JP2017196727A5

JP2017196727A5 - 電子部品及びその製造方法と電子装置及びその製造方法

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Publication number: JP2017196727A5
Application number: JP2017064299A
Authority: JP
Filing date: 2017-03-29
Publication date: 2020-03-05
Anticipated expiration: 2037-03-29

Claims

電子部品を製造する方法であって、
基板の主表面に機能部を形成することと、
前記主表面において前記機能部を覆う犠牲層を形成することと、
前記犠牲層を覆うキャップ層を形成することと、
前記キャップ層を通る孔を形成することと、
前記孔を通じたウェットエッチング工程を用いて前記犠牲層を除去して空洞を形成することと、
前記キャップ層及び前記主表面を覆う樹脂層を形成することと
を含み、
前記キャップ層は、前記主表面において前記空洞を囲む周縁部を形成し、
前記孔は、前記周縁部において前記主表面に沿うように前記空洞の内部と前記空洞の外部とを連通する周縁孔を含み、
前記樹脂層は、
一つ以上の孔部と、
前記一つ以上の孔部の中に配置された、前記樹脂層の厚さ未満の厚さを有する半田層と
を含む方法。
前記キャップ層は矩形周縁部を含み、
前記周縁孔は、前記矩形周縁部の四隅のそれぞれ一隅に形成される請求項１の方法。
前記犠牲層は有機樹脂を含む請求項１の方法。
前記有機樹脂は感光性ノボラックを含む請求項３の方法。
前記キャップ層は、オルトケイ酸テトラエチル化学気相成長法（ＴＥＯＳ−ＣＶＤ）工程を用いて形成された二酸化ケイ素を含む請求項１の方法。
前記キャップ層は炭素を含む請求項５の方法。
前記機能部は、機械的可動部分を含む弾性表面波（ＳＡＷ）素子又は圧電薄膜共振子（ＦＢＡＲ）の一方である請求項１の方法。
前記基板は誘電体材料を含む請求項１の方法。
電子装置を製造する方法であって、
第１基板の主表面に形成された機能部を覆う犠牲層を形成することによって電子部品を用意することと、
前記犠牲層を覆うキャップ層を形成することと、
前記キャップ層を通る孔を形成することと、
前記孔を通じたウェットエッチング工程を用いて前記犠牲層を除去することによって空洞を形成することと、
前記キャップ層及び前記主表面を覆う樹脂層を形成することと、
前記電子部品を第２基板に装着して前記電子装置を形成することと
を含み、
前記キャップ層は、前記主表面において前記空洞を囲む周縁部を形成し、
前記孔は、前記周縁部において前記主表面に沿って前記空洞の内部と前記空洞の外部とを連通する周縁孔を含み、
前記樹脂層は、
一つ以上の孔部と、
前記一つ以上の孔部の中に配置された、前記樹脂層の厚さ未満の厚さを有する半田層と
を含む方法。
電子部品であって、
機能部が形成された主表面を含む基板と、
前記機能部を囲んで覆う空洞を画定するキャップ層と、
前記キャップ層及び前記主表面を覆う樹脂層と
を含み、
前記キャップ層は、前記主表面において前記空洞を囲む周縁部を形成し、
前記キャップ層には孔が設けられ、
前記孔は、前記周縁部において前記主表面に沿って前記空洞の内部と前記空洞の外部とを連通する周縁孔を含み、
前記樹脂層は、
一つ以上の孔部と、
前記一つ以上の孔部の中に配置された、前記樹脂層の厚さ未満の厚さを有する半田層と
を含む電子部品。
前記キャップ層は矩形周縁部を含み、
前記周縁孔は、前記矩形周縁部の四隅のそれぞれ一隅に形成される請求項１０の電子部品。
前記キャップ層は、炭素を含有する二酸化ケイ素を含む請求項１０の電子部品。
前記機能部は、機械的可動部分を含む弾性表面波（ＳＡＷ）素子又は圧電薄膜共振子（ＦＢＡＲ）の一方である請求項１０の電子部品。
前記基板は誘電体材料を含む請求項１０の電子部品。
電子装置であって、
第１基板と、
機能部が形成された主表面を有する第２基板、前記機能部を囲んで覆う空洞を画定するキャップ層、並びに前記キャップ層及び前記主表面を覆う第１樹脂層を含む電子部品と、
前記第１基板及び前記電子部品を封止する第２樹脂層と
を含み、
前記キャップ層は、前記主表面において前記空洞を囲む周縁部を形成し、
前記キャップ層には孔が設けられ、
前記孔は、前記周縁部において前記主表面に沿って前記空洞の内部と前記空洞の外部とを連通する周縁孔を含み、
前記第１樹脂層は、
一つ以上の孔部と、
前記一つ以上の孔部の中に配置された、前記第１樹脂層の厚さ未満の厚さを有する半田層と
を含む電子装置。
前記機能部は弾性表面波（ＳＡＷ）素子又は圧電薄膜共振子（ＦＢＡＲ）の一方である請求項１５の電子装置。
前記第２基板は圧電体材料を含む請求項１５の電子装置。
前記キャップ層は二酸化ケイ素を含み、
前記二酸化ケイ素においてケイ素に対する炭素がゼロから２０原子パーセントである請求項１５の電子装置。
前記キャップ層はさらに、前記キャップ層の天井部に形成された貫通孔を含む請求項１５の電子装置。
前記半田層は、前記第２基板の主表面に配置された金属層を通じて前記機能部と電気的に連通する請求項１５の電子装置。