセスガスは、上述の高周波によってプラズマ化され、プラズマPが生成される。プラズマPにより活性種が生成され、これらの活性種が太陽電池用基板1に入射して太陽電池用基板1上に窒化シリコン膜が堆積する。
When a silicon thin film is formed on the
次に、上記プラズマCVD装置を用いた、太陽電池用基板への反射防止膜の成膜工程について説明する。図5(a)に示すように、プラズマCVD装置の搬送台103上で爪部2に側面が当接するように太陽電池用基板1を位置決めして載置する。次いで、図示しない排気ポンプにより排気口105から真空槽101内を真空排気することにより、成膜室102内を、所望の真空下となるように調整する。
Next, a film forming process of the antireflection film on the solar cell substrate using the plasma CVD apparatus will be described. As shown in FIG. 5 (a), the
ガス供給口106を介してガス拡散空間104aへプロセスガスが供給されるとともに、シャワー電極104と搬送台103との間に高周波電源107から電圧が供給され、太陽電池用基板1に向けて供給されたプロセスガスがプラズマ化される。プラズマが、搬送台103上に載置された太陽電池用基板1上に導かれ図5(b)に示すように、反射防止膜である窒化シリコン膜11が成膜される。
A process gas is supplied to the
そして、窒化シリコン膜11の形成された太陽電池用基板1は真空槽101から搬出され、図5(c)に示すように、搬送台103からはずされる。図5(c)の方向aから太陽電池用基板1をみた側面図を図6に示す。図6の上側に配されているのは第8行目第6列目の太陽電池用基板186、下側に配されているのは第4行目第4列目の太陽電池用基板144を示す図である。いずれも爪部2に相当する領域に窒化シリコン膜11の成膜がなされずスリット11Sが形成されている。スリット11Sの位置は爪部2の位置に一致する。スリット11Sの位置を検出することで、搬送台103上のどの位置で成膜されたものかが判定される。なお、スリット11Sに相当する部分がはっきりと成膜されない部分となって残らず、膜厚が薄くなるだけの場合もある。膜厚が薄くなる場合も反射率が変化するため、目視による、判別が可能である。
Then, the
以上のように、実施の形態1のプラズマCVD装置によれば、搬送台に、位置に応じて、爪の位置、爪の数、爪の幅、爪の形状をはじめとする爪の特性を変えた、位置決めおよび位置ずれ防止用の爪部を配している。爪部下の領域は成膜量が他の領域部分とは異なるため、完成品を観察することで爪の痕を特定することができる。つまり、搬送台上の位置に応じて、爪の位置、爪の数、爪の幅、爪の形状をはじめとする爪の特性を変えた爪部が用られることで、太陽電池用基板上に特有の爪痕を付けることができる。 As described above, according to the plasma CVD apparatus of the first embodiment, the nail characteristics such as the position of the nail, the number of the nail, the width of the nail, and the shape of the nail are changed depending on the position on the transfer table. In addition, claw portions for positioning and preventing misalignment are provided. Since the amount of film formation in the area under the nail portion is different from that in other area portions, the nail mark can be specified by observing the finished product. In other words, depending on the position on the transport table, the nail part with different nail characteristics such as nail position, number of nail, nail width, nail shape is used on the solar cell substrate. A peculiar nail mark can be attached.
各位置で成膜された太陽電池用基板1の反射防止膜である窒化シリコン膜11の膜厚を測定する。そして、測定結果に基づき、成膜装置の成膜条件を制御し、均一な膜厚の反射防止膜を得るように調整する。
The film thickness of the
上記構成により、完成品を観察することで、成膜処理されたときの位置がわかるようになる。太陽電池セルにプラズマCVD装置起因の外観不良品が発生した時または、プラズマCVD装置起因で太陽電池セルの特性が異常である時に、爪痕を確認すれば、どこに問題が有るかを迅速に把握することができる。従って量産設備を停止させることなく、すばやく不良の原因究明を行うことのできる成膜装置を得ることができる。 With the above configuration, the position when the film formation process is performed can be understood by observing the finished product. When a defective appearance caused by a plasma CVD device occurs in a solar cell, or when the characteristics of a solar cell are abnormal due to a plasma CVD device, you can quickly identify where the problem is by checking the nail marks. be able to. Therefore, it is possible to obtain a film forming apparatus capable of quickly investigating the cause of the defect without stopping the mass production facility.
実施の形態2.
図7は、実施の形態2の成膜装置の搬送台を示す上面図、図8および図9は、図7の要部拡大図である。図10は、実施の形態2の成膜装置を用いて窒化シリコン膜の成膜された太陽電池用基板の側面比較図である。実施の形態2の成膜装置は、爪部の場所を変化させるのに代えて、行列に応じて爪部の数を変更したものである。実施の形態2の成膜装置では、例えば図11に説明図を示すように、太陽電池用基板1の左辺の爪部2Lの数をXとして、行=X=nXとする。一方太陽電池用基板上辺の爪部2Uの数をYとして、列=Y=nYとする。
FIG. 7 is a top view showing a transfer table of the film forming apparatus of the second embodiment, and FIGS. 8 and 9 are enlarged views of main parts of FIG. FIG. 10 is a side comparison diagram of a solar cell substrate on which a silicon nitride film is formed using the film forming apparatus of the second embodiment. In the film forming apparatus of the second embodiment, instead of changing the location of the nail portion, the number of nail portions is changed according to the matrix. In the film forming apparatus of
図8および図9は、図7の第8行目第6列目の太陽電池用基板186と爪部2および第4行目第4列目の太陽電池用基板144と爪部2とを示す要部拡大図である。爪部2は、搬送台103上の縦横の位置に応じて爪の数が変更されたものである。爪部2は隣り合う太陽電池用基板1用の爪部2と共有であるため、左辺と上辺を成膜処理履歴指示部として採用することとする。搬送台103上の縦の位置つまり行は太陽電池用基板1の左辺の爪部2Lの数で表す。太陽電池用基板1の左辺上側に位置する爪部を基準とし、そこからX=nX個の爪部2を配置する。搬送台上の横の位置つまり列は太陽電池用基板1の上辺の爪部2Uで表す。上辺左側に位置する爪を基準とし、そこからY=nY個の爪部2を配置する。
8 and 9, the line 8 sixth column of the
そして、窒化シリコン膜11の形成された太陽電池用基板1を、搬送台103からはずす。実施の形態1で説明した図5(c)の方向aから太陽電池用基板1をみた側面図を図10に示す。上側は、第8行目第6列目の太陽電池用基板186、下側は第4行目第4列目の太陽電池用基板144を示す図である。いずれも爪部2に相当する領域に成膜がなされずスリット11Sが形成されている。このスリット11Sの数は爪部2の位置に一致する。スリット11Sの数を検出することで、搬送台103上のどの位置で成膜されたものかを判定することができる。上側は縦に8個横に6個のスリット11Sが形成されているため、第8行目第6列目の太陽電池用基板186、下側は縦に4個横に4個のスリット11Sが形成されているため、第4行目第4列目の太陽電池用基板144であることがわかる。
Then, the
以上のように、実施の形態2のプラズマCVD装置によれば、搬送台に、位置に応じて、爪の数の特性を変えた、位置決めおよび位置ずれ防止用の爪部を配している。爪部は成膜量が他の部分とは異なるため、完成品を観察することで爪の痕を特定することができる。つまり、搬送台上の位置に応じて、爪の数を変えた爪部を用いることで、太陽電池用基板上に特有の爪痕を付けることができる。 As described above, according to the plasma CVD apparatus of the second embodiment, the claw portion for positioning and misalignment prevention, in which the characteristics of the number of claws are changed according to the position, is arranged on the transport table. Since the amount of film formation on the nail portion is different from other portions, the nail mark can be identified by observing the finished product. That is, by using the claw portion with the number of claws changed according to the position on the transport table, a peculiar nail mark can be provided on the solar cell substrate.
かかる構成をとることで、爪痕が処理位置の履歴となり、実施の形態1の成膜装置と同様、成膜後の太陽電池用基板1を観察したときに、当該太陽電池用基板1が搬送台上のどの位置で成膜されたかを特定することができるようになる。
By adopting such a configuration, the claw mark becomes a history of the processing position, and when the
実施の形態3.
図12は、実施の形態3の成膜装置の搬送台を示す上面図、図13および図14は、図12の要部拡大図である。図15は、実施の形態3の成膜装置を用いて窒化シリコン膜の成膜された太陽電池用基板の側面比較図である。図16は、実施の形態3の成膜装置の搬送台の説明図である。実施の形態3の成膜装置は、爪部の場所あるいは爪部の数を変化させるのに代えて、行列に応じて爪部の幅が変更されたものである。実施の形態3の成膜装置では、例えば図16に説明図を示すように、太陽電池用基板21の左辺の爪部22Lの幅をXとして、行=Xとする。一方太陽電池用基板21の上辺の爪部22Uの幅をYとして、列=Yとする。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 12 is a top view showing a transfer table of the film forming apparatus of the third embodiment, and FIGS. 13 and 14 are enlarged views of main parts of FIG. FIG. 15 is a side surface comparison diagram of a solar cell substrate on which a silicon nitride film is formed using the film forming apparatus of the third embodiment. FIG. 16 is an explanatory diagram of a transport table of the film forming apparatus of the third embodiment. In the film forming apparatus of the third embodiment, the width of the nail portion is changed according to the matrix instead of changing the location of the nail portion or the number of the nail portions. In the film forming apparatus of the third embodiment, for example, as shown in FIG. 16, the width of the
図13および図14は、図12の第8行目第6列目の太陽電池用基板2186と爪部22および第4行目第4列目の太陽電池用基板2144と爪部22とを示す要部拡大図である。爪部22は、搬送台103上の縦横の位置に応じて爪の幅が変更されたものである。爪部22は実施の形態1と同様隣り合う太陽電池用基板21用の爪部22と共有であるため、左辺と上辺を成膜処理履歴として採用することとする。搬送台103上の縦の位置つまり行は太陽電池用基板21の左辺の爪部22Lの幅で表す。太陽電池用基板21の左辺に位置する爪部を基準とし、幅Xの爪部22が配置される。搬送台103上の横の位置つまり列は太陽電池用基板21の上辺の爪部22Uで表す。上辺左側に位置する爪部を基準とし、幅Yの爪部22を配置する。
13 and 14, the eighth row sixth column of the
そして、窒化シリコン膜11の形成された太陽電池用基板21を、搬送台103からはずす。実施の形態1で説明した図5(c)の方向aから太陽電池用基板1をみた側面図を図15に示す。上側は、第8行目第6列目の太陽電池用基板2186、下側は第4行目第4列目の太陽電池用基板2144を示す図である。いずれも爪部22に相当する領域に成膜がなされずスリット21Sが形成されている。スリット21Sの幅は爪部22の幅に一致する。スリット21Sの幅を検出することで、搬送台103上のどの位置で成膜されたものかを判定することができる。上側は縦に幅X(:X1)横に幅Y(:Y1)のスリットが形成されているため、第8行目第6列目の太陽電池用基板2186、下側は縦に幅X(X:X2)横に幅Y(:Y2)のスリットが形成されているため、第4行目第4列目の太陽電池用基板2144であることがわかる。
Then, the
以上のように、実施の形態3のプラズマCVD装置によれば、搬送台に、位置に応じて、爪の幅の特性を変えた、位置決めおよび位置ずれ防止用の爪部を配している。爪部は成膜量が他の部分とは異なるため、完成品を観察することで爪の痕を特定することができる。つまり、搬送台上の位置に応じて、爪の幅を変えた爪部を用いることで、太陽電池用基板上に特有の爪痕を付けることができる。 As described above, according to the plasma CVD apparatus of the third embodiment, the claw portions for positioning and misalignment prevention, in which the characteristics of the claw width are changed according to the position, are arranged on the transport table. Since the amount of film formation on the nail portion is different from other portions, the nail mark can be identified by observing the finished product. In other words, by using the claw portion with the width of the claw changed according to the position on the transport table, a peculiar claw mark can be made on the solar cell substrate.
かかる構成をとることで、爪痕が成膜位置の履歴となり、実施の形態1および2の成膜装置と同様、成膜後の太陽電池用基板21を観察したときに、どの位置で成膜されたかを特定することができる。
By adopting such a configuration, the claw mark becomes a history of the film formation position, and in the same way as the film formation apparatus of the first and second embodiments, when the
実施の形態1から3では、反射防止膜の成膜にプラズマCVD装置を用いた例について説明したが、上記実施の形態のプラズマCVD装置は、反射防止膜のような絶縁膜だけでなく、半導体薄膜の成膜にも有用な方法である。 In the first to third embodiments, an example in which a plasma CVD apparatus is used to form an antireflection film has been described. However, the plasma CVD apparatus of the above embodiment is not limited to an insulating film such as an antireflection film, but also a semiconductor. This is also a useful method for forming a thin film.
実施の形態4.
図17は、実施の形態4の太陽電池を示す図であり、実施の形態4のプラズマCVD装置でn型非晶質シリコン層を形成したものである。図18(a)から(c)は、実施の形態4の太陽電池の製造工程を示す工程断面図、図19および図20は、実施の形態4の太陽電池の製造工程で用いられる爪部を示す斜視図である。実施の形態1から3では、爪部2および22を太陽電池用基板の辺上の一部に設けたが、実施の形態4では、太陽電池用基板を形成するためのn型単結晶シリコン基板31の側周面全体にわたって帯状爪部2Wを設け、成膜される第1の非晶質シリコンi層32、非晶質シリコンp層34、透光性導電膜である第1のITO層36、第2の非晶質シリコンi層33、非晶質シリコンn層35が側周面全周にわたる帯状のスリットSLを形成する。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 17 is a diagram showing the solar cell of the fourth embodiment, in which an n-type amorphous silicon layer is formed by the plasma CVD apparatus of the fourth embodiment. 18 (a) to 18 (c) are process cross-sectional views showing the manufacturing process of the solar cell of the fourth embodiment, and FIGS. 19 and 20 show the claw portions used in the manufacturing process of the solar battery of the fourth embodiment. It is a perspective view shown. In the first to third embodiments, the
図19および図20に斜視図を示すように、爪部2はベース部2Bと、ベース部2Bに固定され、n型単結晶シリコン基板31を側周面全体にわたって囲む帯状爪部2Wとで構成される。爪部2のベース部2Bについては図2および図3に示した実施の形態1の搬送台の爪部2と同様、搬送台103上の位置に応じて爪部2の位置が変化するように形成されており、さらにベース部2Bに帯状爪部2Wが固定されている。
19 and 20, the
帯状爪部2Wはn型単結晶シリコン基板31毎に設けられ、隣り合うn型単結晶シリコン基板31の間にベース部2Bが設けられる。帯状爪部2Wの幅はベース部2Bの幅よりも小さくなるように構成される。1例ではベース部2Bの高さはn型単結晶シリコン基板31の厚さの2/3の高さであり、帯状爪部2Wはベース部2Bの高さの中心にn型単結晶シリコン基板31の厚さの1/3の幅で設けられる。以上の構成をとることで、n型単結晶シリコン基板31の全周に渡ってn型単結晶シリコン基板31の下から1/3の高さでスリットSLを形成するとともに、基板の下から2/3の高さで成膜位置の履歴とするための爪痕を形成することができる。
The band-shaped
図19および図20は、図1に示した搬送台と同様、8行6列の太陽電池用基板が載置できるもので第8行目第6列目の太陽電池用基板3186と爪部2および第4行目第4列目の太陽電池用基板3144と爪部2とを示す要部拡大図である。図19および図20は、要部拡大図であるため、太陽電池用基板3186と爪部2および第4行目第4列目の太陽電池用基板3144と爪部2を中心に示しており、周りは搬送台103となっている。爪部2は隣り合うn型単結晶シリコン基板31用の爪部2と共有であるため、左辺と上辺を成膜位置の履歴として採用することとする。搬送台103上の縦の位置つまり行はn型単結晶シリコン基板31の左辺の爪部のベース部2Bで表す。n型単結晶シリコン基板31の左辺上側に位置する爪部を基準とし、そこからXcm下方向に離れた位置にベース部2Bを配置する。例えば、行=(x/a)−b(a,bは定数)で表し、行に応じてベース部2Bの間隔Xが異なるようにする。搬送台103上の横の位置つまり列はn型単結晶シリコン基板31の上辺左側のベース部2Bを基準とし、そこからYcm右方向に離れた位置に爪を配置する。例えば、列=(Y/a)−b(a,bは定数)で表し、行に応じて爪の間隔Yが異なるようにする。爪部2は、搬送台103上の縦横の位置に応じてベース部2Bの爪の位置が変更されたもので、表示方法は実施の形態1の爪部と同様であり、ベース部2Bに側面全周を覆う帯状の爪部2Wを配している。かかる構成をとることで、ベース部2Bの爪痕が成膜処理位置の履歴となり、成膜後の太陽電池用基板1を観察したときに、どの位置で成膜されたかを特定することができるようになる。太陽電池用基板3144についても同様、ベース部2Bの痕跡で搬送台103上での位置が特定される。従って、爪痕が成膜位置の履歴となり、処理後のn型単結晶シリコン基板31を観察したときに、どの位置で成膜されたかを特定することができるようになると同時に帯状爪部2Wによる帯状のスリットSLが形成されるため、非晶質シリコンn層35の、表面側のp型領域である非晶質シリコンp層34側への回り込みによる短絡を低減することができる。つまりスリットSLの存在により半導体薄膜表面、界面または半導体薄膜端面を流れる逆方向電流は阻止されることで、電荷の流れを正常に維持し、リーク電流が抑制され、電池機能を発揮せしめることができる。
19 and 20, the transport stand shown in FIG. 1 as well, the eighth row sixth column of the
実施の形態4の太陽電池は、第1主面31Aと、側面31Cと、第2主面31Bとを備え、厚さ100μmから500μmのn型単結晶シリコン基板31を第1導電型の半導体基板に用いる。そして第1の真性半導体層には第1の非晶質シリコンi層32、第2の真性半導体層には第2の非晶質シリコンi層33が用いられる。また第2導電型の半導体層には非晶質シリコンp層34、第1導電型の半導体層には非晶質シリコンn層35が用いられる。また第1の透明導電膜には、第1のITO(酸化インジウム錫)層36、第2の透明導電膜には、第2のITO(酸化インジウム錫)層37が用いられる。38は集電用の金属電極である。
The solar cell of the fourth embodiment includes a first
すなわち、図17に示すようにn型単結晶シリコン基板31の第1主面31A全体を覆い、側面31Cを経て第2主面31Bの周縁部の所定幅にわたって形成された、非晶質シリコンp層34が、第1の非晶質シリコンi層32を介して形成されている。そして非晶質シリコンp層34に当接し、第1主面31Aから側面31Cまで到達するように第1のITO層36が形成されている。一方n型単結晶シリコン基板31の第2主面31Bには第2の非晶質シリコンi層33を介して非晶質シリコンn層35が形成されている。非晶質シリコンn層35の上層に第2のITO層37が形成されている。
That is, as shown in FIG. 17, the amorphous silicon p formed over the predetermined width of the peripheral portion of the second
また、n型単結晶シリコン基板31と異なる導電型を有する非晶質シリコンp層34よりも上層に、n型単結晶シリコン基板31と同じ導電型を有する非晶質シリコンn層35が配置されている。
An amorphous
次に、本実施の形態4の太陽電池の製造方法について説明する。ここで、被処理基板には、n型単結晶シリコン基板31を用いるが、通常、引き上げにより得られたインゴットをスライスすることにより切り出されたものであるため、表面に自然酸化膜、および構造的欠陥、金属による汚染をはらんでいる。従って、ここで用いられるn型単結晶シリコン基板31に対して洗浄および、ダメージ層エッチングを行う。
Next, a method for manufacturing the solar cell according to the fourth embodiment will be described. Here, an n-type single
いずれかの洗浄方法を用いて、基板洗浄を行った後、ヘテロ接合、および、pn、nn+接合を形成するために、n型単結晶シリコン基板31上に、順次各導電型の半導体層を形成する。上記テクスチャ形成工程、洗浄工程を経て得られたn型単結晶シリコン基板31は、厚さ100μmから500μmであった。
After performing substrate cleaning using any of the cleaning methods, in order to form a heterojunction and a pn, nn + junction, semiconductor layers of each conductivity type are sequentially formed on the n-type single
まず、図18(a)に示すように、図19および図20に示す爪部2を有する搬送台を用いてn型単結晶シリコン基板31の第1主面31A全面を覆うとともに第1主面31Aから、側面31Cおよび第2主面31Bの周縁部にわたり、プラズマCVD法を用いて1nmから10nmの厚さの第1の非晶質シリコンi層32、および5nmから50nmの厚さの非晶質シリコンp層34を順に堆積する。ここで、第1の非晶質シリコンi層32、非晶質シリコンp層34にはそれぞれ非晶質シリコンを用いているが、微結晶シリコンを用いてもよい。
First, as shown in FIG. 18A, the entire surface of the first
このとき、第1主面31Aおよび側面31Cだけでなく、第2主面31Bの周縁部にもプラズマの回り込みにより非晶質シリコン層が堆積される。
At this time, an amorphous silicon layer is deposited not only on the first
続いて図18(b)に示すように、第2工程で、第1の非晶質シリコンi層32および非晶質シリコンp層34の形成された、n型単結晶シリコン基板31の第1主面31Aの全面に透明導電膜である第1のITO層36を形成する。第1のITO層36の製膜にはスパッタ法あるいはCVD法が用いられる。透明導電膜の材料は、ITOの他、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、SnO2が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
Subsequently, as shown in FIG. 18B, in the second step, the first n-type single
続いて、図18(c)に示すように、第3工程で、第2主面31Bの全面にプラズマCVD法を用いて約1nmから10nmの厚さの真性な非晶質シリコン層すなわち第2の非晶質シリコンi層33および約5nmから50nmの厚さのn型非晶質シリコン層すなわち非晶質シリコンn層35を順に堆積する。また、第2の非晶質シリコンi層33、非晶質シリコンn層35はそれぞれ非晶質を用いているが、微結晶シリコンを用いてもよい。
Subsequently, as shown in FIG. 18C, in the third step, an intrinsic amorphous silicon layer having a thickness of about 1 nm to 10 nm is formed on the entire surface of the second
そして、マスクを用いて第2主面31Bに基板よりも小面積となるように透明導電膜(第2のITO層37)を形成する。そして最後に、第1主面31Aおよび第2主面31Bに金属電極38を形成する。
Then, a transparent conductive film (second ITO layer 37) is formed on the second
実施の形態4の太陽電池の製造方法によれば、爪部2によってプラズマCVD装置内のいかなる位置で成膜されたものであるかを検出することができる。また位置検出用の搬送台103の爪部2を位置検出用のベース部2Bに加え、基板の全周を覆う帯状の部2Wを設けたものとすることで、新たな膜の追加あるいは煩雑な追加プロセスを新たに必要とせず、基板の全周を覆う帯状の爪部2Wを設けるだけで、膜にスリットが形成され光学的および電気的な有効面積を削減することなく、n型非晶質シリコン層とp型非晶質シリコン層との間のリーク電流を低減することができる。
According to the method for manufacturing the solar cell of the fourth embodiment, it is possible to detect at which position in the plasma CVD apparatus the film is formed by the
太陽電池セルの成膜工程では、搬送台上の位置あるいは、成膜処理装置毎に、セル特性あるいは不良発生率は異なる。どの装置のどの位置で不良が発生したかを確認するには、量産装置を止めて試作実験をする必要があるが、すでに用いられているウエハの位置ずれ防止用の爪部に着目し完成品を観察することで爪の痕を特定することができる。爪部の部分は成膜され難く、基板の成膜位置に応じて、爪の位置、数、幅すなわち太さ、形状を変えることで、成膜位置に特有の爪痕を付ける。以上のようにすることで、爪痕が成膜位置の履歴となり、処理後のウエハを観察したときに、どの位置で成膜されたかを特定することができる。 In the solar cell deposition process, the cell characteristics or the defect occurrence rate differs depending on the position on the transfer table or the deposition processing apparatus. It is necessary to stop the mass-production equipment and conduct a prototype experiment to check which part of which equipment has a defect, but the finished product focuses on the already used claw part to prevent wafer misalignment. By observing the nail, it is possible to identify the mark of the nail. The nail portion is difficult to form, and the nail position, number, width, thickness, and shape are changed in accordance with the film forming position of the substrate to give a nail mark peculiar to the film forming position. By doing as described above, the claw mark becomes a history of the film forming position, and when the processed wafer is observed, it is possible to specify the position where the film is formed.
各位置で成膜された太陽電池用基板の非晶質シリコンn層35をはじめとする各層の膜厚を測定する。そして、測定結果に基づき、成膜装置の成膜条件を制御し、均一な膜厚の半導体層を得るように調整する。
The film thickness of each layer including the amorphous
また非晶質シリコンn層35だけでなく、第1の非晶質シリコンi層32、第2の非晶質シリコンi層33、非晶質シリコンp層34、非晶質シリコンn層35、第1のITO(酸化インジウム錫)層36、第2のITO(酸化インジウム錫)層37、集電用の金属電極38すべての膜の検査を行うことができ、その際に爪部の構成を調整することができる。
In addition to the amorphous
なお、実施の形態4では、ベース部2Bで位置検出を行うようにし、帯状の爪部2Wでスリットを形成したが、帯状の爪部2Wのみでスリット幅、スリット数、スリット形状を制御することで位置検出を行うことができるようにすることも可能である。また、全ての薄膜形成に、帯状の爪部2Wを用いる必要はなく、例えば非晶質シリコンn層35のみでもよい。非晶質シリコンn層35に帯状のスリットを形成することで、基板側面における非晶質シリコンp層34との間でのリーク電流の抑制が可能となる。
In the fourth embodiment, the position is detected by the
実施の形態5.
実施の形態1から3の成膜装置では、爪部2は太陽電池用基板に当接させたが、実施の形態5において図21に示すように、爪部2Hと太陽電池用基板1との間に隙間Cがあっても良い。図22(a)から図22(c)は、実施の形態5の成膜装置を用いた窒化シリコン膜の成膜工程を示す工程断面図である。爪部2Hは、太陽電池用基板1の表面よりも高く形成されている。他は実施の形態1から3と同様であるためここでは説明を省略する。
Embodiment 5. FIG.
In the film forming apparatuses of the first to third embodiments, the
成膜工程についても図5(a)から図5(c)で示した実施の形態1の工程と同様である。図22(b)に示すように、プラズマが、搬送台103上に載置された太陽電池用基板1上に導かれ、反射防止膜である窒化シリコン膜11が成膜される。このとき、隙間Cへの回り込みもあるが、爪部2Hは、太陽電池用基板1の表面よりも高く形成されていることもあり、爪部2Hの存在する部分では窒化シリコン膜11の膜厚は薄くなっているか形成されないか、いずれも他の領域とは異なった状態となる。
The film forming process is the same as the process of the first embodiment shown in FIGS. 5 (a) to 5 (c). As shown in FIG. 22B, the plasma is guided onto the
そして、窒化シリコン膜11の形成された太陽電池用基板1は図22(c)に示すように、搬送台103からはずされる。図22(c)の方向aから太陽電池用基板1をみた場合、爪部2Hに相当する領域に窒化シリコン膜11の成膜がなされずスリット11Sが形成されているか膜厚が薄くなっている。スリット11Sあるいは膜厚が薄くなっている領域の位置は爪部2Hの位置に一致する。スリット11Sの位置を検出することで、搬送台103上のどの位置で成膜されたものかが判定される。なお、スリット11Sに相当する部分がはっきりと成膜されない部分として残らず、膜厚が薄くなるだけの場合もある。膜厚が薄くなる場合も反射率が変化するため、目視による、判別が可能である。
Then, the
かかる構成によれば、爪部2Hと太陽電池用基板1との間に入り込んだガスプラズマによってわずかに成膜はなされるが、爪部2Hのない部分に比べて成膜速度が遅いため、爪部2の跡は残るため、位置検出は可能である。
According to such a configuration, although film formation is slightly performed by the gas plasma that has entered between the
その他、行列に応じて爪部の形状を特有にすることでも、同様に成膜処理位置を特定できる。また、爪部の位置、数、形状、大きさに加えこれらの組み合わせによっても実現可能である。 In addition, the film forming position can be specified in the same manner by making the shape of the claw part unique according to the matrix. In addition to the position, number, shape, and size of the claw portions, it can be realized by a combination thereof.
また、成膜装置あるいは搬送台の情報を組み込むことができ、爪部で表示することによって、どの装置あるいは搬送台で成膜されたのかを区別することもできる。 In addition, information on the film forming apparatus or the transfer table can be incorporated, and by displaying on the claw portion, it is possible to distinguish which apparatus or transfer table has formed the film.
また、爪部は隣り合う太陽電離用基板と共有ではなく、各太陽電池用基板に対して独立に設置しても良い。その場合は4辺の情報を利用することができるため、より多くの情報を記録することができる。 Further, the claw portion may not be shared with the adjacent solar ionization substrate but may be installed independently for each solar cell substrate. In that case, since information on four sides can be used, more information can be recorded.
さらにまた、文字あるいは符号をはじめとする位置情報を爪部に載せることも可能である。 Furthermore, it is also possible to place position information including characters or codes on the claw portion.
以上のように、この発明にかかる搬送台は、複数の太陽電池用基板をはじめとする基板に対して一度に成膜処理を行う成膜装置に有用である。 As described above, the carrier according to the present invention is useful for a film forming apparatus that performs a film forming process on a substrate including a plurality of solar cell substrates at once.
なお、実施の形態5において、爪部は、太陽電池用基板の側周面の一部に隙間Cを介して設けられ、爪部の上端は、太陽電池用基板表面よりも高く形成したが、太陽電池用基板表面と同等あるいは同等以下としても良い。爪部の上端を、太陽電池用基板表面と同等あるいは同等以下とした場合でも、当接部周辺の太陽電池用基板端面に形成される膜に痕跡を残すことができるため、目視による位置検出が可能となる。 In Embodiment 5, the claw portion is provided on a part of the side peripheral surface of the solar cell substrate via the gap C, and the upper end of the claw portion is formed higher than the surface of the solar cell substrate. It may be equal to or less than or equal to the surface of the solar cell substrate. Even when the upper end of the nail portion is equal to or less than or equal to the surface of the solar cell substrate, traces can be left on the film formed on the end surface of the solar cell substrate in the vicinity of the contact portion. It becomes possible.
また、実施の形態1から4において、爪部は、太陽電池用基板の側周面の一部に当接部を有し、当接部の上端は、太陽電池用基板表面よりも低く形成したが、爪部は太陽電池用基板表面と同等あるいは同等以上としても良い。当接部の上端を、太陽電池用基板表面と同等とし爪部を太陽電池用基板表面よりも高くすることで、当接部周辺の太陽電池用基板表面に形成される膜に痕跡を残すことができるため、表面からの目視による位置検出が可能となる。 In the first to fourth embodiments, the claw portion has a contact portion on a part of the side peripheral surface of the solar cell substrate, and the upper end of the contact portion is formed lower than the surface of the solar cell substrate. However, the nail | claw part is good also as the same as that of the board | substrate surface for solar cells, or equivalent or more. Leave the trace on the film formed on the surface of the solar cell substrate around the contact portion by making the upper end of the contact portion equal to the surface of the solar cell substrate and making the claw portion higher than the surface of the solar cell substrate. Therefore, the position can be detected visually from the surface.
また、この発明のプラズマCVD装置は、横型および縦型のいずれであってもよく、どちらの型にするかは当該プラズマCVD装置の用途に応じて適宜選択可能である。また、成膜装置は、プラズマCVD装置に限定されるものではなく、真空蒸着装置、光CVD装置、スパッタリング装置をはじめとする気相成長装置に適用可能である。 In addition, the plasma CVD apparatus of the present invention may be either a horizontal type or a vertical type, and either type can be appropriately selected depending on the application of the plasma CVD apparatus. Further, the film formation apparatus is not limited to the plasma CVD apparatus, and can be applied to a vapor phase growth apparatus such as a vacuum evaporation apparatus, a photo CVD apparatus, and a sputtering apparatus.
基板についても、半導体基板に限定されることなく、ガラス基板をはじめとする絶縁性基板にも適用可能であることはいうまでもない。 Needless to say, the substrate is not limited to a semiconductor substrate, and can also be applied to an insulating substrate such as a glass substrate.
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略および変更することも可能である。 The configuration described in the above embodiment shows an example of the contents of the present invention, and can be combined with another known technique, and can be combined with other configurations without departing from the gist of the present invention. It is also possible to omit and change the part.
1 太陽電池用基板、2 爪部、2L 左辺の爪部、2U 上辺の爪部、2B ベース部、2W 帯状爪部、11 窒化シリコン膜、22 爪部、31 n型単結晶シリコン基板、31A 第1主面、31B 第2主面、31C 側面、32 第1の非晶質シリコンi層、33 第2の非晶質シリコンi層、34 非晶質シリコンp層、35 非晶質シリコンn層、36 第1のITO層、37 第2のITO(酸化インジウム錫)層、38 金属電極、101b,201b フランジ部、102 成膜室、103 搬送台、104 シャワー電極、104a ガス拡散空間、104b 本体部、104c シャワープレート、104d ガス供給穴、105 排気口、106 ガス供給口、107 高周波電源、108 給電線、109 真空ガスケット、P プラズマ、c 隙間。
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記基板を位置決めする複数の爪部と、
前記爪部で位置決めされた前記基板上に薄膜を形成する成膜部と、
を備え、
前記爪部が前記搬送台上での位置に対応して構成が異なることを特徴とする成膜装置。 A transfer stand for installing a plurality of substrates;
A plurality of claw portions for positioning the substrate;
A film forming unit for forming a thin film on the substrate positioned by the claw unit;
With
The film forming apparatus characterized in that the claw portion has a different configuration corresponding to a position on the transfer table.
複数の基板を、搬送台上に設置し、成膜処理を行う工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 Using the film forming apparatus according to any one of claims 1 to 8,
A method for manufacturing a solar cell, comprising: a step of installing a plurality of substrates on a carrier and performing a film forming process.
前記反射防止膜の膜厚を測定し、測定結果に基づき、前記成膜装置の成膜条件を制御し、均一な膜厚の反射防止膜を得る工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の太陽電池の製造方法。 The film forming step includes a step of forming an antireflection film on the substrate,
The method according to claim 9, further comprising: measuring a film thickness of the antireflection film, controlling film forming conditions of the film forming apparatus based on the measurement result, and obtaining an antireflection film having a uniform film thickness. The manufacturing method of the solar cell of description.
前記成膜工程は、前記半導体基板上に前記半導体基板とは異なる導電型の半導体薄膜を成膜する工程を含み、
前記半導体薄膜の膜厚を測定し、測定結果に基づき、前記成膜装置の成膜条件を制御し、均一な膜厚の半導体薄膜を得る工程を含むことを特徴とする請求項9または10に記載の太陽電池の製造方法。 The substrate is a semiconductor substrate;
The film forming step includes a step of forming a semiconductor thin film having a conductivity type different from that of the semiconductor substrate on the semiconductor substrate,
11. The method according to claim 9, further comprising a step of measuring a film thickness of the semiconductor thin film, controlling a film forming condition of the film forming apparatus based on a measurement result, and obtaining a semiconductor thin film having a uniform film thickness. The manufacturing method of the solar cell of description.
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
CN110835726A (en) * | 2018-08-17 | 2020-02-25 | 中智(泰兴)电力科技有限公司 | 8-cavity vertical HWCVD-PVD integrated equipment for solar cell manufacturing |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01133731U (en) * | 1988-03-04 | 1989-09-12 | ||
JPH04193951A (en) * | 1990-11-28 | 1992-07-14 | Tokyo Electron Ltd | Holding device |
JPH0529305A (en) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of thin film, and vertical film forming apparatus |
JP2003044119A (en) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Canon Inc | Work with id and its manufacturing method |
JP2005239406A (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Carton sheet carrying device, and packaging machine |
US20120037068A1 (en) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | Applied Materials, Inc. | Composite substrates for direct heating and increased temperature uniformity |
JP2012074669A (en) * | 2010-08-31 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | Manufacturing method of solar cell |
JP2014118631A (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Kaneka Corp | Substrate holder and method of manufacturing solar cell substrate |
JP2015185788A (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社Screenホールディングス | Vacuum deposition device |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01133731U (en) * | 1988-03-04 | 1989-09-12 | ||
JPH04193951A (en) * | 1990-11-28 | 1992-07-14 | Tokyo Electron Ltd | Holding device |
JPH0529305A (en) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of thin film, and vertical film forming apparatus |
JP2003044119A (en) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Canon Inc | Work with id and its manufacturing method |
JP2005239406A (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Carton sheet carrying device, and packaging machine |
US20120037068A1 (en) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | Applied Materials, Inc. | Composite substrates for direct heating and increased temperature uniformity |
JP2012074669A (en) * | 2010-08-31 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | Manufacturing method of solar cell |
JP2014118631A (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Kaneka Corp | Substrate holder and method of manufacturing solar cell substrate |
JP2015185788A (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社Screenホールディングス | Vacuum deposition device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110835726A (en) * | 2018-08-17 | 2020-02-25 | 中智(泰兴)电力科技有限公司 | 8-cavity vertical HWCVD-PVD integrated equipment for solar cell manufacturing |
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