JP2017203737A - 熱型赤外線検出器および熱型赤外線検出器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】トレンチ構造(102)を有する熱型赤外線検出器(100)において、トレンチ構造の間に少なくとも1つのセンサ素子(104)が設けられ、センサ素子の断熱中空化のためのエッチングホールが基板裏面あるいは画素エリアの周辺に設けられ、画素エリアの下方に開口部(112)を備える。
【選択図】図1
Description
このような背景を踏まえ、熱型赤外線検出器の高感度化に関して、特許文献1に記載の従来技術は、センサ素子上部に赤外線吸収構造を設けて開口率の向上を図っている。しかしながら、特許文献1のような構造では、センサ素子の断熱中空化のためのエッチングホールを赤外線吸収構造に設ける必要がある。このため、開口率が低下してしまう課題があった。
図1は、本発明の実施の形態1による熱型赤外線検出器を示す鳥瞰図である。また、図2は、本発明の実施の形態1による熱型赤外線検出器の断面図である。図1および図2に示す熱型赤外線検出器100は、基板101、トレンチ構造102、センサ素子104、断熱支持脚105、配線106、および赤外線吸収構造109を備えて構成されている。
本発明の実施の形態2では、トレンチ構造203に高熱伝導材料202を埋め込むことで、センサ素子と周辺回路を接続するための配線106の熱抵抗を低減でき、熱時定数を低減することのできる熱型赤外線検出器について説明する。
本発明の実施の形態3では、センサ素子の裏面側に赤外線吸収膜がさらに形成された熱型赤外線検出器について説明する。
本発明の実施の形態4では、トレンチ構造内部に赤外線反射膜がさらに形成された熱型赤外線検出器について説明する。
本発明の実施の形態5では、開口率が向上することで高感度となる熱型赤外線検出器について説明する。
本発明の実施の形態6では、センサ素子の裏面側にプラズモニクス吸収体がさらに形成された熱型赤外線検出器について説明する。
本発明の実施の形態7では、赤外線吸収構造109を備えた裏面照射型熱型赤外線検出器について説明する。
本発明の実施の形態8では、赤外線反射膜401を備えた裏面照射型熱型赤外線検出器について説明する。
本発明の実施の形態9では、曲率をもった赤外線吸収構造を備えた裏面照射型熱型赤外線検出器について説明する。
Claims (12)
- トレンチ構造を有する熱型赤外線検出器において、
前記トレンチ構造の間に少なくとも1つのセンサ素子が設けられ、
前記センサ素子の断熱中空化のためのエッチングホールが基板裏面あるいは画素エリアの周辺に設けられ、
前記画素エリアの下方に開口部を備える
熱型赤外線検出器。 - 前記トレンチ構造は、前記センサ素子と周辺回路とを接続する配線の直下に設けられている
請求項1に記載の熱型赤外線検出器。 - 前記トレンチ構造は、内部に高熱伝導率材料を有する
請求項1または2に記載の熱型赤外線検出器。 - 前記センサ素子の裏面に設けられた赤外線吸収膜をさらに備える
請求項1から3のいずれか1項に記載の熱型赤外線検出器。 - 前記トレンチ構造の側壁に設けられた赤外線反射膜をさらに備える
請求項1から4のいずれか1項に記載の熱型赤外線検出器。 - 前記赤外線反射膜を備えた熱型赤外線検出器をパッケージにマウントする際に、
前記パッケージは、最表面に赤外線反射膜を有しており、
前記センサ素子と前記パッケージの上面との光学距離は、検出赤外線波長の略4分の1の奇数倍である
請求項5に記載の熱型赤外線検出器。 - 前記センサ素子の形成面と異なる別平面に形成された断熱支持脚と、
前記トレンチ構造の側壁に設けられた赤外線反射膜と
をさらに備える
請求項1から4のいずれか1項に記載の熱型赤外線検出器。 - 前記センサ素子の裏面に設けられたプラズモニクス吸収体または赤外線吸収膜をさらに備える
請求項7に記載の熱型赤外線検出器。 - 前記センサ素子の上部に設けられ、前記センサ素子を透過した赤外線を吸収する赤外線吸収構造をさらに備える
請求項7に記載の熱型赤外線検出器。 - 前記赤外線吸収構造の上部に設けられ、前記センサ素子および前記赤外線吸収構造を透過した赤外線を反射する赤外線反射膜をさらに備え、
前記センサ素子と前記赤外線反射膜との光学距離は、検出赤外線波長の略4分の1の奇数倍である
請求項9に記載の熱型赤外線検出器。 - 前記赤外線吸収構造および前記赤外線反射膜は、前記センサ素子を覆うように曲率が設けられている
請求項10に記載の熱型赤外線検出器。 - 請求項1に記載の熱型赤外線検出器の製造方法であって、
前記センサ素子の直下の絶縁膜および前記トレンチ構造を、Si基板とのエッチング選択比の高い材料を用いて形成する工程を有する
熱型赤外線検出器の製造方法。
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US15/345,946 US11215510B2 (en) | 2016-05-13 | 2016-11-08 | Thermal infrared detector and manufacturing method for thermal infrared detector |
DE102016224977.0A DE102016224977A1 (de) | 2016-05-13 | 2016-12-14 | Infrarot-Wärmedetektor und Herstellungsverfahren für Infrarot-Wärmedetektor |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113167655A (zh) * | 2018-11-07 | 2021-07-23 | 芬兰国家技术研究中心股份公司 | 用于热检测器的吸收器结构 |
WO2022254838A1 (ja) * | 2021-06-03 | 2022-12-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体センサ及びその製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3073941B1 (fr) * | 2017-11-21 | 2021-01-15 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de detection d’un rayonnement electromagnetique a diaphotie reduite |
CN110783354B (zh) * | 2019-10-30 | 2022-02-15 | 深圳先进技术研究院 | 太赫兹信号探测器及其制备方法 |
CN112697280B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-06-28 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 带支撑柱的热影像传感器结构及制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6294787B1 (en) * | 1997-08-14 | 2001-09-25 | Heimann Optoelectronics Gmbh | Sensor system and manufacturing process as well as self-testing process |
JP2004093535A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 熱型赤外線固体撮像装置およびその製造方法 |
JP3944465B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2007-07-11 | 三菱電機株式会社 | 熱型赤外線検出器及び赤外線フォーカルプレーンアレイ |
JP2013044590A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Seiko Epson Corp | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 |
JP2015118078A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | エクセリタス テクノロジーズ シンガポール プライヴェート リミテッド | 半導体基板上に傘型吸収体を備えるサーモパイル・ピクセルの製造のためのcmos集積方法 |
EP2897170A1 (en) * | 2014-01-21 | 2015-07-22 | Excelitas Technologies Singapore Pte. Ltd. | CMOS integrated method for fabrication of thermopile pixel on semiconductor substrate with buried insulation regions |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4964935A (ja) | 1972-10-24 | 1974-06-24 | ||
DE69313337T2 (de) * | 1992-04-17 | 1998-01-02 | Terumo Corp | Infrarotsensor und Verfahren für dessen Herstellung |
US5962854A (en) * | 1996-06-12 | 1999-10-05 | Ishizuka Electronics Corporation | Infrared sensor and infrared detector |
US5929440A (en) * | 1996-10-25 | 1999-07-27 | Hypres, Inc. | Electromagnetic radiation detector |
JP3040356B2 (ja) * | 1997-01-27 | 2000-05-15 | 三菱電機株式会社 | 赤外線固体撮像素子 |
JP3514681B2 (ja) | 1999-11-30 | 2004-03-31 | 三菱電機株式会社 | 赤外線検出器 |
JP4224949B2 (ja) | 2000-09-21 | 2009-02-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および赤外線イメージセンサの製造方法 |
JP2004325379A (ja) | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線検出器および赤外線検出器アレイ |
JP4315832B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2009-08-19 | 三菱電機株式会社 | 熱型赤外センサ素子および熱型赤外センサアレイ |
US7800066B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-09-21 | Regents of the University of Minnesota Office for Technology Commercialization | Detection beyond the standard radiation noise limit using reduced emissivity and optical cavity coupling |
JP4964935B2 (ja) | 2009-10-30 | 2012-07-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子および半導体光装置 |
JP5977609B2 (ja) | 2012-07-20 | 2016-08-24 | 日新製鋼株式会社 | 省Ni型オーステナイト系ステンレス鋼 |
US9274005B2 (en) * | 2012-08-23 | 2016-03-01 | Robert Bosch Gmbh | Device and method for increasing infrared absorption in MEMS bolometers |
US9360373B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-06-07 | Ricoh Company, Ltd. | Infrared sensor of rear surface irradiation type |
US20150362374A1 (en) * | 2014-06-16 | 2015-12-17 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Atomic Layer Deposition of Vanadium Oxide for Microbolometer and Imager |
US20160173834A1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Plasmonic polarization-sensitive image sensor |
-
2016
- 2016-05-13 JP JP2016096880A patent/JP6279011B2/ja active Active
- 2016-11-08 US US15/345,946 patent/US11215510B2/en active Active
- 2016-12-14 DE DE102016224977.0A patent/DE102016224977A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6294787B1 (en) * | 1997-08-14 | 2001-09-25 | Heimann Optoelectronics Gmbh | Sensor system and manufacturing process as well as self-testing process |
JP2004093535A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 熱型赤外線固体撮像装置およびその製造方法 |
JP3944465B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2007-07-11 | 三菱電機株式会社 | 熱型赤外線検出器及び赤外線フォーカルプレーンアレイ |
JP2013044590A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Seiko Epson Corp | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 |
JP2015118078A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | エクセリタス テクノロジーズ シンガポール プライヴェート リミテッド | 半導体基板上に傘型吸収体を備えるサーモパイル・ピクセルの製造のためのcmos集積方法 |
EP2897170A1 (en) * | 2014-01-21 | 2015-07-22 | Excelitas Technologies Singapore Pte. Ltd. | CMOS integrated method for fabrication of thermopile pixel on semiconductor substrate with buried insulation regions |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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