JP2017207487A - 凹んでいる又は隆起した外側要素を備える計時器を製造する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上側面があり、クレストが形成されている隆起したパターンが前記上側面にある導電性の基材を用意するステップと、
前記クレストと前記上側面の間の距離以下の厚みまで、前記基材の上側面上に前記パターンのまわりに電気的に絶縁性の絶縁層を堆積するステップと、
直流電気成長によって前記パターンの前記クレスト上に金属層を堆積させて、この堆積の終わりにおいて前記金属層を前記絶縁層上に部分的に配置させるステップと、
前記絶縁層を溶かすステップと、
前記基材及び前記金属層を有するアセンブリーを前記部品の基礎材料の塊材で被覆して、前記塊材に前記アセンブリーの印(インプリント)を形成させるステップと、
前記基材から前記塊材及び前記金属層を分離して、前記パターンの印に対応する形であって基礎が前記金属層と干渉するような凹部によって前記塊材が形成された外側要素を見せるようにするステップと
を有する。
上側面を有する導電性の基材を用意するステップと、
電気的に絶縁性の絶縁層を前記基材の前記上側面上に堆積するステップと、
前記絶縁層と前記基材を機械加工して、前記絶縁層を通り抜けて前記基材の一部にわたるように延在する空欠パターンを作るステップと、
直流電気成長によって前記パターン内に金属層を堆積させて、この堆積の終わりにおいて前記金属層を前記絶縁層上に部分的に配置させるステップと、
前記絶縁層を溶かすステップと、
前記基材及び前記金属層を有するアセンブリーを前記部品の基礎材料の塊材で被覆して、前記塊材に前記アセンブリーの印を形成させるステップと、
前記基材から前記塊材及び前記金属層を分離して、前記金属層が、前記塊材上に前記パターンの印に対応する形の外側要素を形成する成長物を形成するようにするステップと
を有する。
− 図1a及び2bに示すパターンMT、MT’の幅L、L’
− 図1b及び2bに示すパターンMT、MT’の高さH、E’+G
− 図1a及び2bに示すパターンMT、MT’のフランクFC、FC’の傾きα、α’
− 図1c及び2cに示す金属層CM、CM’の側方の端EL、EL’の幅G、G’
− 図1c及び2cに示す金属層CM、CM’(金属層CM、CM’が機械加工されていなければこれらの幅G、G’と等しい)の前記側方の端EL、EL’の厚みP、P’
− 図1b及び2bに示すステップMd_Cis又はMd’_Cisにおいて堆積される絶縁層CI、CI’の厚みE、E’
CI、CI’ 絶縁層
CI、CI’ 絶縁層
CM、CM’ 金属層
CV 空洞
EH 外側要素
ES、ES’ アセンブリー
EV 凹部
EV’ 成長物
FD 基礎
MN 鉱物
MT、MT’ パターン
PC、PC’ 部品
RL 物質
SB、SB’ 基材
SP、SP’ 上側面
ST クレスト
VL、VL’ 塊材
Claims (13)
- 外側要素を備える部品(PC)を製造する方法であって、
上側面(SP)があり、クレストが形成されている隆起したパターン(MT)が前記上側面(SP)にある導電性の基材(SB)を用意するステップ(Md_Sub)と、
前記クレスト(ST)と前記上側面(SP)の間の距離以下の厚みまで、前記基材(SB)の上側面(SP)上に前記パターン(MT)のまわりに電気的に絶縁性の絶縁層(CI)を堆積するステップ(Md_Cis)と、
直流電気成長によって前記パターン(MT)の前記クレスト(ST)上に金属層(CM)を堆積して、この堆積の終わりにおいて前記金属層(CM)を前記絶縁層(CI)上に部分的に配置させるステップ(Md_Cga)と、
前記絶縁層(CI)を溶かすステップ(Md_Dis)と、
前記基材(SB)及び前記金属層(CM)を有するアセンブリー(ES)を前記部品(PC)の基礎材料の塊材(VL)で被覆して、前記塊材(VL)に前記アセンブリー(ES)の印を形成させるステップ(Md_Enr)と、
前記基材(SB)から前記塊材(VL)及び前記金属層(CM)を分離して、前記パターン(MT)の印に対応する形であって基礎(FD)が前記金属層(CM)と干渉するような凹部(EV)によって前記塊材(VL)が形成された外側要素を見せるようにするステップ(Md_Dem)と
を有することを特徴とする製造方法。 - 前記パターン(MT)の前記クレスト(ST)を機械加工して、彫り付けのようなテクスチャを作るステップを有する
ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。 - 外側要素を備える部品(PC’)を製造する方法であって、
上側面(SP’)を有する導電性の基材(SB’)を用意するステップと、
電気的に絶縁性の絶縁層(CI’)を前記基材(SB’)の前記上側面(SP’)上に堆積するステップ(Md’_Cis)と、
前記絶縁層(CI’)と前記基材(SB’)を機械加工して、前記絶縁層(CI’)を通り抜けて前記基材(SB’)の一部にわたるように延在する空欠パターン(MT’)を作るステップ(Md’_Uge)と、
直流電気成長によって前記パターン(MT’)内に金属層(CM’)を堆積して、この堆積の終わりにおいて前記金属層(CM’)を前記絶縁層(CI’)上に部分的に配置させるステップ(Md’_Cga)と、
前記絶縁層(CI’)を溶かすステップ(Md’_Dis)と、
前記基材(SB’)及び前記金属層(CM’)を有するアセンブリー(ES’)を前記部品(PC’)の基礎材料の塊材(VL’)で被覆して、前記塊材(VL’)に前記アセンブリー(ES’)の印を形成させるステップ(Md’_Enr)と、
前記基材(SB’)から前記塊材(VL’)及び前記金属層(CM’)を分離して、前記金属層(CM’)が、前記塊材(VL’)上に前記パターン(MT)の印に対応する形の外側要素(EH)を形成する成長物(EV’)を形成するようにするステップ(Md’_Enr)と
を有することを特徴とする製造方法。 - 前記金属層(CM、CM’)を溶かして、塊材(VL、VL’)に、前記金属層(CM、CM’)の印によって形成されるアンカーアーム(BA)がある空洞(CV)を形成するステップ(Md_Ddr)とを有する
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。 - 前記金属層(CM、CM’)を溶かすステップ(Md_Ddr)の後に、
樹脂、ラッカー又は金属のような物質で前記空洞を充填するステップ(Md_Rsl)を有する
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法。 - 前記塊材(VL、VL’)の前記基礎材料は、金属性ではなく、
前記物質(RL)は、金属性であり、
当該方法は、前記金属層(CM、CM’)を溶かすステップ(Md_Ddr)と前記空洞(CV)を物質(RL)で充填するステップ(Md_Rsl)の間に、
物理的気相成長プロセスによって前記空洞(CV)の壁に金属膜を堆積するステップを有し、
前記充填するステップ(Md_Rsl)は、前記物質(RL)を前記金属膜上に直流電気成長させることによって行う
ことを特徴とする請求項5に記載の製造方法。 - ダイヤモンドのような鉱物(MN)を前記空洞(CV)内に、前記空洞(CV)へと開いているトラックによって、挿入して、前記鉱物(MN)を前記アンカーアーム(BA)のレベルにて前記空洞(CV)内にて保持するステップとを有する
ことを特徴とする請求項4に記載の製造方法。 - 前記絶縁層(CI、CI’)を堆積するステップ(Md_Cis、Md’_Cis)の前に、
前記基材(SB、SB’)の上側面を機械加工して、彫り付けのようなテクスチャを作るステップを有する
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の製造方法。 - 前記金属層(CM、CM’)を堆積するステップ(Md_Cga、Md’_Cga)の後に、
前記金属層(CM、CM’)を機械加工して、前記金属層(CM、CM’)の寸法(G、P、G’、P’)の少なくとも1つを小さくしたり、かつ/又は前記金属層(CM、CM’)の表面の少なくとも1つを構成する
ことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の製造方法。 - 前記基礎材料は、金属、アモルファス又は部分的にアモルファスな金属合金、あるいは高分子であり、
前記被覆するステップ(Md_Enr、MD’_Enr)は、前記基材(SB、SB’)及び前記金属層(CM、CM’)を有するアセンブリー(ES、ES’)上に基礎材料のブロックを押し付けることによって行われる
ことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の製造方法。 - 前記基礎材料は、金属性であり、前記被覆するステップ(Md_Enr、MD’_Enr)は、前記基材(SB、SB’)及び前記金属層(CM、CM’)を有するアセンブリー(ES、ES’)上に前記基礎材料を直流電気成長させることによって行われる
ことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の製造方法。 - 前記金属層(CM、CM’)は、金、銀又はニッケルあるいはこれらの金属の合金によって形成される
ことを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の製造方法。 - 前記絶縁層(CI、CI’)は、樹脂によって形成される
ことを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の製造方法。
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