JP6024417B2 - Sample holder - Google Patents

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Description

本発明は、処理対象の基板を搭載して半導体製造装置に格納されるサンプルホルダに関する。   The present invention relates to a sample holder on which a substrate to be processed is mounted and stored in a semiconductor manufacturing apparatus.

成膜やエッチングなどの処理工程で、基板はサンプルホルダに搭載されてプロセス処理装置に搬入される。サンプルホルダには、基板を水平に搭載するカートタイプや、基板を垂直に搭載するボートタイプなどがある。処理効率を向上させるために、ボートタイプのサンプルホルダを用いて同時に処理できる基板の数を増やすことが有効である（例えば、特許文献１参照。）。基板が搭載される基板プレートを複数有するボートタイプのサンプルホルダを使用することにより、多数の基板を同時に処理するプロセス処理装置のフットプリントを小さくすることができる。   In processing steps such as film formation and etching, the substrate is mounted on a sample holder and carried into a process processing apparatus. Sample holders include a cart type in which substrates are mounted horizontally and a boat type in which substrates are mounted vertically. In order to improve the processing efficiency, it is effective to increase the number of substrates that can be processed simultaneously using a boat-type sample holder (see, for example, Patent Document 1). By using a boat type sample holder having a plurality of substrate plates on which substrates are mounted, the footprint of a process processing apparatus that simultaneously processes a large number of substrates can be reduced.

従来、ロボットアームなどによって、サンプルホルダに基板を搭載したりサンプルホルダから基板を回収したりする移載作業が行われている。移載時にサンプルホルダと基板が密着して容易に離すことができないと、移載作業が困難になる。このため、サンプルホルダと基板との間には、基板の移載を容易にするために空洞や隙間を設けていた。   Conventionally, a transfer operation for mounting a substrate on a sample holder or recovering a substrate from the sample holder has been performed by a robot arm or the like. If the sample holder and the substrate are in close contact with each other at the time of transfer and cannot be easily separated, the transfer operation becomes difficult. For this reason, a cavity or a gap is provided between the sample holder and the substrate to facilitate the transfer of the substrate.

特開２００２−７５８８４号公報JP 2002-75884 A

しかしながら、例えばプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）装置によって基板に成膜する場合などにおいては、基板が搭載されたサンプルホルダが電極として使用される。このため、サンプルホルダと基板との間に空洞や隙間を設けていると、分布という観点から電位が不安定になる等の問題が生じる。   However, for example, when a film is formed on a substrate by a plasma chemical vapor deposition (CVD) apparatus, a sample holder on which the substrate is mounted is used as an electrode. For this reason, when a cavity or a gap is provided between the sample holder and the substrate, problems such as potential instability occur from the viewpoint of distribution.

例えば、太陽電池用シリコン基板は年々薄型化されており、従来の厚さが２００μｍであった基板が１００μｍ以下の厚さになってきている。このため、形成される膜の膜厚分布を保証するために、基板表面の電位安定性の確保につながるサンプルホルダと基板の密着性が不可欠になっている。   For example, the silicon substrate for solar cells is becoming thinner year by year, and a substrate having a conventional thickness of 200 μm has become a thickness of 100 μm or less. For this reason, in order to guarantee the film thickness distribution of the film to be formed, the adhesion between the sample holder and the substrate that leads to ensuring the potential stability of the substrate surface is indispensable.

本発明は、プロセス処理装置内で電極として使用され、搭載された基板に形成される膜の面内分布を改善できるサンプルホルダを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a sample holder that can be used as an electrode in a processing apparatus and can improve the in-plane distribution of a film formed on a mounted substrate.

本発明の一態様によれば、半導体製造装置に格納され、半導体製造装置による処理において電極として使用可能なサンプルホルダであって、処理対象の基板が搭載される基板搭載領域が定義されて垂直方向に延伸し且つ表面高さが一様である基板搭載面を有し、基板搭載面の、少なくとも基板搭載領域が定義された領域の全体が多孔質の材料からなり、基板搭載面の表面高さが基板との間に空洞や隙間がないように一様であり、処理において、半導体製造装置の内部を真空にして基板搭載面の多孔質の材料からなる部分の微細な孔の中を真空にした後に、半導体製造装置の内部にガスを導入してサンプルホルダに密着する方向に基板に力を働かすことによって、基板を基板搭載面に密着させるサンプルホルダが提供される。 According to one aspect of the present invention, a sample holder that is stored in a semiconductor manufacturing apparatus and can be used as an electrode in processing by the semiconductor manufacturing apparatus, wherein a substrate mounting area on which a substrate to be processed is mounted is defined in a vertical direction stretched and the surface height has a substrate mounting surface is uniform, the substrate mounting surface, Ri Do a material of the total porous area at least the substrate mounting region is defined, the surface height of the substrate mounting surface Is uniform so that there are no cavities or gaps between the substrate and the substrate, and during processing, the inside of the semiconductor manufacturing equipment is evacuated and the inside of the fine holes in the porous material portion of the substrate mounting surface is evacuated. After that, a sample holder is provided in which the substrate is brought into close contact with the substrate mounting surface by introducing a gas into the semiconductor manufacturing apparatus and exerting a force on the substrate in a direction in close contact with the sample holder.

本発明によれば、プロセス処理装置内で電極として使用され、搭載された基板に形成される膜の面内分布を改善できるサンプルホルダを提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the sample holder which can be used as an electrode within a process processing apparatus and can improve the in-plane distribution of the film | membrane formed in the mounted board | substrate can be provided.

本発明の実施形態に係るサンプルホルダを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the sample holder which concerns on embodiment of this invention. 比較例のサンプルホルダを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the sample holder of a comparative example. 本発明の実施形態に係るサンプルホルダの基板搭載面に定義された基板搭載領域の例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the example of the board | substrate mounting area | region defined in the board | substrate mounting surface of the sample holder which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るサンプルホルダが複数の基板プレートを有する例を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing an example in which a sample holder concerning an embodiment of the present invention has a plurality of substrate plates. 本発明の実施形態に係るサンプルホルダを用いた成膜処理を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the film-forming process using the sample holder which concerns on embodiment of this invention.

図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic. Further, the embodiment described below exemplifies an apparatus and a method for embodying the technical idea of the present invention, and the embodiment of the present invention has the following structure and arrangement of components. It is not something specific. The embodiment of the present invention can be variously modified within the scope of the claims.

本発明の実施形態に係る図１に示すサンプルホルダ１０は、処理対象の基板２００を搭載してプロセス処理装置に格納され、プロセス処理装置による処理において電極として使用可能なサンプルホルダである。   A sample holder 10 shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention is a sample holder that is loaded with a substrate 200 to be processed and stored in a process processing apparatus, and can be used as an electrode in processing by the process processing apparatus.

サンプルホルダ１０は、基板２００が搭載される基板搭載領域１１１が定義されて垂直方向に延伸する基板搭載面１１０を有する基板プレート１１を備える。プロセス処理装置による処理工程中は、基板搭載領域１１１が基板２００に接触している。図１に示すように、基板搭載領域１１１に基板２００が搭載された状態において基板２００と基板搭載面１１０との間に空洞や隙間がないように、基板搭載面１１０の表面高さは一様である。   The sample holder 10 includes a substrate plate 11 having a substrate mounting surface 110 in which a substrate mounting area 111 on which a substrate 200 is mounted is defined and extending in the vertical direction. During the processing step by the process processing apparatus, the substrate mounting region 111 is in contact with the substrate 200. As shown in FIG. 1, the surface height of the substrate mounting surface 110 is uniform so that there is no cavity or gap between the substrate 200 and the substrate mounting surface 110 in a state where the substrate 200 is mounted in the substrate mounting region 111. It is.

基板搭載面１１０の、少なくとも基板搭載領域１１１が定義された領域の全体は多孔質の材料からなる。また、基板プレート１１或いはサンプルホルダ１０の全体が多孔質の材料で構成されていてもよい。多孔質の材料には、例えばカーボンが好適に使用される。   The entire region of the substrate mounting surface 110 where at least the substrate mounting region 111 is defined is made of a porous material. Further, the entire substrate plate 11 or sample holder 10 may be made of a porous material. For example, carbon is preferably used as the porous material.

図１に示したサンプルホルダ１０は、基板搭載面１１０が垂直方向に延伸するボートタイプである。基板プレート１１は、互いに対向して垂直方向に延伸する第１の主面と第２の主面とを有するを備える。第１の主面と第２の主面は、それぞれ基板搭載面１１０として使用可能である。図１では、一方の基板搭載面１１０にのみ基板２００が搭載されている例を示した。   The sample holder 10 shown in FIG. 1 is a boat type in which the substrate mounting surface 110 extends in the vertical direction. The substrate plate 11 includes a first main surface and a second main surface extending in the vertical direction so as to face each other. The first main surface and the second main surface can be used as the substrate mounting surface 110, respectively. FIG. 1 shows an example in which the substrate 200 is mounted only on one substrate mounting surface 110.

基板２００は、半導体デバイスに使用されるシリコン基板やガラス基板などである。例えば、シリコンからなる太陽電池用基板がサンプルホルダ１０に搭載されて、反射防止膜やパッシベーション膜を太陽電池用基板上に形成するためにプロセス処理装置に格納される。プロセス処理装置による処理の例は後述する。   The substrate 200 is a silicon substrate or a glass substrate used for a semiconductor device. For example, a solar cell substrate made of silicon is mounted on the sample holder 10 and stored in a process processing apparatus in order to form an antireflection film or a passivation film on the solar cell substrate. An example of processing by the process processing apparatus will be described later.

プロセス処理装置による基板２００の処理工程において、基板２００が格納されるチャンバー内が真空状態にされることが多い。つまり、サンプルホルダ１０に搭載された基板２００は、サンプルホルダ１０ごと一旦真空環境下に置かれる。この際、チャンバー内の真空引きにおいて、サンプルホルダ１０の多孔質材料からなる部分の微細な孔の中も真空になる。そして、成膜工程の際に原料ガスが導入されてチャンバー内の圧力が上がることにより、サンプルホルダ１０に密着する方向に基板２００に力が働く。基板搭載面１１０の表面高さが一様であるため、基板２００とサンプルホルダ１０との密着性が向上する。この密着性を高くするために、基板搭載面１１０の表面は、凹凸なくできるだけ滑らかであるように加工される。   In a process of processing the substrate 200 by the process processing apparatus, the chamber in which the substrate 200 is stored is often evacuated. That is, the substrate 200 mounted on the sample holder 10 is once placed in a vacuum environment together with the sample holder 10. At this time, in evacuation of the chamber, the minute holes in the portion made of the porous material of the sample holder 10 are also evacuated. Then, when the source gas is introduced during the film forming process and the pressure in the chamber is increased, a force is applied to the substrate 200 in the direction in which it is in close contact with the sample holder 10. Since the surface height of the substrate mounting surface 110 is uniform, the adhesion between the substrate 200 and the sample holder 10 is improved. In order to increase the adhesion, the surface of the substrate mounting surface 110 is processed to be as smooth as possible without unevenness.

その結果、サンプルホルダ１０を電極に用いたプロセス処理中において基板２００とサンプルホルダ１０間の密着性が高まり、基板２００表面の電位安定性及び安定した温度分布が確保される。   As a result, the adhesion between the substrate 200 and the sample holder 10 is enhanced during the process using the sample holder 10 as an electrode, and the potential stability and stable temperature distribution on the surface of the substrate 200 are ensured.

これに対し、例えば図２に示すように基板搭載面１１０と基板２００との間に隙間が設けられた比較例のサンプルホルダ１０Ａの場合には、サンプルホルダ１０Ａが多孔質材料からなる場合にも、基板２００表面の電位分布及び温度分布が不安定になる。その結果、所望の膜厚分布を得ることが困難である。   On the other hand, for example, in the case of the sample holder 10A of the comparative example in which a gap is provided between the substrate mounting surface 110 and the substrate 200 as shown in FIG. 2, the sample holder 10A is also made of a porous material. The potential distribution and temperature distribution on the surface of the substrate 200 become unstable. As a result, it is difficult to obtain a desired film thickness distribution.

図１に示したサンプルホルダ１０を成膜処理工程に用いることによりサンプルホルダ１０と基板２００との密着性が向上し、膜厚分布が改善されることは、本発明者らの実験によって確認されている。即ち、基板２００上に形成された膜の面内分布は、図２に示したサンプルホルダ１０をＡ使用した場合には８〜１０％程度であった。これに対し、図１に示したサンプルホルダ１０を使用した場合には、面内分布が４％以下に改善された。なお、（最大膜厚−最小膜厚）／（最大膜厚＋最小膜厚）×１００％として、面内分布を算出した。   It has been confirmed by experiments by the present inventors that the adhesion between the sample holder 10 and the substrate 200 is improved and the film thickness distribution is improved by using the sample holder 10 shown in FIG. ing. That is, the in-plane distribution of the film formed on the substrate 200 was about 8 to 10% when the sample holder 10 shown in FIG. On the other hand, when the sample holder 10 shown in FIG. 1 was used, the in-plane distribution was improved to 4% or less. The in-plane distribution was calculated as (maximum film thickness−minimum film thickness) / (maximum film thickness + minimum film thickness) × 100%.

基板搭載面１１０に定義される基板搭載領域１１１の数は、任意に設定可能である。図３に、基板搭載面１１０に４つの基板搭載領域１１１が定義されている例を示した。もちろん、１つの基板搭載面１１０に定義される基板搭載領域１１１の数は４つに限られることはない。例えば、１つの基板搭載面１１０に１枚の基板２００が搭載されてもよい。   The number of substrate mounting areas 111 defined on the substrate mounting surface 110 can be arbitrarily set. FIG. 3 shows an example in which four substrate mounting areas 111 are defined on the substrate mounting surface 110. Of course, the number of substrate mounting areas 111 defined on one substrate mounting surface 110 is not limited to four. For example, one substrate 200 may be mounted on one substrate mounting surface 110.

また、基板搭載面１１０を有する基板プレート１１を複数並べて１つのサンプルホルダ１０を構成してもよい。例えば、基板搭載面１１０の面法線方向に沿って複数の基板プレート１１が並列に並べられた、図４に示すようなボートタイプのサンプルホルダ１０を使用できる。サンプルホルダ１０のそれぞれの底部は固定板１２に固定されている。複数の基板プレート１１を有するサンプルホルダ１０によれば、１回の処理工程で処理できる基板２００の枚数を増やすことができる。その結果、全体の処理時間を短縮することができる。   Further, one sample holder 10 may be configured by arranging a plurality of substrate plates 11 having the substrate mounting surface 110. For example, a boat type sample holder 10 as shown in FIG. 4 in which a plurality of substrate plates 11 are arranged in parallel along the surface normal direction of the substrate mounting surface 110 can be used. Each bottom portion of the sample holder 10 is fixed to a fixing plate 12. According to the sample holder 10 having the plurality of substrate plates 11, the number of substrates 200 that can be processed in one processing step can be increased. As a result, the entire processing time can be shortened.

サンプルホルダ１０は、例えば図５に示すように、成膜処理対象の基板２００を搭載した状態でプラズマＣＶＤ装置１に格納される。プラズマＣＶＤ装置１による成膜処理において、サンプルホルダ１０はアノード電極として使用される。   For example, as shown in FIG. 5, the sample holder 10 is stored in the plasma CVD apparatus 1 in a state where a substrate 200 to be subjected to film formation is mounted. In the film forming process by the plasma CVD apparatus 1, the sample holder 10 is used as an anode electrode.

図５に示したプラズマＣＶＤ装置１は、チャンバー２０と、チャンバー２０内で基板搭載面１１０とそれぞれ対向するように配置された複数のカソード面を有するカソード電極３０と、サンプルホルダ１０とカソード電極３０間に交流電力を供給する交流電源４０とを備える。サンプルホルダ１０の基板搭載面１１０は、櫛歯状に配置されたカソード電極３０と対向する位置にセットされている。   The plasma CVD apparatus 1 shown in FIG. 5 includes a chamber 20, a cathode electrode 30 having a plurality of cathode surfaces arranged to face the substrate mounting surface 110 in the chamber 20, a sample holder 10, and a cathode electrode 30. And an AC power supply 40 for supplying AC power therebetween. The substrate mounting surface 110 of the sample holder 10 is set at a position facing the cathode electrode 30 arranged in a comb shape.

プラズマＣＶＤ装置１では、ガス供給装置５０からチャンバー２０内に成膜用の原料ガス５００が導入される。原料ガス５００を導入後、排気装置６０によってチャンバー２０内の圧力が調整される。チャンバー２０内の原料ガス５００の圧力が所定のガス圧に調整された後、交流電源４０によって所定の交流電力がカソード電極３０とサンプルホルダ１０間に供給される。これにより、チャンバー２０内の原料ガス５００がプラズマ化される。形成されたプラズマに基板２００を曝すことにより、原料ガス５００に含まれる原料を主成分とする所望の薄膜が基板２００の露出した表面に形成される。   In the plasma CVD apparatus 1, a raw material gas 500 for film formation is introduced from the gas supply apparatus 50 into the chamber 20. After introducing the source gas 500, the pressure in the chamber 20 is adjusted by the exhaust device 60. After the pressure of the source gas 500 in the chamber 20 is adjusted to a predetermined gas pressure, a predetermined AC power is supplied between the cathode electrode 30 and the sample holder 10 by the AC power source 40. Thereby, the source gas 500 in the chamber 20 is turned into plasma. By exposing the substrate 200 to the formed plasma, a desired thin film mainly composed of the raw material contained in the raw material gas 500 is formed on the exposed surface of the substrate 200.

プラズマＣＶＤ装置１において原料ガスを適宜選択することによって、シリコン半導体薄膜、シリコン窒化薄膜、シリコン酸化薄膜、シリコン酸窒化薄膜、カーボン薄膜などの所望の薄膜を基板２００上に形成することができる。例えば、基板２００が太陽電池用基板である場合に、アンモニア（ＮＨ3）ガスとシラン（ＳｉＨ4）ガスの混合ガスを用いて、基板２００上に反射防止膜や絶縁膜として窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を形成できる。 By appropriately selecting a source gas in the plasma CVD apparatus 1, a desired thin film such as a silicon semiconductor thin film, a silicon nitride thin film, a silicon oxide thin film, a silicon oxynitride thin film, or a carbon thin film can be formed on the substrate 200. For example, when the substrate 200 is a solar cell substrate, a mixed gas of ammonia (NH 3 ) gas and silane (SiH 4 ) gas is used to form silicon nitride (SiN) as an antireflection film or an insulating film on the substrate 200. A film can be formed.

本発明の実施形態に係るサンプルホルダ１０を上記の成膜処理工程に用いることにより、既に説明したように、サンプルホルダ１０と基板２００との密着性が向上する。その結果、基板２００における電位分布が安定化し、基板２００に形成される膜の膜厚分布が改善される。   By using the sample holder 10 according to the embodiment of the present invention for the film forming process, the adhesion between the sample holder 10 and the substrate 200 is improved as described above. As a result, the potential distribution in the substrate 200 is stabilized, and the film thickness distribution of the film formed on the substrate 200 is improved.

上記では、プラズマＣＶＤ装置１での処理にサンプルホルダ１０が使用される例を説明したが、他のプロセス処理装置にサンプルホルダ１０を使用できることはもちろんである。例えば、他の方式の半導体薄膜製造装置や太陽電池製造装置、プラズマエッチング装置、プラズマアッシング装置などでの処理に、サンプルホルダ１０は好適に使用可能である。     In the above description, the example in which the sample holder 10 is used for the processing in the plasma CVD apparatus 1 has been described, but it is needless to say that the sample holder 10 can be used in other process processing apparatuses. For example, the sample holder 10 can be suitably used for processing in other types of semiconductor thin film manufacturing apparatuses, solar cell manufacturing apparatuses, plasma etching apparatuses, plasma ashing apparatuses, and the like.

以上に説明したように、本発明の実施形態に係るサンプルホルダ１０では、基板搭載面１１０が定義された基板搭載領域１１１に多孔質の材料を使用し、且つ基板搭載面１１０の表面高さを一様とすることにより、プロセス処理装置での処理中においてサンプルホルダ１０と基板２００との密着性の高い。これにより、プロセス処理装置内で電極として使用され、搭載された基板２００に形成される膜の面内分布を改善できるサンプルホルダ１０を提供できる。   As described above, in the sample holder 10 according to the embodiment of the present invention, a porous material is used for the substrate mounting region 111 in which the substrate mounting surface 110 is defined, and the surface height of the substrate mounting surface 110 is set. By making it uniform, the adhesion between the sample holder 10 and the substrate 200 is high during processing in the process processing apparatus. Thereby, the sample holder 10 which can be used as an electrode in the process processing apparatus and can improve the in-plane distribution of the film formed on the mounted substrate 200 can be provided.

なお、サンプルホルダ１０は、重量が軽いことが好ましい。これは、重量が軽い程、サンプルホルダ１０を加熱するエネルギーが少なくて済むためである。これにより、プロセス処理中のサンプルホルダ１０の温度上昇に要する時間が短くなり、スループットが向上する。この点でも、サンプルホルダ１０に採用可能な多孔質材料として、カーボンが好適である。   The sample holder 10 is preferably light in weight. This is because the lighter the weight, the less energy is required to heat the sample holder 10. Thereby, the time required for the temperature rise of the sample holder 10 during the process processing is shortened, and the throughput is improved. Also in this respect, carbon is suitable as a porous material that can be used for the sample holder 10.

上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。即ち、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。   As mentioned above, although this invention was described by embodiment, it should not be understood that the description and drawing which form a part of this indication limit this invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art. That is, it goes without saying that the present invention includes various embodiments not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.

１…プラズマＣＶＤ装置
１０…サンプルホルダ
１１…基板プレート
１２…固定板
２０…チャンバー
３０…カソード電極
４０…交流電源
５０…ガス供給装置
６０…排気装置
１１０…基板搭載面
１１１…基板搭載領域
２００…基板
５００…原料ガス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plasma CVD apparatus 10 ... Sample holder 11 ... Substrate plate 12 ... Fixed plate 20 ... Chamber 30 ... Cathode electrode 40 ... AC power supply 50 ... Gas supply device 60 ... Exhaust device 110 ... Substrate mounting surface 111 ... Substrate mounting area 200 ... Substrate 500 ... Raw material gas

Claims (3)

半導体製造装置に格納され、前記半導体製造装置による処理において電極として使用可能なサンプルホルダであって、
処理対象の基板が搭載される基板搭載領域が定義され、垂直方向に延伸し且つ表面高さが一様である基板搭載面を有し、
前記基板搭載面の、少なくとも前記基板搭載領域が定義された領域の全体が多孔質の材料からなり、
前記基板搭載面の前記表面高さが前記基板との間に空洞や隙間がないように一様であり、
前記処理において、前記半導体製造装置の内部を真空にして前記基板搭載面の前記多孔質の材料からなる部分の微細な孔の中を真空にした後に、前記半導体製造装置の内部にガスを導入して前記サンプルホルダに密着する方向に前記基板に力を働かすことによって、前記基板を前記基板搭載面に密着させることを特徴とするサンプルホルダ。 A sample holder stored in a semiconductor manufacturing apparatus and usable as an electrode in processing by the semiconductor manufacturing apparatus,
A substrate mounting area on which a substrate to be processed is mounted is defined, has a substrate mounting surface that extends in the vertical direction and has a uniform surface height,
Of the substrate mounting surface, Ri whole of at least the substrate mounting region is defined regions Do from the porous material,
The surface height of the substrate mounting surface is uniform so that there are no cavities or gaps between the substrate and the substrate mounting surface;
In the processing, after the inside of the semiconductor manufacturing apparatus is evacuated to make a minute hole in a portion made of the porous material on the substrate mounting surface into a vacuum, a gas is introduced into the semiconductor manufacturing apparatus. A sample holder characterized in that the substrate is brought into close contact with the substrate mounting surface by exerting a force on the substrate in a direction in close contact with the sample holder. 前記基板搭載面の前記基板搭載領域が定義された領域がカーボンからなることを特徴とする請求項１に記載のサンプルホルダ。   2. The sample holder according to claim 1, wherein a region where the substrate mounting region of the substrate mounting surface is defined is made of carbon. 垂直方向に延伸する第１の主面と、該第１の主面に対向した第２の主面とを有し、前記第１及び前記第２の主面にそれぞれ前記基板搭載領域が定義された基板プレートを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のサンプルホルダ。   A first main surface extending in the vertical direction; and a second main surface opposite to the first main surface, wherein the substrate mounting region is defined on each of the first and second main surfaces. The sample holder according to claim 1, further comprising a substrate plate.
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