JP2017216044A - セラミックヒータ、および、グロープラグ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミックヒータは、窒化珪素を含有する基体部と、基体部に埋め込まれた抵抗体と、を備える。抵抗体は、窒化珪素と導電性材料とを含有し、通電により発熱する発熱部と、発熱部に接続された一対のリード部と、を有し、発熱部に含有される前記窒化珪素の平均粒径は、基体部に含有される前記窒化珪素の平均粒径の1.1倍以上である。
【選択図】図5
Description
図1は、本発明の実施形態としてのグロープラグ10の断面図である。図1では、グロープラグ10の中心軸Acを一点鎖線で図示している。また、グロープラグ10において、紙面上側を後端側BSとし、紙面下側を先端側ASとする。
B−1.第1の評価試験:
図5は、第1の評価試験の結果を表す図である。図6は、各サンプルNo.1〜No.5の原料を構成する窒化珪素の平均粒径D1,D2の大小関係と、抵抗体42Aと基体部44Aとの収縮挙動の関係を示す図である。図7は、図2のF2a−F2a断面のSEM画像であり、発熱部428Bの画像である。図5には、図3のステップS20を経た後の焼成体40BであるサンプルNo.1〜No.5についての、窒化珪素の平均粒径A,B、平均粒径の比R、および、クラック評価を示している。比Rは、小数点第2位を四捨五入した値である。サンプルNo.1〜No.5では、基体部44Bに含有される窒化珪素の平均粒径Aと、発熱部428Bに含有される窒化珪素の平均粒径Bと、比R(平均粒径B/平均粒径A)とが異なる。焼成体40Bは、ステップS22を経てセラミックヒータ40が作製されるが、ステップS22では熱的な負荷が加えられないので、セラミックヒータ40において平均粒径A、平均粒径Bは焼成体40Bから変化しない。また、サンプルNo.1〜No.5を作製するために準備した抵抗体42の成形材料と基体部44の成形材料は、以下の通りである。なお、サンプルNo.1〜No.5は、1000本ずつ作製した。
本焼成後に、窒化珪素が30質量%、炭化タングステンが63質量%、二酸化珪素が2質量%、酸化エルビウムが5質量%の配合比になるように、窒化珪素の粉末、炭化タングステンの粉末、二酸化珪素の粉末、および、酸化エルビウムの粉末を混合した。混合した粉末にバインダーを一定割合(成形材料全体の約10質量%)配合した。
本焼成後に、エルビウム(Er)が酸化エルビウム換算で6.4質量%、クロム(Cr)がケイ化クロム換算で2.2質量%、アルミニウムが窒化アルミニウム(AlN)換算で0.6質量%となるように、酸化エルビウム粉末、タングステン化合物粉末、結晶構造がα又はβの炭化珪素粉末および二酸化珪素の粉末、窒化アルミニウムおよびアルミナのアルミ化合物粉末を混合した。混合した粉末にバインダーを一定割合(成形材料全体の約10質量%)配合した。なお、上記の配合した基体部44の成形材料を用いて作製した焼成体40Bにおいて、基体部44Bは導電性材料の含有量が8体積%以下となる。
図8は、第2の評価試験の結果を表す図である。図9は、セラミックヒータ40の中間成形体である各サンプルにおける窒化珪素の平均粒径の大小関係と、抵抗体42と基体部44との収縮挙動の関係を示す図である。
本焼成後に、窒化珪素が23質量%、炭化タングステンが70質量%、二酸化珪素が2質量%、酸化エルビウムが5質量%の配合比になるように、窒化珪素の粉末、炭化タングステンの粉末、二酸化珪素の粉末、および、酸化エルビウムの粉末を混合した。混合した粉末にバインダーを一定割合(成形材料全体の約10質量%)配合した。
なお、この発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能である。
図10は、第1変形例のセラミックヒータ40aを説明するための図である。上記実施形態では、リード部422,423は窒化珪素を含有していたが、含有していなくてもよい。第1変形例のセラミックヒータ40aは、リード部422a,423aは、金属線である。金属線に用いる材料としては、タングステンや銅などが挙げられる。
20…主体金具
30…外筒
40,40a…セラミックヒータ
40A…中間成形体
44…基体部
44a…先端部
44b…後端部
45…リング
50…中軸
55…Oリング
60…絶縁部材
70…端子
74…焼成炉
75…加圧用ダイス
78…ホットプレス装置
422,422a…リード部
425、427…電極部
428…発熱部
428a…端部
A…平均粒径
AS…先端側
Ac…中心軸
BS…後端側
L1〜L5…直線
P…窒化珪素粒子
PS…粒径
Ps…部分
Claims (5)
- セラミックヒータであって、
窒化珪素を含有する基体部と、
前記基体部に埋め込まれた抵抗体と、を備え、
前記抵抗体は、
前記窒化珪素と導電性材料とを含有し、通電により発熱する発熱部と、
前記発熱部に接続された一対のリード部と、を有し、
前記発熱部に含有される前記窒化珪素の平均粒径は、前記基体部に含有される前記窒化珪素の平均粒径の1.1倍以上である、セラミックヒータ。 - 請求項1に記載のセラミックヒータであって、
前記リード部は、前記窒化珪素と前記導電性材料とを含有し、
前記リード部に含有される前記窒化珪素の平均粒径は、前記基体部に含有される前記窒化珪素の平均粒径の1.2倍以上である、セラミックヒータ。 - 請求項2に記載のセラミックヒータであって、
前記リード部に含有される前記窒化珪素の平均粒径は、前記基体部に含有される前記窒化珪素の平均粒径の1.6倍以上2.0倍以下である、セラミックヒータ。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載のセラミックヒータであって、
前記発熱部に含有される前記窒化珪素の平均粒径は、前記基体部に含有される前記窒化珪素の平均粒径の1.5倍以下である、セラミックヒータ。 - 筒状の主体金具と、
前記主体金具に保持された請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載のセラミックヒータと、を備える、グロープラグ。
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